JPS59182968A - イオンエツチング装置 - Google Patents
イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59182968A JPS59182968A JP5510083A JP5510083A JPS59182968A JP S59182968 A JPS59182968 A JP S59182968A JP 5510083 A JP5510083 A JP 5510083A JP 5510083 A JP5510083 A JP 5510083A JP S59182968 A JPS59182968 A JP S59182968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- chamber
- grid electrode
- ion
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、イオンビームの平行性が良（、半導体やバブ
ルメモリ等の微細加工に適したイオンエツチング装置に
関する。
ルメモリ等の微細加工に適したイオンエツチング装置に
関する。
従来用いられているイオンエツチング装置の一例を第１
図に示す。イオン加速用のグリッド電極１を介して、プ
ラズマ室２とエツチング室３に分離された構造になって
いる。プラズマ室内部にはフィラメント４、アノード５
が配置され、その周囲には電子飛行距離を伸ばしてプラ
ズマ化効率を上げるために磁界発生用コイル６が巻かれ
ている。エツチング室には、イオン中和のための中和器
７、ウェーハホルダ９が配置され、ウェーハホルダの上
に加工対象のウェーハ８が載置される。上記の構造を持
ち、平行なイオンビームがウェーハに衝突するようにし
たイオンエツチング装置は、半導体等の微細パターンの
加工に適しているとされている。しかし、本発明者は、
後述する実験結果から、上記従来の装置では必ずしもイ
オンビームの平行性が十分ではなく、微細パターンの加
工に用いて、所望の断面形状のパターンを得難いという
問題があることを見いだした。
図に示す。イオン加速用のグリッド電極１を介して、プ
ラズマ室２とエツチング室３に分離された構造になって
いる。プラズマ室内部にはフィラメント４、アノード５
が配置され、その周囲には電子飛行距離を伸ばしてプラ
ズマ化効率を上げるために磁界発生用コイル６が巻かれ
ている。エツチング室には、イオン中和のための中和器
７、ウェーハホルダ９が配置され、ウェーハホルダの上
に加工対象のウェーハ８が載置される。上記の構造を持
ち、平行なイオンビームがウェーハに衝突するようにし
たイオンエツチング装置は、半導体等の微細パターンの
加工に適しているとされている。しかし、本発明者は、
後述する実験結果から、上記従来の装置では必ずしもイ
オンビームの平行性が十分ではなく、微細パターンの加
工に用いて、所望の断面形状のパターンを得難いという
問題があることを見いだした。
本発明の目的は、上記従来技術の如き問題がない、イオ
ンビームの平行性が十分良好なイオンエツチング装置を
提供することにある。
ンビームの平行性が十分良好なイオンエツチング装置を
提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、イオン加
速用のグリッド電極の周囲にプラズマ室側からの漏れ磁
界低減用のコイルあるいは磁石を配置した。またグリッ
ド電極中心磁界の強さを±０．２０ｅ以内に抑制と７で
良好な結果を得た。
速用のグリッド電極の周囲にプラズマ室側からの漏れ磁
界低減用のコイルあるいは磁石を配置した。またグリッ
ド電極中心磁界の強さを±０．２０ｅ以内に抑制と７で
良好な結果を得た。
本発明者はプラズマ化効率向上のためプラズマ室の周囲
に巻いたコイルによる漏れ磁界が、イオン加速用グリッ
ド電極近傍においてかなり強く、この磁界の影響でイオ
ンビームの平行性が損なわれていることを実験により確
認した。プラズマ化効率向上の為にプラズマ室内の磁界
はある程度以上必要であるから、前記プラズマ室の周囲
のコイルとは別に、加速用グリッド電極の周囲にグリッ
ド電極近傍の漏れ磁界低減のため、漏れ磁界と逆方向の
磁界を発生する専用のコイルまたは磁石を配置すること
としたのである。
に巻いたコイルによる漏れ磁界が、イオン加速用グリッ
ド電極近傍においてかなり強く、この磁界の影響でイオ
ンビームの平行性が損なわれていることを実験により確
認した。プラズマ化効率向上の為にプラズマ室内の磁界
はある程度以上必要であるから、前記プラズマ室の周囲
のコイルとは別に、加速用グリッド電極の周囲にグリッ
ド電極近傍の漏れ磁界低減のため、漏れ磁界と逆方向の
磁界を発生する専用のコイルまたは磁石を配置すること
としたのである。
まず発明者の行った実験について述べる。第２図に、イ
オンビームの平行性を調べるために用いた治具を示す。
オンビームの平行性を調べるために用いた治具を示す。
スリット１０を通過したイオンビームが、ウェーハ１１
の表面をエツチングする。
の表面をエツチングする。
このエツチング跡から、同図に示すようにメインビーム
の拡がり角ぼとビーム分散角βを求めることが出来る。
の拡がり角ぼとビーム分散角βを求めることが出来る。
第４図に、こうして測定した分散角α、βの最大値と、
漏れ磁界の強さの関係を示す。この図から明らかなよう
に、従来の装置では漏れ磁界の強さがかなり強く、α、
βはそれぞれ３０度、２５度程度であったが、漏れ磁界
が小さくなるに従って、分散角α、βも共に減少し、グ
リッド電極中心での漏れ磁界が（Ｌ２０ｅ以下になると
、αの最大値は７変度度に、βの値も１５度度程に低下
し、平行性の良いイオンビームが得られることが判明し
た。
漏れ磁界の強さの関係を示す。この図から明らかなよう
に、従来の装置では漏れ磁界の強さがかなり強く、α、
βはそれぞれ３０度、２５度程度であったが、漏れ磁界
が小さくなるに従って、分散角α、βも共に減少し、グ
リッド電極中心での漏れ磁界が（Ｌ２０ｅ以下になると
、αの最大値は７変度度に、βの値も１５度度程に低下
し、平行性の良いイオンビームが得られることが判明し
た。
本発明実施例では、第３図（ａ）に示すコイル１２や、
（ｂ）に示す磁石１３を、加速用グリ・ノド１掻１の周
囲に配置して、プラズマ室の周囲に巻いたプラズマ化効
率向上用コイルの漏れ磁界と逆方向の磁界を発生させ、
グリッド電極近傍における磁界を弱めてイオンビームの
平行性を向上させ、良好な結果を得た。
（ｂ）に示す磁石１３を、加速用グリ・ノド１掻１の周
