JPS59202207A - 有機導電性材料の製造方法 - Google Patents
有機導電性材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS59202207A JPS59202207A JP7704483A JP7704483A JPS59202207A JP S59202207 A JPS59202207 A JP S59202207A JP 7704483 A JP7704483 A JP 7704483A JP 7704483 A JP7704483 A JP 7704483A JP S59202207 A JPS59202207 A JP S59202207A
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- JP
- Japan
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- compound
- copper
- rapidly
- butacyinyl
- polymer compound
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な有板尋電性拐料及びその製造方法に関
するものである。
するものである。
さらに詳しくいえば、ブタジイニ/I/ 8+ll:、
配位高分子化合物を、外部刺激により急激に変成させて
i4jられる生成物と、該生成物に電子供与性物質、電
子受容性物質等をドーピング物質負として含有して成る
高い電気伝導性を有する有似栃電性vJ別及びその製造
方法に関するものである。
配位高分子化合物を、外部刺激により急激に変成させて
i4jられる生成物と、該生成物に電子供与性物質、電
子受容性物質等をドーピング物質負として含有して成る
高い電気伝導性を有する有似栃電性vJ別及びその製造
方法に関するものである。
近年、電気、電子産業における名しい技術発展に伴い、
新しい(iれた電気的様ffLを有する月利が求められ
ている。特に、高い電気伝導性を有しかつ安定な有樵利
料は1例えは配線利料、電極IJ料。
新しい(iれた電気的様ffLを有する月利が求められ
ている。特に、高い電気伝導性を有しかつ安定な有樵利
料は1例えは配線利料、電極IJ料。
センサー、光電変換素子なとの累4・号として利用する
ことかでき、そのような導電性翁4iQ利料の1;1j
発が大いに期待されている。
ことかでき、そのような導電性翁4iQ利料の1;1j
発が大いに期待されている。
従来知られでいる導電ま有機材料の代表的な例としてポ
リアセチレンか挙げられる。これは、 10−5〜10
−57cmの電気伝導度を有し、さらに、ドーピングに
よって103S/cmの高い電気伝導性を示すようにな
る。しかし、このポリアセチレンやドーピングしたポリ
アセチレンは、空気中の酸素や水分により極めて容易に
劣化を受け、安定性に乏しいという欠点を自する。
リアセチレンか挙げられる。これは、 10−5〜10
−57cmの電気伝導度を有し、さらに、ドーピングに
よって103S/cmの高い電気伝導性を示すようにな
る。しかし、このポリアセチレンやドーピングしたポリ
アセチレンは、空気中の酸素や水分により極めて容易に
劣化を受け、安定性に乏しいという欠点を自する。
本発明者らは、このような社会的要望と01究現状に鑑
み、実用的で安定かつ高い電気伝導性を有する心電性杓
1シ14:わ・・:を見い出すべ(鋭意細光を重ねた結
果、ブタシイニルS=配位高分子化合物を。
み、実用的で安定かつ高い電気伝導性を有する心電性杓
1シ14:わ・・:を見い出すべ(鋭意細光を重ねた結
果、ブタシイニルS=配位高分子化合物を。
外部刺Blによって急激に夏成させて得られる生成物が
、イ衾れた電気伝導性を有し、空気中の酸素。
、イ衾れた電気伝導性を有し、空気中の酸素。
水分にも安定、かつ成形性も良好であり、またドーピン
グによってIO3/c+n以上の高い電気伝19i1至 を示すことを見い田し1本発明をなすにミった。
グによってIO3/c+n以上の高い電気伝19i1至 を示すことを見い田し1本発明をなすにミった。
すなわち2本イし明は。
式H−C=C−C=C−Cu
で表わされる構造を基本単位とするブタシイニル銅配位
化合物を、外部刺激により急激に変成させて(5゛、ら
れる生成物から成る有徴尋電!i祠料、及び式H−C=
C−C=C−Cu で表わされる構造を基本Lv位とするブタシイニル銅配
位化合物を、外部刺激により急激に変性させて得られる
生成物に、電子供与性!iシ質と電子受容性物質の中か
ら少なくとも1イφの1・゛−ピング#hl’iを含有
して成る有抵導電性拐料、並びに。
化合物を、外部刺激により急激に変成させて(5゛、ら
れる生成物から成る有徴尋電!i祠料、及び式H−C=
C−C=C−Cu で表わされる構造を基本Lv位とするブタシイニル銅配
位化合物を、外部刺激により急激に変性させて得られる
生成物に、電子供与性!iシ質と電子受容性物質の中か
ら少なくとも1イφの1・゛−ピング#hl’iを含有
して成る有抵導電性拐料、並びに。
式1−4−(:=に−(:==(ニーCuで表わされる
構造を基本単I′7とするブタシイニル銅配位高分子化
合物を、外部jl!!! 訛によりQ激に変成させるこ
とを特徴とする有様尋電性利料の装造方法を提供するも
のである。
