JPS59218755A - 被覆または包封製品およびその製造方法 - Google Patents
被覆または包封製品およびその製造方法Info
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- JPS59218755A JPS59218755A JP59067822A JP6782284A JPS59218755A JP S59218755 A JPS59218755 A JP S59218755A JP 59067822 A JP59067822 A JP 59067822A JP 6782284 A JP6782284 A JP 6782284A JP S59218755 A JPS59218755 A JP S59218755A
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
- B44C1/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
- B44C1/22—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被覆または包封（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ）
製品の製造に関する。
製品の製造に関する。
ある種の製品、例えば金属ノぐネルおよび電子音す品の
被覆または包封は周知である。かかる被覆または包封は
これらの製品を環境から保勲するためｋおよび（または
）絶Ｈ誘電体（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ Ｃ１１ｅ −１
ｅｃｔｒｉｃ）として作用させるために使用し得る。電
子工業においては、集積回路の被覆または包封は例えば
ポリイミドを用いて行われる。
被覆または包封は周知である。かかる被覆または包封は
これらの製品を環境から保勲するためｋおよび（または
）絶Ｈ誘電体（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ Ｃ１１ｅ −１
ｅｃｔｒｉｃ）として作用させるために使用し得る。電
子工業においては、集積回路の被覆または包封は例えば
ポリイミドを用いて行われる。
今般、本発明者はある種の基体をある種の、シクロヘキ
サジエンの重合体または共重合体で被覆または包封しつ
いでこの重合体または共重合体をアリーレンの重合体ま
たは共重合体に転化し得ることを知見した。かかるアリ
ーレン重合体の被覆または包封Ｊ碕はしばしば、かかる
用途に従来使用されていた他のＮ合体１例えばポリイミ
Ｐの被覆または包封層より良好な熱安定性を有する。
サジエンの重合体または共重合体で被覆または包封しつ
いでこの重合体または共重合体をアリーレンの重合体ま
たは共重合体に転化し得ることを知見した。かかるアリ
ーレン重合体の被覆または包封Ｊ碕はしばしば、かかる
用途に従来使用されていた他のＮ合体１例えばポリイミ
Ｐの被覆または包封層より良好な熱安定性を有する。
従って本発明の第１の発明によれば、ガラスまたは臭化
カリウムを含まない基体と、この基体上に施されたアリ
ーレンの重合体または共重合体からなる被覆または包封
層とからなることを特徴とする、被覆または包封製品が
提供される。
カリウムを含まない基体と、この基体上に施されたアリ
ーレンの重合体または共重合体からなる被覆または包封
層とからなることを特徴とする、被覆または包封製品が
提供される。
本発明の第２の発明によれば、（Ａ）基体を適当な／、
、２−Ｊ！換−シクロヘキサ−３１！−ジエンの単独重
合体または共重合体で被覆または包封し、ついで（１３
）工程（Ａ）の製品を適当な処理にかけて、上記単独重
合体または共重合体をアリーレンの単独重合体または共
重合体に転化することを特徴とする。ガラスまたは臭化
カリウムを含まない基体と、この基体上に施されたアリ
ーレン単独重合体または共重合体からなる被覆または包
封層とからなる被覆または包封製品の製造方法が提供さ
れる。
、２−Ｊ！換−シクロヘキサ−３１！−ジエンの単独重
