JPS5921217B2 - アステ−ブルマルチバイブレ−タ - Google Patents
アステ−ブルマルチバイブレ−タInfo
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- JPS5921217B2 JPS5921217B2 JP52072411A JP7241177A JPS5921217B2 JP S5921217 B2 JPS5921217 B2 JP S5921217B2 JP 52072411 A JP52072411 A JP 52072411A JP 7241177 A JP7241177 A JP 7241177A JP S5921217 B2 JPS5921217 B2 JP S5921217B2
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- Japan
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- capacitor
- charging
- resistor
- output signal
- Prior art date
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- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/023—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback
- H03K3/0231—Astable circuits
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は出力矩形波のHレベル期間とLレベル期間が独
立して設定出来るアステーブルマルチバイブレークを1
個のコンデンサを用いて構成するものである。
立して設定出来るアステーブルマルチバイブレークを1
個のコンデンサを用いて構成するものである。
従来より最も多く用いられているアステーブルマルチバ
イブレータとしては第1図に示すようなものがあげられ
るが、第1図の回路の場合、出力端子0に現われる矩形
波のHレベル期間とLレベル期間の長さはそれぞれ抵抗
1とコンデンサ2による時定数、抵抗3とコンデンサ4
による時定数を適当に運ぶことによって独立して設定す
ることができるが、回路が対称形になっているため、コ
ンデンサを2個必要とする欠点があった。
イブレータとしては第1図に示すようなものがあげられ
るが、第1図の回路の場合、出力端子0に現われる矩形
波のHレベル期間とLレベル期間の長さはそれぞれ抵抗
1とコンデンサ2による時定数、抵抗3とコンデンサ4
による時定数を適当に運ぶことによって独立して設定す
ることができるが、回路が対称形になっているため、コ
ンデンサを2個必要とする欠点があった。
ちなみに、回路をモノリシックIC化する場合にはこれ
らのコンデンサはICの内部で形成することは難しく、
そのためICの端子数が増加したり、外付部品が増加す
るなどの問題があった。
らのコンデンサはICの内部で形成することは難しく、
そのためICの端子数が増加したり、外付部品が増加す
るなどの問題があった。
本発明のアステーブルマルチバイブレークは以上のよう
な問題を解消するものである。
な問題を解消するものである。
第2図は本発明の一実施例におけるアステーブルマルチ
バイブレークのブロック化した回路結線図を示したもの
で、スイッチ5の共通接点5aならびに同常閉接点5b
を介してプラス側給電線路6とマイナス側給電線路(接
地点)7の間には抵抗8とコンデンサ9による充電回路
が接続され、前記コンデンサ9の充電電圧は第1の電圧
コンパレータ10の非反転入力端子10aに印加され、
同反転入力端子10bには第1の指令電圧11が印加さ
れ、前記電圧コンパレータ10の出力端子10cは前記
スイッチ5の制御電極5dに接続されている。
バイブレークのブロック化した回路結線図を示したもの
で、スイッチ5の共通接点5aならびに同常閉接点5b
を介してプラス側給電線路6とマイナス側給電線路(接
