JPH0732119B2 - Ｘ線リソグラフビームラインの均一性を改善する方法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフビームラインの均一性を改善する方法Info
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- JPH0732119B2 JPH0732119B2 JP4326885A JP32688592A JPH0732119B2 JP H0732119 B2 JPH0732119 B2 JP H0732119B2 JP 4326885 A JP4326885 A JP 4326885A JP 32688592 A JP32688592 A JP 32688592A JP H0732119 B2 JPH0732119 B2 JP H0732119B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般にＸ線リソグラフ
に関し、特に特定のビームラインに独特なＸ線ビームの
非均一性を補正する方法およびその部品に関し、またこ
のような補正を行うことができる変更された熱阻止用の
フィルタを生成する方法に関する。
に関し、特に特定のビームラインに独特なＸ線ビームの
非均一性を補正する方法およびその部品に関し、またこ
のような補正を行うことができる変更された熱阻止用の
フィルタを生成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】動的ランダムアクセスメモリ、つまりＤ
ＲＡＭのような非常に複雑な集積電子回路の新たな生成
の微細な特徴を生成する目的に向けて努力が続けられて
いる。実施例によって、このような先行回路は親指の爪
よりも少し大きな程度のマイクロチップにおいて２５６
メガバイト以上の情報を含むことが可能である。比較し
てみると、現在の可視光を使用するリソグラフ技術で
は、約６４メガビットまでの同様の大きさのチップの製
造のみが可能である。
ＲＡＭのような非常に複雑な集積電子回路の新たな生成
の微細な特徴を生成する目的に向けて努力が続けられて
いる。実施例によって、このような先行回路は親指の爪
よりも少し大きな程度のマイクロチップにおいて２５６
メガバイト以上の情報を含むことが可能である。比較し
てみると、現在の可視光を使用するリソグラフ技術で
は、約６４メガビットまでの同様の大きさのチップの製
造のみが可能である。
【０００３】集積回路の性能のこの新しいプラトーを達
成するため、ますますＸ線リソグラフが重要視されてい
る。研究者は約２０年間のこのような目的においてＸ線
リソグラフに関して実験されたが、技術的な多くの問題
によってそれが商業的に利用されるまでに至っていな
い。
成するため、ますますＸ線リソグラフが重要視されてい
る。研究者は約２０年間のこのような目的においてＸ線
リソグラフに関して実験されたが、技術的な多くの問題
によってそれが商業的に利用されるまでに至っていな
い。
【０００４】現在使用されている光学的技術とＸ線リソ
グラフはいくつかの共通した素子を共用する。両者は、
製造業者が所望の回路デザインでエッチングされた“マ
スク”を使用することを必要とする。等しく分離され、
１００以上のチップまで切断される円形のシリコンウェ
ーハは、光感度の高い材料、例えば“レジスト材料”に
よって被覆される。作業者はウェーハ上のマスクを通っ
て紫外線あるいはＸ線を照射し、レジスト材料の領域を
露出する。溶媒によってウェーハを洗浄することによっ
て不所望なレジスト材料を溶解し、ウェーハ上のマスク
の複製あるいはパターンを残す。完成されたチップは、
２０程度の回路層が重ねられる。
グラフはいくつかの共通した素子を共用する。両者は、
製造業者が所望の回路デザインでエッチングされた“マ
スク”を使用することを必要とする。等しく分離され、
１００以上のチップまで切断される円形のシリコンウェ
ーハは、光感度の高い材料、例えば“レジスト材料”に
よって被覆される。作業者はウェーハ上のマスクを通っ
て紫外線あるいはＸ線を照射し、レジスト材料の領域を
露出する。溶媒によってウェーハを洗浄することによっ
て不所望なレジスト材料を溶解し、ウェーハ上のマスク
の複製あるいはパターンを残す。完成されたチップは、
２０程度の回路層が重ねられる。
【０００５】回路がさらに密集すると、可視光線の波長
は鈍いクレヨンで細い線を引くのに似てプリント回路に
関して困難な問題となる。何年か前には、光学リソグラ
フの性能の限界が約０．５ミクロンの幅を有する回路ラ
インを生成することが期待された。４００万ビットのデ
ータを蓄積でき、市場において最新のメモリチップであ
る４メガビットＤＲＡＭは、約０．８ミクロンの幅の回
路ラインを有する。レジストを改善し、また短い波長の
