JPS59183527A - トランジスタのベ−ス駆動回路 - Google Patents

トランジスタのベ−ス駆動回路

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JPS59183527A
JPS59183527A JP58057942A JP5794283A JPS59183527A JP S59183527 A JPS59183527 A JP S59183527A JP 58057942 A JP58057942 A JP 58057942A JP 5794283 A JP5794283 A JP 5794283A JP S59183527 A JPS59183527 A JP S59183527A
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JP
Japan
Prior art keywords
transistor
base
collector
current
main
Prior art date
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Pending
Application number
JP58057942A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiro Nomura
野村 年弘
Takami Kagoya
加護谷 隆己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS59183527A publication Critical patent/JPS59183527A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06Modifications for ensuring a fully conducting state

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技稽分野〕 本発明は、大電力を扱うバイボーシ形のパワートランジ
スタの如き、トランジスタを高速スイッチングするため
のベース駆動回路に関する本のである。この種のベース
駆動回路としては、当該トランジスタの高速スイッチン
グを可能にし、かつその導通時における電圧降下(以下
、オン電圧降下とも云う)を低くあらしめることのほか
、その消*電力が可能な限シ、低いものであることが望
ましい。
〔従来技術とその問題点〕
第1図は消費電力の低減を1つた既提案にかかる従来の
トランジスタのベース駆動回路(以下、ベース電流節約
形のベース駆動回路と云うこともある)を示す回路図で
ある。
同図において、9はパワートランジスタである主トラン
ジスタ80ベース駆動回路であシ、直列に接続した2つ
の直流電源10.11の途中の分岐点を基準電位(アー
ス)とし、直流電源10のプラスll1ll端子をNP
N型補助トランジスタ3のコレクタ端子に接続し、トラ
ンジスタ3のエミッタ端子をPNP型補助トランジスタ
4のエミッタ端子と接続し、トランジスタ4のコレクタ
端子を直流電源11のマイナス側端子と接続する。
入力信号端子を抵抗器1を介して分岐し、それぞれトラ
ンジスタ3及び40ベース端子に接続し、同分岐点にコ
レクタキャッチャダイオード5のアノード端子を接続し
、ダイオード50カソード端子を主トランジスタ8のコ
レクタ端子に接続する。
また、補助トランジスタ3,4のエミッタ端子間の接続
を分岐し、主トランジスタ8のベース端子に接続する。
次に動作について説明すると、入力信号が正転すると、
トランジスタ3がオンし、直流電源10からの一定電流
iB8が主トランジスタ80ベースに流れ、トランジス
タ8i1.オンする。トランジスタ80ベース電流iB
8は、トランジスタ8のコレクタ電流108(負荷電流
量0+ダイオード5の電流1c5)を増幅率hFKで割
ったものであるから、1B8= tc8/hpE()ラ
ンジスタ8の電流増幅率)= io+1c5/hrg 
()ランジスタ8の電流増幅率)とカシ、負荷電流io
の変化に従って第2囚に示すように変化する。
一方、トランジスタ30ベース電流IB3は、tn3=
tn8/hrh ()ランジスタ3の電流増幅率)であ
ることから 1 B3 = i cs/hpg()ランジスタ8の電
流増幅率)・hFE(トランジスタ3の電流増幅率) = io +I C5/h FE ()ランジスタ8の
電流増幅率)・hFE(トランジスタ3の電流増幅率)
となシ、トランジスタ3のベース電流jB3ノうち余分
な分は、キャッチャダイオード5を介して主トランジス
タ8のコレクタに流れる。
コレクタキャッチャダイオード5がらの電流iC5は主
トランジスタ8のターンオフを速めることになる。
次に、入力信号が反転するとトランジスタ3がオフし、
トランジスタ4がオンして、逆バイアス電流が流れ始め
、主トランジスタ8はターンオフタイム(蓄積時間+下
降時間)後、オフする。
以上述べたように、本回路によれば、ベース駆動回路の
コレクタキャッチャダイオードに流れる電流は非常に微
少であシ、また主トランジスタのベース駆動に必要な電
力は主トランジスタの実際のコレクタ電流の大小に比例
したものとなるので、無駄な電力を消費せずにすむもの
である(以上、詳しくは特開昭57−78223号公報
を参照されたい)。
以上に説明した如き、ベース電流節約形のベース駆動回
路は、ベース電流を主回路電流に見合った必要なだけ流
すことによシ、 (1)パワートランジスタのオンを活性状態にしてター
