JPS59208073A - スパツタリング用シリサイドタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用シリサイドタ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS59208073A JPS59208073A JP8448483A JP8448483A JPS59208073A JP S59208073 A JPS59208073 A JP S59208073A JP 8448483 A JP8448483 A JP 8448483A JP 8448483 A JP8448483 A JP 8448483A JP S59208073 A JPS59208073 A JP S59208073A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicide
- target
- sputtering
- metal
- pieces
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技１．ｂ分野
本発明はスパッタリング用シリサイドクーゲットに関す
るものである。
るものである。
（至）技術の背景
ＩＣ−ＬＳＩなどの半導体装置を製造する場合、素子特
性の高速化のため、従来の多結晶シリコン配線層に代っ
て、その配線層の抵抗を下げるために、たとえばモリブ
デン（ＭＯ）、タング）ｖ （Ｔ ａ ） ＋またはモ
リブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）、タンタルシリサイ
ド（ＴａＳｉ、 ２ ）のような高融点の金属膜や、該
金属のシリサイド膜が用いられているが、前記金属膜に
比べて化学的に安定なシリサイド膜が注目を集めている
。
性の高速化のため、従来の多結晶シリコン配線層に代っ
て、その配線層の抵抗を下げるために、たとえばモリブ
デン（ＭＯ）、タング）ｖ （Ｔ ａ ） ＋またはモ
リブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）、タンタルシリサイ
ド（ＴａＳｉ、 ２ ）のような高融点の金属膜や、該
金属のシリサイド膜が用いられているが、前記金属膜に
比べて化学的に安定なシリサイド膜が注目を集めている
。
（０） 従来技術と問題点
上記、たとえば高融点金属のシリサイトルクを形成する
ためのスパッタ法に用いられるターゲットは従来、該金
属とシリコンの各々の粉末からの混合グレヌ品よりなる
単一ターゲットが用いられていた。
ためのスパッタ法に用いられるターゲットは従来、該金
属とシリコンの各々の粉末からの混合グレヌ品よりなる
単一ターゲットが用いられていた。
しかしながら上記単一ターゲットは、その作成過程にお
いて、不純物やガスなどが該ターゲットに混入するおそ
れがあり高純度の所望のターゲットを作成することは困
難であり、そのため高純度のシリサイド膜を安定して形
成することが難かしいという問題があった。
いて、不純物やガスなどが該ターゲットに混入するおそ
れがあり高純度の所望のターゲットを作成することは困
難であり、そのため高純度のシリサイド膜を安定して形
成することが難かしいという問題があった。
又一方その解決策としてたとえば前記高融点金属上に所
要の高純度の単結晶又は多結晶のシリコン材を載置した
状態の複合ターゲットを用いる方法も提案されている。
要の高純度の単結晶又は多結晶のシリコン材を載置した
状態の複合ターゲットを用いる方法も提案されている。
しかしながら高純度のシリコンは熱伝導度が悪いためス
パッタ中に該シリコンの温度が上昇し。
パッタ中に該シリコンの温度が上昇し。
スパッタ状態を不安定にし、又７バッタ速度がおそく所
望のシリサイド被着膜を能率よく形成することが難かし
いという問題があった。
望のシリサイド被着膜を能率よく形成することが難かし
いという問題があった。
（ｄ、） 発明の目的
本発明の目的は、かかる問題点に鑑みなされたもので、
高純度の所望比率の金属シリサイド膜を能率よくスパッ
クすることが可能なスパック用シリサイドターゲットの
提供にある。
高純度の所望比率の金属シリサイド膜を能率よくスパッ
クすることが可能なスパック用シリサイドターゲットの
提供にある。
（ｅ）発明の構成
その目的を達成するため本発明のスパック−用シリサイ
ドターゲットは平板面に複数の分割領域を設け、該分割
領域に所望の金属とシリコンとが、所定の面猜比になる
ように交互に配列して、取付けられたことを特徴とする
。
ドターゲットは平板面に複数の分割領域を設け、該分割
領域に所望の金属とシリコンとが、所定の面猜比になる
ように交互に配列して、取付けられたことを特徴とする
。
ｒｘ＞ 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の円形スパッタリング
用シリサイドターゲットの平面図、第１図（ｂ）は第１
図（ａ）のＡ−ｐ：断面図を示す。第１図（ａ）におい
て、１は所望の角度で分割された、シリサイドを作るた
めの金属切片、２は所望に分割された高純度のシリコン
切片、３は前記金属切片１と同一金属よりなる隙間挿入
用金属片、４は該隙間挿入用金属片８を固定する押え板
、５は中央部固定リング板、６はネジを示し％４・５・
６はいずれも前記金属切片】と同一材料にて作成されて
いる。
