JPS59178725A - 荷電ビ−ム露光装置 - Google Patents
荷電ビ−ム露光装置Info
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- JPS59178725A JPS59178725A JP5291383A JP5291383A JPS59178725A JP S59178725 A JPS59178725 A JP S59178725A JP 5291383 A JP5291383 A JP 5291383A JP 5291383 A JP5291383 A JP 5291383A JP S59178725 A JPS59178725 A JP S59178725A
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- charged beam
- aperture mask
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、荷電ビーム露光装置に係わり、特に光学鏡筒
内のアパーチャマスクを改良した荷電ビーム露光装置に
関する。
内のアパーチャマスクを改良した荷電ビーム露光装置に
関する。
近年、半導体ウェハやマスク基板等の試料に微細なパタ
ーンを形成するものとして、各種の電子ビーム露光装置
が開発されている。この装置は、一般に１０〜２５（Ｋ
Ｖ）のビーム加速電圧で用いられており、現在の技術で
は１〔μ専〕以下の微細パターン形成に最も有効である
と考えられている。しかしながら、この種の装置にあっ
ても次の（１）〜（３）のような問題があり、実用上０
．５〔μｍ）３２を下の微細パターンを形成することは
困難であった。
ーンを形成するものとして、各種の電子ビーム露光装置
が開発されている。この装置は、一般に１０〜２５（Ｋ
Ｖ）のビーム加速電圧で用いられており、現在の技術で
は１〔μ専〕以下の微細パターン形成に最も有効である
と考えられている。しかしながら、この種の装置にあっ
ても次の（１）〜（３）のような問題があり、実用上０
．５〔μｍ）３２を下の微細パターンを形成することは
困難であった。
（１）ハターン寸法が小さくなるに伴って、近接効果の
影響でパターン精度が低下する。
影響でパターン精度が低下する。
（２）高精度の重ね合わせ露光が困難。
（３）精度の良い超微細加工に必要な垂直断面のレジス
トパターン形成が困難。
トパターン形成が困難。
そこで本発明者等はビームが加速電圧を従来の１０〜２
５（ＫＶ）から５０ （ｘｖ ）以上トスルことで、上
記問題を一挙に解決し０．５〔μｍ〕以下の微細パター
ンをも形成できる電子ビーム露光装置な開発した。この
装置は、ビーム加速電圧を上げたことにより電子ビーム
照射時における所謂後方散乱電子を少なくし、近接効果
の影響を著しく小さくしたものである。しかし、ビーム
加速電圧を上げるとそれに伴いビーム電流も増加し、光
学鏡筒内のアパーチャマスクがビーム照射により受ける
ダメージが大きくなる。
５（ＫＶ）から５０ （ｘｖ ）以上トスルことで、上
記問題を一挙に解決し０．５〔μｍ〕以下の微細パター
ンをも形成できる電子ビーム露光装置な開発した。この
装置は、ビーム加速電圧を上げたことにより電子ビーム
照射時における所謂後方散乱電子を少なくし、近接効果
の影響を著しく小さくしたものである。しかし、ビーム
加速電圧を上げるとそれに伴いビーム電流も増加し、光
学鏡筒内のアパーチャマスクがビーム照射により受ける
ダメージが大きくなる。
特に、電子鏡に最も近い位置に存在するビーム散乱防止
用ア・２−チャマスク或いはビーム整形用アパーチャマ
スクにあっては、ビーム照射により加熱溶融する虞れが
生じる。
用ア・２−チャマスク或いはビーム整形用アパーチャマ
スクにあっては、ビーム照射により加熱溶融する虞れが
生じる。
ここで、アパーチャマスクに入力する電力Ｗは、ビーム
加速電圧な■、エミッション電流を１、− とすると Ｗ＝ＩＥ−Ｖ＝に−ｖ２ Ｉ、＝ ｋ・Ｖ （ｋは定数）で表わされる。
加速電圧な■、エミッション電流を１、− とすると Ｗ＝ＩＥ−Ｖ＝に−ｖ２ Ｉ、＝ ｋ・Ｖ （ｋは定数）で表わされる。
つまり、上記電力Ｗはビーム加速電圧■の平方に比例し
て増加することになる。
て増加することになる。
したがって、高加速電圧の電子ビーム露光装置では、ア
パーチャマスクの耐熱化が重要な問題となる。
パーチャマスクの耐熱化が重要な問題となる。
