JP3131077B2 - 金属酸化物膜の製法 - Google Patents
金属酸化物膜の製法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、燃料電池セルなどを製
造する際に、多孔質基体表面にインターコネクターなど
の緻密な金属酸化物膜を形成する際の改良に関する。
造する際に、多孔質基体表面にインターコネクターなど
の緻密な金属酸化物膜を形成する際の改良に関する。
【０００２】
【従来技術】従来より、被成膜体に金属酸化物膜を形成
する方法としては、化学気相成長法や、物理的気相成長
法などが知られている。一方、燃料電池は、これまでの
水力発電や火力発電に代わる新たな発電システムとして
注目され、開発が進められている。
する方法としては、化学気相成長法や、物理的気相成長
法などが知られている。一方、燃料電池は、これまでの
水力発電や火力発電に代わる新たな発電システムとして
注目され、開発が進められている。
【０００３】図１は、代表的な円筒状の固体電解質型燃
料電池セルの構造を示す斜視図である。通常、このよう
な円筒状燃料電池セルは、多孔質の円筒状支持管１の表
面にＬａＭｎＯ3 系材料などからなる空気極層２と、Ｙ
2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 （ＹＳＺ）などからなる固体電解
質層３およびＮｉ−ＺｒＯ2 （Ｙ2 Ｏ3 含有）等の燃料
極４が化学気相成長法などの薄膜法により形成される。
そして、発電に際しては、かかるセルを複数個配列し、
空気極層２と燃料極層４のいずれか片方と電気的に接続
するように配置されたインターコネクター５によりセル
同士が電気的に接続されて、空気極層２側に空気などの
酸素含有ガスを、燃料極層３側に水素ガスなどの燃料ガ
スを流すと１０００〜１０５０℃の温度で発電が行われ
る。なお、図１において、空気極層２は円筒状支持管１
を兼ねる場合もある。
料電池セルの構造を示す斜視図である。通常、このよう
な円筒状燃料電池セルは、多孔質の円筒状支持管１の表
面にＬａＭｎＯ3 系材料などからなる空気極層２と、Ｙ
2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 （ＹＳＺ）などからなる固体電解
質層３およびＮｉ−ＺｒＯ2 （Ｙ2 Ｏ3 含有）等の燃料
極４が化学気相成長法などの薄膜法により形成される。
そして、発電に際しては、かかるセルを複数個配列し、
空気極層２と燃料極層４のいずれか片方と電気的に接続
するように配置されたインターコネクター５によりセル
同士が電気的に接続されて、空気極層２側に空気などの
酸素含有ガスを、燃料極層３側に水素ガスなどの燃料ガ
スを流すと１０００〜１０５０℃の温度で発電が行われ
る。なお、図１において、空気極層２は円筒状支持管１
を兼ねる場合もある。
【０００４】なお、上記セルにおけるインターコネクタ
ー５としてはＬａＣｒＯ3 のＣｒの一部をＭｇにより置
換したもの、またはＬａＣｒＯ3 のＬａの一部をＣａに
より置換したものが使用されているが、一般にはこのイ
ンターコネクター５は、被成膜体である多孔質基体の表
面に気相合成法に基づきＬａ、Ｍｇ、Ｃｒなどの金属元
素を含むハロゲン化ガスを供給し、その円筒状基体の反
対側から酸素ガスを供給することにより、ＬａＭｇＣｒ
Ｏ3 などの金属酸化膜を形成している。
ー５としてはＬａＣｒＯ3 のＣｒの一部をＭｇにより置
換したもの、またはＬａＣｒＯ3 のＬａの一部をＣａに
より置換したものが使用されているが、一般にはこのイ
ンターコネクター５は、被成膜体である多孔質基体の表
面に気相合成法に基づきＬａ、Ｍｇ、Ｃｒなどの金属元
素を含むハロゲン化ガスを供給し、その円筒状基体の反
対側から酸素ガスを供給することにより、ＬａＭｇＣｒ
Ｏ3 などの金属酸化膜を形成している。
【０００５】また、金属酸化物膜を形成する方法とし
て、その金属酸化物を含有するスラリーを塗布乾燥して
熱処理する方法も知られている。
て、その金属酸化物を含有するスラリーを塗布乾燥して
熱処理する方法も知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、Ｌａ
