JPS5921599A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
- Publication number
- JPS5921599A JPS5921599A JP13153182A JP13153182A JPS5921599A JP S5921599 A JPS5921599 A JP S5921599A JP 13153182 A JP13153182 A JP 13153182A JP 13153182 A JP13153182 A JP 13153182A JP S5921599 A JPS5921599 A JP S5921599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- elements
- alloy
- purity
- iii
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の４元混晶を気相
成長さ・ピる方法に関する。
成長さ・ピる方法に関する。
（π来技術と問題点
（ｌＬ来、Ｍｉ＋記の如き混晶、例えば、ｌ ｎ ｙ
Ｇ ａ ｌ−ｘ△ｓ ｙ ＋）＋−ｙを気相成１番させ
る場合、Ｉ ｎ金属及びＯａ＠属は別個のソース・ホー
ドに充填し、それ等を塩化水素で反応さ一１！ Ｉｌｌ
族元素の塩化物の形で輸送し、■族元素に関してはその
水素化物、例えば、（１比−々、（ΔＳ）はｊ′月・ソ
ン （ΔＳ １１３ ）またＩＪｊｌ（）））ｕｉホー
人ツインｌ［Ｉ ３ ） ｃハバ釘ｉ７． Ｉｌ癲ｊ若
し２てｙ友ｌ谷室中で反応さ１！る７ｊ法が−・般に１
１なわれている。
Ｇ ａ ｌ−ｘ△ｓ ｙ ＋）＋−ｙを気相成１番させ
る場合、Ｉ ｎ金属及びＯａ＠属は別個のソース・ホー
ドに充填し、それ等を塩化水素で反応さ一１！ Ｉｌｌ
族元素の塩化物の形で輸送し、■族元素に関してはその
水素化物、例えば、（１比−々、（ΔＳ）はｊ′月・ソ
ン （ΔＳ １１３ ）またＩＪｊｌ（）））ｕｉホー
人ツインｌ［Ｉ ３ ） ｃハバ釘ｉ７． Ｉｌ癲ｊ若
し２てｙ友ｌ谷室中で反応さ１！る７ｊ法が−・般に１
１なわれている。
しかし、水素化物はアルソン（］ホホスライに基因り、
’（純度が低く、また、１話化物りル（化水幸に基因
し、゛（純度が低い為、Ｉｎ１純度の結晶を成長さ−１
える、二とが（きない。
’（純度が低く、また、１話化物りル（化水幸に基因
し、゛（純度が低い為、Ｉｎ１純度の結晶を成長さ−１
える、二とが（きない。
・般に、゛１４１体宛光装：６の場合は、然稈（＝はな
いが、゛Ｉ′導体・妥光装置の場合は、（１ｃ、不純物
す四度１−を、１７！、要と゛・ｌ’ ”、＋の（、結
晶の純良−が＄ ’Ｓ’ｊ ’（ｉｆ・、イ、。
いが、゛Ｉ′導体・妥光装置の場合は、（１ｃ、不純物
す四度１−を、１７！、要と゛・ｌ’ ”、＋の（、結
晶の純良−が＄ ’Ｓ’ｊ ’（ｉｆ・、イ、。
発明の目的
４二発明は、気相成長力法に依−１（−１ｉＴＴ＋純度
の１１１Ｖ屏４元ｌド品を（υることを１１的とし７（
いる。
の１１１Ｖ屏４元ｌド品を（υることを１１的とし７（
いる。
発明の構成
）”；ｔ 明’Ｃｉ、Ｌ、ＩＩＩ ＶＩｉｙｆ、 ４
１Ｑ 、Ｉ？、 晶’？ｉ気相成［Ｑさ−ｌ：；、ｔこ
際１−７、Ｉｌｌｌｌ族元素金及び族元素の塩化物り用
いる、二とに（Ｊｉ ｒ：＋、１ｔＹ−来枝術に依る。
１Ｑ 、Ｉ？、 晶’？ｉ気相成［Ｑさ−ｌ：；、ｔこ
際１−７、Ｉｌｌｌｌ族元素金及び族元素の塩化物り用
いる、二とに（Ｊｉ ｒ：＋、１ｔＹ−来枝術に依る。
１、りも１口１純度の４元混晶イーｆｌ （：＋れるよ
・）にし７たもの（−ある。
・）にし７たもの（−ある。
発明の実施例
例えも、シ、１． ｎ。（、’Ｊ））Ｉ−ｙへＳ ＞’
１）ｌ−＞結晶を′λ（相成長さ−Ｌ！’ ＝Ｓ Ｌ
、二ＩＩ、Ｉ ｎ及びＧａのソースとＣ２て、Ｇａ７・
′１１１合金を予め所望の、埴ご作製して才９き１、こ
れを成長室ノｉｌＬ ｒｉｉ＆ 域（（ｆ’ｌ エ４；