構造を基本単I′7とするブタシイニル銅配位高分子化
合物を、外部jl!!! 訛によりQ激に変成させるこ
とを特徴とする有様尋電性利料の装造方法を提供するも
のである。
不発1リノにおいて用いられるブタシイニル銅配位高分
子化合物は。
子化合物は。
式l−1−C=C−C=C−Cu
で表わされる構造を基本単位とするものであって。
空気中に放置しても充分安定であり、電気伝導度は10
′S/ cmを示す。
′S/ cmを示す。
この高分子化合物に、外部刺激2例えば、街激。
熱刺激、電気刺激等をあたえることにより、爆発的に変
成か起こり、黒かっ色の微粉末か生成する。
成か起こり、黒かっ色の微粉末か生成する。
この急激な変成によって元素組成が変化することはない
。
。
得られた黒かつ芭鋪扮末の生成物は、容易にペレット状
に加圧成形でき、電気伝導度は、 2 S、/cmと高
い値を有する導電性有槻拐料である。
に加圧成形でき、電気伝導度は、 2 S、/cmと高
い値を有する導電性有槻拐料である。
さらに、ブタシイニル銅配位高分子化合物を。
外部刺激により急激に変成させて得られる黒かっ色微粉
末の生成物(j、電子供与性物質2例えば。
末の生成物(j、電子供与性物質2例えば。
リチウム、ナトリウム、カリウム、フェニルリチウム、
リチウムナフタリド、ナトリウムナフタリド。
リチウムナフタリド、ナトリウムナフタリド。
カリウムナツタリド等、と電子受容性物質1例えば、ヨ
ウ累、契素、塩素、五フッ化ヒメ1.五フッ化アンチモ
ン、三酸化イオウ、過塩素酸銀等の中から選ばれた少な
くとも1種以上のドーピング物r′iの雰囲気にさらし
たり又はそれらに浸せきすることによってドーピング剤
を含有させることができ、その結果、市、気伝尋度10
87cm以上の高い導電性を示す2号(電性イーj抵材
旧を得ることができる。
ウ累、契素、塩素、五フッ化ヒメ1.五フッ化アンチモ
ン、三酸化イオウ、過塩素酸銀等の中から選ばれた少な
くとも1種以上のドーピング物r′iの雰囲気にさらし
たり又はそれらに浸せきすることによってドーピング剤
を含有させることができ、その結果、市、気伝尋度10
87cm以上の高い導電性を示す2号(電性イーj抵材
旧を得ることができる。
次に本発明の製造方法について説明する。
すなわち、ブタシイニル銅配位高分子化合物の外的刺激
による急激な変成は、具体的には、化合物の固体を金属
棒でたたいたり、1回li、、’lに高い圧力を加える
。容器に入れて一部を加熱する。固体の近(で放電する
なとの方法によって瞬時に爆発的に起こり、その時のカ
ス雰囲気は、空気下、貝距下、不活性カス雰υJ1気下
のいずれでもイ4」近はない。
による急激な変成は、具体的には、化合物の固体を金属
棒でたたいたり、1回li、、’lに高い圧力を加える
。容器に入れて一部を加熱する。固体の近(で放電する
なとの方法によって瞬時に爆発的に起こり、その時のカ
ス雰囲気は、空気下、貝距下、不活性カス雰υJ1気下
のいずれでもイ4」近はない。
このような急激な変成を制御し、効率よく荏成した黒か
っ色i;住粉末を得るためには2例えはブタシイニル銅
配位高分子化合物を円筒状のガラスアンプルに入れ、真
空に脱気した後、ガラス檗にイ」着したブタジイニルタ
・・j配位高分子化金膜、の] 7’/、jiを100
℃私二度に加熱することによって、アンプル内で瞳時に
変成が誘導され、すべてか黒かっ色微粉末の生成物とし
て回収される。
っ色i;住粉末を得るためには2例えはブタシイニル銅
配位高分子化合物を円筒状のガラスアンプルに入れ、真
空に脱気した後、ガラス檗にイ」着したブタジイニルタ
・・j配位高分子化金膜、の] 7’/、jiを100
℃私二度に加熱することによって、アンプル内で瞳時に
変成が誘導され、すべてか黒かっ色微粉末の生成物とし
て回収される。
このようにして14ノ、られた本発明のブタシイニル銅
配位高分子化合物を外部刺激によりL’、fldに変成
させて得られる有様導電性イチ別は、高い電気伝導性(
237cm)を1し、さらにドーピング剤を含有させて
1し気伝専性を増すことも可能であり、導電性(−1枳
、オii”)+”:とじて1!il(めで高い失用的佃
;値を有する。
配位高分子化合物を外部刺激によりL’、fldに変成
させて得られる有様導電性イチ別は、高い電気伝導性(
237cm)を1し、さらにドーピング剤を含有させて
1し気伝専性を増すことも可能であり、導電性(−1枳
、オii”)+”:とじて1!il(めで高い失用的佃
;値を有する。
さらに9本グト明の杓料は、空気中でも安定でかつ1戊
形性もあり、電気、電子産業の素材として広い分封にわ
たり用途開発さイl、応用されることがJυ]待される
。
形性もあり、電気、電子産業の素材として広い分封にわ
たり用途開発さイl、応用されることがJυ]待される
。
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
参考例 ブタジ・fニル銅配位高分子化合6−の製造
塩化第1 @ol 500mgを蒸留精製したジメチル
アセトアミド100mtに加え、アルゴンバブル下で完
全に溶解せしめる。溶液は淡黄色となる。この溶液にア
ルゴンカスをキャリヤーガスとしてブタジインを尋人す
ると、溶成が赤色になりしだいに7′、ξ)色沈殿か生
成してくる。この沈殿をろ別し、ろ散に水を加えるとさ
らに黒色の沈殿が生成する。これらの沈ICを集め、水
、布塩酸、で繰り返し洗浄し。
