JPS59175091A - リフレツシユ制御方式 - Google Patents

リフレツシユ制御方式

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Publication number
JPS59175091A
JPS59175091A JP58047058A JP4705883A JPS59175091A JP S59175091 A JPS59175091 A JP S59175091A JP 58047058 A JP58047058 A JP 58047058A JP 4705883 A JP4705883 A JP 4705883A JP S59175091 A JPS59175091 A JP S59175091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cycle
refresh
write
read
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP58047058A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyuki Tanaka
宣幸 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58047058A priority Critical patent/JPS59175091A/ja
Publication of JPS59175091A publication Critical patent/JPS59175091A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は電子計算機の記憶装置として用いられるダイナ
ミックRAMのリフレッシュ制御方式に関する。
〔発明の技術的背景〕
ダイナミックRAM (Random Access 
Memory)は半導体メモリの中でも最も集私度が高
く、ビット当りの価格も最も安い。従ってダイナミック
RAMは多くの記憶装置に使用されている。第1図は成
るインターフェースバスに接続された記憶装置の一例を
示している。インターフェースバス(1)は、16ピツ
ートの双方向性データバス(2)、AD (Add r
 e s 5Strobe)信号線、RD (Read
 5trobe)信号線JWT(Write 5tro
be )信号線から成っている。記憶装置(3)はダイ
ナミックRARIIで構成され、与えられた16ビツト
のアドレスに対応する番地に対して16ビツトデ一タ単
位で書込み及び読出し動作が行なわれる。第2図に第1
図の記憶装置に対する書込み動作、読出し動作のタイミ
ングを示す。書込み動作に於ては、T1の期間で、書込
みアドレスが16ピツトのデータバス(2)を介して送
られて来る。この時n信号がローレベルになシ、データ
バス(2)にアドレスが送られて来ていることを知らせ
る。
記憶装置はとのAD倍信号データバスからのアドレスを
記憶装置内のアドレスレジスタ(図示なし)に保持する
、T2の期間で書込みデータが16ビツトのデータバス
から送られて来る。このときWT倍信号ローレベルにな
り、記憶装置はT1で設定されたアドレスに対して、デ
ータバス上の書込みデータをダイナミックRAMに書込
む。読出し動作に於ては、書込み時と同様にT3で読出
しアドレスが記憶装置内のアドレスレジスタに設定され
T4でそのアドレス内容を読み、データバス上に送る。
以上のR9明の如く、この記憶装置のインターフェース
はアドレスとデータが同一の双方向性データバス全使用
している。このような方法はインターフェース信号数を
減少させるためよく用いられる。
〔背景技術の問題点〕
しかし乍ら上記ダイナミックRAMには記憶を維持−す
るためのリフレッシュサイクルが必要であり、そのリフ
レッシュサイクルは一定時間毎に行なわなければならな
いのでその間、読出し又は書込みが出来ないという欠点
がちる。
ダイナミックRAMに対するリフレッシュのために従来
は、記憶装置の内部に、定期的にリフレッシュ要求全発
生させるタイマーを持ち、このリフレッシュ要求が発生
する毎にダイナミックRAMのリフレッシュサイクルを
実施していた。しかし1、リフレッシュ要求が発生した
とき、丁でにRAMに対して書込みサイクル又は読出し
サイクルが実施されていれば、リフレッシュサイクルは
書込み又は読出しサイクルが終了するまで待たされるこ
とになる。又逆に、リフレッシュサイクル実施中に書込
み又は読出しサイクルの要求が発生した場合は、リフレ
ッシュサイクルが終了するまで書込み又は読出しサイク
ルは待たされることになる。
この様子を示したのが第3図、第4図である。
これらの図に於て、RRQはリフレッシュ・リクエスト
信号で、ダイナミックRAMにリフレッシュサイクルを
実施したい時に発生する信号である。第3図では、RR
Qの発生よジWT (書込みサイクル)信号の発生の方
が早く、リフレッシュサイクルは書込みサイクル終了ま
で待たされる。第4図では、RRQの発生した時にはW
T倍信号RD倍信号発生していないので、リフレッシュ
サイクルがiQ発生後、直ちに実施される。RRQ発生
後に発生したWT倍信号対する書込みサイクルはリフレ
ッシュサイクル終了まで待たされる。
以上のように従来の方法ではリフレッシュ要求信号(R
RQ )と書込み又は読出し要求信号(WT又はRD 
)との間で競合が発生し、その結果、書込み又は読出し
サイクルの時・間が通常より長くかかるという欠点があ
った。
〔発明の目的〕
本発明は以上に鑑み、リフレッシュサイクルの割込みに
よって、書込み又は読出しサイクルの時間が長くなるこ
と金防ぐことができる制御方式を提供することを目的と
する。
〔発明の概要〕
本発明に於ては、リフレッシュリクエスト信号との競合
を、書込み又は読出しサイクル要求信号(WT又はRD
 )で行なわず、書込み又は読出しで行なうようにした
ゝものである。
〔発明の実施例〕
第5図及び第6図は本発明の一実施例の説明図である。
第5図に示されたようにリフレッシュリフニス) (R
RQ )信号がアドレスストローブ(AD)より後に発
生すれば、リフレッシュサイクルは続いて発生する書込
みサイクル(読出しサイクルでも同様)が終了後に実行
される。第6図に示されたようにリフレッシュリフニス
)(RRQ)信−gがアドレスストローブよシ先に発生
すれば、リフレッシュサイクルは直ちに実施される。続
いて書込みサイクル(読出しサイクルでも同様)が発生
するがこの時には、リフレッシュサイクルが完rしてる へので書込サイクルが待たされることはない。以上のよ
うに書込み又は読出しサイクルはリフレッシュサイクル
によってその時間が延長されることはない。仮にリフレ
ッシュサイクルがアドレス設定期間内に終了しないよう
な場合、書込み、読出しサイクルの時間が延長されるこ
とがありうるが、その時間は従来方法の場合に比較して
はるかに短いものである。
〔発明の効果〕
本発明は以上のようになるものであって、書込み、読出
しサイクル時間がリフレッシュサイクルの割込によって
遅くなることがなくなり、より高速な記憶装置が実現で
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はインターフェースバスに接続された記憶装置の
一例を示す図、第2図は第1図の動作タイミング図、第
3図及び第4図は書込み或いは読出シサイクルとリフレ
ッシュサイクルとの競合を示す図、第5図及び第6図は
本発明の一実施例の欽明図である。 1:インターフェースバス 2:データバス    3:記憶装置 代理人 弁理士  井 上 −男