ンオフ時間を短縮する、 (2)ベース駆動回路の消費電流を必要最小限に押えて
ベース駆動回路の省エネ、小形@量化、コスト低減等を
図る、 (3)  コレクタキャッチャダイオードの通電電流が
2〜3桁小さくなる、 などの諸効果を奏するものであるが、パワートランジス
タのオン電圧降下を下げて主回路の損失を低く押えると
いう点については、未だ充分でないという欠点があった
〔発明の目的〕
本発明は、上述の如き従来技術の欠点を改善するために
なされたものであシ、従って本発明の目的は、ベース電
流節約形のベース駆動回路において、パワートランジス
タである主トランジスタのオン電圧降下を下げて主回路
の損失を低く押える仁とを可能にしたベース駆動回路を
提供することにある。
〔発明の要点〕
本発明の構成の要点は、ベース電流節約形のベース駆動
回路において、その消費電力が、増加しない範囲で主ト
ランジスタのオン電圧降下が最低になるように、コレク
タキャッチャダイオードの種類および(または)直列接
続個数を選定した点にある。
〔発明の実施例〕
第3図は本発明の一実施例を示す回路図である。
同図は、第1図に示した既提案にかかる電流節約形のベ
ース駆動回路と見かけ上ではほとんど変わる所がない。
唯、実際に使用される使い方に近い形で回路図が描かれ
ているので、補助トランジスタ3は、高い電流増幅率の
得られるダーリントントランジスタで構成され、主トラ
ンジスタ8も、エミッタ・ベース間過電圧保護が可能で
スイッチング特性のよいダーリントントランジスタで構
成されている。
そのほか、0は入力信号の増幅回路、lC3は補助トラ
ンジスタ3のコレクタ電流、icDはコレクタキャッチ
ャダイオード5の通tt流、1oij−負荷電流(主回
路電流)、iB8は主トランジスタ80ベース電流、v
CDはダイオード5による電圧降下、■BE3はダーリ
ントントランジスタ3のベース・エミッタ間電圧% ■
BE8は主トランジスタ8のベース・エミッタ間電圧、
である。
第3図に示した本発明の実施例が第1図に示した既提案
にかかる電流節約形のベース駆動回路と相違する点は、
コレクタキャンチャダイオード5に関する点であるが、
以下、このことが良く理解できるように、必要な図面を
参照しながら説明を進める。
第4図は、ベース駆動回路の消費′fIl流について、
ベース電流節約形の駆動回路(第1図)とそれ以外の従
来の駆動回路を比較して示したグラフである。同図に見
られるように、ベース駆動回路の消費電流すなわちic
3又はiB8が主(ロ)路電流10の許容最大電流値付
近に於ては大差ないが、常用定格電流値付近では大差が
あり、ベース電流節約形が、それ以外のものに比し有効
であることが判る。
第5図は、コレクタキャッチャダイオードを有しない非
節約形のベース駆動回路(第1fiQ[訃いてダイオー
ド5を除去して成るベース駆動回路)の特性例を示した
グラフで、主トランジスタ8に一定のベース電流iB8
を流しておき、主回路電流lo  を増減させたときに
おける主トランジスタ8の各部端子間電圧であるVBI
i、s (ベース・エミッタ間電圧)、 VcEg  
(コレクタ・エミッタ間電圧)、Vncs  (ベース
・コレクタ間電圧)の変化を示している。
第6図は節約形のベース駆動回路(第1図)における主
トランジスタ8のオン電圧降下(導通時における電圧降
下VcEg’ )を構成する各成分電圧の説明図である
。同図からオン電圧降下VCIJ’は次式で表わされる
ことが判る。
VCEII!’= VBE8 + VBE5  VCD
’但し、 VCD’は、主トランジスタ80オン時にお
けるコレクタキャッチャダイオード5による電圧降下を
示す。
第7図は、本発明の一実施例(第3図)において、コレ
クタキャッチャダイオード5を構成するダイオードの直
列接続個数を1個(’1個で表わす)から3個(・・参
の如く、3個の−で衣わす)までパラメータとして変化
させたときに、主回路電流to  の増減に対して得ら
れるオン電圧降下を示したグラフである。
同図において、3直列の■cE8#′が最もオン電圧降
下が低く良好であることがわかる。しかし直列接続個数
を4個にすると央験では補助トランジスタが深くオンし
たままとなり、ベース電流節約の効果が失われてベース
電流が過大に流れ好ましくないことがわかっている。こ
れはダイオード5のえん層電圧によるドロップを大とし
て、オン電圧降下を低くすることが出来るが、第5図に
示す如きパワートランジスタ本来のオン電圧降下VCE
gより低くすることは出来ないことを示している。
このようにダイオード5の直列個数を選ぶこと、場合に
よってはその種類すなわち筒速ダイオード。
低速ダイオード、ゲルマニュームダイオード、セレンダ
イオード、ショットキーバリヤダイオード等、色々な8
i類の中からえん層箱7圧の異なるものを組み合わせて
用いることにより、ベース電流節約という効果を失なわ
ずに、主トランジスタのオン電圧降下を低くできる最適
のコレクタキヤツデヤダイオードを得ることかできる。
この考え方は第8図に示す如< VcBsで考えれば VCB8” VBE5−VCD” という関係から判るように、関係式の右辺に主トランジ
スタ8の特性が直接関係してこない。
主トランジスタ8のvCBIIの特性がシングルトラン
ジスタ、ダーリントントランジスタ、三重ダーリントン
トランジスタ等の構成の違いによりほとんど変わらない
ことから、この最適のダイオード5を構成する組合せは
補助トランジスタ3とかIcDの電流値等の設計条件が
変わらなければ、主トランジスタ8が変わっても、変え
る必些かないという大きな特長がある。