ＣｒＯ3 系材料は、膜の成長速度が非常に遅いために長
時間の反応を行わないと緻密な膜が得られないという問
題があった。また、長時間の反応を必要とするため、膜
の成長過程において多孔質基体の表面がハロゲン化ガス
にエッチングされ、分解が生じるという問題があった。
ＣｒＯ3 系材料は、膜の成長速度が非常に遅いために長
時間の反応を行わないと緻密な膜が得られないという問
題があった。また、長時間の反応を必要とするため、膜
の成長過程において多孔質基体の表面がハロゲン化ガス
にエッチングされ、分解が生じるという問題があった。
【０００７】また、スラリーを塗布し熱処理する方法で
は、膜の不均一性、被膜のコンパクションの不均一性が
あり、熱処理中又は熱処理後に形成した膜が剥離するな
どの問題が生じることがある。
は、膜の不均一性、被膜のコンパクションの不均一性が
あり、熱処理中又は熱処理後に形成した膜が剥離するな
どの問題が生じることがある。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明者らは上記問題
点に対して検討を重ねた結果、気相合成法に基づいて金
属酸化物を成膜する前に、多孔質基体の表面に金属酸化
物を含有するスラリーを塗布乾燥して加熱処理して多孔
質膜を形成した後に気相成長法により成膜すると、後の
気相成長法による成膜過程で長時間の反応を行う必要な
く緻密な金属酸化物膜が形成できることを見出し、本発
明に至った。
点に対して検討を重ねた結果、気相合成法に基づいて金
属酸化物を成膜する前に、多孔質基体の表面に金属酸化
物を含有するスラリーを塗布乾燥して加熱処理して多孔
質膜を形成した後に気相成長法により成膜すると、後の
気相成長法による成膜過程で長時間の反応を行う必要な
く緻密な金属酸化物膜が形成できることを見出し、本発
明に至った。
【０００９】即ち、本発明の金属酸化物膜の製法は、多
孔質基体の片面に金属酸化物を含有するスラリーを塗布
し乾燥した後に加熱処理して前記金属酸化物からなる厚
さ５０μｍ以下の多孔質膜を形成した後、該基体を反応
炉に収容し、前記多孔質膜形成面に前記金属酸化物を構
成する金属のハロゲン化ガスを供給すると同時に、前記
基体の多孔質膜形成面の反対側より酸素含有ガスを供給
することにより、前記多孔質膜内部あるいはその表面に
前記金属酸化物を析出させたことを特徴とするものであ
る。
孔質基体の片面に金属酸化物を含有するスラリーを塗布
し乾燥した後に加熱処理して前記金属酸化物からなる厚
さ５０μｍ以下の多孔質膜を形成した後、該基体を反応
炉に収容し、前記多孔質膜形成面に前記金属酸化物を構
成する金属のハロゲン化ガスを供給すると同時に、前記
基体の多孔質膜形成面の反対側より酸素含有ガスを供給
することにより、前記多孔質膜内部あるいはその表面に
前記金属酸化物を析出させたことを特徴とするものであ
る。
【００１０】
【作用】本発明の金属酸化物膜の製法は、特に基体が多
孔質体である場合にその表面に緻密な金属酸化物膜を比
較的厚く形成する場合において有効である。例えば、固
体電解質型燃料電池セルを作製する過程で用いられる多
孔質の円筒状基体は、開気孔率１５〜３５％で、平均細
孔径が１．８μｍ〜２．５μｍ程度である。
孔質体である場合にその表面に緻密な金属酸化物膜を比
較的厚く形成する場合において有効である。例えば、固
体電解質型燃料電池セルを作製する過程で用いられる多
孔質の円筒状基体は、開気孔率１５〜３５％で、平均細
孔径が１．８μｍ〜２．５μｍ程度である。
【００１１】気相成長法によりこの多孔質基体表面に金
属酸化物膜を形成する場合、細孔径が大きいために析出
した金属酸化物で緻密な膜が形成されにくく、成長速度
が遅いために長時間の反応を必要とする。
属酸化物膜を形成する場合、細孔径が大きいために析出
した金属酸化物で緻密な膜が形成されにくく、成長速度
が遅いために長時間の反応を必要とする。
【００１２】これに対して、基体の表面にスラリーを塗
布して熱処理した金属酸化物膜は、その熱処理条件にも
異なるが、およそ平均細孔径が０．１μｍ以下の厚い多
孔質膜を形成することができ、このような平均細孔径が
小さい多孔質膜に対して気相成長法により成膜を行うこ
