JPS59204282A - 薄膜形成方法および薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成方法および薄膜形成装置Info
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- JPS59204282A JPS59204282A JP58079019A JP7901983A JPS59204282A JP S59204282 A JPS59204282 A JP S59204282A JP 58079019 A JP58079019 A JP 58079019A JP 7901983 A JP7901983 A JP 7901983A JP S59204282 A JPS59204282 A JP S59204282A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 9
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基体上にスパッタリング等の物理蒸着法
を用いて薄膜’に′フｌイ成する方法に関する。
を用いて薄膜’に′フｌイ成する方法に関する。
従来、例えば第１図に示すような光４鴇、素子Ｕが提案
されている。すなわち、絶縁性基板１上に金属膜２、光
導電性半導体基体３および透明電極薄膜４がこれらの順
に積層されで構成されでおり、半導体基体３は例えば水
素化アモルファスシリコンよりなり、この半導体基体３
土に例えば師：化インジウム錫よりなる透明電極薄膜４
がスパッタリングのような物理蒸着法（ＰＶＤ）によっ
て形成されている。
されている。すなわち、絶縁性基板１上に金属膜２、光
導電性半導体基体３および透明電極薄膜４がこれらの順
に積層されで構成されでおり、半導体基体３は例えば水
素化アモルファスシリコンよりなり、この半導体基体３
土に例えば師：化インジウム錫よりなる透明電極薄膜４
がスパッタリングのような物理蒸着法（ＰＶＤ）によっ
て形成されている。
第２図は上述のような半導体基体３上に透明電極薄膜４
を形成する場合に適用されるスパッタリング装置を概略
的に示し、陰＆５上に薄膜形成材料よりなるターケント
６が固着され、このターゲット６と対向して陽極となる
半導体基体３が所定の距離を隔てて配ｆｋされる。
を形成する場合に適用されるスパッタリング装置を概略
的に示し、陰＆５上に薄膜形成材料よりなるターケント
６が固着され、このターゲット６と対向して陽極となる
半導体基体３が所定の距離を隔てて配ｆｋされる。
このような構成において、アルゴンその他の不活性ガス
を主成分とする低圧ガス中において両極間で直流高圧グ
ロー放電を行なうと、■イオンか発生してこれがターゲ
ット６に衡突してターケント１６の表面の原子を叩き出
し、したかつ″Ｃ薄膜形成材料の粒子が基体３０表ｊｆ
ｉ」３ａに付乏ムして薄膜が形成される。なお、第２図
において、７はクロ−放電領域を示す。
を主成分とする低圧ガス中において両極間で直流高圧グ
ロー放電を行なうと、■イオンか発生してこれがターゲ
ット６に衡突してターケント１６の表面の原子を叩き出
し、したかつ″Ｃ薄膜形成材料の粒子が基体３０表ｊｆ
ｉ」３ａに付乏ムして薄膜が形成される。なお、第２図
において、７はクロ−放電領域を示す。
ところで上述のような従来の薄膜形成方法においては、
基体３上に付着せしめられる際の薄膜形成材料の粒子の
運動エネルギは一般に１〜５０ｅＶ程度であり、したが
って薄膜形成工程の初期におイテハ、このような高い運
動エネルギの粒子の衝突により、基体３０表面３ａが損
傷を受は易く、このため、第１し１に示すような光導電
素子Ｕの場合、透明電極薄膜４から半導体基体３内へキ
ャリアが注入され易くなり、暗電流が増加するという不
都合があった。
基体３上に付着せしめられる際の薄膜形成材料の粒子の
運動エネルギは一般に１〜５０ｅＶ程度であり、したが
って薄膜形成工程の初期におイテハ、このような高い運
動エネルギの粒子の衝突により、基体３０表面３ａが損
傷を受は易く、このため、第１し１に示すような光導電
素子Ｕの場合、透明電極薄膜４から半導体基体３内へキ
ャリアが注入され易くなり、暗電流が増加するという不
都合があった。
本発明は上述の点に鑑み℃なされたもので、薄膜を形成
する除に基体表面が損傷を受けるのを防止するようにし
ムニ薄膜形成方法を提供することを目的とする。
する除に基体表面が損傷を受けるのを防止するようにし
ムニ薄膜形成方法を提供することを目的とする。
このため、本発明の薄膜形成方法においては、薄膜形成
工程の少なくとも初期において、基体上に付加ゼしめら
れる際の薄膜形成材料の粒子の運動エネルギを、粒子の
衝突により基体の表面が損傷を受けない程度に抑制して
いる。
工程の少なくとも初期において、基体上に付加ゼしめら
れる際の薄膜形成材料の粒子の運動エネルギを、粒子の
衝突により基体の表面が損傷を受けない程度に抑制して
いる。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
上述したように、本発明は、薄膜形成エイ）′の少なく
とも初期において、薄膜形成材料の粒子の基体に衝突す