用シリサイドターゲットの平面図、第１図（ｂ）は第１
図（ａ）のＡ−ｐ：断面図を示す。第１図（ａ）におい
て、１は所望の角度で分割された、シリサイドを作るた
めの金属切片、２は所望に分割された高純度のシリコン
切片、３は前記金属切片１と同一金属よりなる隙間挿入
用金属片、４は該隙間挿入用金属片８を固定する押え板
、５は中央部固定リング板、６はネジを示し％４・５・
６はいずれも前記金属切片】と同一材料にて作成されて
いる。
第１図（至）において７は銅などよりなるパッキンググ
ｌ／−ト（支持平板）、８は鉛、インジウム金属などよ
りなる低融点の半田材（ボンディング材）を示している
。又第２図（ａ）及び（至）は上記ターゲットを作成す
るための方法を説明するための要部断面図であり前置と
同等の部分については同一符号を付している。
ｌ／−ト（支持平板）、８は鉛、インジウム金属などよ
りなる低融点の半田材（ボンディング材）を示している
。又第２図（ａ）及び（至）は上記ターゲットを作成す
るための方法を説明するための要部断面図であり前置と
同等の部分については同一符号を付している。
まず初めにパッキングプＶ−）７の平板面をたとえば図
示したごと＜１６分割し該バッキンググレードア上にシ
リコン切片２と、該シリコンとシリサイドを作る金属切
片ｌたとえばタンタル（Ｔａ）切片とを交互に所定の面
積比になるべく、又所定の隙間ｌ（第２図ａ）をあけて
半田材８（ボンディング材）によって半田付け（ボンデ
ィング）を行なう。その場合第１図（ｅ）に示すごとく
ボンディング材８′が隙間４部分の両側面に流出するが
、との流出ボンディング材８′を除去した後、第７図■
）に示す如く同一金属より女る隙間挿入金属片３を隙間
にはめ込み、押え板４．固定リング板５．及びネジ６に
よって固定する。
示したごと＜１６分割し該バッキンググレードア上にシ
リコン切片２と、該シリコンとシリサイドを作る金属切
片ｌたとえばタンタル（Ｔａ）切片とを交互に所定の面
積比になるべく、又所定の隙間ｌ（第２図ａ）をあけて
半田材８（ボンディング材）によって半田付け（ボンデ
ィング）を行なう。その場合第１図（ｅ）に示すごとく
ボンディング材８′が隙間４部分の両側面に流出するが
、との流出ボンディング材８′を除去した後、第７図■
）に示す如く同一金属より女る隙間挿入金属片３を隙間
にはめ込み、押え板４．固定リング板５．及びネジ６に
よって固定する。
これは各々の切片をヌバツタ時にボンディング材８．及
び銅などのバッキングプレート材がスパッタされないよ
うに完全に被覆したものである。
び銅などのバッキングプレート材がスパッタされないよ
うに完全に被覆したものである。
ところで初めに所定の隙間ｎを設けて交互にシリコン切
片２と金属切片ｌを配列するのは、加工精度の問題によ
り完全に金属切片とシリコン切片を密着させてボンディ
ングすることは困ＭｌＧであるため、その隙間よりボン
ディング材８又はバッキングブレート材７のスパッタが
行なわれ、被着膜の性質に悪い影響９例えば汚れを与え
ることになる。
片２と金属切片ｌを配列するのは、加工精度の問題によ
り完全に金属切片とシリコン切片を密着させてボンディ
ングすることは困ＭｌＧであるため、その隙間よりボン
ディング材８又はバッキングブレート材７のスパッタが
行なわれ、被着膜の性質に悪い影響９例えば汚れを与え
ることになる。
そのため当初より所定の隙間ｌをあけてボンディングし
、流出したボンディング材８′を除去して、該隙間に金
属片３を挿入すれば、上述したボンディング材８又はバ
ッキンググレー１− 拐’ ７のスパックされる可能性
が解消されることになる。又」−記構造のターゲットに
おいてシリコンと金属の面積比を選択することによって
所定比の金属シリサイド膜をうることが容易に可能であ
る。
、流出したボンディング材８′を除去して、該隙間に金
属片３を挿入すれば、上述したボンディング材８又はバ
ッキンググレー１− 拐’ ７のスパックされる可能性
が解消されることになる。又」−記構造のターゲットに
おいてシリコンと金属の面積比を選択することによって
所定比の金属シリサイド膜をうることが容易に可能であ
る。
ここで、上記の構造から得られるノリサイド膜はシリコ
ン基板に形成したＰ型或いはＮ型の接合部上に配線層と
して形成される。このため、前記のシリコン切片はＰ型
・Ｎ型の不純物が含まれていない事が必要であり、単結
晶又は多結晶のいずれでもよい。
ン基板に形成したＰ型或いはＮ型の接合部上に配線層と
して形成される。このため、前記のシリコン切片はＰ型
・Ｎ型の不純物が含まれていない事が必要であり、単結
晶又は多結晶のいずれでもよい。
かかる構造のターゲットを用いて、たとえばマグネトロ
ンスパックリングを行々う場合に４．ＫＷの電力の印加
によってたとえばタンタルシリサイド（ＴａＳｉ２）膜
のスパッタ成長速度を６０００ Ａ／ｎｌ：ｉ−１’１
という高い値にすることができ’＋−ｎ ｅｉｎｅの自
動化が可能である。又完全にバツギンググＶ−１−７に
シリコン切片及び金属切片がボンディング材によってボ
ンディングされているため熱伝導に問題がなく安定して
所望の組成のシリサイドＩｉＫを形成することか可能で
ある。
ンスパックリングを行々う場合に４．ＫＷの電力の印加
によってたとえばタンタルシリサイド（ＴａＳｉ２）膜
のスパッタ成長速度を６０００ Ａ／ｎｌ：ｉ−１’１
という高い値にすることができ’＋−ｎ ｅｉｎｅの自
動化が可能である。又完全にバツギンググＶ−１−７に