ｌ、〜７５０ （ｔ） ） ニ装置し２、Ｖ族元］÷１
、即ら、△Ｓはその塩化物△ＳＣ１！、と（−７て、ま
た、Ｐもその１ふ１化物１）Ｃ１３とＣ２“（、そ１１
ぞれを所望のｙ値に応し７た比・ドでキャリト・カス１
１２と共心こ成ＪＨ＞室内に古人Ｕ２、そごＣ１１（１
純度の１１ Ｃｉ！を発〕１ざす、ごの１１ Ｃｎを〔
；ａ／１ ＋１合金と反応さ・υ、 定１゛〕比率のＧ
ａ Ｃ１，１ｎＣｆｆを什成４−るごとに依り、低温
Ｊ−（（例えば・〜〔；５０Ｃ”に））６二配置した（
τ＋ｐＪｌて導体結晶基板１に１ｎｙｃｙａｌ−ＸＡＳ
ｙ Ｐ ＋−ｙ半導体結晶層を成長さ（ｊイ）ことが
できる。Ｉ ｎ ｌ’と（トイ１さ合された１！１ＸＧ
ａ １−ＸＡ Ｓｙ Ｐｌ−ｙの成１硯を（ｉな−）
には、ソースの（′ｊｉ（のＩ ｎ乙こ列Ｊる比率とし
く（ｌ ａは数ｃ取計％］ｌこ４−る必ｉ）５！がある
。
１）ｌ−＞結晶を′λ（相成長さ−Ｌ！’ ＝Ｓ Ｌ
、二ＩＩ、Ｉ ｎ及びＧａのソースとＣ２て、Ｇａ７・
′１１１合金を予め所望の、埴ご作製して才９き１、こ
れを成長室ノｉｌＬ ｒｉｉ＆ 域（（ｆ’ｌ エ４；
ｌ、〜７５０ （ｔ） ） ニ装置し２、Ｖ族元］÷１
、即ら、△Ｓはその塩化物△ＳＣ１！、と（−７て、ま
た、Ｐもその１ふ１化物１）Ｃ１３とＣ２“（、そ１１
ぞれを所望のｙ値に応し７た比・ドでキャリト・カス１
１２と共心こ成ＪＨ＞室内に古人Ｕ２、そごＣ１１（１
純度の１１ Ｃｉ！を発〕１ざす、ごの１１ Ｃｎを〔
；ａ／１ ＋１合金と反応さ・υ、 定１゛〕比率のＧ
ａ Ｃ１，１ｎＣｆｆを什成４−るごとに依り、低温
Ｊ−（（例えば・〜〔；５０Ｃ”に））６二配置した（
τ＋ｐＪｌて導体結晶基板１に１ｎｙｃｙａｌ−ＸＡＳ
ｙ Ｐ ＋−ｙ半導体結晶層を成長さ（ｊイ）ことが
できる。Ｉ ｎ ｌ’と（トイ１さ合された１！１ＸＧ
ａ １−ＸＡ Ｓｙ Ｐｌ−ｙの成１硯を（ｉな−）
には、ソースの（′ｊｉ（のＩ ｎ乙こ列Ｊる比率とし
く（ｌ ａは数ｃ取計％］ｌこ４−る必ｉ）５！がある
。
Ｉ）；１記のよ・＞ ６．：△ｓ Ｃ１３％びＰ Ｃ１
３を分館１してｓ′：ｆノこＩＩ Ｃｎ ｔ、ＬｉＪＩ
′：〒；のＩＩ Ｃ： （’とこ１．１中れこならない
、１、）なｊ１１１純度のものが得られ１、これが本発
明に於りる４ノｌ？１品を１ｎ１純度に４る−・つの理
由になって１′ン１は成長′亭０） ＶＡ＃ １０分−
ｆｉｉ ’ｒ＝ Ｍｉｉ ａＱ ’４凸為ノＡＱ 明目
ｌ ’（あｔ′）、１は成Ｊ、ｊ：’室、２１．１ Ｉ
ｊ ２カー、ｌ ｊＲ人！！１（，３（，１合金配置室
、４は（△ｓ（：ρ３１１’［ｌ’、ｌＩ＋７）カス古
人〒（，５はに ａ ／’ ｌ １１合３、にはｌ ｎ
Ｉ”ｌ”・〃体結晶）、（根をそれぞれ示”＝ｌ−。
３を分館１してｓ′：ｆノこＩＩ Ｃｎ ｔ、ＬｉＪＩ
′：〒；のＩＩ Ｃ： （’とこ１．１中れこならない
、１、）なｊ１１１純度のものが得られ１、これが本発
明に於りる４ノｌ？１品を１ｎ１純度に４る−・つの理
由になって１′ン１は成長′亭０） ＶＡ＃ １０分−
ｆｉｉ ’ｒ＝ Ｍｉｉ ａＱ ’４凸為ノＡＱ 明目
ｌ ’（あｔ′）、１は成Ｊ、ｊ：’室、２１．１ Ｉ
ｊ ２カー、ｌ ｊＲ人！！１（，３（，１合金配置室
、４は（△ｓ（：ρ３１１’［ｌ’、ｌＩ＋７）カス古
人〒（，５はに ａ ／’ ｌ １１合３、にはｌ ｎ
Ｉ”ｌ”・〃体結晶）、（根をそれぞれ示”＝ｌ−。
Ｉｌｌ！！Ｉから゛１′リイ１３１、）ζご、に ａ
／’ Ｉ ｎ合ω５は温Ｉｔ）（−７５０（’？’）の
部分に、ｉにｋ、ｌ ｎ ｌ’ ゛ｌ’導体結品結晶’
（ｔＮ （ｉ ｉ；ｌ、温１ＱＥ ６ ！’＋ （１（
’Ｃ３〜’ｌ （１０１’［： ） ０）部分？、二
それ・は１１配置さ１１（い【１、［、発明（，１、＋
ｉｉｉ記実施例θ）；ｌｉ、口〕）・１ 他の♀ｉ’ｉ
品成１、；にもｊ内用（きイ）、二＾（；Ｉｊ： ＋テ
（“ζ〕）１．Ｎい、発明の々ノＪ果 １発明く、ニイ７ｄ）、は、ｌ１ｌ−Ｖ族の４亀混品り
′λ（絹成１、工さｌｉに）６ご際Ｕ、Ｉｌｌ族ル、姪
