JPH05144901A - 微細パターンを有するデバイスの不良箇所検出方法 - Google Patents
微細パターンを有するデバイスの不良箇所検出方法Info
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- JPH05144901A JPH05144901A JP3306193A JP30619391A JPH05144901A JP H05144901 A JPH05144901 A JP H05144901A JP 3306193 A JP3306193 A JP 3306193A JP 30619391 A JP30619391 A JP 30619391A JP H05144901 A JPH05144901 A JP H05144901A
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- 230000002950 deficient Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、微細パターンを有するデバイス、
その典型としては半導体装置の導体パターンのショート
・オープンなどの不良箇所を検出する方法に関するもの
で、従来目視で行なっていた不正確さ、迅速性がない点
を解消する方法を提供することを目的とする。 【構成】 前記目的実現のために本発明は、前記導体パ
ターン１０３，１０４の一部を接地１０５した上、イオ
ンビームを照射し、そのイオンビームのチャージアップ
現象による２次電子像のコントラストを観察して不良箇
所１０６を特定するようにした。
その典型としては半導体装置の導体パターンのショート
・オープンなどの不良箇所を検出する方法に関するもの
で、従来目視で行なっていた不正確さ、迅速性がない点
を解消する方法を提供することを目的とする。 【構成】 前記目的実現のために本発明は、前記導体パ
ターン１０３，１０４の一部を接地１０５した上、イオ
ンビームを照射し、そのイオンビームのチャージアップ
現象による２次電子像のコントラストを観察して不良箇
所１０６を特定するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、微細パターンを有す
るデバイス、典型的なものとしては半導体装置の導体パ
ターンのショート（短絡）・オープン（乖離）などの不
良箇所の検出方法に関するものである。
るデバイス、典型的なものとしては半導体装置の導体パ
ターンのショート（短絡）・オープン（乖離）などの不
良箇所の検出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化は目ざましく、
シリコンデバイスでは最小加工寸法が０．５μｍ以下の
ものが実用化されつつある。さらに、高集積化において
も１チップに１００万以上もの素子が搭載されるように
なってきている。このような微細高密度デバイスのプロ
セス開発には的確な不良解析が不可欠であるが、その中
でもパターン不良による配線間のショート・オープンの
場所を特定して原因を追求することは非常に重要であ
る。
シリコンデバイスでは最小加工寸法が０．５μｍ以下の
ものが実用化されつつある。さらに、高集積化において
も１チップに１００万以上もの素子が搭載されるように
なってきている。このような微細高密度デバイスのプロ
セス開発には的確な不良解析が不可欠であるが、その中
でもパターン不良による配線間のショート・オープンの
場所を特定して原因を追求することは非常に重要であ
る。
【０００３】従来、このようなパターン不良の特定解析
は主に次のような方法によって行われてきた。即ち、ウ
ェハ上にプロセス解析用のＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍ
ｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）を多数配置し、それをウェハプロ
セス終了後、電気的にオープン・ショート（乖離、短
絡）をチェックして良否を判定し、さらに不良と判定さ
れたチップについては、顕微鏡などを用いて主に目視に
より、詳細な不良箇所の特定を行っていた。
は主に次のような方法によって行われてきた。即ち、ウ
ェハ上にプロセス解析用のＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍ
ｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）を多数配置し、それをウェハプロ
セス終了後、電気的にオープン・ショート（乖離、短
絡）をチェックして良否を判定し、さらに不良と判定さ
れたチップについては、顕微鏡などを用いて主に目視に