とにより、細孔が容易に塞がりやすく、成膜時間を短縮
しても緻密質の金属酸化物膜を形成することができる。
布して熱処理した金属酸化物膜は、その熱処理条件にも
異なるが、およそ平均細孔径が０．１μｍ以下の厚い多
孔質膜を形成することができ、このような平均細孔径が
小さい多孔質膜に対して気相成長法により成膜を行うこ
とにより、細孔が容易に塞がりやすく、成膜時間を短縮
しても緻密質の金属酸化物膜を形成することができる。
【００１３】これにより、燃料電池セルにおけるセル間
の電気的接続を担うインターコネクター膜の成膜に用い
ることにより、成膜時間を短縮できるとともに従来法に
比較してインターコネクター膜の緻密化を達成できるた
めにインターコネクター自体の抵抗を小さくできるため
に燃料電池の発電効率を高めることができる。
の電気的接続を担うインターコネクター膜の成膜に用い
ることにより、成膜時間を短縮できるとともに従来法に
比較してインターコネクター膜の緻密化を達成できるた
めにインターコネクター自体の抵抗を小さくできるため
に燃料電池の発電効率を高めることができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明を円筒型燃料電池セルのインタ
ーコネクター膜を形成する場合を例にして具体的に説明
する。円筒型燃料電池セルの支持管は、開気孔率が１５
〜３５％、平均細孔径が１．０〜２．０μｍ程度の多孔
質のＬａＭｎＯ3 からなる円筒状基体からなる。また、
この基体の一端は閉じられている。
ーコネクター膜を形成する場合を例にして具体的に説明
する。円筒型燃料電池セルの支持管は、開気孔率が１５
〜３５％、平均細孔径が１．０〜２．０μｍ程度の多孔
質のＬａＭｎＯ3 からなる円筒状基体からなる。また、
この基体の一端は閉じられている。
【００１５】本発明によれば、まず、上記多孔質基体の
表面に金属酸化物を含有するスラリーを塗布する。スラ
リーを塗布する方法としては、円筒状基体を金属酸化物
粉末をバインダーを含んだ純水などの溶媒に分散したス
ラリー液中に浸漬する方法や、スラリーをハケ塗りする
方法などがあるが、スラリーの塗布の均一性からは浸漬
塗布法がよい。この浸漬塗布法によれば、円筒状基体の
内側を減圧下に維持したままスラリー中に浸漬すること
により、スラリーの塗布量を高めることができる。
表面に金属酸化物を含有するスラリーを塗布する。スラ
リーを塗布する方法としては、円筒状基体を金属酸化物
粉末をバインダーを含んだ純水などの溶媒に分散したス
ラリー液中に浸漬する方法や、スラリーをハケ塗りする
方法などがあるが、スラリーの塗布の均一性からは浸漬
塗布法がよい。この浸漬塗布法によれば、円筒状基体の
内側を減圧下に維持したままスラリー中に浸漬すること
により、スラリーの塗布量を高めることができる。
【００１６】次に、スラリーを塗布した円筒状基体を十
分に乾燥した後、熱処理して金属酸化物を基体に焼き付
け処理する。この時の熱処理温度は、成膜する金属酸化
物により異なるが、例えば、ＬａＣｒＯ3 系材料の場合
には１４００〜１５００℃の酸化性雰囲気で行えばよ
い。この焼き付け処理により金属酸化物は強固に基体に
付着するが、この時の金属酸化物膜はこの後の気相成長
法時に酸素ガスを透過供給するために気孔率が１０〜１
５％、平均細孔径が０．０２〜０．１μｍ程度であるこ
とが望ましい。このような気孔率や平均細孔径は、スラ
リー中の金属酸化物粉末の平均粒径を０．５μｍ以下と
することにより制御できる。上記のようにして形成され
る多孔質膜はその厚みが５０μｍ以下、特に２０〜３０
μｍであることが望ましく、厚みが５０μｍを越えると
剥離することがある。
分に乾燥した後、熱処理して金属酸化物を基体に焼き付
け処理する。この時の熱処理温度は、成膜する金属酸化
物により異なるが、例えば、ＬａＣｒＯ3 系材料の場合
には１４００〜１５００℃の酸化性雰囲気で行えばよ
い。この焼き付け処理により金属酸化物は強固に基体に
付着するが、この時の金属酸化物膜はこの後の気相成長
法時に酸素ガスを透過供給するために気孔率が１０〜１
５％、平均細孔径が０．０２〜０．１μｍ程度であるこ
とが望ましい。このような気孔率や平均細孔径は、スラ