合体または共重合体で被覆または包封し、ついで（１３
）工程（Ａ）の製品を適当な処理にかけて、上記単独重
合体または共重合体をアリーレンの単独重合体または共
重合体に転化することを特徴とする。ガラスまたは臭化
カリウムを含まない基体と、この基体上に施されたアリ
ーレン単独重合体または共重合体からなる被覆または包
封層とからなる被覆または包封製品の製造方法が提供さ
れる。
本発明の好ましい具体列においては、基体は集積回路の
）＜ＩＸ品である。
）＜ＩＸ品である。
不発Ｌ１１．Ｉの紀／の発明による被覆または包封製品
を構成するアリーレン重合体または共重合体は、好まし
くは、一般式： （式中、残基Ａｒ）☆びＸが存在する場合Ｘは重合体鎖
中で単位によって異なってもよ（、Ａｒは二価芳香族又
は置換芳香族基を表わし、Ｘは一種又はそれ以上の重合
し得る共単隣体の残基全表わし、ｎ及びｍは整数であシ
かりｎ：ｍの比は／：Ｏないし／：１００の範、囲であ
る）の（，５私造をもつ。
を構成するアリーレン重合体または共重合体は、好まし
くは、一般式： （式中、残基Ａｒ）☆びＸが存在する場合Ｘは重合体鎖
中で単位によって異なってもよ（、Ａｒは二価芳香族又
は置換芳香族基を表わし、Ｘは一種又はそれ以上の重合
し得る共単隣体の残基全表わし、ｎ及びｍは整数であシ
かりｎ：ｍの比は／：Ｏないし／：１００の範、囲であ
る）の（，５私造をもつ。
本発明の第λの発明による方法において使用される／、
コージ置換−シクロヘキザ−３，！−ジエン単独重合体
又は共重合体に好１しくは一般式〔式中、シクロヘキサ
ジエン環及び残基Ｘが存在する場８Ｘは重合体鎖中で単
位によって異なってもよく、；各ＦＬｌは同一でも異な
ってもよく、水素、ハイドロカルビル基、たとえば炭素
数５個までの低級アルキル基、アロイル基、炭素数／′
０ （１ｉｉ１までのアルカノイル基又は好ましくはＲ
２（１００基（式中、Ｒ・２はアリール基又は炭素数１
ｏ（Ｉｉｌまで、好ましくは炭素数７個又は−個のアル
キル基である）であり： Ｘ ｌ ｏ及びｍは前記の意
義含有する〕で表わされる）’Ｉｆｆ造金もつ。
コージ置換−シクロヘキザ−３，！−ジエン単独重合体
又は共重合体に好１しくは一般式〔式中、シクロヘキサ
ジエン環及び残基Ｘが存在する場８Ｘは重合体鎖中で単
位によって異なってもよく、；各ＦＬｌは同一でも異な
ってもよく、水素、ハイドロカルビル基、たとえば炭素
数５個までの低級アルキル基、アロイル基、炭素数／′
０ （１ｉｉ１までのアルカノイル基又は好ましくはＲ
２（１００基（式中、Ｒ・２はアリール基又は炭素数１
ｏ（Ｉｉｌまで、好ましくは炭素数７個又は−個のアル
キル基である）であり： Ｘ ｌ ｏ及びｍは前記の意
義含有する〕で表わされる）’Ｉｆｆ造金もつ。
用語気重合し得る共単量体〃は重合条件下で前記定義し
たごとき／、、２−１を換基をもつ／、、ｌ！−−）置
喚−シクロヘキサー３．タージエンと反応してそれと共
重合体全形成し得る化付物を意味する。
たごとき／、、２−１を換基をもつ／、、ｌ！−−）置
喚−シクロヘキサー３．タージエンと反応してそれと共
重合体全形成し得る化付物を意味する。
一般式Ｉ又は１１の共重合体中に残基として存在し得る
適当な重会し得る共単量体の例は特にビニル単蒙体、た
とえばスチレン、メタクリレート。
適当な重会し得る共単量体の例は特にビニル単蒙体、た
とえばスチレン、メタクリレート。
ビニルハライ）’、ヒニルエステル、アクリロニトリル
及びテトラフルオルエチレンのようなオレフィン系炭化
水泰；及び二酸化硫黄のような化合物全包含する。
及びテトラフルオルエチレンのようなオレフィン系炭化
水泰；及び二酸化硫黄のような化合物全包含する。
一般式■の重合体において、ｌｙｒはフェニレン環であ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
フェニレン環を重仰体の主鎖に連結する結合は互いにオ
ルト位又はノ々う位であり得る。これらの結合の両方が
存在することが屡々好ましい。
ルト位又はノ々う位であり得る。これらの結合の両方が
存在することが屡々好ましい。
一般式Ｈの重合体において、重合体主部はっぎの二種の
