JPS59206793A - シンチレ−タアレイの製造方法 - Google Patents
シンチレ−タアレイの製造方法Info
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- JPS59206793A JPS59206793A JP59061239A JP6123984A JPS59206793A JP S59206793 A JPS59206793 A JP S59206793A JP 59061239 A JP59061239 A JP 59061239A JP 6123984 A JP6123984 A JP 6123984A JP S59206793 A JPS59206793 A JP S59206793A
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- scintillator
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- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
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- G—PHYSICS
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- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1644—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using an array of optically separate scintillation elements permitting direct location of scintillations
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の技術分野１
本発明はＸ線スキャニング装置用検出器の一部として用
いられるシンチレータアレメントのようなアレー用の個
々の結晶ニレメン［・を製造するだめの方法に関するも
のである。
いられるシンチレータアレメントのようなアレー用の個
々の結晶ニレメン［・を製造するだめの方法に関するも
のである。
し発明の技術的背景とその問題点］
ｘｉスキャニング装置のような装置に関連して、このよ
うな装置から出た放射線を光に変換しかつこの光を合成
した出力信号に変えうるような検出アッセンブリが必要
で゛ある。このような放射線を光に変換できる物質をシ
ンチレータと言う。周知のシンチレータには、例えばタ
ングステン酸カドミウム、タングステン酸亜鉛、タリウ
ム賦活沃化す１〜リウムなどの結晶がある。
うな装置から出た放射線を光に変換しかつこの光を合成
した出力信号に変えうるような検出アッセンブリが必要
で゛ある。このような放射線を光に変換できる物質をシ
ンチレータと言う。周知のシンチレータには、例えばタ
ングステン酸カドミウム、タングステン酸亜鉛、タリウ
ム賦活沃化す１〜リウムなどの結晶がある。
従来技術におけるこの種の検出器は、シンチレータ物質
でできた複数個の均等幅のニレメン１へを互に隣り合せ
にしてアレー状に配置したもので、これに光検出器を個
々のエレメントに整列させている。放射された電離放射
線がアレイに当ると、叩かれたシンチレータアレメント
は可視光線を放出し、この可視光線が対応した光検出器
に検出され、放射線の位置と大きさを示す出力信号を発
生ずる。この種の出ツノ信号は集められて、この放射線
を照射している対象物あるいは、放射線を出している対
象物の可視像を生成するよう処理される。
でできた複数個の均等幅のニレメン１へを互に隣り合せ
にしてアレー状に配置したもので、これに光検出器を個
々のエレメントに整列させている。放射された電離放射
線がアレイに当ると、叩かれたシンチレータアレメント
は可視光線を放出し、この可視光線が対応した光検出器
に検出され、放射線の位置と大きさを示す出力信号を発
生ずる。この種の出ツノ信号は集められて、この放射線
を照射している対象物あるいは、放射線を出している対
象物の可視像を生成するよう処理される。
従来技術において、ランチ１ノータ物質の個々の■シメ
ン１−は、例えば複数の丸鋸あるいは、糸鋸を使って、
主結晶ブロックから形成され−Ｃいた。
ン１−は、例えば複数の丸鋸あるいは、糸鋸を使って、
主結晶ブロックから形成され−Ｃいた。
エレメントを（乍るための切断がｆｊなわれると、ニレ
メン１〜の側面は適宜な反ＯＪ ｍｊを各個に形成する
ために、ダイヤモンドスラリーや研磨機を用いて磨かね
ばならない。今Ｅ１では、エレメントは鋸挽きのほかに
研磨、あるいはラッピング方法で形成することもできる
。
メン１〜の側面は適宜な反ＯＪ ｍｊを各個に形成する
ために、ダイヤモンドスラリーや研磨機を用いて磨かね
ばならない。今Ｅ１では、エレメントは鋸挽きのほかに
研磨、あるいはラッピング方法で形成することもできる
。
シンチレータアレメントを結晶から形成づ−るどい“う