地点)7の間には抵抗8とコンデンサ9による充電回路
が接続され、前記コンデンサ9の充電電圧は第1の電圧
コンパレータ10の非反転入力端子10aに印加され、
同反転入力端子10bには第1の指令電圧11が印加さ
れ、前記電圧コンパレータ10の出力端子10cは前記
スイッチ5の制御電極5dに接続されている。
また、前記電圧コンパレータ10のプラス側給電端子1
0dはプラス側給電線路6に接続され、同マイナス側給
電端子10eはマイナス側給電線路7に接続されている
。
0dはプラス側給電線路6に接続され、同マイナス側給
電端子10eはマイナス側給電線路7に接続されている
。
さらに、前記コンデンサ9の充電電圧は第2の電圧コン
パレータ12の非反転入力端子12aに印加され、前記
電圧コンパレータ12の反転入力端子12bには第2の
指令電圧13が印加され、同出力端子12cは前記スイ
ッチ5の制御電極5dに接続され、同プラス側給電端子
12dは前記スイッチ5の常開接点5cに接続され、同
マイナス側給電端子12eはマイナス側給電端子7に接
続されている。
パレータ12の非反転入力端子12aに印加され、前記
電圧コンパレータ12の反転入力端子12bには第2の
指令電圧13が印加され、同出力端子12cは前記スイ
ッチ5の制御電極5dに接続され、同プラス側給電端子
12dは前記スイッチ5の常開接点5cに接続され、同
マイナス側給電端子12eはマイナス側給電端子7に接
続されている。
尚、プラス側給電線路6はプラス側給電端子σに接続さ
れている。
れている。
さて、第2図の回路において、時刻1=18でプラス側
給電線路6に電源電圧E。
給電線路6に電源電圧E。
を印加すると、電源電圧が印加された直後はコンデンサ
9の両端の電圧は零であるので電圧コンパレータ10に
は出力が現われず、抵抗8を介して前記コンデンサ9に
充電が行なわれる。
9の両端の電圧は零であるので電圧コンパレータ10に
は出力が現われず、抵抗8を介して前記コンデンサ9に
充電が行なわれる。
前記コンデンサ9の充電電圧が徐々に上昇して第1の指
令電圧E1を越えたとき、前記電圧コンパレータ10の
出力がスイッチ5の制御電極5dに印加され、前記スイ
ッチ5の共通接点5aは同常開接点5cに接続される。
令電圧E1を越えたとき、前記電圧コンパレータ10の
出力がスイッチ5の制御電極5dに印加され、前記スイ
ッチ5の共通接点5aは同常開接点5cに接続される。
ここで、第2の指令電圧E2を前記第1の指令電圧E1
よりも小さく設定しておくと、前記スイッチ5の共通接
点5aが同常開接点5cに接続された直後に第2の電圧
コンパレータ12の出力が前記スイッチ5の制御電極5
dに印加される。
よりも小さく設定しておくと、前記スイッチ5の共通接
点5aが同常開接点5cに接続された直後に第2の電圧
コンパレータ12の出力が前記スイッチ5の制御電極5
dに印加される。
前記スイッチ5の共通接点5aが同常開接点5cに接続
されると同時にコンデンサ9への充電は遮断され、以後
は電圧コンパレータ10および12の入力抵抗、コンデ
ンサ9自身の損失抵抗などによって前記コンデンサ9の
充it荷は徐々に放電されるので、第1の電圧コンパレ
ータ10の出力は零に戻るが、前記コンデンサ9の充電
電圧が第2の指令電圧E2に等しくなるまでは電2の電
圧コンパレータ12の出力が保持されるので、前記スイ
ッチ5の共通接点5aは同常開接点5cに接続されたま
まとなる。
されると同時にコンデンサ9への充電は遮断され、以後
は電圧コンパレータ10および12の入力抵抗、コンデ
ンサ9自身の損失抵抗などによって前記コンデンサ9の
充it荷は徐々に放電されるので、第1の電圧コンパレ
ータ10の出力は零に戻るが、前記コンデンサ9の充電
電圧が第2の指令電圧E2に等しくなるまでは電2の電
圧コンパレータ12の出力が保持されるので、前記スイ
ッチ5の共通接点5aは同常開接点5cに接続されたま
まとなる。
前記コンデンサ9の充電電圧が徐々に減少し、第2の指
令電圧E2に等しくなると、第2の電圧コンパレータ1
2の出力も零に戻るので、前記スイッチ5の共通接点5
aは再び同常閉接点5bに接続され、抵抗8を介してコ
ンデンサ9への充電が開始される。
