JPS59195835A - 半導体装置のボンデイングワイヤ−の結線方法 - Google Patents

半導体装置のボンデイングワイヤ−の結線方法

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JPS59195835A
JPS59195835A JP58070523A JP7052383A JPS59195835A JP S59195835 A JPS59195835 A JP S59195835A JP 58070523 A JP58070523 A JP 58070523A JP 7052383 A JP7052383 A JP 7052383A JP S59195835 A JPS59195835 A JP S59195835A
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capillary
chip
wire
semiconductor device
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Toshio Shioda
塩田　敏男
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置の半導体チップの電極とリードフ
レームとをボンディングワイへ＝−ｉこよって結線する
半導体装置のボンティングワイヤーの結線方法に関する
。
第１図は、従来例の結線方法を説明するための半導体装
置の断面図である。半導体装置のチップアイランド１ｉ
こ固定σれた半導体チップ２の電極とり−ドフレーム３
とをボンディングワイヤー４によって結線する場合には
、半導体チップ２の電極に仮想線で示されたキャピラリ
ー５から、たとえは金線などのボンディングワイヤー４
を送出してホンディングワイヤー４の一端を熱圧着する
。
次にボンディングワイヤー４を送出しなから結線すべき
リードフレーム３までキャピラリー５を移動してボンデ
ィングワイヤー４の他端をリードフレーム３に熱圧着し
て結線する。結線が終了した後にｄ、第１図の破線で示
されるよう番こ樹脂モールドされて半導体装置が形成δ
れる。
このような先行技術では、ボンディングワイヤー４が非
常に細いために、ボンディングワイヤー４を送出しなが
ら半導体チップ２の電極からリードフレーム３に移動す
るときにボンディングワイヤー４が垂下してしまい、チ
ップアイランド１や半導体チップ２の電極外の部分に接
触したり、断線したりすることがあった８ 本発明の目的は、上述の技術的課題を解決した半導体装
置のポンティングワイヤーの結線方法を提供することで
ある。
以下、図面によって本発明の実施例（こついて詳細に説
明する。第２図は本発明の一実施例を実施するために適
用される半導体装置の断面図である。
半導体装置のチップアイランド６には、半導体チップ７
が固定される。チップアイランド６の周囲番こ（ハ、間
隔をあけて外部端子となる複数のリードフレーム８が設
けられる。このリードフレーム８のチップアイランド６
（こ近接する側の端部番こげ、後述のよう昏こボンディ
ングワイヤー９を付勢するための付勢手段としての付勢
部８ａが形成きれる。
この付勢部８ａＵ、上方に向けて突設される。
本発明に従う半導体装置のボンディングワイヤーの結線
方法では、まず第２図の仮想線で示σれるキャピラリー
１０から金線などのボンディングワイヤー９を半導体チ
ップ７の電極に送出し、ボンディングワイヤー−９の一
端９ａを熱圧着する。
次にキャピラリー１０からボンティングワイヤー９を送
出しながらリードフレーム８の結線すべき位置にキャピ
ラリー１０を矢符１１で示されるよう（こ移動させる。
このキャピラリー１０の移動のときに、キャピラリー１
０から送出きれるボンディングワイヤー９がチップアイ
ランド６方向（こ垂下するとリードフレーム８の付勢部
８ａ＋こ当接してチップアイランド６と離反する方向、
すなわち上方に付勢されることになる。これ（こよって
ボンディングワイヤー９が垂下してチップアイランド６
や半導体チップ７の電極外の部分に接触することが防が
れる。ボンディングワイヤー９を送出しながらキャピラ
リー１０を、リードフレーム８の結線すべき位置に移動
式せた後、ボンディングワイヤー９の他端９ｂを熱圧着
して結線する。結線が終了した後Ｏこは、第２図の破線
で示されるように樹脂モールドされて半導体装置が形成
される。
第３図は、本発明の他の実施例を実施するために適用さ
れる半導体装置の断面図であり、第２区１〜　に対応す
る部分には同一の参照符を付す。注目すべきは、前述の
付勢部８ａに代えて、ボンディングワイヤー９を上方を
こ付勢する付勢手段としての一対の付勢部材１２が、チ
ップアイランド゛６と１ノードフレーム８との間に介在
きれる。一対の伺°勢部材１２ば、第３図の紙面に垂直
方向番こ９瓜びる（反状体であってもよく、棒状体であ
ってもよい。この付勢部材１２ｉＩ−１：、図示しない