環構造、すなわち、 を含むことが好ましい。
環構造、すなわち、 を含むことが好ましい。
本発明の第２の発明に従う方法に使用されるポリ（／、
２−ジ置換−シクロヘキサ−３，ｊ−ジエン）中の／、
２−置換基は互いにシス型構造であることが部会よい。
２−ジ置換−シクロヘキサ−３，ｊ−ジエン）中の／、
２−置換基は互いにシス型構造であることが部会よい。
これはかかる重合体が、本出願人自身のヨーロッ、ｏ特
許出１ｙ＋４公開第７１ｔＯ６ｋ号公報により詳細に記
載されているごとく、生化学的方法によって容易に製造
し得るシス−７゜、！−４ヒドロキシシクロヘキｆ＝３
．！−４二ンから誘導され得るからである。しかしなが
ら、本発明は前記／＋”ｚ−ｆＮ−換基が互いにトラン
ス型構造である可能性を除外するものではない。という
ツバ、か＼る系は本出願人自身のヨーロッノぐ％許出願
第♂、２ Ｊ Ｏｊ ０２ ｔ、１号明細書に示される
ごとく容易にポリアリーレンに転化され得るからである
。
許出１ｙ＋４公開第７１ｔＯ６ｋ号公報により詳細に記
載されているごとく、生化学的方法によって容易に製造
し得るシス−７゜、！−４ヒドロキシシクロヘキｆ＝３
．！−４二ンから誘導され得るからである。しかしなが
ら、本発明は前記／＋”ｚ−ｆＮ−換基が互いにトラン
ス型構造である可能性を除外するものではない。という
ツバ、か＼る系は本出願人自身のヨーロッノぐ％許出願
第♂、２ Ｊ Ｏｊ ０２ ｔ、１号明細書に示される
ごとく容易にポリアリーレンに転化され得るからである
。
前記／、２−置換基のさらに別の補足的な例としては、
特にアミド、ハライド、チオエステル。
特にアミド、ハライド、チオエステル。
ウレタン及び−Ｉｐンラートをあげることができる。
本発明による′＄、覆製品を構成する適当な基体を製造
しイ尋る材料の列とし、ては５％に、金属、列えげ、伯
金属列えば白金；遷移金属例えば銅およびニッケル；工
学的金属（ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ｍｅｔａｌ ）例
えば軟＋ｈｉおよびアルミニウム；または好ましくは、
電子工業で使用される材料１例えば珪素、酸化珪宋、（
叶化ガリウムを挙げることができる；これらの材料は処
理されたものおよび（または）この分野において知られ
ている添加剤、列えばこれらの材料を半導体化せしめる
のに適当なドープ剤（ｄｏ−ｐａｎｔ）、例えば＠また
は硼累を含有するものであ、リ イ４Ｉる。
しイ尋る材料の列とし、ては５％に、金属、列えげ、伯
金属列えば白金；遷移金属例えば銅およびニッケル；工
学的金属（ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ｍｅｔａｌ ）例
えば軟＋ｈｉおよびアルミニウム；または好ましくは、
電子工業で使用される材料１例えば珪素、酸化珪宋、（
叶化ガリウムを挙げることができる；これらの材料は処
理されたものおよび（または）この分野において知られ
ている添加剤、列えばこれらの材料を半導体化せしめる
のに適当なドープ剤（ｄｏ−ｐａｎｔ）、例えば＠また
は硼累を含有するものであ、リ イ４Ｉる。
電子工業で使用する場合には、基体は典型的に（Ｌ」−
チップ、プレートまたはウェファ−の形を有する。基体
の表面は平面であるかあるいはその中に。
チップ、プレートまたはウェファ−の形を有する。基体
の表面は平面であるかあるいはその中に。
例えは印刷回路のパターンの形で、７個才たはそれ以上
の段差（５ｔｅｐ） を有し得る。
の段差（５ｔｅｐ） を有し得る。
基体は三次元物体であり得るが、基体は多くの場合、二
次元のものであｐ、典型的には適当な支持体上に支持さ
れている薄層、例えば什累板上に支持された酸什珪素の
薄層またはガラス上の銅の薄層の形であり得る。適当な
支持体上に助層を形成させる方法は電子工業の分野にお
いて周知である。
次元のものであｐ、典型的には適当な支持体上に支持さ
れている薄層、例えば什累板上に支持された酸什珪素の
薄層またはガラス上の銅の薄層の形であり得る。適当な
支持体上に助層を形成させる方法は電子工業の分野にお
いて周知である。
本発明の第２の発明による方法の被覆または包封工程（
