JPS5919321A - 軟ｘ線発生装置 - Google Patents

軟ｘ線発生装置

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JPS5919321A
JPS5919321A JP57128913A JP12891382A JPS5919321A JP S5919321 A JPS5919321 A JP S5919321A JP 57128913 A JP57128913 A JP 57128913A JP 12891382 A JP12891382 A JP 12891382A JP S5919321 A JPS5919321 A JP S5919321A
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JP
Japan
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soft
rays
ray
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anticathode
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JP57128913A
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English (en)
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Asao Nakano
朝雄 中野
Yutaka Hiratsuka
豊 平塚
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子の製造に使用するＸ線露光装置に
おける軟Ｘ線発生装置に関するものである。
軟Ｘ線発生装置は、たとえば第１図のように構成されて
いる。すなわち、真空容器１の中に、対陰極２と、この
対陰極２に対向する電子銃３が配置されている。前記真
空容器１の下面には、前記対陰極２のＸ線発生位置（電
子ビームの照射位置）の下方に位置するようにＸ線透過
窓４が固定され、真空容器１内の真壁を保護すると共に
、対陰極２で発生した軟Ｘ線５の放出を可能にしている
。
このような軟Ｘ線発生装置を用いたＸ線露光の原理を第
２図に示す。すなわち、対陰極２の傾斜面５に、電子銃
３から電子ビーム６が照射されると、対陰極２の材質に
よ如定壕る特性の軟Ｘ線７が発生し、軟Ｘ線７の発生部
の下方に配置されたマスク８全通してウェハ９上に照射
される。前記マスク８には、Ｘ線吸収材料で所要のパタ
ーンが形成され、ウェハ９上には、Ｘ線用のレズスト被
膜が形成されている。
上記において、Ｘ線の発生点Ｂは、対陰極２の傾斜面５
より対陰極２の内部へ距離ｄ。たけ入った位装置にある
。この距ｌｓ’ｏは、電子ビーム６の加速電圧Ｖと、対
陰極２の材質で定まる特性Ｘ線の励起エネルギＶｋ、対
陰極２の材質の原子番号Ｚ１厚子量Ａ１密度ρとから、 ｄｏ＝　−！−（Ｖ１７−　Ｆ４１７）　−１！−・−
−−−−−−−・−・−・−Ｔｅ１６０　　　　　　　
　　　ρ２ で求められる。
一方、軟Ｘ線照射野の直径をＤとし、軟Ｘ線照射野の中
心を通り傾斜面５に達する線分Ｃの長さをＬ１線分Ｃに
対する対陰極の傾き角をθ１、傾斜面５と軟Ｘ線７０強
度点Ｂから軟Ｘ線照射野の外周縁を結ぶ線分Ｅの成す角
をψとすると、θ、　−９＋　＝ｔａｎ−１Ｃｎラ　　
　　…聞・・・・曲（２）の関係が成立する。そして、
線分Ｅと軟Ｘ線発生源Ｂから軟Ｘ線照射野中の任意の一
点を結ぶ線分Ｆとの角度をφ、傾斜面５に対する電子ビ
ーム６の入射角をθ、とすると、対陰極２の内部で発生
した軟Ｘ線が対陰極２中を通る距＠ｄは、で表わされる
。そして、軟Ｘ線７は、対陰極２中を通る間にも減衰す
るが、その減衰量は、前記距離ｄに比例する。すなわち
、対陰極２の質量吸収係数を（−）、密度をＰ１発生点
Ｂにおけρ る軟Ｘ線の強度をＩＯとし、対陰極２を通過した後の軟
Ｘ線の強度をＩとすると、対陰極２から放射される軟Ｘ
線７０強度は １　＝Ｉｌ、ｅｘｐ　（−（−）　−Ｐ−ｄ　）　　　
　・・・−・−・−＝−（４１ρ で表わされる。したがって、ウェハ９上の点ＤＩにおけ
る軟Ｘ線の強度は、（１）〜（４）式から、で求めるこ
とができる。
たとえば、対陰極をアルミニウムで形成して、０１２７
０度、θ２−２０度、Ｌ　＝　１３０ｍｍ　、　Ｄ　＝
＝　２０ｍｍとすると、ウェハ９の軟Ｘ線７の照射野中
の強度分布は第３図に示すように、約３０％の強度差が
生じることになる。
このように、ウェハ９に到達する軟Ｘ線７の強度が不均
一であると、露光が均一に行なわれず露光ムラを生じる
。このため、ウェハ９の露光計全体に亘って同等の精度
の微細パターンを形成することができない等の欠点があ
る。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、露
光計全体にほぼ均一か軟Ｘ線強度を得られるようにした
軟Ｘ線発生装置を提供するにある。
、　３ 上記目的を達成するため、本発明においては、軟Ｘ線発
生装置のＸ線透過窓のＸ線透過率を、対陰極から放射さ
れる軟Ｘ線の強度分布に反比例するように変化させ、Ｘ
線透過窓を透過した軟Ｘ線の分布をほぼ均一にするよう
にしたことを特徴とする。
以下本発明の一実施例を図面にしたがって説明する。
第４図は、本発明の一実施例を示すもので、同図におい
て、１１はべＩＪ　ＩＪウム製のＸ線透過窓にして、軟
Ｘ線の透過率を下げるための膜１２が付着形成されてい
る。
前記Ｘ線透過窓１１の厚さＣは、２５〜５０μ専に形成
されている。また、膜１２の厚さＨは、膜１２の材質に
よる軟Ｘ線の透過率と、前記（５）式に基づく理論上の
軟Ｘ線の強度のバラツキに基づき、適宜設定する。
膜１２の材質は、ヘリリウム、チタン等、軟Ｘ線を透過
するものであればよい。
また、図示の如く、一定の傾斜で厚さを変え、　４ る他、階段状に数段階の厚さを持つようにしてもよい。
また、膜１２は、蒸着等により形成する。
前記の如く構成したＸ線透過窓１１ヲ、たとえば第１図
に示す軟Ｘ線発生装置のＸ線透過窓４に変えることによ
）、対陰極２で発生した軟Ｘ線の強度の分布にバラツキ
があっても、Ｘ線透過窓１１での吸収率が異るため、Ｘ
線透過窓１１を透過した軟Ｘ線の強度の分布はほぼ均一
になる。
したがって、ウェハ上に照射される軟Ｘ線の強度の分布
もほぼ均一にすることができ、露光ムラを小さくするこ
とができる。
以上述べた如く、本発明によれば、軟Ｘ線発生装置のＸ
線透過窓の透過率を、対陰極から放射される軟Ｘ線の強
度の分布に反比例するように構成したので、Ｘ線透過窓
を透過した軟Ｘ線の強度の分布がほぼ均一になる。また
、ウエノ１の露光を行々った場合、露光計全体の露光ム
ラを小さくして高精度な微細パターンの焼付けが可能に
なるかどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は軟Ｘ線発生装置の一例を示す正面断面図、第２
図はＸ線露光の原理図、第３図は第２図における霧光野
内の軟Ｘ線の強度分布を示す特性図、第４図は本発明に
よるＸ線透過窓の一例を示す正面図である。 １・・・真空容器　　　　　２・・・対陰極５・・・電
子銃　　　　　　１１・・・Ｘ線透過窓１２・・・膜 第１区