紫外線領域における短い波長のエキシマレーザに換える
ことによって、研究者は６４メガビットのＤＲＡＭを生
成するのに十分な０．３５ミクロンにさらに延在された
光学技術を得ることができる。
は鈍いクレヨンで細い線を引くのに似てプリント回路に
関して困難な問題となる。何年か前には、光学リソグラ
フの性能の限界が約０．５ミクロンの幅を有する回路ラ
インを生成することが期待された。４００万ビットのデ
ータを蓄積でき、市場において最新のメモリチップであ
る４メガビットＤＲＡＭは、約０．８ミクロンの幅の回
路ラインを有する。レジストを改善し、また短い波長の
紫外線領域における短い波長のエキシマレーザに換える
ことによって、研究者は６４メガビットのＤＲＡＭを生
成するのに十分な０．３５ミクロンにさらに延在された
光学技術を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】短い波長を与えるＸ線
は、２５６メガビットのチップの予期された特徴の大き
さが０．２５乃至０．２ミクロンで十分に動作する。さ
らに研究者は、短い波長は光が長い距離にわたって焦点
が合うように持続することを意味するため、可視光線あ
るいは紫外線よりもＸ線によって細かい線がプリントで
きる。
は、２５６メガビットのチップの予期された特徴の大き
さが０．２５乃至０．２ミクロンで十分に動作する。さ
らに研究者は、短い波長は光が長い距離にわたって焦点
が合うように持続することを意味するため、可視光線あ
るいは紫外線よりもＸ線によって細かい線がプリントで
きる。
【０００７】Ｘ線リソグラフ技術の研究者が依然として
直面している特に困難な問題は、関係した部品を含んで
いる各Ｘ線ビームラインがターゲットウェーハ上のフォ
トレジストに到達するときに非均一な放射の独特で恒久
的な特徴を有していることである。これは、視準ミラー
における不完全性および熱フィルタ、ベリリウム窓、お
よびＸ線マスク膜における密度変化のためである。非均
一な放射のこの特徴は、マイクロチップ上の回路を生成
するために使用される全放射に不所望に重畳される。こ
れは商業的に許容できない回路において不完全性を生ず
る。以上説明されたような現在実用性の低い従来技術に
ついて本発明は考慮したものである。本発明の目的は、
通常リソグラフのために使用されるビームラインの動作
中に生ずるＸ線放射における非均一性の補正を行うこと
である。
直面している特に困難な問題は、関係した部品を含んで
いる各Ｘ線ビームラインがターゲットウェーハ上のフォ
トレジストに到達するときに非均一な放射の独特で恒久
的な特徴を有していることである。これは、視準ミラー
における不完全性および熱フィルタ、ベリリウム窓、お
よびＸ線マスク膜における密度変化のためである。非均
一な放射のこの特徴は、マイクロチップ上の回路を生成
するために使用される全放射に不所望に重畳される。こ
れは商業的に許容できない回路において不完全性を生ず
る。以上説明されたような現在実用性の低い従来技術に
ついて本発明は考慮したものである。本発明の目的は、
通常リソグラフのために使用されるビームラインの動作
中に生ずるＸ線放射における非均一性の補正を行うこと
である。
【０００８】本発明の別の目的は、Ｘ線放射の非均一的
なマップをＸ線ビームラインと共に使用されるターゲッ
トウェーハ上に生成し、ターゲットウェーハのマップに
反比例してビームラインにおける熱フィルタにＸ線吸収
材料を選択的に加え、それによってビームラインとその
部品によって生じられるＸ線放射に存在する異常を相殺
することである。
なマップをＸ線ビームラインと共に使用されるターゲッ
トウェーハ上に生成し、ターゲットウェーハのマップに
反比例してビームラインにおける熱フィルタにＸ線吸収
材料を選択的に加え、それによってビームラインとその
部品によって生じられるＸ線放射に存在する異常を相殺
することである。
【０００９】本発明のさらに別の目的は、ビームライン
およびその関連した部品によって生じられる非均一なＸ
線放射を補正するＸ線ビームライン用の変更された熱フ
ィルタを提供することである。
およびその関連した部品によって生じられる非均一なＸ
線放射を補正するＸ線ビームライン用の変更された熱フ
ィルタを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線リソグラ
フに使用されるビームラインを較正する方法に関する。
ビームラインは、ベリリウム窓を含んでいる反対側の端
部で閉鎖部にＸ線ビームを含むためのＸ線ソースから延
在している細長い排気された管を含む。管の外部でそれ
と整列されたターゲットウェーハはＸ線ビームラインの
横断平面に位置され、光感性材料の均一な層で被覆され
る。Ｘ線ソースとターゲットウェーハの間に位置される
炭素フィルタは、紫外線領域、可視光線およびスペクト
ルの赤外線領域の波長を有する電磁放射を阻止するため