リー中の金属酸化物粉末の平均粒径を０．５μｍ以下と
することにより制御できる。上記のようにして形成され
る多孔質膜はその厚みが５０μｍ以下、特に２０〜３０
μｍであることが望ましく、厚みが５０μｍを越えると
剥離することがある。
【００１７】さらに、本発明によれば、上記のようにし
て金属酸化物からなる多孔質膜が形成された多孔質基体
を気相反応炉に収容する。次に、図２に基づき気相成長
法による金属酸化物膜の成膜を説明する。図２は、金属
酸化物膜を成膜する装置の概略図である。図２によれ
ば、反応室６内に前記多孔質膜７が形成された円筒状基
体８を有底部を上にして設置される。また、反応室６に
は、ハロゲン含有ガスやキャリアガスなどを反応室に導
入するためのガス制御装置９、ガス導入路１０が設置さ
れている。反応室６の周りには加熱ヒータ１１が装備さ
れ、反応室内を所定の温度に加熱するように制御されて
いる。さらに、反応室６内には、所望の組成の膜を析出
するための金属酸化物と炭素からなる蒸発源１２が設け
られている。なお、反応室６内は蒸発源１２により上下
に２分割されており、蒸発源１２は、多孔質の原料支持
部材１３上に蒸発源物質が収容されている。
て金属酸化物からなる多孔質膜が形成された多孔質基体
を気相反応炉に収容する。次に、図２に基づき気相成長
法による金属酸化物膜の成膜を説明する。図２は、金属
酸化物膜を成膜する装置の概略図である。図２によれ
ば、反応室６内に前記多孔質膜７が形成された円筒状基
体８を有底部を上にして設置される。また、反応室６に
は、ハロゲン含有ガスやキャリアガスなどを反応室に導
入するためのガス制御装置９、ガス導入路１０が設置さ
れている。反応室６の周りには加熱ヒータ１１が装備さ
れ、反応室内を所定の温度に加熱するように制御されて
いる。さらに、反応室６内には、所望の組成の膜を析出
するための金属酸化物と炭素からなる蒸発源１２が設け
られている。なお、反応室６内は蒸発源１２により上下
に２分割されており、蒸発源１２は、多孔質の原料支持
部材１３上に蒸発源物質が収容されている。
【００１８】一方、円筒状基体８内には、酸素供給路１
４を介して下側から酸素含有ガスが供給されるように構
成されている。酸素含有ガスは、具体的には水（Ｈ
2 Ｏ）内にＨ2 ガスと酸素濃度希釈用のＡｒ、Ｈｅガス
を導入し、Ｈ2 Ｏ水蒸気とＨ2 ガスとＡｒガスの混合ガ
スからなる。
４を介して下側から酸素含有ガスが供給されるように構
成されている。酸素含有ガスは、具体的には水（Ｈ
2 Ｏ）内にＨ2 ガスと酸素濃度希釈用のＡｒ、Ｈｅガス
を導入し、Ｈ2 Ｏ水蒸気とＨ2 ガスとＡｒガスの混合ガ
スからなる。
【００１９】上記装置により、成膜しようとする金属酸
化物がＬａＣｒＭｇＯ3 である場合、蒸発源１２にはＬ
ａＣｒＭｇＯ3 の多孔質体と炭素粉末を設置する。そこ
に、ガス制御装置よりＨＣｌなどのハロゲン化ガスを反
応炉６内に導入するとハロゲン化ガスと蒸発源１２に設
置された蒸発物質が接触しＬａ、ＣａおよびＭｇのハロ
ゲン化ガスが生成される。この金属ハロゲン化ガスを円
筒状基体表面に供給する。
化物がＬａＣｒＭｇＯ3 である場合、蒸発源１２にはＬ
ａＣｒＭｇＯ3 の多孔質体と炭素粉末を設置する。そこ
に、ガス制御装置よりＨＣｌなどのハロゲン化ガスを反
応炉６内に導入するとハロゲン化ガスと蒸発源１２に設
置された蒸発物質が接触しＬａ、ＣａおよびＭｇのハロ
ゲン化ガスが生成される。この金属ハロゲン化ガスを円
筒状基体表面に供給する。
【００２０】一方、円筒状基体の内側に前記酸素含有ガ
スを導入すると、酸素含有ガスは、円筒状基体および多
孔質膜を透過し多孔質膜表面に供給され、前記金属ハロ
ゲン化ガスと酸素含有ガスが反応し多孔質膜表面にＬａ
ＣｒＭｇＯ3 固溶体膜が形成される。
スを導入すると、酸素含有ガスは、円筒状基体および多
孔質膜を透過し多孔質膜表面に供給され、前記金属ハロ
ゲン化ガスと酸素含有ガスが反応し多孔質膜表面にＬａ
ＣｒＭｇＯ3 固溶体膜が形成される。
【００２１】かかる成膜時の反応炉内圧力は２００ｔｏ
ｒｒ以下に保持し、蒸発源１２は１２００〜１３５０
℃、円筒状基体６近傍は１３００〜１４００℃となるよ
うにヒータ１１により加熱される。また、ガス導入路１
