JPS592181B2 - パタ−ン検査方法 - Google Patents
パタ−ン検査方法Info
- Publication number
- JPS592181B2 JPS592181B2 JP51097268A JP9726876A JPS592181B2 JP S592181 B2 JPS592181 B2 JP S592181B2 JP 51097268 A JP51097268 A JP 51097268A JP 9726876 A JP9726876 A JP 9726876A JP S592181 B2 JPS592181 B2 JP S592181B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- pattern
- emitted
- point
- inspection method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の表面に形成された導電層やプリ
ント配線板の配線層のパターンを検査するパターン検査
方法に関する。
ント配線板の配線層のパターンを検査するパターン検査
方法に関する。
プリント配線板をエッチングする際に導電層に小さいピ
ンホールや目に見えない断線などの欠陥を生じることが
ある。
ンホールや目に見えない断線などの欠陥を生じることが
ある。
このような欠陥を発見するため、出来上つたプリント配
線板を光学顕微鏡を使つてパターン上をくまなく調べた
りあるいは導体層に電流を実際に流して調べたりする。
また、半導体装置の製造に使用するクロムマスクのパタ
ーンや半導体装置表面の導電層の欠陥部分は、非常に小
さいので、光学顕微鏡による検査では見付けにくい場合
がある。
線板を光学顕微鏡を使つてパターン上をくまなく調べた
りあるいは導体層に電流を実際に流して調べたりする。
また、半導体装置の製造に使用するクロムマスクのパタ
ーンや半導体装置表面の導電層の欠陥部分は、非常に小
さいので、光学顕微鏡による検査では見付けにくい場合
がある。
ところで、真空中において、物体の表面に電子ビームを
照射すると、その照射点で電子ビームは反射される。
照射すると、その照射点で電子ビームは反射される。
また、この電子ビームの照射によりその表面からは２次
電子、オージエ電子などの電子も放射される。これら物
体の表面から放射される電子の数は、物体表面の形状や
物質の種類により変る。このようなことから、物体表面
に電子ビームを走査させ、その表面から放射される電子
を検知してその信号により表面のパターンを判別する方
法がたとえば走査型電子顕微鏡などに応用されている。
このような方法により物体表面の形状を調べることによ
り非常に細かいパターンまで検査することができるが、
たとえば段差のある絶縁層上に金属層を蒸着したとき、
その段差部分に生じる段切れのように、その表面から見
えにくい欠陥の発見はしにくく、とくに接続があるよう
に見える部分でも電気的に切断されているような場合の
欠陥の発見は不可能である。
電子、オージエ電子などの電子も放射される。これら物
体の表面から放射される電子の数は、物体表面の形状や
物質の種類により変る。このようなことから、物体表面
に電子ビームを走査させ、その表面から放射される電子
を検知してその信号により表面のパターンを判別する方
法がたとえば走査型電子顕微鏡などに応用されている。
このような方法により物体表面の形状を調べることによ
り非常に細かいパターンまで検査することができるが、
たとえば段差のある絶縁層上に金属層を蒸着したとき、
その段差部分に生じる段切れのように、その表面から見
えにくい欠陥の発見はしにくく、とくに接続があるよう
に見える部分でも電気的に切断されているような場合の
欠陥の発見は不可能である。
本発明は、上述の如き従来の欠点を改善する新規な発明
であり、その目的は、パターンの検査方法において、と
くに電気的に切断されている欠陥部分を発見するのに有
効なパターン検査方法を提供することにある。
であり、その目的は、パターンの検査方法において、と
くに電気的に切断されている欠陥部分を発見するのに有
効なパターン検査方法を提供することにある。
、その目的を達成せしめるため、本発明のパターン検査
方法は、被検査体上のパターン表面を電子ビームで走査
し、該電子ビームの走査によつて該パターンに吸収され
て流れる電流を検出した信号と該電子ビームの照射点か
ら発生する電子を検知した信号とを比較することにより
パターンの検査を行う様にしたことを特徴とするもので
、以下実施例について詳細に説明する。
方法は、被検査体上のパターン表面を電子ビームで走査
し、該電子ビームの走査によつて該パターンに吸収され