Ａ）においては、基体を慣用の被覆または包封方法を使
用して被覆または包封１−る。被覆または包封を回転被
覆法（５ｐｉｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ）により行うことが
好ましい。
Ａ）においては、基体を慣用の被覆または包封方法を使
用して被覆または包封１−る。被覆または包封を回転被
覆法（５ｐｉｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ）により行うことが
好ましい。
本発明の第２の発明による方法の被覆または包封工程（
〜においては、／、、２−ジ置換−３，！−シクロヘキ
サー３．！−ジエン重合体または共重合体全適当な溶剤
中に溶解した溶液として使用する。使用し得る適当な溶
剤としては、特に、クロロベンゼン、ジオキサン、クロ
ロホルム、ジグリム、／、：２−ジクロロエタン、テト
ラクロロエタンがとげられる。上言１．！の溶液は、前
記の重合体または共重合体のアリーレン１′会体捷たは
共重合体への転化全促進するために、ヨーロッノぐ特許
出願早に３３０ ｔ ／ ７４１！、７号明細書（その
記載は本明細書中で引用されている）に開示されている
ごとく、触媒、好ましくはイ１ぜ）アミン、例えばトリ
ーローオクチルアミンを含有していることがしばしば好
ましい。
〜においては、／、、２−ジ置換−３，！−シクロヘキ
サー３．！−ジエン重合体または共重合体全適当な溶剤
中に溶解した溶液として使用する。使用し得る適当な溶
剤としては、特に、クロロベンゼン、ジオキサン、クロ
ロホルム、ジグリム、／、：２−ジクロロエタン、テト
ラクロロエタンがとげられる。上言１．！の溶液は、前
記の重合体または共重合体のアリーレン１′会体捷たは
共重合体への転化全促進するために、ヨーロッノぐ特許
出願早に３３０ ｔ ／ ７４１！、７号明細書（その
記載は本明細書中で引用されている）に開示されている
ごとく、触媒、好ましくはイ１ぜ）アミン、例えばトリ
ーローオクチルアミンを含有していることがしばしば好
ましい。
本発明の第２の発明による方法の工程（Ａ）で使用され
る／、２−ジＩＮ換−シクロヘキサー３．ｊ−ジエン単
独重合体または共重合体は、ヨーロッパ１１、’ｒ許出
願第１．２３０オ０コざ、７号明細書（その記載は本明
細病、において引用されている）に記載される万、宍に
より調製し得る。
る／、２−ジＩＮ換−シクロヘキサー３．ｊ−ジエン単
独重合体または共重合体は、ヨーロッパ１１、’ｒ許出
願第１．２３０オ０コざ、７号明細書（その記載は本明
細病、において引用されている）に記載される万、宍に
より調製し得る。
本発明の第２の発明による方法の転化工程（Ｂ）におい
ては、ｌ、２−ジ置換−シクロヘキサ−３゜５−ジエン
重合体で被覆または包封された基体をヨーロッノξ特許
出Ｍ第♂、２３０！０．２♂、７号および同第１３３０
ｊｆ／７グ、７号明細書に記載されるごとき、酸素の存
在しない条件下で加熱する。かかる加熱処理＠１ｔｏ−
１１，ｓｏ℃で行うことが好ましい：温度を最初、３θ
ＯＣまで例えば３０〜＜１０分間で、あるいけよシ厚い
被りについては４＜時間せでの間に上昇させついでＩ／
ｓｏ’ｃまで瞬間的にあるいは約７０分間で上昇させる
ことがより好ましい。
ては、ｌ、２−ジ置換−シクロヘキサ−３゜５−ジエン
重合体で被覆または包封された基体をヨーロッノξ特許
出Ｍ第♂、２３０！０．２♂、７号および同第１３３０
ｊｆ／７グ、７号明細書に記載されるごとき、酸素の存
在しない条件下で加熱する。かかる加熱処理＠１ｔｏ−
１１，ｓｏ℃で行うことが好ましい：温度を最初、３θ
ＯＣまで例えば３０〜＜１０分間で、あるいけよシ厚い
被りについては４＜時間せでの間に上昇させついでＩ／
ｓｏ’ｃまで瞬間的にあるいは約７０分間で上昇させる
ことがより好ましい。
本発明による製品の被覆または包封層の寸法安定性を改
善するためには、加熱処理で使用する温度は、しばしば
少なくとも、製品が使用時に受ける温度である。
善するためには、加熱処理で使用する温度は、しばしば
少なくとも、製品が使用時に受ける温度である。