より、詳細な不良箇所の特定を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た目視による方法では微細高密度デバイスにおいてその
欠陥の詳細な場所を特定し、不良原因を追求することは
事実上不可能であった。
た目視による方法では微細高密度デバイスにおいてその
欠陥の詳細な場所を特定し、不良原因を追求することは
事実上不可能であった。
【０００５】この発明は、以上述べた目視による欠陥の
場所特定および解析における欠点を除去するため、フォ
ーカスド イオン ビーム（以下ＦＩＢと略す）を用
い、被検査パターンの加工と２次電子像の観察により欠
陥を検出および観察するようにして、より迅速、的確に
前記欠陥を特定、解析を行なえる方法を提供することを
目的とするものである。
場所特定および解析における欠点を除去するため、フォ
ーカスド イオン ビーム（以下ＦＩＢと略す）を用
い、被検査パターンの加工と２次電子像の観察により欠
陥を検出および観察するようにして、より迅速、的確に
前記欠陥を特定、解析を行なえる方法を提供することを
目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は前記目的実現
のため、微細パターンのデバイスの不良箇所解析方法に
おいて、イオンビーム発生手段と、イオンビーム制御手
段と試料ステージ制御手段および２次電子検出手段を設
けた装置により、イオンビームのチャージアップ現象に
よる被検査パターンの２次電子コントラストにより、欠
陥の場所を検出し、さらに欠陥を観察するようにしたも
のである。
のため、微細パターンのデバイスの不良箇所解析方法に
おいて、イオンビーム発生手段と、イオンビーム制御手
段と試料ステージ制御手段および２次電子検出手段を設
けた装置により、イオンビームのチャージアップ現象に
よる被検査パターンの２次電子コントラストにより、欠
陥の場所を検出し、さらに欠陥を観察するようにしたも
のである。
【０００７】
【作用】本発明は前述のように、ＦＩＢのチャージアッ
プ現象と、また後述するようにイオンビームの加工性を
も利用し、２次電子のコントラストを観察することによ
り欠陥を見出すようにしたので、不良箇所の特定と不良
原因の解析が迅速的確に行なえる。
プ現象と、また後述するようにイオンビームの加工性を
も利用し、２次電子のコントラストを観察することによ
り欠陥を見出すようにしたので、不良箇所の特定と不良
原因の解析が迅速的確に行なえる。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の実施例に用いる装置の構成
図である。このような装置は既存のものであり、真空系
１の中にイオン源２、静電レンズ群３，４、ＸＹディフ
レクタ６、試料９、ステージ８、ステージドライバー１
０および２次電子検出器１２が設置されている。試料９
は半導体素子の場合、一般にＴＥＧであるが、製品化す
る半導体装置でも無論よい。真空系１は真空ポンプ１５
により１０-6torr以下に排気されている。イオン源２
は、例えば液体ガリウムを用い高圧電圧によりイオンを
放射させている。イオン源２より放射されたイオンは２
段の静電レンズ３，４により試料９上に集束、照射され
る。集束されたイオンビームはスキャンコントローラ７
でＸＹディフレクタ６をドライブすることにより試料９
の任意の位置を走査することができる。試料９に入射し
たイオンビームにより試料９から２次電子が放射される
ので、それを２次電子検出器１２でとらえることによ
り、試料９表面をディスプレイＣＲＴ１４で観察するこ
とができる。試料９を広範囲に観察するために、ステー
ジ８はステージドライバ１０により移動が可能となって
いる。また、イオンビームをスポット状にして１点に集
めることにより、イオンビームスパッタで、パターンの
切断・穴あけ等の加工もできる。
図である。このような装置は既存のものであり、真空系
１の中にイオン源２、静電レンズ群３，４、ＸＹディフ
レクタ６、試料９、ステージ８、ステージドライバー１
０および２次電子検出器１２が設置されている。試料９
は半導体素子の場合、一般にＴＥＧであるが、製品化す
る半導体装置でも無論よい。真空系１は真空ポンプ１５
により１０-6torr以下に排気されている。イオン源２
は、例えば液体ガリウムを用い高圧電圧によりイオンを
放射させている。イオン源２より放射されたイオンは２
段の静電レンズ３，４により試料９上に集束、照射され
る。集束されたイオンビームはスキャンコントローラ７
でＸＹディフレクタ６をドライブすることにより試料９
の任意の位置を走査することができる。試料９に入射し
たイオンビームにより試料９から２次電子が放射される
ので、それを２次電子検出器１２でとらえることによ
り、試料９表面をディスプレイＣＲＴ１４で観察するこ