アセトアミド100mtに加え、アルゴンバブル下で完
全に溶解せしめる。溶液は淡黄色となる。この溶液にア
ルゴンカスをキャリヤーガスとしてブタジインを尋人す
ると、溶成が赤色になりしだいに7′、ξ)色沈殿か生
成してくる。この沈殿をろ別し、ろ散に水を加えるとさ
らに黒色の沈殿が生成する。これらの沈ICを集め、水
、布塩酸、で繰り返し洗浄し。
さらにアセトンで洗浄後減圧乾燥して、黒色固体のブタ
シイニル銅配位高分子化合物390mgを得た。
シイニル銅配位高分子化合物390mgを得た。
この化合物の物性値を以下に示す。
銅イオン含有議(C4HCu として)計算値(免)
56.4 実測値(%) 58 (Jj;i子吸光力析)銅元
素と炭素元素の存在比 計τ店イ直 Cu:C=1:4 実測値 Cu : C= 1: 4.05(光電子分
光法) 電気伝導度 10−’ S/cm 実施例1 フタシイニル銅配位高分子化合物の黒色固体これに栓を
して、黒色固体の大部分はカラスアンプルの底に力、め
、一部か微茄に付性したカラスアンプル上部壁を外から
カスバーナーで加熱する。
56.4 実測値(%) 58 (Jj;i子吸光力析)銅元
素と炭素元素の存在比 計τ店イ直 Cu:C=1:4 実測値 Cu : C= 1: 4.05(光電子分
光法) 電気伝導度 10−’ S/cm 実施例1 フタシイニル銅配位高分子化合物の黒色固体これに栓を
して、黒色固体の大部分はカラスアンプルの底に力、め
、一部か微茄に付性したカラスアンプル上部壁を外から
カスバーナーで加熱する。
1ぐに、爆発的な変成が起こり、カラスアンプル内全体
に黒かっ色の微粉末か飛散細石する。このアンプルを開
封し、生成した微粉末を回収する。
に黒かっ色の微粉末か飛散細石する。このアンプルを開
封し、生成した微粉末を回収する。
この黒かっ色の微粉末50mgを加圧してベレットに成
形し電気伝導度を4島11.剣法で測定すると。
形し電気伝導度を4島11.剣法で測定すると。
1、3 S/c+n であった。
実施例2
実施例1と同(−〇試料をペレット状に成形し。
これをヨウ素の蒸気にさらす。1日放置すると。
ヨウ素がドーピングされ電気伝導度は、 16 S、
/cmとなった。
/cmとなった。
局許出願人 工業技術院長
川田裕部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1式H−C=C−C=C−Cu で表わされる構造を基本単位とするブタシイニル/A1
1i配位高分子化合物を、外部刺激により急激に変成さ
せて得られる生成物から成る有抵導電性材料。 2式H−C=C−C=C−Cu で表わされる構造を基本星位とするブタシイニル銅配位
高分子化合物を、外部刺激により急激に変成させて得ら
れる生成物に、電子供与性物!賀と電子供与性物質の中
から選ばれた少なくとも1棟のドーピング物質を含有し
て成る有抵尋電1うユ祠料。 3式H−C==C−C=C−Cu で表わされる構造を基本矩位とするブタシイニル銅配位
高分子化合物を、外部刺激により急激に変成させること
を特徴とする有機導電電性材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7704483A JPS59202207A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 有機導電性材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7704483A JPS59202207A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 有機導電性材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59202207A true JPS59202207A (ja) | 1984-11-16 |
JPS6351448B2 JPS6351448B2 (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13622773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7704483A Granted JPS59202207A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 有機導電性材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59202207A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04167548A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Nec Corp | 表面実装用電子部品 |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP7704483A patent/JPS59202207A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6351448B2 (ja) | 1988-10-14 |
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