ところで、アパーチャマスクは従来重金属やシリコン等
を溶液エツチングして作製されている。第１図（ａ）
ｆｂ）は従来法で作製したモリブデンアパーチャマスク
を示すもので第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）は同
図（、）の矢視Ａ−Ａ断面図である。１はモリブデン板
を示し、２は円形のアパーチャ部を示している。溶液エ
ツチング法では、アパーチャ２の直径ｄよりもモリブデ
ン板１の板厚１を大きくすることはできず、一般に板厚
ｔ＝１５〜３０〔μｍ〕の本のが用いられている。
を溶液エツチングして作製されている。第１図（ａ）
ｆｂ）は従来法で作製したモリブデンアパーチャマスク
を示すもので第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）は同
図（、）の矢視Ａ−Ａ断面図である。１はモリブデン板
を示し、２は円形のアパーチャ部を示している。溶液エ
ツチング法では、アパーチャ２の直径ｄよりもモリブデ
ン板１の板厚１を大きくすることはできず、一般に板厚
ｔ＝１５〜３０〔μｍ〕の本のが用いられている。
すなわち、耐熱アパーチャマスクとしては板厚ｔが大き
い程有利であるが、製造上の制約から十分な耐熱性を得
る程板厚ｔを大きくすることはできなかった。第２図（
ａ） （ｂ）はシリコンを異方性エツチングして作製し
たアパーチャマスクを示すもので第２図（ａ）は平面図
、第２図（ｂｌは同図（、）の矢視Ｂ−Ｂ断面図である
。３は＜１００＞方位を持つシリコン板を示し、４は矩
形のアパーチャ部を示している。このマスクは精度良く
形成することが可能であるため、ビーム寸法可変型電子
ビーム露光装置に用いられている。し 。
い程有利であるが、製造上の制約から十分な耐熱性を得
る程板厚ｔを大きくすることはできなかった。第２図（
ａ） （ｂ）はシリコンを異方性エツチングして作製し
たアパーチャマスクを示すもので第２図（ａ）は平面図
、第２図（ｂｌは同図（、）の矢視Ｂ−Ｂ断面図である
。３は＜１００＞方位を持つシリコン板を示し、４は矩
形のアパーチャ部を示している。このマスクは精度良く
形成することが可能であるため、ビーム寸法可変型電子
ビーム露光装置に用いられている。し 。
かじ、このア／４’−チャマスクは、シリコンの熱伝導
性が小さく溶融し易いことから、高加速電圧の電子ビー
ム露光装置には用いることができなかった。
性が小さく溶融し易いことから、高加速電圧の電子ビー
ム露光装置には用いることができなかった。
なお、上述した問題は電子ビーム露光装置に限らず、イ
オンビーム露光装置についても同様に云えることである
。
オンビーム露光装置についても同様に云えることである
。
本発明の目的は、アパーチャマスクのビーム照射に起因
する熱溶融等のダメージを低減することができ、アパー
チャマスクの長寿命化をはかり得、かつ高加速電圧での
微細ノリ−ンをも十分可能とした荷電ビーム露光装置を
提供することにある。
する熱溶融等のダメージを低減することができ、アパー
チャマスクの長寿命化をはかり得、かつ高加速電圧での
微細ノリ−ンをも十分可能とした荷電ビーム露光装置を
提供することにある。
本発明の骨子は、アパーチャマスクの昇温を抑制し、ビ
ーム照射によるアパーチャマスクの加熱溶融を防止する
ことにある。
ーム照射によるアパーチャマスクの加熱溶融を防止する
ことにある。
すなわち本発明は、荷電粒子線源から放射された荷電ビ
ームを集束加速して試料上に照射し、該試料を所望パタ
ーンに露光する荷電ビーム露光装置において、上記荷電
ビーム照射による被ビーム照射量の大きなアパーチャマ
スクを該マスクの融点以下の温度に保持する恒温手段を
設けるようにしたものである。
ームを集束加速して試料上に照射し、該試料を所望パタ
ーンに露光する荷電ビーム露光装置において、上記荷電
ビーム照射による被ビーム照射量の大きなアパーチャマ
スクを該マスクの融点以下の温度に保持する恒温手段を
設けるようにしたものである。
本発明によれば、アパーチャマスクをその融点以下の温
度に保持する恒温手段を設けているので、例えばビーム
加速電圧を５０（ＫＶ）以上に上げた場合にあっても、
電子ビーム照射に起因するアパーチャマスクの加熱溶融
を未然に防止することができる。このため、アパーチャ
マスクの長寿命化をはかり得る。さらに、上記理由から
ビーム加速電圧を高めることが可能となり、より微細な
