JPS583223A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS583223A
JPS583223A JP10159181A JP10159181A JPS583223A JP S583223 A JPS583223 A JP S583223A JP 10159181 A JP10159181 A JP 10159181A JP 10159181 A JP10159181 A JP 10159181A JP S583223 A JPS583223 A JP S583223A
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JP
Japan
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nozzle
gas
substrates
semiconductor device
atmosphere
Prior art date
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Pending
Application number
JP10159181A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Minamida
南田　敏彦
Tsunehisa Ueno
上野　恒久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP10159181A priority Critical patent/JPS583223A/ja
Publication of JPS583223A publication Critical patent/JPS583223A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

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  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Metallurgy (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置の製造に係）、特にＣＶＤ　（Ｃ
ｋ＠ｍｌ＠ａｌ　Ｖａｐ＠ｕｒ旦５ｐｅｓｔｔｌａｎ　
）法により半導体基板上に膜を形成する方法に関する。
従来、半導体基板上に絶縁膜を形成するものとして、例
えば第１図に示すような連続ＣＶＤ装置がある。同図に
おいて、１はＢＩＨ４Ｃシラン）、０２（酸素）、Ｎ、
（窒素）及びドーＩ４ントガスなどで、このノズル１の
下方を矢印ａ方向に＄動する搬送体２上に載置され九複
数の半導体基板Ｓが搬送されるようになっている。すな
わち、上記基１［３がノズル１下を移動する際に上記混
合ガスの反応によ〕生じえ絶縁膜（８１Ｇ、）が！！板
板上上形成されるものである。４は石英（８１０，）で
形成されノズル１の周Ｉ！を覆うように設けられたカバ
ーで、この力／４−４とノズル１との間の空間を、ノズ
ル１から噴出され反応しなかり　５た混合ガスが通り、
ダクト５から外部に排出されるようになっている。
しかしながら、このＣ′％ｒＤ装置においては、基板３
上に形成され九絶縁膜の膜質が一定しない欠点が６つ九
。この膜質が一定しない理由としては、基板３がノズル
１直下に位置するまでは大気にさらされている点、又、
ノズル１０両端部（■、＠で示す）とノズル１の中央部
（θで示す）とでこのガス雰囲気が異なることが考えら
れる。すなわち、ノズル１かも噴出された浬流れるため
、この両端部において要目Ｏ空気が同時に吸入される状
態となる良めである。従って基板３がノズル１下を１回
通過すると少なくとも３ｍ１６１の膜質が生成されるこ
とになる。
この発明は上記実情に―みてなされたもので、その目的
社、基板に対し安定した膜質の膜を形成できる半導体装
置の製造方法を提供することにある。
以下、図面會参照してこの発明の一実施例を説明する。
第２図において、１１は従来例で示したものと同様に、
８１Ｈ４＝　０２ｅ　Ｎ２＃　ドーパントガスなどの混
合ガスを下方に向けて噴出するガスノズルで、このノズ
ル１−１ｔ）下方を矢印ａ方向に移動する搬送体１２上
に截置された複数の半導体基１［ＪＪが搬送されるよう
になっている。
また、１４は例えばＳ１Ｏ，（石英）で形成されノズル
１１の周囲を覆うように設けられた内部カッ４　＋＋、
ｌ　Ｊはこの内部カバー１４の周囲で上記基板１ｊの搬
送される範囲全体を覆うように設けられた外部カバーで
、この外部カバ−１５０内部社不活性ガスＷｌ！気、例
えばに、宴−気状態となっている。この外部カバー１８
％内部力／者−１４と同様石英で形成される。そして、
上記ノズル１１の上面部には、第３図に示すようにノズ
ル１１の後方に向けて内部カバー１４及び外部カバーＩ
Ｊの側面を貫通するようにダクト１６が設けられ−てい
る。
すなわち、このＣＶＤ装置においては、基板１３が搬送
される範囲全体にわたってＮ２雰囲気になりているため
、ノズル１１の両端部の、＠から混合ガスと共に空気が
ダクト１６に向けて吸入されることがなくなる。このた
め、ノズル１１の両端部■、＠と中央部θにおいてはガ
ス雰囲気が同じとなり、基板ＪＪＫ形成される膜質が略
均−になる。また、外部カバー１５により、膜形成前の
基板ＩＳＯ温度の均一性が保九れ、さらＫはゴミ等の影
響を防止することができ、膜質が向上する。
以上のようにこの発明によれば、連続ＣＶＤ装置におい
て、基板の搬送される範囲全体を不活性ガス雰囲気にし
たので安定した膜を形成できる半導体装置の製造方法を
提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の連続ｃｖｎ　ｍ置の構成を示す横断面図
、第２図はこの発明の一実施例に係る連続（至）装置の
構成を示す横断面図、第３図は同じく縦断面図である。 １１−ガスノズル、ＪＪ・・・搬送体、１３・・・半導
体基板、１４−内部カバー、１Ｍ・・・外部カバー、Ｉ
ＬＩ−・・ダクト。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ２種類以上のガス状物質を噴出するガスノズル下を半導
    体基板を搬送させることにより、該基板上に前記ガス状
    物質の化学反応により生じた固体物質を堆積させる半導
    体装置の製造方法において、前記基板の搬送され諷範囲
    全体を不活性ガス雰囲気にし九ことを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
JP10159181A 1981-06-30 1981-06-30 半導体装置の製造方法 Pending JPS583223A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59187137U (ja) * 1983-05-30 1984-12-12 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置
US4912000A (en) * 1988-02-05 1990-03-27 Japan Atomic Energy Research Institute Electrophotographic photoreceptor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4916221A (ja) * 1972-06-07 1974-02-13
JPS509629A (ja) * 1973-05-29 1975-01-31
JPS53105366A (en) * 1977-02-25 1978-09-13 Hitachi Ltd Manufacture for semiconductor element substrate

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