被覆または包封層の厚さは特に、工程い）で使用される
溶液の量と濃度および工程（Ａ）において回転被覆法を
使用する場曾には回転の速度によシ変動することは理解
されるであろう。例えば約７０ミクロンまでの厚さを得
ることができる。より大きい厚さを希望するときには本
発明の第２の発明による方法全基体上で数回行うことが
好ましい。
溶液の量と濃度および工程（Ａ）において回転被覆法を
使用する場曾には回転の速度によシ変動することは理解
されるであろう。例えば約７０ミクロンまでの厚さを得
ることができる。より大きい厚さを希望するときには本
発明の第２の発明による方法全基体上で数回行うことが
好ましい。
本発明の第コの発明による方法において、清浄な部品、
精製された重合体、精製された溶剤、予備焼付工程およ
び後焼付工程を使用することにょシおよび接着促進剤例
えばシラン全使用することによシ、被覆または包封層の
基体への接着が改善され得ることは理解され得るであろ
う。例えば基体はその表面が不純物、ガスおよび水分を
含まないように処理される。かかる処理として、しばし
ば約２００℃の加熱炉内で、不活性雰囲気５例えば、窒
素中でし１１えば７時１■規付を行うことが挙げられる
。
精製された重合体、精製された溶剤、予備焼付工程およ
び後焼付工程を使用することにょシおよび接着促進剤例
えばシラン全使用することによシ、被覆または包封層の
基体への接着が改善され得ることは理解され得るであろ
う。例えば基体はその表面が不純物、ガスおよび水分を
含まないように処理される。かかる処理として、しばし
ば約２００℃の加熱炉内で、不活性雰囲気５例えば、窒
素中でし１１えば７時１■規付を行うことが挙げられる
。
抜機または包封層はいわゆる不動態化層、すなわち、部
品に対する水、イオン性不純物およびイオン化性幅側の
有害な作用を減少させる遮断層として使用し得る。また
、被覆または包封層は集積回路の活性層の開の絶縁誘電
体として使用し得る。
品に対する水、イオン性不純物およびイオン化性幅側の
有害な作用を減少させる遮断層として使用し得る。また
、被覆または包封層は集積回路の活性層の開の絶縁誘電
体として使用し得る。
本発明の芙施例を以下に示す。
夾施し！１／
珪素ウェファ−（直径！ Ｏｍｍ ） ｋ洗浄しりいで
蒙素界囲下、／３０℃で３０分、予備焼付を行った。ポ
リ（シスー／、、２−ジヒドロキシシクロヘキサ−３，
！−ジエンのビスメチルカーゼネート）のクロロベンゼ
ン中の、２７７％溶液ｆ ＩＩ ０００ｒｐｍの回転速
度で７分間、回転被覆した。窒素雰四包下、１０〜／夕
Ｑ℃で３０ ％ Ｔｏ’ｌ加熱することにより溶剤を除
去した。ついで被覆ウェファ−を真空中。
蒙素界囲下、／３０℃で３０分、予備焼付を行った。ポ
リ（シスー／、、２−ジヒドロキシシクロヘキサ−３，
！−ジエンのビスメチルカーゼネート）のクロロベンゼ
ン中の、２７７％溶液ｆ ＩＩ ０００ｒｐｍの回転速
度で７分間、回転被覆した。窒素雰四包下、１０〜／夕
Ｑ℃で３０ ％ Ｔｏ’ｌ加熱することにより溶剤を除
去した。ついで被覆ウェファ−を真空中。
３００℃で１時間加熱した２
被覆ウェファ−のフーリエ変圧赤外分光分析はシクロヘ
キサジエン重合体が実質的に完全にポリフェニレンに転
化したことを示し、また、干渉縞は被覆の厚さが約７ミ
クロンであることを示した。
キサジエン重合体が実質的に完全にポリフェニレンに転
化したことを示し、また、干渉縞は被覆の厚さが約７ミ
クロンであることを示した。
走査電子顕微鏡分析の結果は、フレーキング、ピンホー
ル、亀裂が存在せず、また、基体表面全体に亘って均一
な被覆を形成し得ることから判断されるごとく、被膜が
すぐれた性質を有することを示した。
ル、亀裂が存在せず、また、基体表面全体に亘って均一
な被覆を形成し得ることから判断されるごとく、被膜が
すぐれた性質を有することを示した。
被覆ウェファ−を真空下、ｔｏｏ℃で、２時間加熱した
後、走査電子顕微鏡法で分析したところ、被膜の品質に
低下は認められなかった。
後、走査電子顕微鏡法で分析したところ、被膜の品質に
低下は認められなかった。
一般的操作
プレートの形の基体またはプレート上に担持された薄層