令電圧E2に等しくなると、第2の電圧コンパレータ1
2の出力も零に戻るので、前記スイッチ5の共通接点5
aは再び同常閉接点5bに接続され、抵抗8を介してコ
ンデンサ9への充電が開始される。
以後同様の動作を繰り返してコンデンサ9の両端には鋸
歯状波が現われ、スイッチ5の常閉接点5b1常開接点
5c1制御電極5dには矩形波信号が現われる。
歯状波が現われ、スイッチ5の常閉接点5b1常開接点
5c1制御電極5dには矩形波信号が現われる。
ところで、時刻t−1oでプラス側給電端子6に電源電
圧E。
圧E。
が印加され、コンデンサ9の充電電圧が第1の指令電圧
E1に等しくなる時刻t1は次のようにして求めること
ができる。
E1に等しくなる時刻t1は次のようにして求めること
ができる。
I
EI=EO(1e −) (1)9R8
(1)式において、C9はコンデンサ9の容量、R8は
抵抗8の抵抗値である。
抵抗8の抵抗値である。
(1)式より、
E。
tl−一〇、R81n(1−−)(2)
EO
時刻t1においてコンデンサ9への充電が遮断され、充
電電圧が第2の指令電圧E2にまで減少する時刻をt2
とすると、 (“′−“” (3) El−Ele−c9Rx (3)式において、RXは電圧コンパレータ10および
12の入力抵抗、コンデンサ9自身の損失抵抗などの合
成抵抗値である。
電電圧が第2の指令電圧E2にまで減少する時刻をt2
とすると、 (“′−“” (3) El−Ele−c9Rx (3)式において、RXは電圧コンパレータ10および
12の入力抵抗、コンデンサ9自身の損失抵抗などの合
成抵抗値である。
(3)式より、
2
(t2t+ ) −C9Rxl n() (4)
1 時刻t2におGて再びコンデンサ9への充電が開始され
、前記コンデンサ9の充電電圧がElに達する時刻をt
3とすると、 (t3−12) E+−(EOEl) (1−e ) (
5)9R8 E。
1 時刻t2におGて再びコンデンサ9への充電が開始され
、前記コンデンサ9の充電電圧がElに達する時刻をt
3とすると、 (t3−12) E+−(EOEl) (1−e ) (
5)9R8 E。
(t3t2)−CoRsln(1、l (6)(Eo
−El) ここで、第2図の回路において出力信号はスイッチ5の
常閉接点5bから取り出すものとすると、出力信号はt
。
−El) ここで、第2図の回路において出力信号はスイッチ5の
常閉接点5bから取り出すものとすると、出力信号はt
。
からtlまでがHレベル期間で、tlから12までがL
レベル期間で、t2からt3までがHレベル期間となる
。
レベル期間で、t2からt3までがHレベル期間となる
。
したがって、定常時におけるHレベル期間の時間幅TH
,Lレベル期間の時間幅TLは次のようになる。
,Lレベル期間の時間幅TLは次のようになる。
EI
T H−C9Ra l n (11) (7)(
EO−E2 ) 2 TL= CgRxln() (8)1 すなわち、出力信号波形のHレベル期間は抵抗8の抵抗
値R8を変化させることにより独立して設定することが
でき、一方Lレベル期間は電圧コンパレータ10および
12の入力抵抗、コンデンサ9自身などの合成抵抗値R
xによって設定される。
EO−E2 ) 2 TL= CgRxln() (8)1 すなわち、出力信号波形のHレベル期間は抵抗8の抵抗
値R8を変化させることにより独立して設定することが
でき、一方Lレベル期間は電圧コンパレータ10および
12の入力抵抗、コンデンサ9自身などの合成抵抗値R
xによって設定される。
尚、前記合成抵抗値へは通常R8の値に比べてかなり大
きいので、Hレベル期間の時間幅THとLレベル期間の
時間幅TLをほぼ等しくしたい場合には第3図に示すよ
うに、コンデンサ9の放電時には放電スイッチによって
前記コンデンサ9に並列に放電用抵抗を接続することも
できる。
きいので、Hレベル期間の時間幅THとLレベル期間の
時間幅TLをほぼ等しくしたい場合には第3図に示すよ
うに、コンデンサ9の放電時には放電スイッチによって
前記コンデンサ9に並列に放電用抵抗を接続することも
できる。
第3図は本発明の一実施例におけるアステーブルマルチ
バイブレークの詳細な回路結線図を示したもので、プラ