パターンの形成を高精度に行うことができる。なお、光
学鏡筒内の全てのアパーチャマスクを恒温化する必要は
なく、特にビーム散乱防止用アパーチャマスクやビーム
整形剤アパーチャマスク等の如く被ビーム照射量の大き
いアパーチャマスクのみを恒温化しても十分なる効果が
得られる。
度に保持する恒温手段を設けているので、例えばビーム
加速電圧を５０（ＫＶ）以上に上げた場合にあっても、
電子ビーム照射に起因するアパーチャマスクの加熱溶融
を未然に防止することができる。このため、アパーチャ
マスクの長寿命化をはかり得る。さらに、上記理由から
ビーム加速電圧を高めることが可能となり、より微細な
パターンの形成を高精度に行うことができる。なお、光
学鏡筒内の全てのアパーチャマスクを恒温化する必要は
なく、特にビーム散乱防止用アパーチャマスクやビーム
整形剤アパーチャマスク等の如く被ビーム照射量の大き
いアパーチャマスクのみを恒温化しても十分なる効果が
得られる。
第３図は本発明の第１の実施例に係わる電子ビーム露光
装置を示す概略構成図である。図中１１￥ｒ、電子銃（
荷電粒子線源）で、この電子銃１ノから放射された電子
ビームは第１コンデンサレンズ１２．第２コンデンサレ
ンズ１３ 、投影レンズ１４．縮小レンズ１５及び対物
レンズ１６により集束され、ステージ１７上に載置され
た試料１８上に照射結像される。試料１８は、例えばレ
ジストを塗布された半導体ウニ八であり、上記ビーム照
射によりレジストが露光されるものとなっている。また
、第１及び第２のコンデンサレンズ１２．１３間にはブ
ランキング用偏向板１９が配置され、対物レンズ１６の
上方には走査用偏向板２ｏが配置され、さらにレンズ１
３．１４間にはビーム整形用偏向板２１が配置されてい
る。なお、第３図中２２．〜．２７はアパーチャマスク
を示しており、特に２１１１−１ヒーム散乱防止用アパ
ーチヤマスク。
装置を示す概略構成図である。図中１１￥ｒ、電子銃（
荷電粒子線源）で、この電子銃１ノから放射された電子
ビームは第１コンデンサレンズ１２．第２コンデンサレ
ンズ１３ 、投影レンズ１４．縮小レンズ１５及び対物
レンズ１６により集束され、ステージ１７上に載置され
た試料１８上に照射結像される。試料１８は、例えばレ
ジストを塗布された半導体ウニ八であり、上記ビーム照
射によりレジストが露光されるものとなっている。また
、第１及び第２のコンデンサレンズ１２．１３間にはブ
ランキング用偏向板１９が配置され、対物レンズ１６の
上方には走査用偏向板２ｏが配置され、さらにレンズ１
３．１４間にはビーム整形用偏向板２１が配置されてい
る。なお、第３図中２２．〜．２７はアパーチャマスク
を示しており、特に２１１１−１ヒーム散乱防止用アパ
ーチヤマスク。
２６Ｆｉ、ビーム整形用第１アパーチヤマスク。
２７はビーム整形用第２アパーチヤマスクチある。
ここまでの基本構成は、従来一般的なビーム寸法可変型
電子ビーム露光装置と同様である。
電子ビーム露光装置と同様である。
本実施例装置が従来装置と異なる点は、前記ビーム散乱
防止用アパーチャマスク２２に第４図（ａ） （ｂ）に
示す恒温化機構を設けたことにある。すなわち、アパー
チャマスク２２は第４図（ａ） ＩＣその平面図を、第
４図（ｂ）に同図（３）の矢視Ｃ−ｃ断面図を示す如く
モリブデン板３１の中央部に円形のアパーチャ３２を穿
設して形成されている。
防止用アパーチャマスク２２に第４図（ａ） （ｂ）に
示す恒温化機構を設けたことにある。すなわち、アパー
チャマスク２２は第４図（ａ） ＩＣその平面図を、第
４図（ｂ）に同図（３）の矢視Ｃ−ｃ断面図を示す如く
モリブデン板３１の中央部に円形のアパーチャ３２を穿
設して形成されている。
モリブデン板３１の上面には、熱媒体を流すための金属
パイプ３３が取着されている。そして、コノハイｆ ３
３内には水、アルコール或いｉ４油等が通流され、これ
によりアパーチャマスク２２が一定温度、例えば８０〜
３００〔℃〕に恒温化されるものとなっている。
パイプ３３が取着されている。そして、コノハイｆ ３
３内には水、アルコール或いｉ４油等が通流され、これ
によりアパーチャマスク２２が一定温度、例えば８０〜
３００〔℃〕に恒温化されるものとなっている。
なお、上記パイプ３３の材料としてはＣｕ やＡ７等
の如き熱伝導性の良好な金属を用いた。
の如き熱伝導性の良好な金属を用いた。
また、モリブデン板３ノとパイプ３３との取看このよう
な構成であれ′ば、電子ビーム照射に、−１よる温度上