に管内に配置される。Ｘ線ソースからのビームは、ビー
ムライン、フィルタおよび適当な試験パターンによるマ
スクを通ってターゲットウェーハ上を走査する。その
後、ラインの幅が均一な照射を評価するために測定され
るため、ウェーハはエッチング処理を受ける。このデー
タから、表面形状が明らかになり、ビームラインが含ま
れる部品によって非均一性が生じる。さらに次のステッ
プにおいて、少なくとも１つのフィルタ材料の付加的な
層は、ターゲットウェーハの表面形状の反転である表面
形状を有する変更された炭素フィルタを生ずるように炭
素フィルタの表面に適用される。それを行うことによっ
て、Ｘ線放射の不所望な異常はターゲットウェーハで避
けられる。
フに使用されるビームラインを較正する方法に関する。
ビームラインは、ベリリウム窓を含んでいる反対側の端
部で閉鎖部にＸ線ビームを含むためのＸ線ソースから延
在している細長い排気された管を含む。管の外部でそれ
と整列されたターゲットウェーハはＸ線ビームラインの
横断平面に位置され、光感性材料の均一な層で被覆され
る。Ｘ線ソースとターゲットウェーハの間に位置される
炭素フィルタは、紫外線領域、可視光線およびスペクト
ルの赤外線領域の波長を有する電磁放射を阻止するため
に管内に配置される。Ｘ線ソースからのビームは、ビー
ムライン、フィルタおよび適当な試験パターンによるマ
スクを通ってターゲットウェーハ上を走査する。その
後、ラインの幅が均一な照射を評価するために測定され
るため、ウェーハはエッチング処理を受ける。このデー
タから、表面形状が明らかになり、ビームラインが含ま
れる部品によって非均一性が生じる。さらに次のステッ
プにおいて、少なくとも１つのフィルタ材料の付加的な
層は、ターゲットウェーハの表面形状の反転である表面
形状を有する変更された炭素フィルタを生ずるように炭
素フィルタの表面に適用される。それを行うことによっ
て、Ｘ線放射の不所望な異常はターゲットウェーハで避
けられる。
【００１１】本発明の別の適用は、非均一的なＸ線束に
対する補正が臨界的な結果である任意のシンクロトロン
ビームラインにおける変更された膜を供給することであ
る。この変更は、Ｘ線の狭いスペクトル範囲およびエネ
ルギ振幅の非均一性を有するスペクトル範囲に依存する
ようなシンクロトロンビームにおいて非常に有効であ
る。厚さを変える様々な材料の選択を供給することによ
って、波長内容および振幅内容は単一の成分によって制
御される。
対する補正が臨界的な結果である任意のシンクロトロン
ビームラインにおける変更された膜を供給することであ
る。この変更は、Ｘ線の狭いスペクトル範囲およびエネ
ルギ振幅の非均一性を有するスペクトル範囲に依存する
ようなシンクロトロンビームにおいて非常に有効であ
る。厚さを変える様々な材料の選択を供給することによ
って、波長内容および振幅内容は単一の成分によって制
御される。
【００１２】本発明の別の特徴、利点および利得は、添
付図面と共に以下の説明において明らかとなるであろ
う。前記の一般的な説明および以下の詳細な説明が本発
明を限定するものではなく、例証的な説明であることを
理解すべきである。添付図面は本発明の実施例の１つを
示し、本発明の原理の説明を助ける。同様の符号は全て
の図面を通じて同様の部分を示す。
付図面と共に以下の説明において明らかとなるであろ
う。前記の一般的な説明および以下の詳細な説明が本発
明を限定するものではなく、例証的な説明であることを
理解すべきである。添付図面は本発明の実施例の１つを
示し、本発明の原理の説明を助ける。同様の符号は全て
の図面を通じて同様の部分を示す。
【００１３】
【実施例】図１を参照すると、本発明の目的のための典
型的な装置であるＸ線リソグラフシステム20が示され
る。それはＸ線ソース22、ビームライン24および整列装
置26を含む。Ｘ線ソース22は、真空において帯電粒子を
加速するための既知の装置であるシンクロトロンである
ことが好ましい。粒子は磁界における変化によって誘導
され、無線周波数電界によって閉じた通路において何回
も加速される。これらの小型リングソースは最も明るい
Ｘ線を生成し、加えて実質的な視準ビームを放射する。
しかしながら、これが図面によって示されるようなマイ
クロリソグラフの適用であることは要求されない。スペ
クトルを制御され、均一な振幅に制御されるＸ線を必要
とする任意のプロセスにも適用できる。
型的な装置であるＸ線リソグラフシステム20が示され
る。それはＸ線ソース22、ビームライン24および整列装
置26を含む。Ｘ線ソース22は、真空において帯電粒子を
加速するための既知の装置であるシンクロトロンである
ことが好ましい。粒子は磁界における変化によって誘導
され、無線周波数電界によって閉じた通路において何回
も加速される。これらの小型リングソースは最も明るい