ス側給電線路6とマイナス側給電線路7の間にはPチャ
ネルエンハンスメント形MOSトランジスタ14によっ
て構成された充電スイッチを介して抵抗8とコンデンサ
9の充電回路が接続され、前記コンデンサ9と並列にN
チャネルエンハンスメント形MOSトランジスタ15に
よって構成された放電スイッチを介して抵抗16による
前記コンデンサ9の放電回路が接続されている。
バイブレークの詳細な回路結線図を示したもので、プラ
ス側給電線路6とマイナス側給電線路7の間にはPチャ
ネルエンハンスメント形MOSトランジスタ14によっ
て構成された充電スイッチを介して抵抗8とコンデンサ
9の充電回路が接続され、前記コンデンサ9と並列にN
チャネルエンハンスメント形MOSトランジスタ15に
よって構成された放電スイッチを介して抵抗16による
前記コンデンサ9の放電回路が接続されている。
また、前記抵抗8とコンデンサ9の接続点にはNチャネ
ルエンハンスメント形MO8I−ランジスタ17のゲー
トが接続され、前記MOSトランジスタ17のドレイン
はNチャネルエンハンスメント形MOSトランジスタ1
8のゲートに接続されるとともに抵抗19を介してプラ
ス側給電線路6に接続され、前記MOSトランジスタ1
8のドレインは直接プラス側給電線路6に接続されてい
る。
ルエンハンスメント形MO8I−ランジスタ17のゲー
トが接続され、前記MOSトランジスタ17のドレイン
はNチャネルエンハンスメント形MOSトランジスタ1
8のゲートに接続されるとともに抵抗19を介してプラ
ス側給電線路6に接続され、前記MOSトランジスタ1
8のドレインは直接プラス側給電線路6に接続されてい
る。
一方、プラス側給電線路6とマイナス側給電線路Tの間
には抵抗20と抵抗21による分圧回路が接続され、そ
の分圧中点にはNチャネルエンハンスメント形MOSト
ランジスタ22のゲートが接続され、前記MO8I−ラ
ンジスタ22のドレインはNチャネルエンハンスメント
形MO8I−ランジスタ23のゲートに接続されるとと
もに、抵抗24を介してプラス側給電線路6に接続され
、前記MO8I−ランジスタ23のドレインはスイッチ
を構成するPチャネルエンハンスメント形MOSトラン
ジスタ25のゲートに接続されるとともに抵抗26を介
してプラス側給電線路6に接続されている。
には抵抗20と抵抗21による分圧回路が接続され、そ
の分圧中点にはNチャネルエンハンスメント形MOSト
ランジスタ22のゲートが接続され、前記MO8I−ラ
ンジスタ22のドレインはNチャネルエンハンスメント
形MO8I−ランジスタ23のゲートに接続されるとと
もに、抵抗24を介してプラス側給電線路6に接続され
、前記MO8I−ランジスタ23のドレインはスイッチ
を構成するPチャネルエンハンスメント形MOSトラン
ジスタ25のゲートに接続されるとともに抵抗26を介
してプラス側給電線路6に接続されている。
また、前記MOSトランジスタ18および23のソース
は共通接続されてNチャネルエンハンスメント形MO8
I−ランジスタ27のゲートおよびドレイン、Nチャネ
ルエンハンスメント形MOSトランジスタ28のゲート
に接続され、前記MOSトランジスタ27および28の
ソースはマイナス側給電線路7に接続され、前記MO3
I−ランジスタ28のドレインに前記MO8I−ランジ
スタ17および22のソースに接続されている。
は共通接続されてNチャネルエンハンスメント形MO8
I−ランジスタ27のゲートおよびドレイン、Nチャネ
ルエンハンスメント形MOSトランジスタ28のゲート
に接続され、前記MOSトランジスタ27および28の
ソースはマイナス側給電線路7に接続され、前記MO3
I−ランジスタ28のドレインに前記MO8I−ランジ
スタ17および22のソースに接続されている。
さらに、前記抵抗8とコンデンサ9の接続点にはNチャ
ネルエンハンスメント形MO8!−ランジスタ29のゲ
ートが接続され、前記MO8I−ランジスタ29のドレ
インはNチャネルエンハンスメント形MOSトランジス
タ30のゲートに接続されるとともに抵抗31を介して
前記MO8I−ランジスク25のドレインに接続され、
前記MOSトランジスタ30のドレインは直接プラス側
