JPS59205768A - 定電圧ダイオ−ド - Google Patents

定電圧ダイオ−ド

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JPS59205768A
JPS59205768A JP8037183A JP8037183A JPS59205768A JP S59205768 A JPS59205768 A JP S59205768A JP 8037183 A JP8037183 A JP 8037183A JP 8037183 A JP8037183 A JP 8037183A JP S59205768 A JPS59205768 A JP S59205768A
Authority
JP
Japan
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region
guard ring
type
conductivity type
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP8037183A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Komatsu
小松　育男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS59205768A publication Critical patent/JPS59205768A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）　　発明の属する分野の説明 本発明は、Ｄ）（Ｄガラス封止ダイオードの特に高耐圧
の定電圧ダイオードの拡散プレーナ型ベレットの構造に
関するものである。
（２）従来の技術の説明 従来この種の装置は第１図の様に、第１導電型基板１に
、不純物拡散にょシ、濃度の異なる２つの第２導電型層
を形成するが、第２導電型層ＣＩ）の不純物濃度を、第
２導電型層〔ｌ［）よシ小さくすることにより、接合降
伏が、第２導電型層（ｎ）の底部のみで生じ、安定した
降伏特性が得られる様になっているが、降伏電圧の高い
半導体装置を製作する場合には、第１導電型層（１１）
よりさらに不純物濃度の小さい第２導電型層〔Ｉ〕を形
成しなければならないため、第２導電型層（１）の表面
が反転し、第１電導体基板ｌとアノード電極５間にチャ
ネルを形成するという欠点があった。
さらに、高電圧印加時に１第２導電型層（１）の領域の
拡がシが素子側面Ｋまで到達し、電流経路を形成し、不
安定な、降伏特性を生じるという欠点があった。また上
記欠点の他に、電圧印加中に第２導電型層〔１〕の反転
が進行し、素子の劣化をひきおこすという問題も生じて
いた。
（３）発明の目的 本発明は、これらの欠点を解決するだめに第２導電型層
（１）の外周境界と、第２導電型層（Ｉ［）の境界の間
隔を縮め、また素子周辺部にＮ＋層を形成したもので、
以下図面について詳細に説明する。
（４）実施例 第２図は、本発明の実施例であって、１は、Ｎ型単結晶
シリコン基板、２．３は形成されるＰ層、４は素子周辺
部のＮ４°拡散層、５はアノード電極、６はカソード電
極である。
このような構造になっているから、その効果としては、
第３図（ａ）、（ｂｌＫ見られる様に、２のＰ層の反転
層距離の短縮のため、１のＮ型単結晶シリコンと、アノ
ード電極間のチャネルが形成されＫ〈くなシ、また、Ｎ
＋層によシ、Ｐ層の拡がシが押さえられるために電流経
過とはならないということがある。
（５）効果の説明 以上説明した様な効果により、安定した接合降伏特性が
得られ、電圧印加状態中の劣化が減少する、という利点
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の定電圧ダイオード装置の断面図、第２図
は本発明装置の一実施例の側面図、第３図（ａ）は、第
１図の接合表面の部分の拡大図、第３図（ｂ）は、第２
図の接合表面の部分の拡大図である。 なお図において、１・・・・・・第１電導型基板、２・
・・・・・第２電導型層（１）、３・・・・・・第２電
導凰層〔…〕。 ４・・−・・第１電導型拡散層、５・・・・・・アノー
ド電極。 ６・・・・・・カソード電極、７・・・・・・反転層、
８・・・・・・Ｐ層の拡がシ、９・・・・・・絶縁膜、
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第１導電型の半導体基板内に第２導電型拡散領域をドー
    ナツ状に形成してガードリングとし、該ガードリングに
    よって包囲される内側領域にも、第２導電型拡散領域を
    形成する構造に於いて、内側領域の境界をガードリング
    巾の２／３以下、ガードリング外周境界へ近づけ、さら
    に、ガードリング外周を包囲する、第１導電型拡散領域
    を形成することを特徴とする定電圧ダイオード。
JP8037183A 1983-05-09 1983-05-09 定電圧ダイオ−ド Pending JPS59205768A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005117134A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. ダイオード及びサイリスタ
WO2006022287A1 (ja) * 2004-08-27 2006-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. サージ保護用半導体装置
CN104952911A (zh) * 2015-06-11 2015-09-30 江苏东晨电子科技有限公司 一种环状pn结

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS587057A (ja) * 1981-02-02 1983-01-14 有限会社浅野工務店 雨樋

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS587057A (ja) * 1981-02-02 1983-01-14 有限会社浅野工務店 雨樋

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005117134A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. ダイオード及びサイリスタ
JPWO2005117134A1 (ja) * 2004-05-26 2008-04-03 新電元工業株式会社 ダイオード及びサイリスタ
WO2006022287A1 (ja) * 2004-08-27 2006-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. サージ保護用半導体装置
US8004041B2 (en) 2004-08-27 2011-08-23 Panasonic Corporation Semiconductor device for surge protection
CN104952911A (zh) * 2015-06-11 2015-09-30 江苏东晨电子科技有限公司 一种环状pn结

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