Ｘ線を生成し、加えて実質的な視準ビームを放射する。
しかしながら、これが図面によって示されるようなマイ
クロリソグラフの適用であることは要求されない。スペ
クトルを制御され、均一な振幅に制御されるＸ線を必要
とする任意のプロセスにも適用できる。
【００１４】この例において、シンクロトロンはビーム
ライン24にＸ線放射のビーム26を放射する。ビームライ
ン24は、適当に真空にされた細長い管28を含む。シンク
ロトロン22に近い位置で好ましくはドーナツ型をした視
準ミラー30は管28内に位置されるが、グレージング入射
に金の被覆をした方形あるいは正方形で放射ビーム２６
の長く狭いファンを走査するために使用される。典型的
な取付けにおいて、ビームライン２４はシンクロトロン
22と整列装置26の間に３０フィート延在する。
ライン24にＸ線放射のビーム26を放射する。ビームライ
ン24は、適当に真空にされた細長い管28を含む。シンク
ロトロン22に近い位置で好ましくはドーナツ型をした視
準ミラー30は管28内に位置されるが、グレージング入射
に金の被覆をした方形あるいは正方形で放射ビーム２６
の長く狭いファンを走査するために使用される。典型的
な取付けにおいて、ビームライン２４はシンクロトロン
22と整列装置26の間に３０フィート延在する。
【００１５】管の内部には薄い炭素膜あるいは熱フィル
タ31があり、紫外線、可視放射および赤外線を遮断して
Ｘ線波長を通過させるために使用される。熱フィルタは
ビームライン24の残りの部品および整列装置26のこれら
の部品に伝送される熱を減少させる。
タ31があり、紫外線、可視放射および赤外線を遮断して
Ｘ線波長を通過させるために使用される。熱フィルタは
ビームライン24の残りの部品および整列装置26のこれら
の部品に伝送される熱を減少させる。
【００１６】Ｘ線ビーム27はビームライン24を通過し、
ビームラインの真空と整列装置26において通常使用され
るヘリウム雰囲気の間の圧力差に耐えるように使用され
る膜であるベリリウム窓32を通って出力される。ターゲ
ットウェーハ34は整列装置26において適当に可動に支持
され、例えばフォトレジストのような感光性材料の均一
の層が設けられる。ターゲットウェーハ34は、Ｘ線リソ
グラフシステム20の通常の動作中に使用されるパターン
を形成されたシリコン膜マスク36から約５０ミクロン間
隔が隔てられる。しかしながら、本発明の較正動作を実
行する目的のためには試験パターンマスク36が使用され
る。
ビームラインの真空と整列装置26において通常使用され
るヘリウム雰囲気の間の圧力差に耐えるように使用され
る膜であるベリリウム窓32を通って出力される。ターゲ
ットウェーハ34は整列装置26において適当に可動に支持
され、例えばフォトレジストのような感光性材料の均一
の層が設けられる。ターゲットウェーハ34は、Ｘ線リソ
グラフシステム20の通常の動作中に使用されるパターン
を形成されたシリコン膜マスク36から約５０ミクロン間
隔が隔てられる。しかしながら、本発明の較正動作を実
行する目的のためには試験パターンマスク36が使用され
る。
【００１７】各Ｘ線リソグラフシステム20がターゲット
ウェーハ34に到達する非均一な放射の独特で実質的に恒
久な特徴を示すことは、本発明者によって認識されたも
のである。これは、主として不完全な照準ミラーと、熱
フィルタ31、ベリリウム窓32およびＸ線膜マスク36にお
ける濃度変化によるものである。これらの放射変化を補
正することによって、ターゲットウェーハ34で要求され
る特定のパターンを達成することが可能である。経験か
ら、±２．０％の範囲およびそれより良好なパターンの
均一性がＸ線リソグラフを十分に実行するために必要と
されることが認められてる。
ウェーハ34に到達する非均一な放射の独特で実質的に恒
久な特徴を示すことは、本発明者によって認識されたも
のである。これは、主として不完全な照準ミラーと、熱
フィルタ31、ベリリウム窓32およびＸ線膜マスク36にお
ける濃度変化によるものである。これらの放射変化を補
正することによって、ターゲットウェーハ34で要求され
る特定のパターンを達成することが可能である。経験か
ら、±２．０％の範囲およびそれより良好なパターンの
均一性がＸ線リソグラフを十分に実行するために必要と
されることが認められてる。
【００１８】本発明によれば、適当に視準されたＸ線ビ
ーム27はマスク36がないときにはターゲットウェーハ34
に向けられる。システム20において存在する異常は、そ
れによってターゲットウェーハ34に与えられる。ウェー
ハは整列装置26から除去され、強度プロフィルあるいは
マップの形をとって結果的なパターンを現像するように
エッチング処理を受ける。エッチング処理は化学エッチ
ング、イオンビームエッチング、あるいは所望なパター
