JPS59202207A - 有機導電性材料の製造方法 - Google Patents

有機導電性材料の製造方法

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JPS59202207A
JPS59202207A JP7704483A JP7704483A JPS59202207A JP S59202207 A JPS59202207 A JP S59202207A JP 7704483 A JP7704483 A JP 7704483A JP 7704483 A JP7704483 A JP 7704483A JP S59202207 A JPS59202207 A JP S59202207A
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JP
Japan
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compound
copper
rapidly
butacyinyl
polymer compound
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JP7704483A
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JPS6351448B2 (ja
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Hiroo Matsuda
宏雄 松田
Hachiro Nakanishi
八郎 中西
Masao Kato
加藤 政雄
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規な有板尋電性拐料及びその製造方法に関
するものである。
さらに詳しくいえば、ブタジイニ/I/ 8+ll:、
配位高分子化合物を、外部刺激により急激に変成させて
i4jられる生成物と、該生成物に電子供与性物質、電
子受容性物質等をドーピング物質負として含有して成る
高い電気伝導性を有する有似栃電性vJ別及びその製造
方法に関するものである。
近年、電気、電子産業における名しい技術発展に伴い、
新しい(iれた電気的様ffLを有する月利が求められ
ている。特に、高い電気伝導性を有しかつ安定な有樵利
料は1例えは配線利料、電極IJ料。
センサー、光電変換素子なとの累4・号として利用する
ことかでき、そのような導電性翁4iQ利料の1;1j
発が大いに期待されている。
従来知られでいる導電ま有機材料の代表的な例としてポ
リアセチレンか挙げられる。これは、 10−5〜10
−57cmの電気伝導度を有し、さらに、ドーピングに
よって103S/cmの高い電気伝導性を示すようにな
る。しかし、このポリアセチレンやドーピングしたポリ
アセチレンは、空気中の酸素や水分により極めて容易に
劣化を受け、安定性に乏しいという欠点を自する。
本発明者らは、このような社会的要望と01究現状に鑑
み、実用的で安定かつ高い電気伝導性を有する心電性杓
1シ14:わ・・:を見い出すべ(鋭意細光を重ねた結
果、ブタシイニルS=配位高分子化合物を。
外部刺Blによって急激に夏成させて得られる生成物が
、イ衾れた電気伝導性を有し、空気中の酸素。
水分にも安定、かつ成形性も良好であり、またドーピン
グによってIO3/c+n以上の高い電気伝19i1至 を示すことを見い田し1本発明をなすにミった。
すなわち2本イし明は。
式H−C=C−C=C−Cu で表わされる構造を基本単位とするブタシイニル銅配位
化合物を、外部刺激により急激に変成させて(5゛、ら
れる生成物から成る有徴尋電!i祠料、及び式H−C=
C−C=C−Cu で表わされる構造を基本Lv位とするブタシイニル銅配
位化合物を、外部刺激により急激に変性させて得られる
生成物に、電子供与性!iシ質と電子受容性物質の中か
ら少なくとも1イφの1・゛−ピング#hl’iを含有
して成る有抵導電性拐料、並びに。
式1−4−(:=に−(:==(ニーCuで表わされる
構造を基本単I′7とするブタシイニル銅配位高分子化
合物を、外部jl!!! 訛によりQ激に変成させるこ
とを特徴とする有様尋電性利料の装造方法を提供するも
のである。
不発1リノにおいて用いられるブタシイニル銅配位高分
子化合物は。
式l−1−C=C−C=C−Cu で表わされる構造を基本単位とするものであって。
空気中に放置しても充分安定であり、電気伝導度は10
′S/ cmを示す。
この高分子化合物に、外部刺激2例えば、街激。
熱刺激、電気刺激等をあたえることにより、爆発的に変
成か起こり、黒かっ色の微粉末か生成する。
この急激な変成によって元素組成が変化することはない
得られた黒かつ芭鋪扮末の生成物は、容易にペレット状
に加圧成形でき、電気伝導度は、 2 S、/cmと高
い値を有する導電性有槻拐料である。
さらに、ブタシイニル銅配位高分子化合物を。
外部刺激により急激に変成させて得られる黒かっ色微粉
末の生成物(j、電子供与性物質2例えば。
リチウム、ナトリウム、カリウム、フェニルリチウム、
リチウムナフタリド、ナトリウムナフタリド。
カリウムナツタリド等、と電子受容性物質1例えば、ヨ
ウ累、契素、塩素、五フッ化ヒメ1.五フッ化アンチモ
ン、三酸化イオウ、過塩素酸銀等の中から選ばれた少な
くとも1種以上のドーピング物r′iの雰囲気にさらし