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 対陰極の傾斜面に電子ビームを照射して発生させた軟Ｘ
    線を、Ｘ線透過窓から放射するようにした軟Ｘ線発生装
    置において、Ｘ線透過部におけるＸ線透過率を、入射す
    る軟Ｘ線の線量に反比例するように変化させたＸ線透過
    窓を設け、Ｘ線透過窓から放射される軟Ｘ線の線量の分
    布をほぼ均等にするようにしたことを特徴とする軟Ｘ線
    発生装置。
JP57128913A 1982-04-30 1982-07-26 軟ｘ線発生装置 Pending JPS5919321A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57128913A JPS5919321A (ja) 1982-07-26 1982-07-26 軟ｘ線発生装置
US06/488,758 US4566116A (en) 1982-04-30 1983-04-26 Soft X-ray generator
DE8383104174T DE3367041D1 (en) 1982-04-30 1983-04-28 Soft x-ray generator
EP83104174A EP0093970B1 (en) 1982-04-30 1983-04-28 Soft x-ray generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57128913A JPS5919321A (ja) 1982-07-26 1982-07-26 軟ｘ線発生装置

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JPS5919321A true JPS5919321A (ja) 1984-01-31

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ID=14996460

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JP57128913A Pending JPS5919321A (ja) 1982-04-30 1982-07-26 軟ｘ線発生装置

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