の形の基体を９素雰囲気下、２θＯ℃で３０分間焼付け
た。
の形の基体を９素雰囲気下、２θＯ℃で３０分間焼付け
た。
／、ノージヒドロキシ−シクロヘキサ−３，！−ジエン
のビス（メチルカーボネート）の重合体（／重址部）全
適当な溶剤に溶解し、この溶液に）＋１−ｎ−オフ千ル
アミン（ｏ、ｏ ４／を重量部）を冷加しついでこの溶
液を０．７〜八へミクロンの孔径のフィルター全通して
沢過した。
のビス（メチルカーボネート）の重合体（／重址部）全
適当な溶剤に溶解し、この溶液に）＋１−ｎ−オフ千ル
アミン（ｏ、ｏ ４／を重量部）を冷加しついでこの溶
液を０．７〜八へミクロンの孔径のフィルター全通して
沢過した。
この溶液の一部全基体表面に載せついで基体を使用の回
転被覆装置中で回転させて、基体上に被牛力を沈着させ
た。窒素雰囲気下、周囲温度またはｇｏ〜ｉｚｏ℃の空
気中で乾燥することによ）溶剤を除去した。
転被覆装置中で回転させて、基体上に被牛力を沈着させ
た。窒素雰囲気下、周囲温度またはｇｏ〜ｉｚｏ℃の空
気中で乾燥することによ）溶剤を除去した。
フいで被偵プレートを窒素雰囲気中＞（Ｄ−ｔｏ。
℃の力ｎ熱炉中に適当な時間放置するかまたは（１１）
加熱炉中に装入しついで実施例３を除いて、７時間かか
つてｌｌ１０’Ｃまで連続的に温度を上昇させることに
より加熱した。
加熱炉中に装入しついで実施例３を除いて、７時間かか
つてｌｌ１０’Ｃまで連続的に温度を上昇させることに
より加熱した。
芳香族化反応（ａｒｏｍａｔｌｚａｔｔｏｎ ｒｅａｃ
ｔｉｏｎ）の完了は、フーリエ変圧赤外分析によりＮＦ
Ｌ−透過基体についての透過形式において、また、ＩＩ
Ｌ−不透化性基体についての反射法（ｒｅｆｌｅｃｔ３
ｎｃｅ ｍｅｔｈｏｄ）により示された。
ｔｉｏｎ）の完了は、フーリエ変圧赤外分析によりＮＦ
Ｌ−透過基体についての透過形式において、また、ＩＩ
Ｌ−不透化性基体についての反射法（ｒｅｆｌｅｃｔ３
ｎｃｅ ｍｅｔｈｏｄ）により示された。
反応条件の詳細は第１表に示す。
実施ツｌＩコで調製した本発明による被覆製品を加圧釜
中において０．／ ／ Ｎｍ−”で／Ｊ′分間加熱した
。
中において０．／ ／ Ｎｍ−”で／Ｊ′分間加熱した
。
光学鵡微鏡で観察し′＃：、場会、場合の剥離の非候は
認められなかった。Ｎアラルダイト” （’ Ａｒａｌ
ｄｉｔｅ〃１を用いて被覆に接着させた金属ドーリイ（
ｄｏｌ ｌｙ）を使用する直接剥離（ｐｕｌｌ−ｏｆｆ
） Ｋ験においては、剥離応力は０．７♂〜０．３グＮ
ｍ−２であった。
認められなかった。Ｎアラルダイト” （’ Ａｒａｌ
ｄｉｔｅ〃１を用いて被覆に接着させた金属ドーリイ（
ｄｏｌ ｌｙ）を使用する直接剥離（ｐｕｌｌ−ｏｆｆ
） Ｋ験においては、剥離応力は０．７♂〜０．３グＮ
ｍ−２であった。
実施列２．３および４で調製した本発明による被覆製品
の光学および走査顕微鏡分析は、被覆はピンホールが力
くまた亀裂がなくそして基体の表面に一致していること
を示した。
の光学および走査顕微鏡分析は、被覆はピンホールが力
くまた亀裂がなくそして基体の表面に一致していること
を示した。
上記実施ｕ１で調製した本発明による被覆製品の試料に
、気プラズマプレゾ＃ （’Ｐｌａｓｍａｐｒｅｐ“ン
ｉｏ。
、気プラズマプレゾ＃ （’Ｐｌａｓｍａｐｒｅｐ“ン
ｉｏ。
の）々レル内で、ｉｏｏワットの順電力（ｆｏｒｗａｒ
ｄｐｏｗｅｒ）と！ワットの反射電力（ｒｅｆｌｅｃｔ
ｅｄ ｐｏｗｅｒ）で低圧（約０．１ ）ルンプラズマ
全照射した。７０分後、被覆の厚さはＯ９，２〜ｏ、ｇ
ミクロンだけ減少した。このことは被覆製品は電子工業
においてプラズマ−エツチング法に使用し得ることを示
す。
ｄｐｏｗｅｒ）と！ワットの反射電力（ｒｅｆｌｅｃｔ
ｅｄ ｐｏｗｅｒ）で低圧（約０．１ ）ルンプラズマ
全照射した。７０分後、被覆の厚さはＯ９，２〜ｏ、ｇ
ミクロンだけ減少した。このことは被覆製品は電子工業
においてプラズマ−エツチング法に使用し得ることを示
す。
−２４：
レー
イギリス国チェシャー・ラン：
−ン・ザ・ヒース（番地その他
表示なし）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／ ガラスまたは臭化カリウムを含まない基体と、この