ンを達成するように適当なフォトレジスト材料を除去す
る別の適当な工程である。
ーム27はマスク36がないときにはターゲットウェーハ34
に向けられる。システム20において存在する異常は、そ
れによってターゲットウェーハ34に与えられる。ウェー
ハは整列装置26から除去され、強度プロフィルあるいは
マップの形をとって結果的なパターンを現像するように
エッチング処理を受ける。エッチング処理は化学エッチ
ング、イオンビームエッチング、あるいは所望なパター
ンを達成するように適当なフォトレジスト材料を除去す
る別の適当な工程である。
【００１９】図１において、参照符号34ａは、マップ、
すなわちマスク36がないときにＸ線放射から生ずる形状
を示している。図示されるように、マップ34ａは最高レ
リーフのプラトー38、連続的に低くなるレリーフのプラ
トー40，42および44、および最も低いプラトー46の端部
を含むパターンを示す。
すなわちマスク36がないときにＸ線放射から生ずる形状
を示している。図示されるように、マップ34ａは最高レ
リーフのプラトー38、連続的に低くなるレリーフのプラ
トー40，42および44、および最も低いプラトー46の端部
を含むパターンを示す。
【００２０】既知の方法において、適当に容易に取り外
し可能な装置によって管28に支持される炭素フィルタ31
は管28から除去される。それによって、マップ34ａの鏡
像としてその表面に付加的なフィルタ材料を付着する任
意の適当な処理を受ける。このため、一連の被覆マスク
はマップ34ａの形状に適合させるように生成される。こ
れらのマスクは、最も高いプラトー48で始まり、深いプ
ラトー50，52および54に続き、最も深いプラトー56で終
る順次深度の増加する一連の谷形のプラトーの形で生じ
る。最終的な結果は、変更された熱フィルタ31ａであ
る。
し可能な装置によって管28に支持される炭素フィルタ31
は管28から除去される。それによって、マップ34ａの鏡
像としてその表面に付加的なフィルタ材料を付着する任
意の適当な処理を受ける。このため、一連の被覆マスク
はマップ34ａの形状に適合させるように生成される。こ
れらのマスクは、最も高いプラトー48で始まり、深いプ
ラトー50，52および54に続き、最も深いプラトー56で終
る順次深度の増加する一連の谷形のプラトーの形で生じ
る。最終的な結果は、変更された熱フィルタ31ａであ
る。
【００２１】次に、Ｘ線リソグラフシステム20がマスク
36の使用によって動作され、変更されたフィルタ31ａを
含んでいる時には、ターゲットウェーハ34は特定なハー
ドウェアから生ずる本質的な異常を有するＸ線放射を受
けるのみならず、そのハードウェアはこれらの異常を完
全に相殺する作用をする変更されたフィルタ31ａによっ
て与えられる補正を受ける。この方法において、ターゲ
ットウェーハ34における結果的なパターンは正確であ
り、Ｘ線リソグラフシステム20における不完全性によっ
ては何等影響されない。この補正方法は、特定の強度の
振幅およびスペクトル内容を要求するＸ線シンクロトロ
ン放射を利用する任意の他のプロセスに対しても同様で
ある。
36の使用によって動作され、変更されたフィルタ31ａを
含んでいる時には、ターゲットウェーハ34は特定なハー
ドウェアから生ずる本質的な異常を有するＸ線放射を受
けるのみならず、そのハードウェアはこれらの異常を完
全に相殺する作用をする変更されたフィルタ31ａによっ
て与えられる補正を受ける。この方法において、ターゲ
ットウェーハ34における結果的なパターンは正確であ
り、Ｘ線リソグラフシステム20における不完全性によっ
ては何等影響されない。この補正方法は、特定の強度の
振幅およびスペクトル内容を要求するＸ線シンクロトロ
ン放射を利用する任意の他のプロセスに対しても同様で
ある。
【００２２】本発明の好ましい実施例が詳細に開示さ
れ、様々な別の変更が明細書において説明され、添付さ
れた特許請求の範囲に定められたような本発明の技術的
範囲を逸脱することなしに行われることは、当業者によ
って理解されるべきである。
れ、様々な別の変更が明細書において説明され、添付さ
れた特許請求の範囲に定められたような本発明の技術的
範囲を逸脱することなしに行われることは、当業者によ
って理解されるべきである。
【図１】本発明のＸ線リソグラフシステムを示している
概略図およびその一部分の切断図および断面図。
概略図およびその一部分の切断図および断面図。
20…Ｘ線リソグラフシステム，22…Ｘ線ソース、24…ビ
ームライン，30…視準ミラー，28…管，31…熱フィル
タ，34…ターゲットウェーハ，36…マスク。
ームライン，30…視準ミラー，28…管，31…熱フィル
タ，34…ターゲットウェーハ，36…マスク。
Claims (10)
- 【請求項１】 スペクトル的に制御され振幅が均一に制
