JPS592003B2 - 表示体用電極基板の製造方法 - Google Patents
表示体用電極基板の製造方法Info
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- JPS592003B2 JPS592003B2 JP3484476A JP3484476A JPS592003B2 JP S592003 B2 JPS592003 B2 JP S592003B2 JP 3484476 A JP3484476 A JP 3484476A JP 3484476 A JP3484476 A JP 3484476A JP S592003 B2 JPS592003 B2 JP S592003B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表示体用電極基板の製造方法に関する。
液晶やエレクトロクロミックの表示体に使用している電
極基板は、通常透明ガラス板を使い、その表面に透明電
導性薄膜層を選択的にパターニングして表示用電極とし
ている。
極基板は、通常透明ガラス板を使い、その表面に透明電
導性薄膜層を選択的にパターニングして表示用電極とし
ている。
例えば、７セグメントデジタル数字表示形式の場合は、
第１図のように表示しよラとする形に透明電導性薄膜層
を形成しなければならない。この透明電導性薄膜として
はｓｎｏ２、Ｉｎ２ｏ３、Ｔｉ０２、Ｚｒｏ２、等が加
熱加水分解、蒸着、その他の手段でコーティングして使
われている。一般に、表示用電極の形成方法としては、
透明電導性薄膜をコーティングした後、電極となる部分
を印刷法やホト技術により保護被膜で被覆する。
第１図のように表示しよラとする形に透明電導性薄膜層
を形成しなければならない。この透明電導性薄膜として
はｓｎｏ２、Ｉｎ２ｏ３、Ｔｉ０２、Ｚｒｏ２、等が加
熱加水分解、蒸着、その他の手段でコーティングして使
われている。一般に、表示用電極の形成方法としては、
透明電導性薄膜をコーティングした後、電極となる部分
を印刷法やホト技術により保護被膜で被覆する。
しかる後、透明電導性薄膜を溶解する薬液を用いて腐蝕
除去したり、電解によりエッチングを行なつている。こ
のエッチングを透明電導性薄膜として一般に多く使われ
ているｓｎｏ２を例にとつて説明すると、塩酸等のｓｎ
ｏ２を腐蝕する薬液を用いて化学エッチングあるいは電
解エッチングしている。しかし、ｓｎｏ２膜に限らず導
電性薄膜は周知のようにその形成方法や条件により、特
性がかなり違つてしまうため、エッチングにも影響を及
ぼし、時には全くエッチングが不可能な膜が得られる等
して、電極部以外の不要となる部分を常に安定して確実
にエッチング除去することはできなかつた。従つて、常
に均一に完全にエッチングするための実際的な方法とし
ては、Ｚｎ金属微粉末を薬液とともにエッチング基板に
塗布してブラッシングしながらＺｎでｓｎｏ２を表面か
ら除々に還元し、金属Ｓｎにしてエッチングが除去して
いる。この方法によれば、確実にエッチング可能である
が、ブラッシングしながらエッチングしなければ均一に
除去できないため、被覆保護膜のパターン損傷により、
製造歩留りは悪かつた。またＺｎ粉末は、Ｓｎのエッチ
ング液に速溶性であるため、基板１枚１枚定期的にＺｎ
粉末を塗布しながら処理しなくてはならず、はなはだ非
能率な方法であつた。ｓｎｏ２に限らずＴｎ２ｏ３、Ｔ
ｉ０２、Ｚｒｏ２等も同様な方式でやるため大量処理し
なければならない場合には適した方法とはいえなかつた
。本発明は、この透明電導性薄膜を選択的にエッチング
して表示用電極を製造するための乾式エッチング方法に
関する。本発明は、透明電導性薄膜を弗素系ガスプラズ
マでエッチング除去する乾式方法である。
除去したり、電解によりエッチングを行なつている。こ
のエッチングを透明電導性薄膜として一般に多く使われ
ているｓｎｏ２を例にとつて説明すると、塩酸等のｓｎ
ｏ２を腐蝕する薬液を用いて化学エッチングあるいは電
解エッチングしている。しかし、ｓｎｏ２膜に限らず導
電性薄膜は周知のようにその形成方法や条件により、特
性がかなり違つてしまうため、エッチングにも影響を及
ぼし、時には全くエッチングが不可能な膜が得られる等
して、電極部以外の不要となる部分を常に安定して確実
にエッチング除去することはできなかつた。従つて、常
に均一に完全にエッチングするための実際的な方法とし
ては、Ｚｎ金属微粉末を薬液とともにエッチング基板に
塗布してブラッシングしながらＺｎでｓｎｏ２を表面か
ら除々に還元し、金属Ｓｎにしてエッチングが除去して
いる。この方法によれば、確実にエッチング可能である
が、ブラッシングしながらエッチングしなければ均一に
除去できないため、被覆保護膜のパターン損傷により、
製造歩留りは悪かつた。またＺｎ粉末は、Ｓｎのエッチ
ング液に速溶性であるため、基板１枚１枚定期的にＺｎ
粉末を塗布しながら処理しなくてはならず、はなはだ非
能率な方法であつた。ｓｎｏ２に限らずＴｎ２ｏ３、Ｔ