とができる。試料９を広範囲に観察するために、ステー
ジ８はステージドライバ１０により移動が可能となって
いる。また、イオンビームをスポット状にして１点に集
めることにより、イオンビームスパッタで、パターンの
切断・穴あけ等の加工もできる。
【０００９】次に、欠陥検出の原理について述べる。Ｆ
ＩＢにより絶縁物上の導体パターンを観察する場合、そ
の導体パターンが電気的に試料ステージ８に対してフロ
ーティングになっていると、イオンが導体パターン中に
しだいにたまり、導体が正に帯電していく（これをチャ
ージアップ現象という）。その結果、イオンがクーロン
力によって反発され、導体に入射しにくくなり、２次電
子の量が減少し、パターンの像が暗くなる。一方、導体
パターンが試料ステージ８に電気的に接続されている場
合には、上述のチャージアップ現象は起らず、パターン
の像は明るく見える。このようなチャージアップ現象を
用い、導体パターンの欠陥を検出する方法について、本
発明の実施例を以下詳細に述べる。
ＩＢにより絶縁物上の導体パターンを観察する場合、そ
の導体パターンが電気的に試料ステージ８に対してフロ
ーティングになっていると、イオンが導体パターン中に
しだいにたまり、導体が正に帯電していく（これをチャ
ージアップ現象という）。その結果、イオンがクーロン
力によって反発され、導体に入射しにくくなり、２次電
子の量が減少し、パターンの像が暗くなる。一方、導体
パターンが試料ステージ８に電気的に接続されている場
合には、上述のチャージアップ現象は起らず、パターン
の像は明るく見える。このようなチャージアップ現象を
用い、導体パターンの欠陥を検出する方法について、本
発明の実施例を以下詳細に述べる。
【００１０】第１の実施例では、パターン間のショート
検出に適用したものである。図２（ａ）に示すような、
かみあった２つのくし状の導体パターン１０３，１０４
（例えばアルミやポリシリコンなど）が絶縁膜上にある
場合であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａの断面で
あり、１０１はシリコン基板、１０２は絶縁膜である。
ここで一方のパターン１０３にイオンビームのスポット
を当てイオンビームにより、導体パターンおよびその下
の絶縁膜に、基板に達する穴をあける。（図２（ｃ）１
０５部）こうすることにより、穴１０５の側面に付着し
た導体の被膜により、一方のパターンと基板が電気的に
接続され（接地）、チャージアップが起らなくなり、パ
ターンは明るく見える。このとき、もう一方のパターン
とのショート部（図２（ｃ）１０６）が存在すると、こ
のパターンも同様な明るさになる。次に基板に接続され
ていない方のパターン１０４を図２（ｄ）に示すよう
に、パターンのほぼ中央部１０７で、イオンビームスポ
ットをスキャンさせて切断する。２つに分離されたパタ
ーンのうち、ショートの存在しない方の１０４Ａは基板
からフローティングとなるのでチャージアップを起し、
暗くなる。またショートのある方の１０４Ｂはショート
部を通じて基板に接続された１０３により、接地される
ので明るいままとなる。このように分離したパターンの
明るく見える方を順次切断して行くことにより最終的に
明るいまま残った場所からショートを特定することがで
きる。
検出に適用したものである。図２（ａ）に示すような、
かみあった２つのくし状の導体パターン１０３，１０４
（例えばアルミやポリシリコンなど）が絶縁膜上にある
場合であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａの断面で
あり、１０１はシリコン基板、１０２は絶縁膜である。
ここで一方のパターン１０３にイオンビームのスポット
を当てイオンビームにより、導体パターンおよびその下
の絶縁膜に、基板に達する穴をあける。（図２（ｃ）１
０５部）こうすることにより、穴１０５の側面に付着し
た導体の被膜により、一方のパターンと基板が電気的に
接続され（接地）、チャージアップが起らなくなり、パ
ターンは明るく見える。このとき、もう一方のパターン
とのショート部（図２（ｃ）１０６）が存在すると、こ
のパターンも同様な明るさになる。次に基板に接続され
ていない方のパターン１０４を図２（ｄ）に示すよう
に、パターンのほぼ中央部１０７で、イオンビームスポ
ットをスキャンさせて切断する。２つに分離されたパタ
ーンのうち、ショートの存在しない方の１０４Ａは基板
からフローティングとなるのでチャージアップを起し、
暗くなる。またショートのある方の１０４Ｂはショート
部を通じて基板に接続された１０３により、接地される
ので明るいままとなる。このように分離したパターンの
明るく見える方を順次切断して行くことにより最終的に
明るいまま残った場所からショートを特定することがで