御されるＸ線を必要とする適用のためのビームラインを
較正する方法において、 （ａ）光感性材料の均一な層をターゲットウェーハに設
け、 （ｂ）Ｘ線ソースからビームラインを通ってＸ線ビーム
を横断する平面に位置されたターゲットウェーハ上へビ
ームを導き、 （ｃ）ステップ（ｂ）から生ずるパターンを現像するよ
うにウェーハをエッチング処理し、それによってビーム
ラインが含まれる部分によって生じられる非均一性をま
ねた形状の表面を形成し、 （ｄ）電磁放射を阻止するためにＸ線ソースとターゲッ
トウェーハの間に炭素フィルタを設け、 （ｅ）フィルタ材料の１つ以上の付加的な層を炭素フィ
ルタの表面に供給してターゲットウェーハの表面の形状
に反比例する表面形状を有する変更された炭素フィルタ
を形成するステップを具備している較正方法。 - 【請求項２】 ビームラインがＸ線ビームを含むための
Ｘ線ソースからベリリウム窓を含んでいる反対側の端部
の閉鎖部まで延在している細長い排気された管を含み、 （ｆ）ターゲットウェーハ上へ受けるための方形のフォ
ーマットに細長い排気された管内のＸ線ビームを走査す
るステップを含んでいる請求項１記載の較正方法。 - 【請求項３】 ステップ（ｆ）が照準するドーナツ形を
したミラーの使用によって実行される請求項３記載の較
正方法。 - 【請求項４】 ステップ（ｃ）から生ずる形状表面が複
数の異なった形状のレベルを含み、それにおいてステッ
プ（ｅ）が、連続して複数のマスクを使用してマスク
し、炭素フィルタに付加的なフィルタ材料の複数の連続
層を供給するステップ（ｇ）を含んでいる請求項２記載
の較正方法。 - 【請求項５】 フィルタ材料の各付加的な層が低い原子
番号、高い融点、および低い蒸気圧の特性を有するＸ線
吸収材料を含む請求項２記載の較正方法。 - 【請求項６】 Ｘ線吸収材料が炭素およびタングステン
の少なくとも１つである請求項１記載の較正方法。 - 【請求項７】 Ｘ線ソースがシンクロトロンを具備する
請求項１記載の較正方法。 - 【請求項８】 システムが、Ｘ線ソースと、Ｘ線ソース
からベリリウム窓を含んでいる反対側の端部の閉鎖部ま
で延在している細長い排気された管を含みＸ線ソースか
らの放射のビームを含むために動作可能なビームライン
と、感光性材料の均一な表面を有しビームラインと整列
され、ベリリウム窓およびビームラインの外部から間隔
が隔てられているターゲットウェーハと、紫外線領域、
可視光線およびスペクトルの赤外線領域の波長を有する
電磁放射を阻止するためのＸ線ソースとターゲットウェ
ーハの間で細長い排気された管内に配置された炭素フィ
ルタと、およびターゲットウェーハ上で受ける方形のフ
ォーマットにＸ線ビームを走査する手段とを具備してい
るＸ線リソグラフに使用されるシステムを較正するため
の変更された炭素フィルタを生成する方法において、 （ａ）光感性材料の均一な層をターゲットウェーハに供
給し、 （ｂ）Ｘ線ソースからビームラインを通ってＸ線ビーム
を横断する平面に位置されたターゲットウェーハへビー
ムを導き、 （ｃ）ステップ（ｂ）から生ずるパターンを現像するよ
うにウェーハをエッチング処理し、それによってビーム
ラインが含まれる部分によって生じられる非均一性をま
ねる形状の表面を形成し、 （ｄ）紫外線領域、可視光線およびスペクトルの赤外線
領域の波長を有する電磁放射を阻止するためにＸ線ソー
スとターゲットウェーハの間に炭素フィルタを設け、 （ｅ）フィルタ材料の１つ以上の付加的な層を炭素フィ
ルタの表面に供給してターゲットウェーハの表面形状に
反比例する表面を有する変更された炭素フィルタを形成
するステップを具備している炭素フィルタの生成方法。 - 【請求項９】 フィルタ材料の各付加的な層が低い原子
番号、高い融点、および低い蒸気圧の特性を有するＸ線
吸収材料を含む請求項８記載の炭素フィルタの生成方
法。 - 【請求項１０】 フィルタ材料の各付加的な層が低い原
子番号、高い融点、および低い蒸気圧の特性を有するＸ
線吸収材料を含む請求項９記載の炭素フィルタの生成方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US804867 | 1991-12-06 | ||
| US07/804,867 US5204886A (en) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | Method of improving an x-ray lithography beamline uniformity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267125A JPH05267125A (ja) | 1993-10-15 |