の合金及びＶ ＋６、のｊ）。召し物を）す「デｉどの
比・↑’＝ Ｃｌ１ｊ給Ｕ７ソースとし７て使用−４る
、二とに（７０）、Ｖ族の水−４化物をもｔ、いイリｊ
？大Ｑ Ｌｅｔ： ’＋ｒｌｆ’Ｊない、ｒｌ、純度の
４元’ｉＩ１品を（：？る、−とが（きる。
／’ Ｉ ｎ合ω５は温Ｉｔ）（−７５０（’？’）の
部分に、ｉにｋ、ｌ ｎ ｌ’ ゛ｌ’導体結品結晶’
（ｔＮ （ｉ ｉ；ｌ、温１ＱＥ ６ ！’＋ （１（
’Ｃ３〜’ｌ （１０１’［： ） ０）部分？、二
それ・は１１配置さ１１（い【１、［、発明（，１、＋
ｉｉｉ記実施例θ）；ｌｉ、口〕）・１ 他の♀ｉ’ｉ
品成１、；にもｊ内用（きイ）、二＾（；Ｉｊ： ＋テ
（“ζ〕）１．Ｎい、発明の々ノＪ果 １発明く、ニイ７ｄ）、は、ｌ１ｌ−Ｖ族の４亀混品り
′λ（絹成１、工さｌｉに）６ご際Ｕ、Ｉｌｌ族ル、姪
の合金及びＶ ＋６、のｊ）。召し物を）す「デｉどの
比・↑’＝ Ｃｌ１ｊ給Ｕ７ソースとし７て使用−４る
、二とに（７０）、Ｖ族の水−４化物をもｔ、いイリｊ
？大Ｑ Ｌｅｔ： ’＋ｒｌｆ’Ｊない、ｒｌ、純度の
４元’ｉＩ１品を（：？る、−とが（きる。
そし゛Ｃ１１１１族元素は合金の比率（〒１］、二、Ｖ
族７１４−（−は塩化物カスの化率（それぞれ（１，會
（、二組成を変えることができるので、その制御η１１
は容易であり、正確な組成のものを得ることがζきる。
族７１４−（−は塩化物カスの化率（それぞれ（１，會
（、二組成を変えることができるので、その制御η１１
は容易であり、正確な組成のものを得ることがζきる。
図は成長室の温度分布をｆ）？説する為の説明図である
・ 図に於いて、ｌは成長室、２は＋４２ガス導入管、３は
合金配置室、４は（八ｓＣ７！３−’−Ｐ ＣＩｊ、３
ｌ−ｌｌ２）カス導入管、５はＧ ａ ／ Ｉ ｎ合
金、６は１ｎ Ｐ ：ｌｉ導体結晶基板である。 特許出願人 富士通株式金柑 代理人弁理士 玉蟲 久方ｌ”Ｂ （外３名） 〜７５０（’（、ａ
・ 図に於いて、ｌは成長室、２は＋４２ガス導入管、３は
合金配置室、４は（八ｓＣ７！３−’−Ｐ ＣＩｊ、３
ｌ−ｌｌ２）カス導入管、５はＧ ａ ／ Ｉ ｎ合
金、６は１ｎ Ｐ ：ｌｉ導体結晶基板である。 特許出願人 富士通株式金柑 代理人弁理士 玉蟲 久方ｌ”Ｂ （外３名） 〜７５０（’（、ａ
Claims (1)
- ｌ１ｌ−Ｖ族の４元混晶を気相成長させるに際し、ｌ１
ｌ族元素の合金及びＶ族元素の塩化物をソースとし、１
■族元素は合金の比率を、また、■族元素は塩化物ガス
の比率を変えて４元混晶の組成を制御し７て結晶成長さ
・けることを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13153182A JPS5921599A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13153182A JPS5921599A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921599A true JPS5921599A (ja) | 1984-02-03 |
Family
ID=15060246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13153182A Pending JPS5921599A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921599A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5773240A (en) * | 1994-06-13 | 1998-06-30 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Optically active α-substituted carboxylic acid derivatives