基体上に施されたアリーレン単独重合体または共重合体
からなる被覆または包封層とからなることを特徴とする
、被覆または包封製品。 λ アリーレン単独重合体または共重合体が一般式： （式中、残基Ａｒ及びＸが存在する場＠−Ｘは重合体鎖
中で単位によって異なってもよ（、Ａｒは二価芳香族又
は置換芳香族基を表わし、Ｘは一種又はそれ以上の重付
し得る共単量体の残基全表わし、ｎ及びｍけ整数であシ
かっｎ：ｍの比は／：ｏないし１：１０ｏの範囲である
）で示される植造を有する、特許請求の範囲第１項記載
の製品。 ３、 Ａｒがフェニレン基である、特許請求の範囲第
１項記載の製品。 ｌＡｍがＯである。特許請求の範囲第２項記載の製品。 よ 基体が集積回路の部品である、特許請求の範囲第１
項記載の製品。 乙、 基体が薄層の形を有する。特許請求の範囲第５項
記載の製品。 ２ 基体が金属、または導体または半導体材料から形成
される。特許請求の範囲第５項または第６項に記載の製
品。 と 基体が白金、銅、ニッケル、鋼、アルミニウム、珪
素、酸化珪素または砒化ガ゛リウムから形成される、特
許請求の範囲第７項記載の製品。 タ （Ａ）基体全適当な／、２−ジ置換−シクロヘキサ
−３，ｊ−ジエンの単独重合体または共重合体の層で被
覆または包封しついで（Ｂ）工程（Ａ）の製品を適当な
処理にかけて、上記単独重合体または共重合体をアリー
レン単独重合体またけ共重合体に転化することを特徴と
する、ガラスまたは臭化カリウム金倉まない基体と、こ
の基体上に施されたアリーレン単独重合体または共重合
体からなる被し塘たｄ包封層とからなる、被覆または包
封製品の卿造方法。 １０、；隙当な／、、２−、−）＠換−シクロヘキサー
３、オージエン単独重合体捷たは共重合体が一般式〔式
中、Ｘ、ｎおよびｍけ前記と同一の意義を有し、各Ｒ，
１は同一でも異ってもよく、かつ、水素。 アロイル基、アルカノイル基またはａ２ｏｃｏ基（式中
Ｒ２はアロイル基または炭素数７０個までのアルカノ
イル基である）である〕で表わされる構造を有する、特
許請求の範囲第２項記載の方法。 ／／、＋ｎが０である、特許請求の範囲第７θ項記載の
方法。 １．２．工程Ａが回転被覆法である、特許請求の範囲第
り項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8309363 | 1983-04-06 | ||
| GB838309363A GB8309363D0 (en) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | Resists |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218755A true JPS59218755A (ja) | 1984-12-10 |
Family
ID=10540727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067822A Pending JPS59218755A (ja) | 1983-04-06 | 1984-04-06 | 被覆または包封製品およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0125767A3 (ja) |
| JP (1) | JPS59218755A (ja) |
| KR (1) | KR920009746B1 (ja) |
| GB (2) | GB8309363D0 (ja) |
| PH (1) | PH19728A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8408953D0 (en) * | 1984-04-06 | 1984-05-16 | Ici Plc | Polymer coatings |
| GB8609936D0 (en) * | 1986-04-23 | 1986-05-29 | Ici Plc | Polyaromatics |