る際の運動エネルギを抑制することケ特徴とするもので
あるが、その抑制手段として神々の方法が可能である。
とも初期において、薄膜形成材料の粒子の基体に衝突す
る際の運動エネルギを抑制することケ特徴とするもので
あるが、その抑制手段として神々の方法が可能である。
第１に、陽陰極間に印加される電力を抑ｊｌｉｌｌする
ことである。例え−ば第３図Ａに示すよつｒコ、従来例
えば＋００ Ｗの電力で短時間に鴻膜ン形成していたも
のとすれば、これを例えば第３図ＢＫ不すように２０Ｗ
ｌｌｌｔの低い電力をもってスパッタリングを行えばよ
い。これによって薄膜形成材料の粒子が基体３の表面に
衡突する際の運動エネルギは０．１〜１ｅＶ程度に抑制
される。これｉｃよって、基体３の表面が損傷を受けな
いようになる。さらに、第３図ＣおよびＤに示すように
、工程の途中から市。
ことである。例え−ば第３図Ａに示すよつｒコ、従来例
えば＋００ Ｗの電力で短時間に鴻膜ン形成していたも
のとすれば、これを例えば第３図ＢＫ不すように２０Ｗ
ｌｌｌｔの低い電力をもってスパッタリングを行えばよ
い。これによって薄膜形成材料の粒子が基体３の表面に
衡突する際の運動エネルギは０．１〜１ｅＶ程度に抑制
される。これｉｃよって、基体３の表面が損傷を受けな
いようになる。さらに、第３図ＣおよびＤに示すように
、工程の途中から市。
力を高めてもよい。すなわち、薄膜形成エイ￥の初期に
おいては、２０Ｗの電力をもってスパッタリングを行な
い、これによって厚さ１００Ａ程夏の薄膜が形成された
時点から、段階的または連続的に電力を高めることによ
り、薄膜形成工程に要する時間を短縮することができる
。
おいては、２０Ｗの電力をもってスパッタリングを行な
い、これによって厚さ１００Ａ程夏の薄膜が形成された
時点から、段階的または連続的に電力を高めることによ
り、薄膜形成工程に要する時間を短縮することができる
。
第２の抑制手段としては、グロー放電領域をターゲット
の近辺に限定することである。例えば第４図に示すよう
に、基体３とターゲット６との間に、陽イ命である基体
３の電位と等電位がまたはそれより低い電位とされたグ
リッド８を配置し、グロー放ｒｂ領域７をターゲット６
とグリッド８との間に閉じこめることによっても、基体
３に衝突する薄膜形成材料の粒子の】゛弔勤エネルギを
抑制することができる。この場合、グリッド８と基体３
との間の距離は、薄膜形成材料の粒子の運動エネルギが
十分に減衰しうる距離（粒子の平均自由行程の数悟まよ
はそれ以上）に選ばれる。
の近辺に限定することである。例えば第４図に示すよう
に、基体３とターゲット６との間に、陽イ命である基体
３の電位と等電位がまたはそれより低い電位とされたグ
リッド８を配置し、グロー放ｒｂ領域７をターゲット６
とグリッド８との間に閉じこめることによっても、基体
３に衝突する薄膜形成材料の粒子の】゛弔勤エネルギを
抑制することができる。この場合、グリッド８と基体３
との間の距離は、薄膜形成材料の粒子の運動エネルギが
十分に減衰しうる距離（粒子の平均自由行程の数悟まよ
はそれ以上）に選ばれる。
また第５図ＩＫ示１−ように、マグネトロン・スパッタ
リング装置に本発明を適用する場合は、陰極５側に磁石
９を配置し、この磁石９によってターゲット６の表面お
よびその近傍に形成されるＩａ場の磁束密度を犬きくす
ることによって、グロー放電領域７をターゲット６の近
傍に限定することができる。
リング装置に本発明を適用する場合は、陰極５側に磁石
９を配置し、この磁石９によってターゲット６の表面お
よびその近傍に形成されるＩａ場の磁束密度を犬きくす
ることによって、グロー放電領域７をターゲット６の近
傍に限定することができる。
以上の説明で明らかなように、本発明においては、スパ
ッタリングによる薄１１９形成工程の少なくとも初期に
おいて基体上に付加せしめら牙ｉる際の薄膜形成材料の
粒子の運動エネルギを該粒子の側突により基体の表面が
損傷を受けるのを防止しうる程度に抑制したので、この
方法によって作成された第１図に示す光導電素子Ｕの場
合、透明電極薄膜４から半導体基体３内へのキャリアの
注入量の少ない、したがって暗電流の少ない漬れた喘性
の光導電素子を得ることかできる。
ッタリングによる薄１１９形成工程の少なくとも初期に
おいて基体上に付加せしめら牙ｉる際の薄膜形成材料の
粒子の運動エネルギを該粒子の側突により基体の表面が
損傷を受けるのを防止しうる程度に抑制したので、この
方法によって作成された第１図に示す光導電素子Ｕの場
合、透明電極薄膜４から半導体基体３内へのキャリアの
注入量の少ない、したがって暗電流の少ない漬れた喘性
の光導電素子を得ることかできる。
なお、本発明の方法は、上述したスパッタリングのみで
なく、イオンブレーディフグのような他の物理蒸着法に
よる薄膜形成エイ￥にも適用できる。
なく、イオンブレーディフグのような他の物理蒸着法に
よる薄膜形成エイ￥にも適用できる。
また、基体が半導体によりなりその上ｖｃ−ｆ属れ〜膜
を形成する場合のみでなく、半導体が体上に半導体薄膜
を形成する場合にも、さらに金属基体上に半導体薄膜を
形成する場合にも本発明を適用できるものである。
を形成する場合のみでなく、半導体が体上に半導体薄膜