０から導入されるガス種はＨＣｌガスを０．１〜１００
ｃｃｍおよびＡｒガスを５０００ｃｃｍの流量であるこ
とが望ましい。また、円筒状基体８の内側に供給される
ガスは１０００ｃｃｍの流量でＨ2 Ｏ，Ｈ2 および酸素
濃度希釈用Ａｒガスからなる酸素含有ガスを供給するこ
とにより、円筒状基体７近傍の酸素分圧を１０-7ａｔｍ
となるように制御すればよい。
ｒｒ以下に保持し、蒸発源１２は１２００〜１３５０
℃、円筒状基体６近傍は１３００〜１４００℃となるよ
うにヒータ１１により加熱される。また、ガス導入路１
０から導入されるガス種はＨＣｌガスを０．１〜１００
ｃｃｍおよびＡｒガスを５０００ｃｃｍの流量であるこ
とが望ましい。また、円筒状基体８の内側に供給される
ガスは１０００ｃｃｍの流量でＨ2 Ｏ，Ｈ2 および酸素
濃度希釈用Ａｒガスからなる酸素含有ガスを供給するこ
とにより、円筒状基体７近傍の酸素分圧を１０-7ａｔｍ
となるように制御すればよい。
【００２２】実施例 円筒形状の基体としてＬａＭｎＯ3からなるとともに、
気孔率３０％、平均細孔径２．０μｍ、一端が閉じられ
た基体を準備した。そして、この円筒状基体の内部を１
００ｔｏｒｒの減圧状態として、平均粒径が１．５μｍ
のＬａＣｒ（Ｍｇ）Ｏ3粉末からなるスラリー中に５秒
間浸漬させた後、これをスラリー中から引き上げて乾燥
させ、１４５０℃で２時間の焼き付けを行い、基体表面
に平均粒径０．５μｍのＬａＣｒ（Ｍｇ）Ｏ3からなる
厚みが３０μｍの多孔質膜を形成した。この多孔質膜の
相対密度をアルキメデス法により測定したところ８０％
であり、水銀圧入法により平均細孔径を測定したとこ
ろ、０．３μｍであった。
気孔率３０％、平均細孔径２．０μｍ、一端が閉じられ
た基体を準備した。そして、この円筒状基体の内部を１
００ｔｏｒｒの減圧状態として、平均粒径が１．５μｍ
のＬａＣｒ（Ｍｇ）Ｏ3粉末からなるスラリー中に５秒
間浸漬させた後、これをスラリー中から引き上げて乾燥
させ、１４５０℃で２時間の焼き付けを行い、基体表面
に平均粒径０．５μｍのＬａＣｒ（Ｍｇ）Ｏ3からなる
厚みが３０μｍの多孔質膜を形成した。この多孔質膜の
相対密度をアルキメデス法により測定したところ８０％
であり、水銀圧入法により平均細孔径を測定したとこ
ろ、０．３μｍであった。
【００２３】これを図２に示した炉内圧力が２０ｔｏｒ
ｒ以下に保持した反応炉内に収容し、ヒータにより蒸発
源を１２５０℃、基体近傍を１３５０℃になるように加
熱しながら、ガス導入路よりＨＣｌガスを５〜１００ｃ
ｃｍの流量で、またキャリアとしてＡｒガスを５０００
ｃｃｍの流量で反応炉内に導入した。
ｒ以下に保持した反応炉内に収容し、ヒータにより蒸発
源を１２５０℃、基体近傍を１３５０℃になるように加
熱しながら、ガス導入路よりＨＣｌガスを５〜１００ｃ
ｃｍの流量で、またキャリアとしてＡｒガスを５０００
ｃｃｍの流量で反応炉内に導入した。
【００２４】また、基体内部に１５００ｃｃｍの流量で
Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ2ガスを供給し、３時間保持したとこ
ろ、多孔質膜の表面に厚さ１５μｍのＬａＭｇ0.1Ｃｒ
0.9Ｏ3組成の金属酸化物膜を形成することができた。得
られた膜に対して相対密度を測定したところ、９９．５
％と非常に緻密質であることがわかった。
Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ2ガスを供給し、３時間保持したとこ
ろ、多孔質膜の表面に厚さ１５μｍのＬａＭｇ0.1Ｃｒ
0.9Ｏ3組成の金属酸化物膜を形成することができた。得
られた膜に対して相対密度を測定したところ、９９．５
％と非常に緻密質であることがわかった。
【００２５】比較のために、上記実施例において、金属
酸化物の浸漬塗布を行なわない以外は同様にして直接気
相合成法により厚み１０μｍのＬａＭｇＣｒＯ3 金属酸
化物膜を形成したところ、８時間の反応が必要であっ
た。しかも、得られた膜の気孔率を測定したところ９０
％と本発明に比較して低いものであった。
酸化物の浸漬塗布を行なわない以外は同様にして直接気
相合成法により厚み１０μｍのＬａＭｇＣｒＯ3 金属酸