しかし前述のVBE5およびVCDはそれぞれ半導体の
PN接合によるえん層電圧によるものであるからひとつ
の接合蟲p約−2〜3 mv/Cの負の温度特性をもっ
ている。もしもVBE5の電圧がトランジスタ3の温度
上昇で低下しfc場合、ダイオード5の電圧が充分高い
と本来のvncaに■Bc8#が近付いて、ベース電流
節約効果が失われるおそれがある。このときトランジス
タ3 VCは大きな電流が流れてさらに過熱するのでこ
の不具合は正帰還的に、熱暴走的に発展し、111i速
スイツチング能力を失うと同時にトランジスタ3を焼損
してオフ能力を失うことになる。
この様なおそれをなくすためには、トランジスタ3とダ
イオード5を熱的に結合しておけばよい。
実用的には第9図に示す如く軽く接着材22でトランジ
スタ3とダイオード5の間をつなぐだけでもよいし、ト
ランジスタ3とダイオード5を接近させて配置してその
全体を樹脂モールドしてもよいし、同一部品内に組み込
んでもよい。この様に少なくともトランジスタ3と同一
のPN接合数例えば2枚だけでも熱結合してやれば前記
暴走のおそれはなくなる。なお、21はプリント板であ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、ベースを流節約
形のベース駆動回路において、主トランジスタのオン電
圧降下を充分に下けて主回路の損失を低く押え得るとい
う利点がある。さらに、オン電圧降下を下げることが出
来れば、そのようなベース駆動回路の適用可能範囲も拡
大することは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は既提案にかかる従来のトランジスタのベース駆
動回路を示す回路図、第2図は第1図における各部の動
作波形を示す波形図、第3図は本発明の一災施例を示す
回路図、第4図はベース駆動回路の消費電流についてベ
ース電流節約形の駆動回路とそれ以外の従来の駆動回路
を比較して示したグラフ、第5図はコレクタキャッチャ
ダイオードを有しない非節約形のベース駆動回路におけ
る特性例を示したグラフ、第6図は節約形のベース駆動
回路における主トランジスタのオン電圧降下を構成する
各成分電圧の説明図、第7図は本発明の実施例において
、コレクタキャッチャダイオードを構成するダイオード
の直列接続個数をパラメータとして変えたときに、主回
路電流toの増減に対して得られるオン電圧降下を示し
たグラフ、@8図は同様に主回路電流IQの増減に対し
て得られる主トランジスタ8のコレクタ・ベース間電圧
VCBを示したグラフ、第9図は第3図において補助ト
ランジスタ3とダイオード5の間で熱的結合を行なう場
合の具体的構成例を示した説明図、である。 符号説明 0・・・増幅回路、1・・・抵抗器、3.4・・・補助
トランジスタ、5・・・コレクタキャンチャダイオード
、8・・・主トランジスタ(パワトランジスタ)、9・
・・ベース駆動回路、10.11・・・直流電源、21
・・・プリント板、22・・−接着材 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 代理人 弁理士 扮 崎   清 第1図 7 一−−−−−−−ゴーー”−−”’−−−’−]第2図 −】:ンオフグイム lβδ(1?酷°−スし丸)OA −i−一一<===
=1し2−第 3 図 @4図 □負殉電流i。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)共通な入力信号源によpベース駆動されるj1バイ
    アス用および逆バイアス用の各補助トランジスタを直流
    電源を介して直列に接続し、前記補助トランジスタの工
    之ツタ端子を主トランジスタのベース端子に接続すると
    共に、該主トランジスタのコレクタ端子と前記補助トラ
    ンジスタのベース端子との間にコレクタキャッチャダイ
    オードを接続し、前記入力信号源による前記補助トラン
    ジスタのベース駆動によシ前記主トランジスタをスイッ
    チングするようにしたトランジスタのベース駆動回路に
    おいて、その消費電力が増加しない範囲で前記主トラン
    ジスタの導通時における電圧降下が最低になるように、
    前記コレクタキャッチャダイオードの種類および(tた
    社)直列接続個数を選定したことを%徴とするトランジ
    スタのベース駆動回路。 2、特許請求の範囲第1項に記載のベース駆動回路にお
    いて、前記コレクタキャッチャダイオードと順バイアス
    用補助トランジスタとの間に熱的結合をもたせたことを
    特徴とするトランジスタのベース駆動回路。
JP58057942A 1983-04-04 1983-04-04 トランジスタのベ−ス駆動回路 Pending JPS59183527A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778223A (en) * 1980-11-01 1982-05-15 Fuji Electric Co Ltd Base driving circuit for transistor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778223A (en) * 1980-11-01 1982-05-15 Fuji Electric Co Ltd Base driving circuit for transistor

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