て流れる電流を検出した信号と該電子ビームの照射点か
ら発生する電子を検知した信号とを比較することにより
パターンの検査を行う様にしたことを特徴とするもので
、以下実施例について詳細に説明する。
第１図は、本発明のパターン検査方法を実施するために
使用する測定装置の概略構成図であり、同図において、
１は電子銃、２はブランキングコイル、３はコンデンサ
レンズ、４は偏向コイル、５は対物レンズ、６は試料台
、７は被検査体、８は電子ビームの照射点から放射され
る電子を検知する検知器、９および１０は増幅器、１１
および１２はしきい値回路、１３は欠陥信号発生器で、
ＮＡＮＤ回路１３１およびＡＮＤ回路１３２からなる。
使用する測定装置の概略構成図であり、同図において、
１は電子銃、２はブランキングコイル、３はコンデンサ
レンズ、４は偏向コイル、５は対物レンズ、６は試料台
、７は被検査体、８は電子ビームの照射点から放射され
る電子を検知する検知器、９および１０は増幅器、１１
および１２はしきい値回路、１３は欠陥信号発生器で、
ＮＡＮＤ回路１３１およびＡＮＤ回路１３２からなる。
次にパターン検査の順序について説明する。
まず、ブランキングコイル２および偏向コイル４により
、電子銃１から発射された電子ビーム１４を試料７の表
面でラスタ状に走査させる。そしてこの電子ビーム１４
の照射により、試料７の表面から電子が放射され、たと
えば２次電子を検知器８で吸引して検知する。第２図は
、試料としての半導体装置の表面の一部を示す正面図で
、１５はアルミニウム配線層、１６は電極部分で、その
内側に電極窓により生じた段差部分１７がある。
、電子銃１から発射された電子ビーム１４を試料７の表
面でラスタ状に走査させる。そしてこの電子ビーム１４
の照射により、試料７の表面から電子が放射され、たと
えば２次電子を検知器８で吸引して検知する。第２図は
、試料としての半導体装置の表面の一部を示す正面図で
、１５はアルミニウム配線層、１６は電極部分で、その
内側に電極窓により生じた段差部分１７がある。
第３図は、第２図Ａ−Ａ線に沿゛つて切断した部分断面
図で、１８は二酸化シリコン層、１９は二酸化シリコン
層１８にあけた電極窓の周辺に生じたアルミニウム配線
層の段切れ部分１９は半導体基板である。
図で、１８は二酸化シリコン層、１９は二酸化シリコン
層１８にあけた電極窓の周辺に生じたアルミニウム配線
層の段切れ部分１９は半導体基板である。
第２図に示した半導体装置表面を１−１線に沿つて矢印
方向に電子ビーム１４により走査させる。
方向に電子ビーム１４により走査させる。
二酸化シリコン層１８上からは、あまり多くはないが、
２次電子が放射される。電子ビーム１４がＡ点に達する
と電極部分１６のアルミニウム層から多くの２次電子が
放射され、電子ビーム１４がＢ点を過ぎるとまた二次電
子放射が少なくなる。第４図｝ま、第２図の１−１線に
沿つて電子ビーム１４を走査させたときの検知器８の出
力を示した図である。この検知出力を増幅器９で増幅し
た後、しきい値回路１１に加え、第５図の如く、増幅器
９の出力が一定値未満のとぎ０″゛が出力され、一定値
以上のとぎ１゛が出力されるようにする。一方、電子ビ
ーム１４が電極部分１６を照射するとその一部は電極部
分１６に吸収され、電流となつてアルミニウム配線層１
５を流れる。この電流を増幅器１０で増幅した後、しき
い値回路１２に加え、増幅器１０の出力が一定未満のと
ぎＯ゛が出力され、一定値以上のとぎ１゛が出力される
ようにすると、しきい値回路１２の出力は第５図と同様
になる。これらしきい値回路１１と１２の出力信号は、
欠陥信号発生器１３に加えられる。電子ビーム１４がＡ
点からＢ点に至る間でしきい値回路１１および１２の出
力が共に゛Ｏ″″のときはＡＮＤ回路１３２の出力ばＯ
″″であり、また、しきい値回路１１および１２の出力
が共に゛１″″のときもＡＮＤ回路１３２の出力ばＯ゛
″である。次に電子ビームを第２図−線に沿つて走査さ
せる。
２次電子が放射される。電子ビーム１４がＡ点に達する
と電極部分１６のアルミニウム層から多くの２次電子が
放射され、電子ビーム１４がＢ点を過ぎるとまた二次電
子放射が少なくなる。第４図｝ま、第２図の１−１線に
沿つて電子ビーム１４を走査させたときの検知器８の出
力を示した図である。この検知出力を増幅器９で増幅し
た後、しきい値回路１１に加え、第５図の如く、増幅器
９の出力が一定値未満のとぎ０″゛が出力され、一定値
以上のとぎ１゛が出力されるようにする。一方、電子ビ
ーム１４が電極部分１６を照射するとその一部は電極部
分１６に吸収され、電流となつてアルミニウム配線層１
５を流れる。この電流を増幅器１０で増幅した後、しき
い値回路１２に加え、増幅器１０の出力が一定未満のと