たり又はそれらに浸せきすることによってドーピング剤
を含有させることができ、その結果、市、気伝尋度10
87cm以上の高い導電性を示す2号(電性イーj抵材
旧を得ることができる。
次に本発明の製造方法について説明する。
すなわち、ブタシイニル銅配位高分子化合物の外的刺激
による急激な変成は、具体的には、化合物の固体を金属
棒でたたいたり、1回li、、’lに高い圧力を加える
。容器に入れて一部を加熱する。固体の近(で放電する
なとの方法によって瞬時に爆発的に起こり、その時のカ
ス雰囲気は、空気下、貝距下、不活性カス雰υJ1気下
のいずれでもイ4」近はない。
このような急激な変成を制御し、効率よく荏成した黒か
っ色i;住粉末を得るためには2例えはブタシイニル銅
配位高分子化合物を円筒状のガラスアンプルに入れ、真
空に脱気した後、ガラス檗にイ」着したブタジイニルタ
・・j配位高分子化金膜、の] 7’/、jiを100
℃私二度に加熱することによって、アンプル内で瞳時に
変成が誘導され、すべてか黒かっ色微粉末の生成物とし
て回収される。
このようにして14ノ、られた本発明のブタシイニル銅
配位高分子化合物を外部刺激によりL’、fldに変成
させて得られる有様導電性イチ別は、高い電気伝導性(
237cm)を1し、さらにドーピング剤を含有させて
1し気伝専性を増すことも可能であり、導電性(−1枳
、オii”)+”:とじて1!il(めで高い失用的佃
;値を有する。
さらに9本グト明の杓料は、空気中でも安定でかつ1戊
形性もあり、電気、電子産業の素材として広い分封にわ
たり用途開発さイl、応用されることがJυ]待される
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
参考例  ブタジ・fニル銅配位高分子化合6−の製造 塩化第1 @ol 500mgを蒸留精製したジメチル
アセトアミド100mtに加え、アルゴンバブル下で完
全に溶解せしめる。溶液は淡黄色となる。この溶液にア
ルゴンカスをキャリヤーガスとしてブタジインを尋人す
ると、溶成が赤色になりしだいに7′、ξ)色沈殿か生
成してくる。この沈殿をろ別し、ろ散に水を加えるとさ
らに黒色の沈殿が生成する。これらの沈ICを集め、水
、布塩酸、で繰り返し洗浄し。
さらにアセトンで洗浄後減圧乾燥して、黒色固体のブタ
シイニル銅配位高分子化合物390mgを得た。
この化合物の物性値を以下に示す。
銅イオン含有議(C4HCu として)計算値(免) 
 56.4 実測値(%)  58  (Jj;i子吸光力析)銅元
素と炭素元素の存在比 計τ店イ直    Cu:C=1:4 実測値  Cu : C= 1: 4.05(光電子分
光法) 電気伝導度  10−’ S/cm 実施例1 フタシイニル銅配位高分子化合物の黒色固体これに栓を
して、黒色固体の大部分はカラスアンプルの底に力、め
、一部か微茄に付性したカラスアンプル上部壁を外から
カスバーナーで加熱する。
1ぐに、爆発的な変成が起こり、カラスアンプル内全体
に黒かっ色の微粉末か飛散細石する。このアンプルを開
封し、生成した微粉末を回収する。
この黒かっ色の微粉末50mgを加圧してベレットに成
形し電気伝導度を4島11.剣法で測定すると。
1、3 S/c+n であった。
実施例2 実施例1と同(−〇試料をペレット状に成形し。
これをヨウ素の蒸気にさらす。1日放置すると。
ヨウ素がドーピングされ電気伝導度は、  16 S、
/cmとなった。
局許出願人  工業技術院長 川田裕部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1式H−C=C−C=C−Cu で表わされる構造を基本単位とするブタシイニル/A1
    1i配位高分子化合物を、外部刺激により急激に変成さ
    せて得られる生成物から成る有抵導電性材料。 2式H−C=C−C=C−Cu で表わされる構造を基本星位とするブタシイニル銅配位
    高分子化合物を、外部刺激により急激に変成させて得ら
    れる生成物に、電子供与性物!賀と電子供与性物質の中
    から選ばれた少なくとも1棟のドーピング物質を含有し
    て成る有抵尋電1うユ祠料。 3式H−C==C−C=C−Cu で表わされる構造を基本矩位とするブタシイニル銅配位
    高分子化合物を、外部刺激により急激に変成させること
    を特徴とする有機導電電性材料の製造方法。
JP7704483A 1983-04-30 1983-04-30 有機導電性材料の製造方法 Granted JPS59202207A (ja)

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JPS59202207A true JPS59202207A (ja) 1984-11-16
JPS6351448B2 JPS6351448B2 (ja) 1988-10-14

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ID=13622773

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JPH04167548A (ja) * 1990-10-31 1992-06-15 Nec Corp 表面実装用電子部品

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