給電線路6に接続され、同ソースはNチャネルエンハン
スメント形MO8I−ランジスタ32のソースと共通接
続されてさらにNチャネルエンハンスメント形MOSト
ランジスタ33のゲートおよびドレイン、ならびにNチ
ャネルエンハンスメント形MOSトランジスタ34のゲ
ートに接続されている。
ネルエンハンスメント形MO8!−ランジスタ29のゲ
ートが接続され、前記MO8I−ランジスタ29のドレ
インはNチャネルエンハンスメント形MOSトランジス
タ30のゲートに接続されるとともに抵抗31を介して
前記MO8I−ランジスク25のドレインに接続され、
前記MOSトランジスタ30のドレインは直接プラス側
給電線路6に接続され、同ソースはNチャネルエンハン
スメント形MO8I−ランジスタ32のソースと共通接
続されてさらにNチャネルエンハンスメント形MOSト
ランジスタ33のゲートおよびドレイン、ならびにNチ
ャネルエンハンスメント形MOSトランジスタ34のゲ
ートに接続されている。
前記MOSトランジスタ33および34のソースはいず
れもマイナス側給電線路7に接続され、前記MOSトラ
ンジスタ34のドレインはNチャネルエンハンスメント
形MOSトランジスタ35および前記MOSトランジス
タ29のソースに接続され、前記MO8)ランジスタ3
5のゲートはプラス側給電線路6とマイナス側給電線路
7の間に接続された抵抗36と抵抗37による分圧回路
の分圧中点に接続され、同ドレインは前記MOSトラン
ジスタ32のゲートに接続されるとともに抵抗38を介
して前記MO8I−ランジスタ25のドレインに接続さ
れ、前記MOSトランジスタ32のドレインは前記MO
8I−ランジスタ25のゲートに接続されている。
れもマイナス側給電線路7に接続され、前記MOSトラ
ンジスタ34のドレインはNチャネルエンハンスメント
形MOSトランジスタ35および前記MOSトランジス
タ29のソースに接続され、前記MO8)ランジスタ3
5のゲートはプラス側給電線路6とマイナス側給電線路
7の間に接続された抵抗36と抵抗37による分圧回路
の分圧中点に接続され、同ドレインは前記MOSトラン
ジスタ32のゲートに接続されるとともに抵抗38を介
して前記MO8I−ランジスタ25のドレインに接続さ
れ、前記MOSトランジスタ32のドレインは前記MO
8I−ランジスタ25のゲートに接続されている。
尚、前記MOSトランジスタ25のドレインは出力端子
0に接続され、同ドレインとマイナス側給電線路7の間
には抵抗39が接続されている。
0に接続され、同ドレインとマイナス側給電線路7の間
には抵抗39が接続されている。
サテ、第3図の回路ではMOSトランジスタ17,18
,22,23,27,28、抵抗19゜24.26が第
2図における第1の電圧コンパレータを構成しており、
MOSトランジスタ29゜30.32,33,34,3
5、抵抗26,31゜38が第2図における第2の電圧
コンパレータを構成している。
,22,23,27,28、抵抗19゜24.26が第
2図における第1の電圧コンパレータを構成しており、
MOSトランジスタ29゜30.32,33,34,3
5、抵抗26,31゜38が第2図における第2の電圧
コンパレータを構成している。
第3図の回路では第1の指令電圧を抵抗20と抵抗21
によって給電電圧を分圧して作り出しており、同様に第
2の指令電圧を抵抗36と抵抗37によって給電電圧を
分圧して作り出している。
によって給電電圧を分圧して作り出しており、同様に第
2の指令電圧を抵抗36と抵抗37によって給電電圧を
分圧して作り出している。
いま、給電電圧E。
とじて第1の指令電圧E、および第2の指令電圧E2を
求めてみると、21 E、−−−Eo=に1・Eo(9) R20+R21 37 R2−□ E□= R2” Eo (10)R
36+R37 ただしs R20+ R21+ R36+ R37はそ
れぞれ1抵抗20、抵抗21、抵抗36、抵抗37の抵
抗値である。
求めてみると、21 E、−−−Eo=に1・Eo(9) R20+R21 37 R2−□ E□= R2” Eo (10)R
36+R37 ただしs R20+ R21+ R36+ R37はそ
れぞれ1抵抗20、抵抗21、抵抗36、抵抗37の抵