きる。
【００１１】次に第２の実施例として、パターンのオー
プン検出に適用した例について説明する。図３（ａ）に
示すように、ジグザグ状の導体ライン１１０が絶縁膜上
に形成されている。このパターンの一端１１１部にイオ
ンビームのスポットをあてて、絶縁膜を貫通する穴をあ
け、基板と電気的に接続する。（図３（ｂ））この場合
パターンにオープンがないとパターン全部が明るく見え
るが、例えば１１２部にオープンがあると、接地点から
オープン箇所までの１１０Ａ部は明るく見え、オープン
箇所から先の１１０Ｂ部はチャージアップして暗く見え
るのでオープン箇所が特定される。
プン検出に適用した例について説明する。図３（ａ）に
示すように、ジグザグ状の導体ライン１１０が絶縁膜上
に形成されている。このパターンの一端１１１部にイオ
ンビームのスポットをあてて、絶縁膜を貫通する穴をあ
け、基板と電気的に接続する。（図３（ｂ））この場合
パターンにオープンがないとパターン全部が明るく見え
るが、例えば１１２部にオープンがあると、接地点から
オープン箇所までの１１０Ａ部は明るく見え、オープン
箇所から先の１１０Ｂ部はチャージアップして暗く見え
るのでオープン箇所が特定される。
【００１２】次に、第３の実施例として、異るレイヤー
間にまたがるショート検出に適用した例について述べ
る。図４（ａ）はショートを検出するパターンの平面
図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂに沿った断面図を
示しており、シリコン基板１２０上に絶縁膜１２１、第
１層目の導体パターン１２２、層間絶縁膜１２３、第２
層目の導体パターン１２４が配置されている。ここで、
一方の導体パターン（例えば１２２）の一端（図４
（ｃ）１２５部）にイオンビームスポットを当てて、基
板に達する穴をあけ、接地する。パターン１２２とパタ
ーン１２４間に層間ショート（例えば１２６部）が存在
すると、接地していないパターン１２２も明るく見え
る。次にパターン１２２のコモンラインの中央部分１２
７部にイオンビームスポットをスキャンさせて、パター
ンを切断する。２つに分離されたパターンのうちショー
トの存在しない方の１２２Ａは暗く見え、ショートの存
在する方の１２２Ｂは明るいままとなる。さらに分離し
たパターンの明るく見える方を順次切断して行くことに
より最後に明るいまま残った場所からショートを特定す
ることができる。
間にまたがるショート検出に適用した例について述べ
る。図４（ａ）はショートを検出するパターンの平面
図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂに沿った断面図を
示しており、シリコン基板１２０上に絶縁膜１２１、第
１層目の導体パターン１２２、層間絶縁膜１２３、第２
層目の導体パターン１２４が配置されている。ここで、
一方の導体パターン（例えば１２２）の一端（図４
（ｃ）１２５部）にイオンビームスポットを当てて、基
板に達する穴をあけ、接地する。パターン１２２とパタ
ーン１２４間に層間ショート（例えば１２６部）が存在
すると、接地していないパターン１２２も明るく見え
る。次にパターン１２２のコモンラインの中央部分１２
７部にイオンビームスポットをスキャンさせて、パター
ンを切断する。２つに分離されたパターンのうちショー
トの存在しない方の１２２Ａは暗く見え、ショートの存
在する方の１２２Ｂは明るいままとなる。さらに分離し
たパターンの明るく見える方を順次切断して行くことに
より最後に明るいまま残った場所からショートを特定す
ることができる。
【００１３】第４の実施例として、コンタクトホールの
接続不良の検出に適用した例について述べる。図５
（ａ）は検出パターンの平面図、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＣ−Ｃ間に沿った断面図である。シリコン基板
１３０上に絶縁膜１３１があり、第１層目の導体パター
ン１３２、層間絶縁膜１３３、第２層目の導体パターン
１３５が配置されている。層間絶縁膜にはコンタクトホ
ール１３４があけられ、２つの導体層を電気的に接続し
ている。全体としては第１層目導体１３２、コンタクト
ホール１３４および第２層目導体１３５によりコンタク
トチェーンが形成されている。ここでコンタクトチェー
ンの一端（図５（ａ）１３６部）にイオンビームスポッ
トを当てて、基板に達する穴をあけ、接地する。コンタ
クトのオープンがなければコンタクトチェーン全体が明
るく見えるが、コンタクト不良があるとそこから先はチ
ャージアップのため暗くなり不良のコンタクトが直ちに
特定される。
接続不良の検出に適用した例について述べる。図５
（ａ）は検出パターンの平面図、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＣ−Ｃ間に沿った断面図である。シリコン基板
