CN107390256A - 一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及无机化合物晶体制造领域，特别涉及一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。该技术主要包括步骤如下碘化铯晶体毛坯的制备，沿晶体方向切割点阵宽度，加入反射膜夹层，沿晶体方向切割点阵长度，加入反射膜夹层，沿晶体方向切割点阵高度，底部贴上反射片，制成阵列成品。本发明提供一种低成本、高利用率、可制作小像素高密度点阵、性能优越的新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。

Description

一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术
技术领域
本发明涉及无机化合物晶体制造领域，特别涉及一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。
背景技术
掺铊碘化铯晶体阵列(CsI(Tl))其在高能物理、核物理、天体物理、医疗仪器、安全检查方面有着广泛的用途。除晶体本来性能外，其封装技术决定了晶体探测性能和制成探测器的成本。
通常此类探测器的制作方式是首先用划片设备在晶体表面切缝，然后用环氧胶水按比例混入钛白粉调均后灌入切好的缝隙中，再置于真空脱泡机中脱掉气泡，固化后，再切掉底部没切到缝的多余部分。然而，上述工艺存在很大的缺陷，首先设备投入成本非常大，要在晶体表面切成宽度0.1-0.3mm，深度4mm以上的缝隙，只能使用半导体行业的划片设备，设备价格贵且效率低；目前X光成像技术要求像素点越来越小，密度越来越大，而上述工艺无法制作小的像素尺寸，密度非常高的点阵；此工艺无法制作大尺寸面板，环氧在固化时会产生收缩型变，导致产品报废；晶体的利用率低，在切缝隙时底部要留部分晶体作为支撑，否则会散架无法确保尺寸精度，甚至无法制成符合要求的产品；切缝工艺无法对缝隙内的侧面进行抛光处理，使晶体性能无法达到最佳。
故急需一种低成本、高利用率、可制作小像素高密度点阵、性能优越的新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。
发明内容
鉴于以上问题，本发明提供了一种低成本、高利用率、可制作小像素高密度点阵、性能优越的新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案，本发明中一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，包括：
S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；
S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度的晶体片；
S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；
S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度的晶体片；
S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；
S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度要求依次将单个晶体阵列分割开来；
S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；
S8：完成整个产品制作。
所述步骤S1中的反射材料的制备，氧化钛和环氧胶质量配比为0.5:1-2:1。
所述步骤S2中的晶体切割尺寸宽度控制在0.1-6mm。
所述步骤S4中的晶体切割尺寸长度控制在0.1-6mm。
所述步骤S2和S4中晶体切割尺寸宽度和长度相等。
所述步骤S6中的晶体阵列厚度控制在0.1-15mm。
本发明的优点和有益效果在于提供一种低成本、高利用率、可制作小像素高密度点阵、性能优越的新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。该封装技术利用反射片替代胶水灌入，晶体切缝改成切片后再叠合，相对于现有技术设备投入小，工艺简单适合大批量低成本生产，用常规的玻璃冷加工设备切割研磨晶体片，设备成本大幅降低；对像素尺寸几乎无限制，理论上再微小尺寸的晶体片也可以通过切割研磨出来。利用本工艺制作成功0.1mm*0.1mm，像素点的晶体阵列；此工艺制作成的晶体阵列无型变，表面平整，尺寸精度高，和光电器件耦合时信号损失小。性能更优越；提高了晶体的利用率，没有无法利用部分，大幅降低原拆料成本；在预制晶体片时，就可对其进行抛光处理，所有面都可进行抛光处理，使晶体阵列的晶体性能达到最佳。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1制作装封技术流程示意图。
附图标记说明
①碘化铯晶体毛坯 ②沿晶体方向切割点阵宽度 ③加入反射膜夹层
④沿晶体方向切割点阵长度 ⑤加入反射膜夹层 ⑥沿晶体方向切割点阵高度
⑦底部贴上反射片 ⑧阵列成品
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，如流程图图1所示，包括以下步骤：
S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按质量比0.5:1比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；
S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度为0.1mm的晶体片；
S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；
S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度为0.1mm的晶体片；
S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；
S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度为0.1mm的要求依次将单个晶体阵列分割开来；
S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；
S8：完成整个产品制作。
实施例2
一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，如流程图图1所示，包括以下步骤：
S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按质量比1:1比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；
S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度为5mm的晶体片；
S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；
S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度为5mm的晶体片；
S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；
S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度为8mm的要求依次将单个晶体阵列分割开来；
S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；
S8：完成整个产品制作。
实施例3
一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，如流程图图1所示，包括以下步骤：
S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按质量比2:1比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；
S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度为3mm的晶体片；
S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；
S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度为3mm的晶体片；
S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；
S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度为10mm的要求依次将单个晶体阵列分割开来；
S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；
S8：完成整个产品制作。
目前有在晶体表面直接镀膜制成反射层来替代反射片，因成本高昂还无法进入生产应用。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，其特征在于，包括以下步骤，
S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；
S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度的晶体片；
S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；
S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度的晶体片；
S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；
S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度要求依次将单个晶体阵列分割开来；
S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；
S8：完成整个产品制作。
2.根据权利要求1所述的一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，其特征在于，所述步骤S1中的反射材料的制备，氧化钛和环氧胶重量配比为0.5:1-2:1。
3.根据权利要求1所述的一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，其特征在于，所述步骤S2中的晶体切割尺寸宽度控制在0.1-6mm。
4.根据权利要求1所述的一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，其特征在于，所述步骤S4中的晶体切割尺寸长度控制在0.1-6mm。
5.根据权利要求1所述的一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，其特征在于，所述步骤S2中晶体切割尺寸宽度和S4中晶体切割尺寸长度相等。
6.根据权利要求1所述的一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，其特征在于，所述步骤S6中的晶体阵列厚度控制在0.1-15mm。
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