ぎＯ゛が出力され、一定値以上のとぎ１゛が出力される
ようにすると、しきい値回路１２の出力は第５図と同様
になる。これらしきい値回路１１と１２の出力信号は、
欠陥信号発生器１３に加えられる。電子ビーム１４がＡ
点からＢ点に至る間でしきい値回路１１および１２の出
力が共に゛Ｏ″″のときはＡＮＤ回路１３２の出力ばＯ
″″であり、また、しきい値回路１１および１２の出力
が共に゛１″″のときもＡＮＤ回路１３２の出力ばＯ゛
″である。次に電子ビームを第２図−線に沿つて走査さ
せる。
前記と同様に、電子ビームが二酸化シリコン層１８上を
走査しているときは、二酸化シリコン層１８表面から放
射される二次電子はあまり多くはない。電子ビーム１４
がＣ点に達すると電極部分１６のアルミニウム層から多
くの二次電子が放射される。さらに電子ビームがＤ点を
過ぎ段差部分に達しても、放射される二次電子の量はあ
まり変らない。電子ビーム１４がＥ点を越え、Ｆ点を通
過すると二酸化シリコン層１８表面から放射される２次
電子の量はまた減少する。第６図は、電子ビームを第２
図一線に沿つて矢印方向に走査させた場合の検知器８の
出力を示した図である。この検知出力を増幅器９で増幅
した後、しきい値回路１１に加え、第７図の如く、電子
ビームが電極部分１６を走査しているときに゛１゛、そ
れ以外の所を走査しているとき１０′５となる信号を得
る。一方電子ビーム１４の走査で、電子ビーム１４がＣ
点に達すると、その一部は電極部分１６のアルミニウム
配線層に吸収され、電流となつてアルミニウム配線層１
５を流れる。
走査しているときは、二酸化シリコン層１８表面から放
射される二次電子はあまり多くはない。電子ビーム１４
がＣ点に達すると電極部分１６のアルミニウム層から多
くの二次電子が放射される。さらに電子ビームがＤ点を
過ぎ段差部分に達しても、放射される二次電子の量はあ
まり変らない。電子ビーム１４がＥ点を越え、Ｆ点を通
過すると二酸化シリコン層１８表面から放射される２次
電子の量はまた減少する。第６図は、電子ビームを第２
図一線に沿つて矢印方向に走査させた場合の検知器８の
出力を示した図である。この検知出力を増幅器９で増幅
した後、しきい値回路１１に加え、第７図の如く、電子
ビームが電極部分１６を走査しているときに゛１゛、そ
れ以外の所を走査しているとき１０′５となる信号を得
る。一方電子ビーム１４の走査で、電子ビーム１４がＣ
点に達すると、その一部は電極部分１６のアルミニウム
配線層に吸収され、電流となつてアルミニウム配線層１
５を流れる。
ところが、電子ビームが点Ｄを過ぎると、段切れ部１９
があるために電流は流れなくなり、点Ｅに達するとまた
流れるようになる。第８図は電子ビームの照射位置と流
れる吸収電流との関係を示した図である。この吸収電流
をいつたん増幅器１０で増幅した後、しきい値回路１２
により第９図の如く吸収電流が流れているときのみ゛１
″″となる信号を作る。これらしきい値回路１１および
１２からの信号は、それぞれ欠陥信号発生器１３に入力
され、第１０図に示すような、電子ビームが段切れ部分
を通過しているときに゛１′゛となるような欠陥発見信
号を作り出す。そしてこの信号により半導体装置の電極
に被着した配線層に、段切れのような断線部分あるいは
断線寸前の欠陥部分があることを知る。第１１図は、プ
リント配線板上の導電パターンの一部を示す正面図であ
り、バスライン２０にブランチ２１〜２５を設けたパタ
ーンにおいて、たとえばブランチ２２の根部にある細い
半導電状になつた欠陥溝２６を発見する場合、電子ビー
ムを矢印方向に走査させ、ブランチ２２上を電子ビーム
が通過したとき電流が検出されないので上記実施例と同
様欠陥信号発生器１３からたちどころに欠陥発見信号が
発せられ、ブランチ２２に欠陥があることを知ることが
できる。
があるために電流は流れなくなり、点Ｅに達するとまた
流れるようになる。第８図は電子ビームの照射位置と流
れる吸収電流との関係を示した図である。この吸収電流
をいつたん増幅器１０で増幅した後、しきい値回路１２
により第９図の如く吸収電流が流れているときのみ゛１
″″となる信号を作る。これらしきい値回路１１および
１２からの信号は、それぞれ欠陥信号発生器１３に入力
され、第１０図に示すような、電子ビームが段切れ部分
を通過しているときに゛１′゛となるような欠陥発見信
号を作り出す。そしてこの信号により半導体装置の電極
に被着した配線層に、段切れのような断線部分あるいは
断線寸前の欠陥部分があることを知る。第１１図は、プ
リント配線板上の導電パターンの一部を示す正面図であ
り、バスライン２０にブランチ２１〜２５を設けたパタ
ーンにおいて、たとえばブランチ２２の根部にある細い
半導電状になつた欠陥溝２６を発見する場合、電子ビー