昇が最も大きいと思われるビーム散乱防止用アパーチャ
マスク２２をその融点以下の温度に恒温化することがで
きるので、電子ビームの加速電圧を上げてもアパーチャ
マスク２２が溶融変形する等の不都合は生じない。した
がって、高加速電圧での電子ビーム露光が可能となり、
微細加工精度の向上及びアパーチャマスク２２の長寿命
化をはかり得る。
な構成であれ′ば、電子ビーム照射に、−１よる温度上
昇が最も大きいと思われるビーム散乱防止用アパーチャ
マスク２２をその融点以下の温度に恒温化することがで
きるので、電子ビームの加速電圧を上げてもアパーチャ
マスク２２が溶融変形する等の不都合は生じない。した
がって、高加速電圧での電子ビーム露光が可能となり、
微細加工精度の向上及びアパーチャマスク２２の長寿命
化をはかり得る。
なお、本発明者等の実験によれば、電子ビームの加速電
圧を１００（ＫＶ）、ビーム電流を５ （ｍＡ）として
もアパーチャマスク２２の溶融は全く見られなかった。
圧を１００（ＫＶ）、ビーム電流を５ （ｍＡ）として
もアパーチャマスク２２の溶融は全く見られなかった。
また、アパーチャマスク２２の温度は熱媒体の糧類や流
量等により可変できるが、この温度をあまり低くし過ぎ
るとアパーチャマスク２２上にコンタミネーションが生
じる等の虞れがある。本実施例では、ビーム照射量、熱
媒体の流量その他の観点から８０〜３００（℃）程度の
温度に恒温化するのが最も好ましかった。
量等により可変できるが、この温度をあまり低くし過ぎ
るとアパーチャマスク２２上にコンタミネーションが生
じる等の虞れがある。本実施例では、ビーム照射量、熱
媒体の流量その他の観点から８０〜３００（℃）程度の
温度に恒温化するのが最も好ましかった。
第５図ｆａｔ （ｂ）は第２の実施例の要部構成を示す
もので第５図（ａｌは平面図、第５図（ｂｌは同図（ａ
）の矢視Ｄ−Ｄ断面図である。この実施例が先に説明し
た第１の実施例と異なる点は、前記ビーム散乱防止用ア
パーチャマスク２２と共に、ビーム整形用アパーチャマ
スク２６．２７にも恒温化機構を設けたことにある。す
なわち、シリコン板３４の中央部に矩形のアパーチャ３
５￥穿設してなるアパーチャマスク２６の上面には、先
の実施例と同様な金属パイプ３６が取看されている。ま
た、アパーチャマスク２７にも上町マスク２６と同様な
恒温化機構が設けられている。
もので第５図（ａｌは平面図、第５図（ｂｌは同図（ａ
）の矢視Ｄ−Ｄ断面図である。この実施例が先に説明し
た第１の実施例と異なる点は、前記ビーム散乱防止用ア
パーチャマスク２２と共に、ビーム整形用アパーチャマ
スク２６．２７にも恒温化機構を設けたことにある。す
なわち、シリコン板３４の中央部に矩形のアパーチャ３
５￥穿設してなるアパーチャマスク２６の上面には、先
の実施例と同様な金属パイプ３６が取看されている。ま
た、アパーチャマスク２７にも上町マスク２６と同様な
恒温化機構が設けられている。
このような構成であれば、先の実施例と同様な効果を奏
するのは勿論のこと、ビーム整形用アパーチャマスク２
６，２７の溶融変形をも防止できる等の効果が得られる
。特に、ビーム整形用第２アパーチヤマスク２７はビー
ム寸法を小さくしたときに多量の電子ビームが照射され
るものであり、この点からアパーチャマスク２７を恒温
化することは極めて有効である。
するのは勿論のこと、ビーム整形用アパーチャマスク２
６，２７の溶融変形をも防止できる等の効果が得られる
。特に、ビーム整形用第２アパーチヤマスク２７はビー
ム寸法を小さくしたときに多量の電子ビームが照射され
るものであり、この点からアパーチャマスク２７を恒温
化することは極めて有効である。
第６図は第３の実施例の要部構成を示す断面図である。
この実施例が先に説明した第１の実施例と異なる点は、
前記ビーム整形用アパーチャマスク２２を直接恒温化す
る代りに、そのホルダ一部を恒温化するようにしたもの
である。
前記ビーム整形用アパーチャマスク２２を直接恒温化す
る代りに、そのホルダ一部を恒温化するようにしたもの
である。
すなわち、アパーチャマスク２２はマスク止め金具４１
ＶＣよりマスクホルダー４２に取り付けられており、マ
スクホルダー４２の外周に熱媒体を流すための金属パイ
プ４３が取看されている。なお、第６図中４４はライナ
ーチューブの外壁、４５けＯリングを示している。
ＶＣよりマスクホルダー４２に取り付けられており、マ
スクホルダー４２の外周に熱媒体を流すための金属パイ
