JPS59187137U - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS59187137U
JPS59187137U JP8282583U JP8282583U JPS59187137U JP S59187137 U JPS59187137 U JP S59187137U JP 8282583 U JP8282583 U JP 8282583U JP 8282583 U JP8282583 U JP 8282583U JP S59187137 U JPS59187137 U JP S59187137U
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JP
Japan
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duct
semiconductor manufacturing
manufacturing equipment
end opening
carrier
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Application number
JP8282583U
Other languages
English (en)
Inventor
秋草　誠
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は従来の半導体製造装置（ＣＶＤ装置
）の概略側面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図及び
第４図は本考案の一実施例を示す要部斜視図及びＢ−Ｂ
線に沿う断面図である。　　　−１・・・搬送体、４・
・・半導体ウェーハ、６・・・ガス供給ヘッド、１２・
・・２重ダクト、１６・・・外側ダクト、１７・・・内
側ダクト、１９．２１・・・下端開口。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 搬送体上に載置されて加熱された状態にある半導体ウェ
    ーハ上に所望のガスを吹き付けるガス供給ヘッドを有す
    るＣＶＤ装置における前記ガス供給ヘッドの側方と上方
    を囲う下端開口形２重独立構造のダクトを配備し、当該
    ２重ダクトの外側ダクトの下端開口より前記搬送体に向
    は不活性ガスを供給すると共に、内側ダクトの下端開口
    より排気を行うようにしたことを特徴とする半導体製造
    装置。
JP8282583U 1983-05-30 1983-05-30 半導体製造装置 Pending JPS59187137U (ja)

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JP8282583U JPS59187137U (ja) 1983-05-30 1983-05-30 半導体製造装置

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JPS59187137U true JPS59187137U (ja) 1984-12-12

Family

ID=30212783

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583223A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583223A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

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