周知の従来技術による製法には、実質的に多くの不利な
点がある。第一には、結晶体物質の鋸挽きによる切込幅
分の損失がある。鋸くず、よごれたスラリー、その仙機
械加工液あるいは洗剤などを含め、上記製法から生ずる
有害なかすが残ってしまう。また、各エレメントの司法
精度は、切断の正確さと使用した鋸の精度によって制限
される。さらに加えて、従来方法で形成されたエレメン
トは、切断、砥石研磨および財さ仕上の工程中加工歪を
う【）るという欠点がある。
周知の従来技術による製法には、実質的に多くの不利な
点がある。第一には、結晶体物質の鋸挽きによる切込幅
分の損失がある。鋸くず、よごれたスラリー、その仙機
械加工液あるいは洗剤などを含め、上記製法から生ずる
有害なかすが残ってしまう。また、各エレメントの司法
精度は、切断の正確さと使用した鋸の精度によって制限
される。さらに加えて、従来方法で形成されたエレメン
トは、切断、砥石研磨および財さ仕上の工程中加工歪を
う【）るという欠点がある。
［発明の目的］
以上から本発明の目的とづるところは、結晶アレイの個
々のエレメント製造に関する改善策を提示づることにあ
る。
々のエレメント製造に関する改善策を提示づることにあ
る。
さらに加えて、本発明は結晶体物質の損失量を最少にし
、エレメントを製作するに必要な経費と工具をも最低に
し、ニレメン１−上に作り出される反射面の平滑度を最
大にするような、結晶アレイ用各個エレメントを作る方
法を提供り−ることを目的としている。
、エレメントを製作するに必要な経費と工具をも最低に
し、ニレメン１−上に作り出される反射面の平滑度を最
大にするような、結晶アレイ用各個エレメントを作る方
法を提供り−ることを目的としている。
本発明に対しざらに付加されるべき目的および利点は、
下記の記述にも一部ｊホベることとするが、一部は記述
そのものから明瞭となり、また、発明の実施によって学
び取ることができる。
下記の記述にも一部ｊホベることとするが、一部は記述
そのものから明瞭となり、また、発明の実施によって学
び取ることができる。
［発明の概要］
」述の様な目的を達成すべく、本発明にＪ５いては、シ
ンチレータ物質の結晶を襞間して所定形状の複数のニレ
メン１〜を作る工程と、これら各」−レメン１−を遮光
部（Ａを介して接着する工程とを少なくとも含むことを
特徴とするシンチレータアレイの製造方法としている。
ンチレータ物質の結晶を襞間して所定形状の複数のニレ
メン１〜を作る工程と、これら各」−レメン１−を遮光
部（Ａを介して接着する工程とを少なくとも含むことを
特徴とするシンチレータアレイの製造方法としている。
［発明の実施例］
実施例の詳細を説明する前に、最適な実施例の概略を述
べる。
べる。
即ち、本発明では、各エレメントを作るために結晶を襞
間することを特徴としているもので、この結晶は明確な
襞間面を持ったシンチレータ物質で形成されていること
が望ましい。例えばタングスブン酸カドミウム、タング
ステン酸亜鉛およびタリウム賦活沃化ナトリウムなどを
使用する。さらに襞間作業は均等な幅を持ったニレメン
１〜が形成されるような結晶位置で行なわれるものであ
る。
間することを特徴としているもので、この結晶は明確な
襞間面を持ったシンチレータ物質で形成されていること
が望ましい。例えばタングスブン酸カドミウム、タング
ステン酸亜鉛およびタリウム賦活沃化ナトリウムなどを
使用する。さらに襞間作業は均等な幅を持ったニレメン
１〜が形成されるような結晶位置で行なわれるものであ
る。
さらに、本発明は、次のような結晶を使用して、結晶７
レイ用各個エレメントを形成する方法を好適としている
。ずなわら、 ａ）少くともｊルイに必要な長さと高さに等しい長さと
高さを持っていること。
レイ用各個エレメントを形成する方法を好適としている
。ずなわら、 ａ）少くともｊルイに必要な長さと高さに等しい長さと
高さを持っていること。
ｂ）アレイの各個エレメントのいずれの幅よりかなり広
い幅を持っていること。
い幅を持っていること。
Ｃ）結晶の幅庖画する線に垂直な襞間面をもっているこ
と。
と。
またこの方法は、結晶をアレイの個々のエレメントに分
離するため、幅方向の線に沿って多数の点で結晶を襞間
する工程を包合している。
離するため、幅方向の線に沿って多数の点で結晶を襞間
する工程を包合している。
本発明は、さらに次の各工程から成る結晶エレメントの
アレイを形成する方法を包含している。
アレイを形成する方法を包含している。
ａ）個々のエレメントを形成するよう結晶を襞間する。
ｂ）個々のニレメン１−を接着してアレイにする。
さらにアレイを作る方法は接着する工程に先立って、エ
レメント間に反射物質のような光学的バリヤを位置させ
る工程を包合している。この製造方法はまた、襞間の工
程によって作られた、ニレメン１〜の側面を、エレメン
ト接着工程に先立つてもう一つのニレメン１への同様な
側面に対向さびて、整列させる］二稈を含む。
レメント間に反射物質のような光学的バリヤを位置させ
る工程を包合している。この製造方法はまた、襞間の工
程によって作られた、ニレメン１〜の側面を、エレメン
ト接着工程に先立つてもう一つのニレメン１への同様な