プ４３が取看されている。なお、第６図中４４はライナ
ーチューブの外壁、４５けＯリングを示している。
このような構成であっても、先の第１の実施例と同様の
効果が得られるのは勿論のことである。
効果が得られるのは勿論のことである。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記ビーム散乱防止用アパーチャマスク
２２の形状は何ら実施例に限るものではなく、第７図（
、）に示す如き形状であってもよい。さらに、前記金属
パイプ３３を取看する代りに、第７図（ｂ） Ｋ示す如
くアパーチャマスク２２の内部に熱媒体を流すための流
路５ノを形成するようにしてもよい。また、恒温化すべ
き７ノや一チャマスクはビーム散乱防止用アパ−チャマ
スクやビーム整形用整形デアチャマスクのみに限定され
るものではなく、全てのア・ヤーチャマスクを恒温化す
るようにしてもよい。
ない。例えば、前記ビーム散乱防止用アパーチャマスク
２２の形状は何ら実施例に限るものではなく、第７図（
、）に示す如き形状であってもよい。さらに、前記金属
パイプ３３を取看する代りに、第７図（ｂ） Ｋ示す如
くアパーチャマスク２２の内部に熱媒体を流すための流
路５ノを形成するようにしてもよい。また、恒温化すべ
き７ノや一チャマスクはビーム散乱防止用アパ−チャマ
スクやビーム整形用整形デアチャマスクのみに限定され
るものではなく、全てのア・ヤーチャマスクを恒温化す
るようにしてもよい。
さらに、恒温化する手段は何ら実施例に限定されず、適
宜変更可能である。例えば、熱媒体として流体の代りに
ヘリウム、窒素及びアノνゴン等を用いてもよい。さら
に、金属パイプの代りにヒートパイグを用いることも可
能である。また、各種レンズ系及び偏向系も何ら実施例
に限定されるものではなく、適宜変更可能である。
宜変更可能である。例えば、熱媒体として流体の代りに
ヘリウム、窒素及びアノνゴン等を用いてもよい。さら
に、金属パイプの代りにヒートパイグを用いることも可
能である。また、各種レンズ系及び偏向系も何ら実施例
に限定されるものではなく、適宜変更可能である。
さらに、電子ビーム露光装置に限らず、イオンビーム露
光装置に適用することも可能である。
光装置に適用することも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種種変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
第１図（ａ） （ｂ）及び第２図（ａ）（ｂ）はそれぞ
れ従来のアパーチャマスク構造を示す図、第３図は本発
明の第１の実施例に係わる電子ビーム露光装置を示す概
略構成図、第４図（、＋ （ｂｌは上記装置の要部構成
を示す平面図及び断面図、第５図（ａ） （ｂ）は第２
の実施例の要部構成を示す平面図及び断面図、第６図は
第３の実施例の要部構成を示す断面図、第７図（、）
（ｂ）は変形例を示す断面図である。 １１・・・電子銃、１２．〜，１６・・・レンズ、１７
・・・ステージ、１８・・・試料、１９．〜，２ノ・・
・偏向板、２２．〜１２７・・・アパーチャマスク、３
ノ・・・モリブデン板、３２．３５・・・アノイーチャ
、３３．３６，４３・・・金属パイプ、３４・・・シリ
コン板、４ノ・・・マスク止め金具、４２・・・マスク
ホルダー、４４・・・ライナチューブの外壁、５ノ・・
・流路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦矛１図 （ａ） （ｂ）矛２図 （ａ） （ｂ）第３図 矛４図 （ａ） １ ３シ ：＋ ６［”２１ 矛５図 （ａ） （３５ 矛７図
れ従来のアパーチャマスク構造を示す図、第３図は本発
明の第１の実施例に係わる電子ビーム露光装置を示す概
略構成図、第４図（、＋ （ｂｌは上記装置の要部構成
を示す平面図及び断面図、第５図（ａ） （ｂ）は第２
の実施例の要部構成を示す平面図及び断面図、第６図は
第３の実施例の要部構成を示す断面図、第７図（、）
（ｂ）は変形例を示す断面図である。 １１・・・電子銃、１２．〜，１６・・・レンズ、１７
・・・ステージ、１８・・・試料、１９．〜，２ノ・・
・偏向板、２２．〜１２７・・・アパーチャマスク、３
ノ・・・モリブデン板、３２．３５・・・アノイーチャ
、３３．３６，４３・・・金属パイプ、３４・・・シリ
コン板、４ノ・・・マスク止め金具、４２・・・マスク