１３０上に絶縁膜１３１があり、第１層目の導体パター
ン１３２、層間絶縁膜１３３、第２層目の導体パターン
１３５が配置されている。層間絶縁膜にはコンタクトホ
ール１３４があけられ、２つの導体層を電気的に接続し
ている。全体としては第１層目導体１３２、コンタクト
ホール１３４および第２層目導体１３５によりコンタク
トチェーンが形成されている。ここでコンタクトチェー
ンの一端（図５（ａ）１３６部）にイオンビームスポッ
トを当てて、基板に達する穴をあけ、接地する。コンタ
クトのオープンがなければコンタクトチェーン全体が明
るく見えるが、コンタクト不良があるとそこから先はチ
ャージアップのため暗くなり不良のコンタクトが直ちに
特定される。
【００１４】第５の実施例として、別のコンタクト不良
検出例について述べる。図６（ａ）は検出パターンの平
面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄに沿った断面図
である。シリコン基板１４０上に絶縁膜１４１があり、
第１層目の導体パターン１４２層間絶縁膜１４３、第２
層目導体パターン１４５、コンタクトホール１４４が配
置されている。第１層目導体パターン１４２は全面シー
ト状にパターニングされ、また第２層目導体パターン１
４５は島状にパターニングされており、各々の島にコン
タクトが設けられ、第１層目導体パターン１４２に電気
的に接続されている。ここで、第１層目の導体パターン
１４２の一端（図６（ａ）１４６部）にイオンビームス
ポットをあてて穴をあけ接地させる。なお、第１層目の
導体パターン１４２がすでに接地されている場合にはこ
の作業は不用である。コンタクトのオープンがなければ
全ての第２層目導体１４５の島状パターンは明るく見え
るが、コンタクト不良がある場合にはそのパターンが暗
く見え不良が判別される。
検出例について述べる。図６（ａ）は検出パターンの平
面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄに沿った断面図
である。シリコン基板１４０上に絶縁膜１４１があり、
第１層目の導体パターン１４２層間絶縁膜１４３、第２
層目導体パターン１４５、コンタクトホール１４４が配
置されている。第１層目導体パターン１４２は全面シー
ト状にパターニングされ、また第２層目導体パターン１
４５は島状にパターニングされており、各々の島にコン
タクトが設けられ、第１層目導体パターン１４２に電気
的に接続されている。ここで、第１層目の導体パターン
１４２の一端（図６（ａ）１４６部）にイオンビームス
ポットをあてて穴をあけ接地させる。なお、第１層目の
導体パターン１４２がすでに接地されている場合にはこ
の作業は不用である。コンタクトのオープンがなければ
全ての第２層目導体１４５の島状パターンは明るく見え
るが、コンタクト不良がある場合にはそのパターンが暗
く見え不良が判別される。
【００１５】以上第１から第５までの実施例に示すよう
に、不良箇所の特定を行った後、さらに詳細な不良解析
を行う。不良は３次元的に起ることが多いので不良部位
の断面観察は非常に有効である。ＦＩＢの加工性を利用
して不良部位にイオンビームスポットをスキャンさせて
断面を露出させ、その後、試料ステージを傾けて、２次
電子像をモニタすることにより不良部位の断面を観察す
ることができる。こうすることにより不良箇所とともに
不良原因についても特定することができる。
に、不良箇所の特定を行った後、さらに詳細な不良解析
を行う。不良は３次元的に起ることが多いので不良部位
の断面観察は非常に有効である。ＦＩＢの加工性を利用
して不良部位にイオンビームスポットをスキャンさせて
断面を露出させ、その後、試料ステージを傾けて、２次
電子像をモニタすることにより不良部位の断面を観察す
ることができる。こうすることにより不良箇所とともに
不良原因についても特定することができる。
【００１６】また、以上述べた実施例は、半導体素子を
想定しているように受けとられるかと思うが、これは半
導体素子に限るものではなく、要は前述したように絶縁
体上に導体パターンを形成したデバイス、例えば微細パ
ターンのプリント基板などであれば適用できるものであ
る。
想定しているように受けとられるかと思うが、これは半
導体素子に限るものではなく、要は前述したように絶縁
体上に導体パターンを形成したデバイス、例えば微細パ
ターンのプリント基板などであれば適用できるものであ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ＦＩＢのチャージアップ現象と、加工性を利用し、
導体パターンからの２次電子のコントラストを観察して
欠陥を見出すようにしたので、不良箇所の特定と不良原