側面に対向さびて、整列させる］二稈を含む。
次に、本発明の実施例の詳細を第１図凸子第５図を参照
して説明する。
して説明する。
例えば第１図には、長さ１１、高さ１」のランチ結晶−
タ結晶プ１」ツクが図示されているが、この長さと高さ
は少くとも製造サベきアレイが必要と覆る長さと高さに
等しいものである。結晶１ｏはまた、製造されるべきア
レイの個々のエレメントの幅よりかなり広い幅Ｗをもっ
ている。さらに、結晶１０は辺１４のように結晶１０の
幅Ｗを限定する線に垂直な明確な襞間面１２をもってい
る。従って結晶１０の辺１４に沿って襞間用ナイフ１６
の鋭利な刃先を当てることによって、幅がＷ′で長さＬ
１高さＨのニレメン］・１８が形成される。
タ結晶プ１」ツクが図示されているが、この長さと高さ
は少くとも製造サベきアレイが必要と覆る長さと高さに
等しいものである。結晶１ｏはまた、製造されるべきア
レイの個々のエレメントの幅よりかなり広い幅Ｗをもっ
ている。さらに、結晶１０は辺１４のように結晶１０の
幅Ｗを限定する線に垂直な明確な襞間面１２をもってい
る。従って結晶１０の辺１４に沿って襞間用ナイフ１６
の鋭利な刃先を当てることによって、幅がＷ′で長さＬ
１高さＨのニレメン］・１８が形成される。
結晶１０は立方体構造で、タングスデン酸カドミウム、
タングスデン酸亜鉛、Ｊｊよびタリウム賦賦活沃化すｌ
〜リウムなどのシンチレータ物質で形成されていること
が望ましい。
タングスデン酸亜鉛、Ｊｊよびタリウム賦賦活沃化すｌ
〜リウムなどのシンチレータ物質で形成されていること
が望ましい。
結晶１０を、その−辺に垂直でありかつその主要面にも
垂直に位置した明確な襞間面１０をもった立方体結晶で
あるように選んだ場合、襞間によってできたエレメント
は、砥白か【プ、磨ぎあるいはラッピング工程をさらに
加える必要がなく、直接組立ててアレイにすることがで
きる。これは、上記作業で形成された襞間面は、研磨し
た面よりも全反射性に優れているからである。
垂直に位置した明確な襞間面１０をもった立方体結晶で
あるように選んだ場合、襞間によってできたエレメント
は、砥白か【プ、磨ぎあるいはラッピング工程をさらに
加える必要がなく、直接組立ててアレイにすることがで
きる。これは、上記作業で形成された襞間面は、研磨し
た面よりも全反射性に優れているからである。
第２図には複数個のニレメン］へ１８から成るアレイが
図示されている。図示のようにニレメン１〜１８は、襞
間のステップで形成された、各ニレメン１−１８の側面
が仙のエレメント１Ｂの同様な面と対向して面するよ−
うに整列している。
図示されている。図示のようにニレメン１〜１８は、襞
間のステップで形成された、各ニレメン１−１８の側面
が仙のエレメント１Ｂの同様な面と対向して面するよ−
うに整列している。
また、箔の層２０のような反射物の光学バリヤを、貼り
付作業前に各エレメント１８の間に挿入するのがよい。
付作業前に各エレメント１８の間に挿入するのがよい。
そして、個々の光検出器２２がそれぞれ対応するエレメ
ント１８の下に位置している。
ント１８の下に位置している。
従って、ある与えられたエレメント１８の上表面に入射
した放射線は、エレメント１８を活性化し光を発生さし
、ついでこの光が対応する光検出器２２を活性化して出
力信号を発生させるように＜【る。
した放射線は、エレメント１８を活性化し光を発生さし
、ついでこの光が対応する光検出器２２を活性化して出
力信号を発生させるように＜【る。
ブイ７１６は辺１４に沿って結晶１０に当てな・（でも
より、一つのエレメントの一辺を作ろうとづ−る襞間面
に沿って、どこに当て−Ｃもよい。また、結晶１０はで
き上ったニレメン（−１８の長さ、高さに等しい長さ１
−１高ざ１１を持つように第１図に示されているが、こ
の方法を使って異った長さの二Ｉ−レメントを製作する
ため、また均等な長さのニレメンｉ〜のアレイを形成す
るため、あるいはあとで、加工されるようなエレメント
を製作づ−るため、ほかの寸法の結晶を使用することも
できる。いずれの場合でもそのＪ：うなニレメン１〜の
個々の幅は厳密に管理され、畠度に反射性のある襞間面
が形成される。ざらに、ニレメン１〜１８のおのおのは
均等な幅Ｗ−を持つことが望ましいが、辺１４に沿うナ
イフ１６の位置の決め方により、変った幅のエレメント
・を作ることも明らかである。
より、一つのエレメントの一辺を作ろうとづ−る襞間面
に沿って、どこに当て−Ｃもよい。また、結晶１０はで
き上ったニレメン（−１８の長さ、高さに等しい長さ１
−１高ざ１１を持つように第１図に示されているが、こ
の方法を使って異った長さの二Ｉ−レメントを製作する
ため、また均等な長さのニレメンｉ〜のアレイを形成す
るため、あるいはあとで、加工されるようなエレメント
を製作づ−るため、ほかの寸法の結晶を使用することも
できる。いずれの場合でもそのＪ：うなニレメン１〜の
個々の幅は厳密に管理され、畠度に反射性のある襞間面
が形成される。ざらに、ニレメン１〜１８のおのおのは
均等な幅Ｗ−を持つことが望ましいが、辺１４に沿うナ
イフ１６の位置の決め方により、変った幅のエレメント
・を作ることも明らかである。