ホルダー、４４・・・ライナチューブの外壁、５ノ・・
・流路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦矛１図 （ａ） （ｂ）矛２図 （ａ） （ｂ）第３図 矛４図 （ａ） １ ３シ ：＋ ６［”２１ 矛５図 （ａ） （３５ 矛７図
Claims (6)
- （１）荷電粒子線源から放射された荷電ビームを集束加
速して試料上に照射し、該試料に所望のパターンを露光
する荷電ビーム露光装置において、前記荷電ビームによ
る被ビーム照射量の大きなアパーチャマスクを棲；≠≠
キ該マスクの融点以下の温度に保持する恒温手段を具備
してなることを特徴とする荷電ビーム露光装置。 - （２）前記アパーチャマスクは、荷電ビーム散乱防止用
アパーチャマスク及び荷電ビーム整形用アパーチャマス
クの少なくとも一方であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の荷電ビーム露光装置。 - （３） 前記恒温手段は、前記アバ−光竺スクに金属
パイプを接触させ、このパイプ内に熱媒体を還流せしめ
ることであることな特徴とする特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の荷電ビーム露光装置。 - （４）前記熱媒体として水、油、ヘリウム、窒素或いは
アルゴンを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第３
項記載の荷電ビーム露光装置。 - （５）前記恒温手段は、前記ア・デーチャマスクにヒー
トパイプの一端ｆｒ：接触させ、このパイプの他端を恒
温化するものであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の荷電ビーム露光装置。 - （６）前記恒温手段は、前記ア・臂−チャマスクを室温
以上に加熱する本のであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の荷電ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5291383A JPS59178725A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5291383A JPS59178725A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178725A true JPS59178725A (ja) | 1984-10-11 |
Family
ID=12928068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5291383A Pending JPS59178725A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013120943A (ja) * | 2012-12-07 | 2013-06-17 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| CN108962708A (zh) * | 2013-11-14 | 2018-12-07 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 电极堆栈布置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643157B2 (ja) * | 1978-03-20 | 1981-10-09 |
-
1983
- 1983-03-29 JP JP5291383A patent/JPS59178725A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643157B2 (ja) * | 1978-03-20 | 1981-10-09 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP3069368B1 (en) * | 2013-11-14 | 2021-01-06 | ASML Netherlands B.V. | Electrode cooling arrangement |
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