and method for producing the same |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP13153182A patent/JPS5921599A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5773240A (en) * | 1994-06-13 | 1998-06-30 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Optically active α-substituted carboxylic acid derivatives and method for producing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS596009B2 (ja) | 可とう性超電導体の製造方法 | |
| JPS5921599A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS60235720A (ja) | 酸化バナジウムの新規合成方法 | |
| US5211801A (en) | Method for manufacturing single-crystal silicon carbide | |
| JPS62265112A (ja) | 黒鉛層間化合物の製造方法 | |
| WO2020122742A1 (en) | Hydrogen-free method of fabrication of nitric acid by means of a catalyst containing aluminum nitride or other group iii metals nitrides | |
| JPS61222911A (ja) | 燐化化合物の合成方法 | |
| JPS5921600A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH07300398A (ja) | ＩＩＩｂ−Ｖｂ族化合物の合成法 | |
| JPS63260124A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3206050B2 (ja) | ダイヤモンド単結晶の合成方法 | |
| JP2639687B2 (ja) | 針状晶窒化ケイ素の製造方法 | |
| JPS63266819A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPS63129011A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| JPS5950100A (ja) | 三元化合物半導体の気相成長法 | |
| JPS5858725A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| US3302998A (en) | Semiconductor compound crystals | |
| SU500714A1 (ru) | Способ получени слоев арсенида галли | |
| JPS63176302A (ja) | 高純度窒化アルミニウム微粉末の製造法 | |
| SU591409A1 (ru) | Способ получени галлидов ниоби | |
| JPS59128299A (ja) | 燐化アルミニウム・インジウム単結晶の製造方法 | |
| JPH0323298A (ja) | 半導体結晶成長方法 | |
| JPS5931985B2 (ja) | マグネスピネルの気相成長法 | |
| JPS6343360B2 (ja) | ||
| JPS6283400A (ja) | 有機金属気相成長用シリンダ−の改良法 |