抗値である。
(9) 、 QO)式を(力、(8)式に代入して整理
すると、I TH−C9Rsln(1) (1υ(1−に2
) T L −C9Rx In (h 、” )
(12)ここで、(9) 、 (10)式より、 1′・ (13) 2・−雇十R2、 R37a4) 1・−R36+R3゜ このように、第3図の回路では第1の指令電圧および第
2の指令電圧を給電電圧を分圧して得ることにより、出
力信号波形のHレベル期間TH,Lレベル期間TL、さ
らには発振周波数が給電電圧の変化に関わりなく一定と
なる。
すると、I TH−C9Rsln(1) (1υ(1−に2
) T L −C9Rx In (h 、” )
(12)ここで、(9) 、 (10)式より、 1′・ (13) 2・−雇十R2、 R37a4) 1・−R36+R3゜ このように、第3図の回路では第1の指令電圧および第
2の指令電圧を給電電圧を分圧して得ることにより、出
力信号波形のHレベル期間TH,Lレベル期間TL、さ
らには発振周波数が給電電圧の変化に関わりなく一定と
なる。
尚、第3図の回路ではコンデンサ9の充電期間中はMO
Sトランジスター4による充電スイッチがオン状態にあ
り、放電期間中はMO8I−ランジスタ15による放電
スイッチがオン状態にあるので、(12)式のへの値は
実質的に抵抗16の抵抗値に等しくなるが、出力信号波
形のHレベル期間とLレベル期間の比率をあまり問題に
しない場合にはMOSトランジスター5のドレインをM
OSトランジスタ14のドレインに直接接続して抵抗1
6を省くことも可能である。
Sトランジスター4による充電スイッチがオン状態にあ
り、放電期間中はMO8I−ランジスタ15による放電
スイッチがオン状態にあるので、(12)式のへの値は
実質的に抵抗16の抵抗値に等しくなるが、出力信号波
形のHレベル期間とLレベル期間の比率をあまり問題に
しない場合にはMOSトランジスター5のドレインをM
OSトランジスタ14のドレインに直接接続して抵抗1
6を省くことも可能である。
また、第3図のアステーブルマルチバイブレークではM
OSトランジスタ25のドレインから出力信号を取り出
しているが、MOSトランジスタ14のドレインからは
位相の反転した出力信号波形を取り出すこともできるし
、MOSトランジスタ17のゲートからは鋸歯状波を取
り出すこともできる。
OSトランジスタ25のドレインから出力信号を取り出
しているが、MOSトランジスタ14のドレインからは
位相の反転した出力信号波形を取り出すこともできるし
、MOSトランジスタ17のゲートからは鋸歯状波を取
り出すこともできる。
さて、第4図は本発明の別の実施例を示したもので、第
2図の回路に比べて、第1の指令電圧と第2の指令電圧
を等しい値にして、その代わりに第1の電圧コンパレー
タ10にはコンデンサ9の充電電圧を抵抗40と抵抗4
1によって分圧して印加している点が異なっている。
2図の回路に比べて、第1の指令電圧と第2の指令電圧
を等しい値にして、その代わりに第1の電圧コンパレー
タ10にはコンデンサ9の充電電圧を抵抗40と抵抗4
1によって分圧して印加している点が異なっている。
回路の動作については第2図のアステーブルマルチバイ
ブレークと同様である。
ブレークと同様である。
さらに、第5図は本発明の他の実施例を示したもので、
コンデンサ9の充放電を切り換えるスイッチ42が放電
用抵抗16を介して前記コンデンサ9に対して並列に接
続されている。
コンデンサ9の充放電を切り換えるスイッチ42が放電
用抵抗16を介して前記コンデンサ9に対して並列に接
続されている。
第5図の回路ではコンデンサ9の充電電圧が上昇して第
1の電圧コンパレータ10に出力が現われたとき、スイ
ッチ42の制御電極42dに電圧が印加されて前記スイ
ッチ42の共通接点42aは同常開接点42cに接続さ
れ、抵抗16を介して前記コンデンサ9の放電が開始さ
れるとともに第2の電圧コンパレータ12に出力が現わ
れるから、前記コンデンサ9の放電は充電電圧が第2の
指令電圧にまで減少するまで持続される。
1の電圧コンパレータ10に出力が現われたとき、スイ
ッチ42の制御電極42dに電圧が印加されて前記スイ