囲に配置して、プラズマ室の周囲に巻いたプラズマ化効
率向上用コイルの漏れ磁界と逆方向の磁界を発生させ、
グリッド電極近傍における磁界を弱めてイオンビームの
平行性を向上させ、良好な結果を得た。
以上説明したように本発明によれば、イオンビームの平
行性が良くなり、かつ、十分なイオンと一ム電流がとれ
るので、大面積にわたって所望の断面形状をもつパター
ンがｐ７られ、作業効率、歩留りが向上した。
行性が良くなり、かつ、十分なイオンと一ム電流がとれ
るので、大面積にわたって所望の断面形状をもつパター
ンがｐ７られ、作業効率、歩留りが向上した。
第１図は従来のイオンエツチング装置を示す図、第２図
はイオンビームの分散角を測定する方法を示す図、第３
図（ａ）は本発明に係る漏れ磁界低減用コイルを示す閏
、同図（ｂ）は漏れ磁界低減用硝石を示す図、第４図は
加速用グリッド電極中心における磁界の強さとイオンビ
ーム分散角α、βの関係を示す図である。 １−イオン加速用グリッド電極、２−・−プラズマ室、
３−・・エツチング室、４−フィラメント、５・−アノ
ード、６−プラズマ化効率向上用コイル、７−中和器、
８・−ウェーハ、９−・−ウェーハホルダ、１（Ｌ−一
−−スリット、１１・−ウェーハ、１２・−・・漏れ磁
界低減用コイル、１３−・−漏れ磁界低減用磁石。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 、
はイオンビームの分散角を測定する方法を示す図、第３
図（ａ）は本発明に係る漏れ磁界低減用コイルを示す閏
、同図（ｂ）は漏れ磁界低減用硝石を示す図、第４図は
加速用グリッド電極中心における磁界の強さとイオンビ
ーム分散角α、βの関係を示す図である。 １−イオン加速用グリッド電極、２−・−プラズマ室、
３−・・エツチング室、４−フィラメント、５・−アノ
ード、６−プラズマ化効率向上用コイル、７−中和器、
８・−ウェーハ、９−・−ウェーハホルダ、１（Ｌ−一
−−スリット、１１・−ウェーハ、１２・−・・漏れ磁
界低減用コイル、１３−・−漏れ磁界低減用磁石。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、周囲にプラズマ化効率を向上させる為に磁界発生用
のコイルを巻いたプラズマ室と、被加工物を置くエツチ
ング室と、前記画室の中間に介在する静電加速用のグリ
ッド電極とを備え、不活性ガス或いは反応性ガスを前記
プラズマ室でイオン化し、このイオンを前記グリッド電
極で加速して前記エツチング室中の被加工物に衝突させ
る方式のイオンエツチング装置において、前記グリッド
電極の周囲にプラズマ室側からの漏れ磁界低減用のコイ
ルあるいは磁石を配置したことを特徴とするイオンエツ
チング装置。 ２、グリッド電極中心における漏れ磁界の強さが±０．
２０ｅ以内になるようにした特許請求の範囲第１項記載
のイオンエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5510083A JPS59182968A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5510083A JPS59182968A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182968A true JPS59182968A (ja) | 1984-10-17 |
Family
ID=12989325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5510083A Pending JPS59182968A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182968A (ja) |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP5510083A patent/JPS59182968A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63184333A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| JPS59232420A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS59182968A (ja) | イオンエツチング装置 | |
| JP3325393B2 (ja) | イオン性アルミニウムの製造方法及び装置 | |
| JPH06252096A (ja) | 半導体加工装置 | |
| JPH0535537B2 (ja) | ||
| JPS627879A (ja) | イオンエツチング装置 | |
| CN113707528B (zh) | 一种离子源挡片、离子刻蚀机及其使用方法 | |
| JPH0310224B2 (ja) | ||
| JPS61248428A (ja) | 表面処理方法および装置 | |
| JPH11340202A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP2005116787A (ja) | イオンミリング装置 | |
| JPH02224239A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPS5985870A (ja) | イオンエツチング装置 | |
| JPH0668961B2 (ja) | 高速原子線源 | |
| JPH0336907B2 (ja) | ||
| JP3016940B2 (ja) | 電子ビーム励起式プラズマ処理装置 | |
| JP2610477B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH03266429A (ja) | イオンビームエッチング装置 | |
| JPH05205682A (ja) | イオン源装置 | |
| JPH06280059A (ja) | 電子ビーム励起プラズマ発生装置 | |
| JPS63110638A (ja) | 半導体製造方法 | |
| JPS62102529A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH01130528A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20220103161A (ko) | 이온 밀링 장치 |