駆動手段番こよって上下に進退自在に構成される。
本実施例の結線方法では、まず、ギヤピラ１ノー１０か
らボンディングワイヤー９を半導体チ・ンフ”７の電極
に送出し、ボンディングワイヤー９の一端９ａを熱圧着
する。次にキャピラリー１０力）らボンディング１ツイ
ヤ−９を送出しながらリードフレーム８の結線すべき位
置にキャピラリー１０を移動させる。このキャピラリー
１０の移動のときに、送出されるボンディングワイヤー
９が垂下すると付勢部材１２（こよってチップアイラン
ド６と離反する方向、すなわち上方に付勢される。これ
昏こよってボンディングワイヤー９がチップアイランド
６などに接触することが防がれる。ボンディングワイヤ
ー９を送出しながらキャピラリー１０を、リードフレー
ム８に移動式せてボンディングワイヤー９の他端９ｂを
熱圧着して結線する。その後、付勢部−材１２を下方（
第３図の下方）に退避させて破線で示すように樹脂モー
ルドされて半導体装置が形成きれる。
本発明の他の実施例として付勢部材１２【こよるボンデ
ィングワイヤー９の付勢ば、ボンティングワイヤー９の
他端９ｂがリードフレーム８に熱圧着された後に行なわ
れてもよい。
第４図は、本発明のさらに他の実施例を実施するために
適用される半導体装置の断面図であり、第３図の実施例
に対応する部分には同一の参照符を付す。本実施例では
、付勢部材１２に代えてボンデイングワイヤ−９をチッ
プアイランド６と離反する方向、すなわち上方に付勢す
るための付勢手段として、屋素ガスなとの不活性気体ま
たにエアーを供給する図示しない気体供給源が半導体装
置の下方に設けられる。本実施例の結線方法では、ホン
ティングワイヤー９の一端９ａを半導体チップ７の電極
に熱圧着した後に、ボンティングワイヤー９を送出しな
がらキャピラリー１０をリードフレーム８に移動すると
きに、気体供給源から矢符１３で示すように上方に気体
を噴出する。これによって送出σれるホンディングワイ
ヤー９が垂下してチップアイランド６や半導体チップ７
の電極外の部分に接触することが防がれる８その他の構
成は、第３図に示σれた実施例と同様である。
本発明の他の実施例として、気体噴出（こよるボンティ
ングワイヤー９の付勢は、ボンディングワイヤー９の他
端９ｂがリードフレーム８ζこ熱圧着σれた後に行なわ
れてもよい。
以上のようをこ本発明によれは、キャピラリーかラホン
ティングワイヤーを送出しながらリードフレームに移動
するとともに、送出σれたボンディングワイヤーをチッ
プアイランドと離反する方向に付勢手段によって付勢す
るようにしたので、ボンディングワイヤーがチップアイ
ランドや半４体チップの電極外の部分に接触することが
防がれる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例の結線方法を説明するための断面図、第
２図は本発明の一実施例を実施するために適用σれる半
導体装置の断面図、第３図は本発明の他の実施例の第２
図に対応する断面図、第４図は本発明のさらに他の実施
例の第３図に対応した断面図である。 ６・・・チップアイランド、７・・・半導体チップ、８
・・・リードフレーム、９・・・ボンディングワイヤー
、９ａ・・・一端、９ｂ・・・他端。 出願人　　ローム株式会社 代理人　　弁理士岡田和秀

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ＋１）　　半導体装置のチップアイランドに固定された
    半導体チップの電極とリードフレームとをキャピラリー
    から送出でれるボンディングワイヤーで結線スる半導体
    装置のボンディングワイヤーの結線方法において、 キＡ・ピラリ−からホンティングワイヤーを送。 出して半導体チップの電極にボンディングワイヤーの端
    を熱圧着した後、ボンディングワイヤーを送出しながら
    リードフレームの結線すべき位置に前記キャピラリーを
    移動はせるとともに、前記送出はれたボンディングワイ
    ヤーを付勢手段によって前記チップアイランドと離反す
    る方向に付勢し、ボンディングワイヤーの他端を前記結
    線すべき位置に熱圧着して結線することを特徴とする半
    導体装置のボンディングワイヤーの結線方法。
JP58070523A 1983-04-20 1983-04-20 半導体装置のボンデイングワイヤ−の結線方法 Pending JPS59195835A (ja)

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Citations (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5128487A (ja) * 1974-09-04 1976-03-10 Hitachi Ltd
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