ッチ42の共通接点42aは同常開接点42cに接続さ
れ、抵抗16を介して前記コンデンサ9の放電が開始さ
れるとともに第2の電圧コンパレータ12に出力が現わ
れるから、前記コンデンサ9の放電は充電電圧が第2の
指令電圧にまで減少するまで持続される。
前記コンデンサ9の充電電圧が第2の指令電圧13にま
で減少すると、前記第2の電圧コンパレータ12の出力
はなくなり、スイッチ42の共通接点42aは同常閉接
点42b側に復帰する。
で減少すると、前記第2の電圧コンパレータ12の出力
はなくなり、スイッチ42の共通接点42aは同常閉接
点42b側に復帰する。
以上に示したように本発明のアステーブルマルチバイブ
レータは、一方の入力端子にコンデンサの充電電圧が印
加され、他方の入力端子には第1の指令電圧が印加され
る第1の電圧コンパレークによって前記コンデンサの放
電指令を出し、一方の入力端子に前記コンデンサの充電
電圧が印加され、他方の入力端子に第2の指令電圧が印
加される第2の電圧コンパレータによって前記コンデン
サの充電指令を出すように構成されているので、1個の
コンデンサによって出力信号波形のHレベル期間とLレ
ベル期間を独立して設定でき、また給電′電圧の変動に
対して発振周波数が安定しておリ、また、充放電コンデ
ンサの一端は一方の給電線路に接続されているので回路
をIC化した場合にICの端子数を少なくすることがで
きるなどの犬なる効果を奏するものである。
レータは、一方の入力端子にコンデンサの充電電圧が印
加され、他方の入力端子には第1の指令電圧が印加され
る第1の電圧コンパレークによって前記コンデンサの放
電指令を出し、一方の入力端子に前記コンデンサの充電
電圧が印加され、他方の入力端子に第2の指令電圧が印
加される第2の電圧コンパレータによって前記コンデン
サの充電指令を出すように構成されているので、1個の
コンデンサによって出力信号波形のHレベル期間とLレ
ベル期間を独立して設定でき、また給電′電圧の変動に
対して発振周波数が安定しておリ、また、充放電コンデ
ンサの一端は一方の給電線路に接続されているので回路
をIC化した場合にICの端子数を少なくすることがで
きるなどの犬なる効果を奏するものである。
第1図は従来のアステーブルマルチバイブレークの一例
を示す回路結線図、第2図は本発明の一実施例における
ブロック化した回路結線図、第3図は本発明の具体的な
実施例におけるアステーブルマルチバイブレークの回路
結線図、第4図、第5図はそれぞれ本発明の他の実施例
におけるブロック化した回路結線図である。 5・・・・・・スイッチ、6・・・・・・プラス側給電
線路、7・・・・・・マイナス側給電線路、8・・・・
・・抵抗(第1の抵抗)、9・・・・・・コンデンサ、
10・・・・・・第1の電圧コンパレータ、11・・・
・・・第1の指令電圧(第4図では第2の指令電圧も兼
ねている)、12・・・・・・第2の電圧コンパレータ
、13・・・・・・第2の指令電圧、14・・・・・・
充電スイッチ、15・・・・・・放電スイッチ、16・
・・・・・第2の抵抗、42・・・・・・スイッチ。
を示す回路結線図、第2図は本発明の一実施例における
ブロック化した回路結線図、第3図は本発明の具体的な
実施例におけるアステーブルマルチバイブレークの回路
結線図、第4図、第5図はそれぞれ本発明の他の実施例
におけるブロック化した回路結線図である。 5・・・・・・スイッチ、6・・・・・・プラス側給電
線路、7・・・・・・マイナス側給電線路、8・・・・
・・抵抗(第1の抵抗)、9・・・・・・コンデンサ、
10・・・・・・第1の電圧コンパレータ、11・・・
・・・第1の指令電圧(第4図では第2の指令電圧も兼
ねている)、12・・・・・・第2の電圧コンパレータ
、13・・・・・・第2の指令電圧、14・・・・・・
充電スイッチ、15・・・・・・放電スイッチ、16・
・・・・・第2の抵抗、42・・・・・・スイッチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 給電線路間にスイッチ手段を介して接続されたコン
デンサの充放電回路と、一方の入力端子に前記コンデン
サの充電電圧が印加され他方の入力端子には第1の指令
