JPS59197561A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS59197561A JPS59197561A JP7137083A JP7137083A JPS59197561A JP S59197561 A JPS59197561 A JP S59197561A JP 7137083 A JP7137083 A JP 7137083A JP 7137083 A JP7137083 A JP 7137083A JP S59197561 A JPS59197561 A JP S59197561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- tubular body
- gap
- membrane
- specimen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はグロー放電を利用して金属薄膜又は金属化合物
薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである。
薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである。
第１図は従来のグロー放電を利用した薄膜形成装置の陰
極近傍の構成図である。１は反応容器、２は石英製の支
持台、３は陰極、４は試料、５はヒーター、６はリード
線、７は絶縁製の管状膜の管状体である。このような従
来の薄膜形成装置にあ・いては、ヒーター５を通′成し
試料４を加熱して、嫉極３の周囲に原料ガスの負グロー
を生じて、試料４の上に所望の薄膜を形成している。こ
の場合、管状体７によってリード線への放電の波及を防
止しているが、試料上への薄膜形成に伴って、支持台２
及び管状体７の外周部上へ４％膜形成が進行し、この導
電膜上べ負グローか進展する為、放電電流密度を一定に
維持するのが困難となり、膜質の制御性に問題があった
。
極近傍の構成図である。１は反応容器、２は石英製の支
持台、３は陰極、４は試料、５はヒーター、６はリード
線、７は絶縁製の管状膜の管状体である。このような従
来の薄膜形成装置にあ・いては、ヒーター５を通′成し
試料４を加熱して、嫉極３の周囲に原料ガスの負グロー
を生じて、試料４の上に所望の薄膜を形成している。こ
の場合、管状体７によってリード線への放電の波及を防
止しているが、試料上への薄膜形成に伴って、支持台２
及び管状体７の外周部上へ４％膜形成が進行し、この導
電膜上べ負グローか進展する為、放電電流密度を一定に
維持するのが困難となり、膜質の制御性に問題があった
。
本発明は前記した問題点を解決する為になされたもので
ある。
ある。
本発明は、グロー放電を利用する薄膜形成装置の陰極の
周線に、陰極との間隙が陰極暗部長の半分以下となるよ
うに、絶縁製の管状体を単数もしくは複数配置する事に
よって、陰極下部の支持台と、支持台と反応容器を連絡
する管状体外周部上への負グローの進展を防止して、試
料上の放電電流密度を一定に維持できるようにし、膜質
の制御性を改善したものである。
周線に、陰極との間隙が陰極暗部長の半分以下となるよ
うに、絶縁製の管状体を単数もしくは複数配置する事に
よって、陰極下部の支持台と、支持台と反応容器を連絡
する管状体外周部上への負グローの進展を防止して、試
料上の放電電流密度を一定に維持できるようにし、膜質
の制御性を改善したものである。
以下、図面を参照して、この発明の詳細な説明する。第
２図は本発明の一実施例の構成図である。
２図は本発明の一実施例の構成図である。
第２図において、１は反応容器、２は支持台、３は支持
上台に配置した陽極、４は陰極上に配置した試料、５は
試料加熱用ヒーター、６は陰極及びヒーターのリード線
、７はリード線を収約する第１管状体、８は陰極に対向
する陰極、９は放電励起用電源、１０は原料ガス供給機
構、１１は排気機構、１２はヒーター加熱用電源、１３
は第１管状体７を収約した３重の管状体で、内側の管状
体と陰極３の間隙が３ｍｍ、各管状体の間隙が３ ｍｍ
となるように配置されていや。
上台に配置した陽極、４は陰極上に配置した試料、５は
試料加熱用ヒーター、６は陰極及びヒーターのリード線
、７はリード線を収約する第１管状体、８は陰極に対向
する陰極、９は放電励起用電源、１０は原料ガス供給機
構、１１は排気機構、１２はヒーター加熱用電源、１３
は第１管状体７を収約した３重の管状体で、内側の管状
体と陰極３の間隙が３ｍｍ、各管状体の間隙が３ ｍｍ
となるように配置されていや。
以上の構成により、容器１中に１０を介して所定流量（
〜数１００１００５ｅの原料ガス（例へば、Ｔ１Ｃｌ、
ｉ蒸気十Ｎ２ ＋Ｈ２）を導入し、１１によって容器１
内のガス圧力を所定の値（例へば１ ｔｏｒｒ）に維持
する。次に電源１２を投入しヒーターを通電して試料温
度を数１００ ’０に上昇し、電源９を投入して陰極３
と陽極８の間に原料ガスのグロー放電を励起する。陰極
の周囲には一様な負クローが形成され、この負グロー中
で生赦しだ活性種が陰極面へ飛来して試料４の表面に薄
膜（例へばＴｉＮ）を形成する。同時に、この活性種の
１部は陰極と隔絶した配置した第２管状体１３の上部に
拡散付着し、１３表面に導電膜を形成するが、これは陰
極との導通がないので負グロー〇進展は起らない。
〜数１００１００５ｅの原料ガス（例へば、Ｔ１Ｃｌ、
ｉ蒸気十Ｎ２ ＋Ｈ２）を導入し、１１によって容器１
内のガス圧力を所定の値（例へば１ ｔｏｒｒ）に維持
する。次に電源１２を投入しヒーターを通電して試料温
度を数１００ ’０に上昇し、電源９を投入して陰極３
と陽極８の間に原料ガスのグロー放電を励起する。陰極