| JPH0732119B2 true JPH0732119B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=25190056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4326885A Expired - Lifetime JPH0732119B2 (ja) | 1991-12-06 | 1992-12-07 | Ｘ線リソグラフビームラインの均一性を改善する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5204886A (ja) |
| EP (1) | EP0545700A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0732119B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3187581B2 (ja) * | 1992-02-10 | 2001-07-11 | キヤノン株式会社 | Ｘ線装置、ｘ線露光装置及び半導体デバイス製造方法 |
| US5485498A (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-16 | Motorola, Inc. | X-ray interface and condenser |
| US5965065A (en) * | 1994-12-05 | 1999-10-12 | Powell; Stephen Forbes | Method of filtering x-rays |
| US5548625A (en) * | 1995-03-02 | 1996-08-20 | Motorola, Inc. | Method for parallel multiple field processing in X-ray lithography |
| KR100206804B1 (ko) * | 1996-08-29 | 1999-07-01 | 구자홍 | 하일라이트 부분 자동 선택 녹화 방법 |
| US6289076B1 (en) | 1997-05-06 | 2001-09-11 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Transmission system for synchrotron radiation light |
| DE19963588C2 (de) * | 1999-12-29 | 2002-01-10 | Zeiss Carl | Optische Anordnung |
| US8721778B2 (en) * | 2009-09-18 | 2014-05-13 | Koninklijke Philips N.V. | Foil trap device with improved heat resistance |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4286167A (en) * | 1979-05-14 | 1981-08-25 | Varian Associates, Inc. | Multi-element X-ray equalizing filter |
| US4831640A (en) * | 1986-05-14 | 1989-05-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Illumination system for x-ray lithography |
| US4868857A (en) * | 1987-10-30 | 1989-09-19 | Duke University | Variable compensation method and apparatus for radiological images |
-
1991
- 1991-12-06 US US07/804,867 patent/US5204886A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-03 EP EP92311022A patent/EP0545700A1/en not_active Ceased
- 1992-12-07 JP JP4326885A patent/JPH0732119B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0545700A1 (en) | 1993-06-09 |
| JPH05267125A (ja) | 1993-10-15 |
| US5204886A (en) | 1993-04-20 |
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