ムを矢印方向に走査させ、ブランチ２２上を電子ビーム
が通過したとき電流が検出されないので上記実施例と同
様欠陥信号発生器１３からたちどころに欠陥発見信号が
発せられ、ブランチ２２に欠陥があることを知ることが
できる。
以上詳細に説明したように、本発明は、電子ビーム照射
による放射電子と導電層に吸収されて流れる電流とから
パターンの欠陥を発見するので、従来の方法では発見で
きないような上部からは見えにくい欠陥や物理的に接続
されているようでも電気的に切断されているような欠陥
を的確に発見できるという効果を有する。
による放射電子と導電層に吸収されて流れる電流とから
パターンの欠陥を発見するので、従来の方法では発見で
きないような上部からは見えにくい欠陥や物理的に接続
されているようでも電気的に切断されているような欠陥
を的確に発見できるという効果を有する。
第１図は、本発明に係る方法を実施するために使用する
装置の概略構成図、第２図は半導体装置の表面の一部を
示す正面図、第３図は第２図ＡＡ線に沿つて切断した部
分断面図、第４図乃至第１０図は各部分の出力波形図、
第１１図はプリント配線板の表面の一部を示す正面図で
ある。
装置の概略構成図、第２図は半導体装置の表面の一部を
示す正面図、第３図は第２図ＡＡ線に沿つて切断した部
分断面図、第４図乃至第１０図は各部分の出力波形図、
第１１図はプリント配線板の表面の一部を示す正面図で
ある。
Claims (1)
- １ 被検査体上のパターン表面を電子ビームで走査し、
該電子ビームの走査によつて該パターンに吸収されて流
れる電流を検出した信号と該電子ビームの照射点から発
生する電子を検知した信号とを比較することによりパタ
ーンの検査を行う様にしたことを特徴とするパターン検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51097268A JPS592181B2 (ja) | 1976-08-13 | 1976-08-13 | パタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51097268A JPS592181B2 (ja) | 1976-08-13 | 1976-08-13 | パタ−ン検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5322368A JPS5322368A (en) | 1978-03-01 |
| JPS592181B2 true JPS592181B2 (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14187776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51097268A Expired JPS592181B2 (ja) | 1976-08-13 | 1976-08-13 | パタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592181B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246762A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Alpha Omega Soft:Kk | Ａｖ機器信号分岐装置付き収納ケース |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843534A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検査方法 |
| JP2002303647A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 導電パターンの検査方法及びその装置 |
-
1976
- 1976-08-13 JP JP51097268A patent/JPS592181B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246762A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Alpha Omega Soft:Kk | Ａｖ機器信号分岐装置付き収納ケース |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5322368A (en) | 1978-03-01 |
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