の周囲には一様な負クローが形成され、この負グロー中
で生赦しだ活性種が陰極面へ飛来して試料４の表面に薄
膜（例へばＴｉＮ）を形成する。同時に、この活性種の
１部は陰極と隔絶した配置した第２管状体１３の上部に
拡散付着し、１３表面に導電膜を形成するが、これは陰
極との導通がないので負グロー〇進展は起らない。
又、Ｉ衾極と第２管状体の間隙を通じて、第２管状体内
部に侵入した活性種の１部は支持台２及び第１管状体７
の外周上に、陰極と導通しだ導電膜を形成するが、第２
管状体と陰極の間隙を３ ｍｍ （陰他暗部長１儂；
１ ｔｏｒｒ ）におさえているので、この導電膜上へ
の負グローの進展は抑止される。
部に侵入した活性種の１部は支持台２及び第１管状体７
の外周上に、陰極と導通しだ導電膜を形成するが、第２
管状体と陰極の間隙を３ ｍｍ （陰他暗部長１儂；
１ ｔｏｒｒ ）におさえているので、この導電膜上へ
の負グローの進展は抑止される。
崩Ｊ１己した様に、ｉ板極支持台と反応容器を連絡する
第１の管状体を収納し、かつ陰極との間隙がＩ菫極暗部
長の半分以下となるように第２管状体を配置することに
より、陰極と導通した絶縁膜上への負グローの進展を抑
止し放電電流密度を長時間一定に維持できる為、膜質の
良好な制御性を得ることができる。第２管状体１３が存
在しない場合、数１０分の放電継続ですでに負タローが
第１管状体上へ進展するのに対し、第２管状体１３を単
層配置した場合、延べ１０数時間の放電継続で第２管状
体外健上に僅かな負グローの発生がみられるのみであり
、実施例にある三層の第２管状体設置時には、逃べ５０
時Ｍ以上の放電継続でも負グローの進展（・まみられな
い。
第１の管状体を収納し、かつ陰極との間隙がＩ菫極暗部
長の半分以下となるように第２管状体を配置することに
より、陰極と導通した絶縁膜上への負グローの進展を抑
止し放電電流密度を長時間一定に維持できる為、膜質の
良好な制御性を得ることができる。第２管状体１３が存
在しない場合、数１０分の放電継続ですでに負タローが
第１管状体上へ進展するのに対し、第２管状体１３を単
層配置した場合、延べ１０数時間の放電継続で第２管状
体外健上に僅かな負グローの発生がみられるのみであり
、実施例にある三層の第２管状体設置時には、逃べ５０
時Ｍ以上の放電継続でも負グローの進展（・まみられな
い。
第１図は従来のグロー放電薄膜形成装置の陰極近傍の構
成図、第２図は本発明の一実施例の構成図でるる。 １・・・薄膜形成容器、２・・・支持台、３・・・陰極
、４・・・試料、５・・・ヒーター、６・・・リード線
、７・・・第１管状体、８・・・陽極、９・・・放′ｄ
ｉ電源、１０・・・原料ガス供給性）５構、１１・・・
排気機構、１２・・・ヒーター電飾、１３・・・第２管
状体。 代理人 弁理士 則 近 棒 佑 （はか１名）
成図、第２図は本発明の一実施例の構成図でるる。 １・・・薄膜形成容器、２・・・支持台、３・・・陰極
、４・・・試料、５・・・ヒーター、６・・・リード線
、７・・・第１管状体、８・・・陽極、９・・・放′ｄ
ｉ電源、１０・・・原料ガス供給性）５構、１１・・・
排気機構、１２・・・ヒーター電飾、１３・・・第２管
状体。 代理人 弁理士 則 近 棒 佑 （はか１名）
Claims (2)
- （１）原料ガス供給手段及び排気手段を有する反応容器
と、該容器円に収約された支持台と、該支持台上に配置
された第１０′成極と、該電極上に配置した試料と、該
試料を加熱するヒーターと、前記支持台上に間隔を置い
て配置した第２の成極と、前記支持台と容器壁を連絡し
、かつ第１の螺積及びヒーター加熱用の導入線を収納す
る第１の管状体とを具備した装置において、前記第１管
状体を内部に収納し、かつ前記第１電極から陰極暗部長
の半分以下の間隙を有する第２の管状体を配置した事を
特徴とする薄膜形成装置。 - （２）前記第２管状体が複数の管状体からなり、隣接す
る管状体の間隙を陰極暗部長の半分以下とした特許請求
の範囲第１項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137083A JPS59197561A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137083A JPS59197561A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59197561A true JPS59197561A (ja) | 1984-11-09 |
Family
ID=13458542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7137083A Pending JPS59197561A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59197561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187375U (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-21 |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP7137083A patent/JPS59197561A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187375U (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-21 |
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