第３図には、結晶１０”が図示されているが、これはそ
の−辺に垂直でその主要面にも垂面に位置した第１の明
確な襞間面１２′を持っている。
の−辺に垂直でその主要面にも垂面に位置した第１の明
確な襞間面１２′を持っている。
さらに結晶１０′は面１２′に垂直で主要面にも垂直な
位置にある、第２の明確な襞間面２４を持っている。従
って結晶１０′は、長さと幅が男開によって決められる
。
位置にある、第２の明確な襞間面２４を持っている。従
って結晶１０′は、長さと幅が男開によって決められる
。
また、次の２つの結晶エレメントを製作することが可能
である。すく【わら、第１には平面１２′に沿って形成
した第４図のエレメント１８′、第２には、平面２４′
に沿ったより小さいエレメント２６である。
である。すく【わら、第１には平面１２′に沿って形成
した第４図のエレメント１８′、第２には、平面２４′
に沿ったより小さいエレメント２６である。
複数のエレメント２６からなる一つのアレイが第５図に
示されている。図示のようにニレメンｌ〜２６は、襞間
の工程で形成されたおのおののニレメンＩ〜が、他のエ
レメント２６の同様な側面に対向して面するように整列
している。
示されている。図示のようにニレメンｌ〜２６は、襞間
の工程で形成されたおのおののニレメンＩ〜が、他のエ
レメント２６の同様な側面に対向して面するように整列
している。
光学バリヤは、できれば箔の層２０′のような反射体で
あることが望ましいが、これをエレメント・の接着作業
の前に、コニレノ２１２６間に挿入する。また、個々の
光検出器２２′が対応するニレメン１へ２６の下に位置
している。
あることが望ましいが、これをエレメント・の接着作業
の前に、コニレノ２１２６間に挿入する。また、個々の
光検出器２２′が対応するニレメン１へ２６の下に位置
している。
以上記載した様に、本実施例は、従来の工程で必要であ
った複雑な丸鋸あるいは糸鋸、ダイヤモンドスラリー、
あるいは６ｉ ｅ ＩＩＪＩなどを必要とＶす゛、単に
襞間用ナイフを使った（プでシンチレータ結晶アレイの
個々のエレメントを形成覆る方法を提供するものである
。また、従来の製造方法に要した時間の数分の−を要す
るだ【プである。さらに、セグメント寸法の正確痘は、
ナイフを位置させる精度および結晶構造のＶｉ度に限定
されるたりである。
った複雑な丸鋸あるいは糸鋸、ダイヤモンドスラリー、
あるいは６ｉ ｅ ＩＩＪＩなどを必要とＶす゛、単に
襞間用ナイフを使った（プでシンチレータ結晶アレイの
個々のエレメントを形成覆る方法を提供するものである
。また、従来の製造方法に要した時間の数分の−を要す
るだ【プである。さらに、セグメント寸法の正確痘は、
ナイフを位置させる精度および結晶構造のＶｉ度に限定
されるたりである。
さらにまた、アレイの各セグメントの特性は隣接するセ
グメントに円滑に連続する。従ってアレイ内の特性分布
には「切れ込みギＶツブ」は存在しない。さらにまた、
アレイを構成している結晶は、その製造工程中に歪を−
う（ｊる率が最小になる。ざｌうに、きれいに襞間され
た表面は、周知の従来技術におりる研磨面よりも全反射
性がずぐれている。
グメントに円滑に連続する。従ってアレイ内の特性分布
には「切れ込みギＶツブ」は存在しない。さらにまた、
アレイを構成している結晶は、その製造工程中に歪を−
う（ｊる率が最小になる。ざｌうに、きれいに襞間され
た表面は、周知の従来技術におりる研磨面よりも全反射
性がずぐれている。
ざらにまた、本実施例の製造方法では切り込み損や研磨
損も皆無となる。
損も皆無となる。
本発明の製造方法では、明確な襞間面を持った結晶に限
定され、立方体結晶であることが望ましいとしているが
、液体は使用されていないから耐溶性の結晶も本発明の
教示内容を使用して切断することができる。最後に、鋸
くず、よごれたスラリーあるいは他の加工液あるいは洗
剤のごとき、むだな材料の有害な残滓がない。このため
必要とづる取扱い作業、洗浄作業の量は最低になる。
定され、立方体結晶であることが望ましいとしているが
、液体は使用されていないから耐溶性の結晶も本発明の
教示内容を使用して切断することができる。最後に、鋸
くず、よごれたスラリーあるいは他の加工液あるいは洗
剤のごとき、むだな材料の有害な残滓がない。このため
必要とづる取扱い作業、洗浄作業の量は最低になる。
尚、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できるもので
ある。
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できるもので
ある。
［発明の効果コ
本発明によれば、シンチレータ物質の損失を最小にして
容易にシンチレータアレイを製造する方法を提供するこ
とができる。
容易にシンチレータアレイを製造する方法を提供するこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例による襞間方法を示す図、第
２図は、本発明の一実施例によって形成されたシンチレ
ータアレイを示す図、第３図は本発明の他の実施例によ
る襞間方法を示す図、第４図は第３図の方法によって形