シリコン切片及び金属切片がボンディング材によってボ
ンディングされているため熱伝導に問題がなく安定して
所望の組成のシリサイドＩｉＫを形成することか可能で
ある。
（ら）発明の効果
以」二説明したごとく本発明のターゲットをスパッタリ
ングに用いる場合には高純度の金属シリサイド膜を安定
して能率よくかつ所望の組成比で７バツタすることが可
能となり半導体製品の品質向上、又ｉｎ Ｏ’ｒ−ｎｅ
式の自動化が可能となり能率向上。
ングに用いる場合には高純度の金属シリサイド膜を安定
して能率よくかつ所望の組成比で７バツタすることが可
能となり半導体製品の品質向上、又ｉｎ Ｏ’ｒ−ｎｅ
式の自動化が可能となり能率向上。
コヌトダウンに効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例のスパッタリング用シ
リサイドターゲットの平面図、第１図（’Ｄ）は第１図
（ａ）のＡ −Ａ’断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）は
上記ターゲットを作成するための方法を説明するための
要部断面図である。 図において、■は金属切片、２はシリコン切片、３は隙
間挿入用金属片、４・は押え板、５は中央部固定リング
板、６はネジ、７はバッキングプレート、８ｆＩｉ半田
相、Ｓ′は流出した半田材を示す。
リサイドターゲットの平面図、第１図（’Ｄ）は第１図
（ａ）のＡ −Ａ’断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）は
上記ターゲットを作成するための方法を説明するための
要部断面図である。 図において、■は金属切片、２はシリコン切片、３は隙
間挿入用金属片、４・は押え板、５は中央部固定リング
板、６はネジ、７はバッキングプレート、８ｆＩｉ半田
相、Ｓ′は流出した半田材を示す。
Claims (1)
- 平板面に複数の分割領域を設け、該分割領域に所望の金
属とシリコンとが、所定の面積比になるように交互に配
列して、取付けられたことを特徴とするスパッタリング
用シリサイトリーゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8448483A JPS59208073A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | スパツタリング用シリサイドタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8448483A JPS59208073A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | スパツタリング用シリサイドタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208073A true JPS59208073A (ja) | 1984-11-26 |
Family
ID=13831920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8448483A Pending JPS59208073A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | スパツタリング用シリサイドタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208073A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307266A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Toshiba Corp | スパッタリング・タ−ゲット |
| US4842706A (en) * | 1987-03-06 | 1989-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
| US5131768A (en) * | 1988-02-18 | 1992-07-21 | Seiko Epson Corporation | Replenishing an ink transfer sheet |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8448483A patent/JPS59208073A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4842706A (en) * | 1987-03-06 | 1989-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
| JPS63307266A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Toshiba Corp | スパッタリング・タ−ゲット |
| US5131768A (en) * | 1988-02-18 | 1992-07-21 | Seiko Epson Corporation | Replenishing an ink transfer sheet |
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