を形成する場合にも、さらに金属基体上に半導体薄膜を
形成する場合にも本発明を適用できるものである。
第１図は本発明の適用される光導電素子の断面図、第２
図は第１図の光導電素子を製造する際に用いられるスパ
ッタリング装置の概略図、第３図は本発明による方法を
従来の方法と比較しで説明する線図、第４図および第５
図は本発明の実施に適用されろスパッタリング装置の概
略図である。 １・・・絡線性基板、２・・・金属膜、３・・・半導体
基体、４・・・透明電憧辿ｊ換、５・・・隙極、６・・
・ターゲット、７・・・グロー放′巾卸域、８・・・グ
リッド、９・・・磁石。
図は第１図の光導電素子を製造する際に用いられるスパ
ッタリング装置の概略図、第３図は本発明による方法を
従来の方法と比較しで説明する線図、第４図および第５
図は本発明の実施に適用されろスパッタリング装置の概
略図である。 １・・・絡線性基板、２・・・金属膜、３・・・半導体
基体、４・・・透明電憧辿ｊ換、５・・・隙極、６・・
・ターゲット、７・・・グロー放′巾卸域、８・・・グ
リッド、９・・・磁石。
Claims (1)
- 基体上に物理蒸着法により薄膜形成材料を付着させて薄
膜を形成する薄膜形成方法において、前記薄膜形成工程
の少なくとも初期において前記基体上に付沼−せしめら
れる際の前記薄膜形成材料の粒子の運動エネルギを該粒
子の衡突により前記基体の表面が世傷を受けるのを防止
し、うる程度に抑制せしめること′？％徴とする薄膜形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58079019A JPS59204282A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58079019A JPS59204282A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204282A true JPS59204282A (ja) | 1984-11-19 |
| JPH0445972B2 JPH0445972B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=13678226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58079019A Granted JPS59204282A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59204282A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03205394A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-06 | Shimadzu Corp | 薄膜製造方法 |
| JP2013179213A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子における透明電極の製造方法 |
| JP2014110300A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48100075A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-18 | ||
| JPS57208180A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Manufacture of photoconductive film |
-
1983
- 1983-05-06 JP JP58079019A patent/JPS59204282A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48100075A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-18 | ||
| JPS57208180A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Manufacture of photoconductive film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03205394A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-06 | Shimadzu Corp | 薄膜製造方法 |
| JP2013179213A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子における透明電極の製造方法 |
| JP2014110300A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0445972B2 (ja) | 1992-07-28 |
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