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ダイナミックRAMで構成される記憶装置において、こ
    の記憶装置に対するアドレスとデータの転送は同一バス
    を使用し、書込み、又は読出しサイ5    クルの実
    施に当ってはそれに先行してそのアドレス情報がバスを
    通して送付されるようにし、ダイナミックRAMへのり
    フレッノ′Lを要求する信号を前記アドレス情報を送信
    することを知らせる信号との間で競合させ、競合におい
    てリフレッシュ要求が勝った場合は先にリフレッシュサ
    イクルを実施し、リフレッシュ要求が負けた場合はアド
    レス情報の送信に続いて起こる書込み又は読出しサイク
    ルの終了ヲマってリフレッシュサイクルを実行すること
    を特徴とするリフレッシュ制御方式。
JP58047058A 1983-03-23 1983-03-23 リフレツシユ制御方式 Pending JPS59175091A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58047058A JPS59175091A (ja) 1983-03-23 1983-03-23 リフレツシユ制御方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58047058A JPS59175091A (ja) 1983-03-23 1983-03-23 リフレツシユ制御方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59175091A true JPS59175091A (ja) 1984-10-03

Family

ID=12764552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58047058A Pending JPS59175091A (ja) 1983-03-23 1983-03-23 リフレツシユ制御方式

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JP (1) JPS59175091A (ja)

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