| US5128418A (en) * | 1991-01-29 | 1992-07-07 | California Institute Of Technology | Polymerization of cis-5,6-bis(trimethylsiloxy)-1,3-cyclohexadiene and other substituted cyclohexadienes |
| WO2000037480A1 (en) | 1998-10-26 | 2000-06-29 | University Of Iowa Research Foundation | Novel naphthalene dioxygenase and methods for their use |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2502645A (en) * | 1946-02-08 | 1950-04-04 | California Research Corp | Unsaturated alcohol esters of cyclohexadiene dicarboxylic acids |
| US3745082A (en) * | 1970-06-05 | 1973-07-10 | Nasa | Semiconductor surface protection material |
| JPS6056171B2 (ja) * | 1980-03-17 | 1985-12-09 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
| GB2101149A (en) * | 1981-04-14 | 1983-01-12 | Hitachi Chemical Co Ltd | Process for producing polyamide acid silicon type intermediate and polyimide silicon copolymer resin |
| GB2101148B (en) * | 1981-04-14 | 1984-10-24 | Hitachi Ltd | Composition of protective coating material |
| EP0154162B1 (en) * | 1981-10-06 | 1989-02-08 | Imperial Chemical Industries Plc | Process and polymer |
-
1983
- 1983-04-06 GB GB838309363A patent/GB8309363D0/en active Pending
-
1984
- 1984-03-23 EP EP84301979A patent/EP0125767A3/en not_active Ceased
- 1984-03-23 GB GB848407569A patent/GB8407569D0/en active Pending
- 1984-04-06 PH PH30508A patent/PH19728A/en unknown
- 1984-04-06 JP JP59067822A patent/JPS59218755A/ja active Pending
- 1984-04-06 KR KR1019840001819A patent/KR920009746B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920009746B1 (ko) | 1992-10-22 |
| PH19728A (en) | 1986-06-17 |
| GB8309363D0 (en) | 1983-05-11 |
| KR840008538A (ko) | 1984-12-15 |
| EP0125767A2 (en) | 1984-11-21 |
| EP0125767A3 (en) | 1986-10-15 |
| GB8407569D0 (en) | 1984-05-02 |
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