因の解析が迅速的確に行われ、不良解析の効率が飛躍的
に向上する。
ば、ＦＩＢのチャージアップ現象と、加工性を利用し、
導体パターンからの２次電子のコントラストを観察して
欠陥を見出すようにしたので、不良箇所の特定と不良原
因の解析が迅速的確に行われ、不良解析の効率が飛躍的
に向上する。
【図１】本発明の実施例で使用する装置構成図
【図２】本発明の第１の実施例
【図３】本発明の第２の実施例
【図４】本発明の第３の実施例
【図５】本発明の第４の実施例
【図６】本発明の第５の実施例
１０１ シリコン基 １０２ 絶縁膜 １０３、１０４ 導体パターン １０５ 穴 １０６ ショート部 １０７ 切断部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｓ 8406−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁体上に導体パターンが形成されてい
るデバイスの該導体パターンの不良箇所を検出する方法
として、 前記導体パターンの一部を接地した上、該導体パターン
にイオンビームを照射し、そのイオンビームによるチャ
ージアップ現象を利用して、前記導体パターンからの２
次電子像のコントラストを観察することによって前記不
良箇所を特定することを特徴とする微細パターンを有す
るデバイスの不良箇所検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3306193A JPH05144901A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 微細パターンを有するデバイスの不良箇所検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3306193A JPH05144901A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 微細パターンを有するデバイスの不良箇所検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144901A true JPH05144901A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17954130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3306193A Pending JPH05144901A (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 微細パターンを有するデバイスの不良箇所検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144901A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970048546A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-29 | ||
| US6060781A (en) * | 1999-02-04 | 2000-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2003023053A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005519260A (ja) * | 2001-10-17 | 2005-06-30 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 半導体ｉｃ欠陥検出の装置および方法 |
| US7595557B2 (en) | 2005-06-17 | 2009-09-29 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2010045379A (ja) * | 2001-10-17 | 2010-02-25 | Kla-Tencor Corp | 半導体ｉｃ欠陥検出の装置および方法 |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP3306193A patent/JPH05144901A/ja active Pending
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| US7595557B2 (en) | 2005-06-17 | 2009-09-29 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990727 |