ｉ０２、Ｚｒｏ２等も同様な方式でやるため大量処理し
なければならない場合には適した方法とはいえなかつた
。本発明は、この透明電導性薄膜を選択的にエッチング
して表示用電極を製造するための乾式エッチング方法に
関する。本発明は、透明電導性薄膜を弗素系ガスプラズ
マでエッチング除去する乾式方法である。
本発明で使用し得る弗素系ガスは、ペルシャー内でプラ
ズマを発生させた場合、透明導電性薄膜材物質と反応し
てエツチングできる非常に活性化したラジカル弗素とな
るものなら使用可能で、例えばＦ２、ＣＦ４．Ｃ２Ｆ２
、Ｃ２Ｆ２Ｃｌ２、ＳＦ６、ＨＦを用いる。これらの弗
素系ガスは単体または混合ガスとして使用するが、ペル
シャー内への上記した弗素系ガスの送入濃度調整のため
空気またはＮ２やＨ２、Ａｒ等のようなガスをキヤリア
として同時混入もエツチングには悪影響を及ぼさない。
通常使用する場合はＣＦ４が使い易い。ガスプラズマエ
ツチング法は、電導性薄膜のコーテイング方法、条件、
およびその特性いかんにかかわらず、短時間に確実にエ
ツチングできる画期的な方法で、上記した従来の湿式エ
ツチング方法の問題点を解決した。
ズマを発生させた場合、透明導電性薄膜材物質と反応し
てエツチングできる非常に活性化したラジカル弗素とな
るものなら使用可能で、例えばＦ２、ＣＦ４．Ｃ２Ｆ２
、Ｃ２Ｆ２Ｃｌ２、ＳＦ６、ＨＦを用いる。これらの弗
素系ガスは単体または混合ガスとして使用するが、ペル
シャー内への上記した弗素系ガスの送入濃度調整のため
空気またはＮ２やＨ２、Ａｒ等のようなガスをキヤリア
として同時混入もエツチングには悪影響を及ぼさない。
通常使用する場合はＣＦ４が使い易い。ガスプラズマエ
ツチング法は、電導性薄膜のコーテイング方法、条件、
およびその特性いかんにかかわらず、短時間に確実にエ
ツチングできる画期的な方法で、上記した従来の湿式エ
ツチング方法の問題点を解決した。
弗素系ガスプラズマによるエツチング方法を第２図を用
いて説明する。
いて説明する。
第２図は、本発明で使用した弗素系ガスプラズマエツチ
ング装置の構造である。２は石英または耐熱ガス製の真
空ペルシャーで、品物の出し入れは開閉ドア３より行な
う。
ング装置の構造である。２は石英または耐熱ガス製の真
空ペルシャーで、品物の出し入れは開閉ドア３より行な
う。
真空ペルシャーの外周にプラズマ発生用印加電極５を付
設し、高周波電源装置４により印加してペルシャー内に
プラズマを誘起させる。エツチング用弗素系ガスは、流
量計６でコントロールしながらガス供給源８より送入す
る。ペルシャー内の真空吸引はロータリー真空ポンプ７
で行なう。このガスプラズマエツチング装置のペルシャ
ー内に、電極形成用基板１を入れ、真空度が０．５Ｔ０
ｒｒ前後になるよう弗素系ガス、例えばＣＦ４ガスをペ
ルシャー内に微量送人しながら、１５０〜６００Ｗの高
周波電力を印加し、プラズマを発生させる。透明電導性
薄膜は、プラズマ発生により励起された非常に反応しや
すい状態のラジカル弗素によりガスエツチングされるた
めレジスト等により被覆保護してない部分は気体化合物
として短時間に完全に除去することができる。この方法
によると均一に確実にエツチングできるため、エツチン
グ残りをおこすことは全くない。なお、透明電導性薄膜
が厚い場合、弗化物となつて残存する場合があるので、
比較的厚い膜のガスエツチングはＣＦ４ガスをペルシャ
ーに送入する際、酸素又は酸化含有化合物、例えばアル
コール、酢酸等のガスをＣＦ４ガスとともに混合して送
人することにより完全にエツチング除去できる。ＣＦ４
のかわりにＦ２、Ｃ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ２Ｃｌ２、ＳＦ６、
ＨＦを用いても同様の好結果が得られる。上記したＣＦ
４ガスプラズマエツチングで表示用パターンを形成する
場合、湿式の場合と同様に電極部となる部分をホトレジ
ストやガスプラズマでやられないＡｌ等で保護すること
により行なう。
設し、高周波電源装置４により印加してペルシャー内に
プラズマを誘起させる。エツチング用弗素系ガスは、流
量計６でコントロールしながらガス供給源８より送入す
る。ペルシャー内の真空吸引はロータリー真空ポンプ７
で行なう。このガスプラズマエツチング装置のペルシャ
ー内に、電極形成用基板１を入れ、真空度が０．５Ｔ０
ｒｒ前後になるよう弗素系ガス、例えばＣＦ４ガスをペ
ルシャー内に微量送人しながら、１５０〜６００Ｗの高
周波電力を印加し、プラズマを発生させる。透明電導性
薄膜は、プラズマ発生により励起された非常に反応しや
すい状態のラジカル弗素によりガスエツチングされるた
めレジスト等により被覆保護してない部分は気体化合物
として短時間に完全に除去することができる。この方法
によると均一に確実にエツチングできるため、エツチン
グ残りをおこすことは全くない。なお、透明電導性薄膜
が厚い場合、弗化物となつて残存する場合があるので、
比較的厚い膜のガスエツチングはＣＦ４ガスをペルシャ
ーに送入する際、酸素又は酸化含有化合物、例えばアル