化物膜を形成したところ、８時間の反応が必要であっ
た。しかも、得られた膜の気孔率を測定したところ９０
％と本発明に比較して低いものであった。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の金属酸化
物膜の製法によれば、多孔質な基体の表面に緻密な膜を
短時間で成膜することができる。よって、これを燃料電
池セルにおけるセル間の電気的接続を担うインターコネ
クター膜の成膜に用いることにより、成膜時間を短縮で
きるとともに従来法に比較してインターコネクター膜の
緻密化を達成できるためにインターコネクター自体の抵
抗を小さくできるために燃料電池の発電効率を高めるこ
とができる。
物膜の製法によれば、多孔質な基体の表面に緻密な膜を
短時間で成膜することができる。よって、これを燃料電
池セルにおけるセル間の電気的接続を担うインターコネ
クター膜の成膜に用いることにより、成膜時間を短縮で
きるとともに従来法に比較してインターコネクター膜の
緻密化を達成できるためにインターコネクター自体の抵
抗を小さくできるために燃料電池の発電効率を高めるこ
とができる。
【図１】円筒型燃料電池セルの構造を示す図である。
【図２】本発明の実施例において用いられる成膜装置の
概略配置図である。
概略配置図である。
６ 反応室 ７ 多孔質膜 ８ 円筒状基体 ９ ガス制御装置 １０ガス導入路 １１加熱ヒータ １２蒸発源 １４酸素供給路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01M 8/02 ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】多孔質基体の片面に金属酸化物を含有する
スラリーを塗布し乾燥した後に加熱処理して前記金属酸
化物からなる厚さ５０μｍ以下の多孔質膜を形成した
後、該基体を反応炉に収容し、前記多孔質膜形成面に前
記金属酸化物を構成する金属のハロゲン化ガスを供給す
ると同時に、前記基体の多孔質膜形成面の反対側から酸
素含有ガスを供給することにより、前記多孔質膜内部あ
るいはその表面に前記金属酸化物を析出させることを特
徴とする金属酸化物膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05161277A JP3131077B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 金属酸化物膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05161277A JP3131077B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 金属酸化物膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0718444A JPH0718444A (ja) | 1995-01-20 |
| JP3131077B2 true JP3131077B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=15732052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05161277A Expired - Fee Related JP3131077B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 金属酸化物膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131077B2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP05161277A patent/JP3131077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0718444A (ja) | 1995-01-20 |
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