成された１つのエレメントを示Ｊ図、第５図は本発明の
他の実施例によって形成されたシンチレータアレイを示
す図である。 １０・・・・・・シンチレータ結晶、 １６・・・・・・襞間用ナイ゛７． １８・・・・・・シンチレータアレイン１〜．２０・・
・・・・遮光部材 代理人弁理士 則近 憲（ｔｉ （ばか１名）第１図 第２図 第３図
２図は、本発明の一実施例によって形成されたシンチレ
ータアレイを示す図、第３図は本発明の他の実施例によ
る襞間方法を示す図、第４図は第３図の方法によって形
成された１つのエレメントを示Ｊ図、第５図は本発明の
他の実施例によって形成されたシンチレータアレイを示
す図である。 １０・・・・・・シンチレータ結晶、 １６・・・・・・襞間用ナイ゛７． １８・・・・・・シンチレータアレイン１〜．２０・・
・・・・遮光部材 代理人弁理士 則近 憲（ｔｉ （ばか１名）第１図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）シンチレータ物質の結晶を襞間して所定形状の複
数のニレメンｉ・を作る工程と、これら各エレメントを
遮光部材を介して接着する工程とを少なくとも含むこと
を特徴とするシンチレータアレイの製造方法。 - （２）前記シンチレータ物質がタングステン酸カドミウ
ムであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
シンチレータアレイの製造方法。 - （３） Ｏ７ｆ記シンチレータ物質がタングステン酸亜
鉛であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
シンチレータアレイの製造方法。 ｔ４）ｉｆｆ記シンヂレータ物質がタリウム賦活沃化ナ
トリウムであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のシンチレータアレイの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US49325083A | 1983-05-10 | 1983-05-10 | |
| US493250 | 1983-05-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59206793A true JPS59206793A (ja) | 1984-11-22 |
Family
ID=23959480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59061239A Pending JPS59206793A (ja) | 1983-05-10 | 1984-03-30 | シンチレ−タアレイの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0128659A1 (ja) |
| JP (1) | JPS59206793A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1330799C (zh) * | 2004-07-30 | 2007-08-08 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法 |
| US8907292B2 (en) * | 2009-12-22 | 2014-12-09 | Koninklijke Philips N.V. | Tungstate-based scintillating materials for detecting radiation |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5547468A (en) * | 1978-08-30 | 1980-04-03 | Gen Electric | Scintillator structure for gamma camera |
| JPS5874600A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-06 | Nec Corp | 単結晶板の劈開方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS597679B2 (ja) * | 1979-03-28 | 1984-02-20 | 株式会社日立製作所 | シンチレ−タ用結晶及びその製造方法 |
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1984
- 1984-03-30 JP JP59061239A patent/JPS59206793A/ja active Pending
- 1984-05-04 EP EP84303041A patent/EP0128659A1/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0128659A1 (en) | 1984-12-19 |
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