電圧が印加されて前記充電電圧が前記第1の指令電圧を
越えたときに出力信号を発生して前記スイッチ手段を開
状態に移行せしめる第1の電圧コンパレータと、一方の
入力端子に前記充電電圧が印加され他方の入力端子には
第2の指令電圧が印加されて前記第1の電圧コンパレー
タの出力信号によって動作状態に移行し、前記充電電圧
が前記第2の指令電圧になるまで出力信号を発生する第
2の電圧コンパレータを備え、前記第2の電圧コンパレ
ータの出力信号を前記第1の電圧コンパレータの出力信
号に加え合わせ、前記第1あるいは第2の電圧コンパレ
ータのいずれもが出力信号を発生していないときには前
記スイッチ手段が閉状態となるように構成して前記スイ
ッチ手段の開閉動作によって出力信号を導出することを
特徴とするアステーブルマルチバイブレーク。 2 充電回路を充電スイッチと第1の抵抗とコンデンサ
の直列回路によって構成し、放電回路を前記コンデンサ
に並列に接続された放電スイッチと第2の抵抗の直列回
路によって構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のアステーブルマルチバイブレーク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52072411A JPS5921217B2 (ja) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | アステ−ブルマルチバイブレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52072411A JPS5921217B2 (ja) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | アステ−ブルマルチバイブレ−タ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS546753A JPS546753A (en) | 1979-01-19 |
JPS5921217B2 true JPS5921217B2 (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=13488504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52072411A Expired JPS5921217B2 (ja) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | アステ−ブルマルチバイブレ−タ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5921217B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0285557U (ja) * | 1988-12-20 | 1990-07-05 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5134259A (ja) * | 1974-09-17 | 1976-03-23 | Shinetsu Chemical Co | Kotainetsukokaseishirikoonjushisoseibutsu |
-
1977
- 1977-06-17 JP JP52072411A patent/JPS5921217B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5134259A (ja) * | 1974-09-17 | 1976-03-23 | Shinetsu Chemical Co | Kotainetsukokaseishirikoonjushisoseibutsu |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS546753A (en) | 1979-01-19 |
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