コール、酢酸等のガスをＣＦ４ガスとともに混合して送
人することにより完全にエツチング除去できる。ＣＦ４
のかわりにＦ２、Ｃ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ２Ｃｌ２、ＳＦ６、
ＨＦを用いても同様の好結果が得られる。上記したＣＦ
４ガスプラズマエツチングで表示用パターンを形成する
場合、湿式の場合と同様に電極部となる部分をホトレジ
ストやガスプラズマでやられないＡｌ等で保護すること
により行なう。
ホトレジスト等の保護膜も、弗素系ガスプラズマで表面
層から除々に犯され、薄くなるので、ある程度の薄膜は
必要である。以上のように弗素系ガスプラズマによるエ
ツチングは透明電導性薄膜のコーテイング方法や、条件
、その特性いかんにかかわらず、短時間に確実にエツチ
ング除去が可能である。
層から除々に犯され、薄くなるので、ある程度の薄膜は
必要である。以上のように弗素系ガスプラズマによるエ
ツチングは透明電導性薄膜のコーテイング方法や、条件
、その特性いかんにかかわらず、短時間に確実にエツチ
ング除去が可能である。
又、確実に安定にエツチングできるため、製造歩留りは
高く、常に同品質のものを得ることができる。なお、ペ
ルシャーを大型にし、高周波印加電力を高出力にするこ
とにより、一度に大量にエツチング処理ができるため量
産に適している等、表示体製造において、従来の湿式エ
ツチング法に比較して画期的な方法である。
高く、常に同品質のものを得ることができる。なお、ペ
ルシャーを大型にし、高周波印加電力を高出力にするこ
とにより、一度に大量にエツチング処理ができるため量
産に適している等、表示体製造において、従来の湿式エ
ツチング法に比較して画期的な方法である。
第１図は表示体用電極形状の一例で、ａ−ｇは透明電導
性薄膜層である。 第２図はガスプラズマエツチング装置の構造で本発明の
方法を説明するための図である。１・・・・・・表示体
用基板、２・・・・・・ペルシャー、３・・・・・・開
閉ドア、４・・・・・・高周波印加電源装置、５・・・
・・・プラズマ発生用印加電極、６・・・・・・ガス流
量計、７・・・・・・真空ポンプ、８・・・・・・ガス
供給源。
性薄膜層である。 第２図はガスプラズマエツチング装置の構造で本発明の
方法を説明するための図である。１・・・・・・表示体
用基板、２・・・・・・ペルシャー、３・・・・・・開
閉ドア、４・・・・・・高周波印加電源装置、５・・・
・・・プラズマ発生用印加電極、６・・・・・・ガス流
量計、７・・・・・・真空ポンプ、８・・・・・・ガス
供給源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明電導性薄膜を、弗素および弗素化合物ガスプラ
ズマによる選択エッチングして電極パターンを形成する
ことを特徴とする表示体用電極基板の製造方法。 ２ 透明電導性薄膜を弗素および弗素化合物ガスと酸素
または酸素含有化合物混合ガスプラズマにより、選択エ
ッチングして電極パターンを形成することを特徴とする
表示体用電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3484476A JPS592003B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 表示体用電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3484476A JPS592003B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 表示体用電極基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52119245A JPS52119245A (en) | 1977-10-06 |
| JPS592003B2 true JPS592003B2 (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=12425489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3484476A Expired JPS592003B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 表示体用電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592003B2 (ja) |
-
1976
- 1976-03-30 JP JP3484476A patent/JPS592003B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52119245A (en) | 1977-10-06 |
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