JPS59173272A - 特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた琺瑯の製造方法 - Google Patents
特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた琺瑯の製造方法Info
- Publication number
- JPS59173272A JPS59173272A JP8468883A JP8468883A JPS59173272A JP S59173272 A JPS59173272 A JP S59173272A JP 8468883 A JP8468883 A JP 8468883A JP 8468883 A JP8468883 A JP 8468883A JP S59173272 A JPS59173272 A JP S59173272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glaze
- shell
- zro2
- infrared rays
- spraying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cookers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は適宜処望温度を加えることにより、比較的低
温度雰囲気に於て、遠赤外線を発生せしめる一様にした
性質の特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた琺
瑯の製造方法に係わる発明である。
温度雰囲気に於て、遠赤外線を発生せしめる一様にした
性質の特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた琺
瑯の製造方法に係わる発明である。
従来一般に用いられている琺瑯を焼成するために用いら
れている釉薬ば5io2が43%、 B2O3が14%
、 Ti0zが20%と、そして凡20が17%(Na
zO及びに20 )夫々略調合され、そして残部がCa
Fz+AL203等からなり、またこの焼成温度は略7
80 ’Cである。而し乍ら之等従来一般に用いられて
いる前記琺瑯では本発明の目的を達成する事が出来ない
のである。
れている釉薬ば5io2が43%、 B2O3が14%
、 Ti0zが20%と、そして凡20が17%(Na
zO及びに20 )夫々略調合され、そして残部がCa
Fz+AL203等からなり、またこの焼成温度は略7
80 ’Cである。而し乍ら之等従来一般に用いられて
いる前記琺瑯では本発明の目的を達成する事が出来ない
のである。
即ち、本願発明の目的とする処は、先づ波長1tが略8
〜12で良く水分を透過し、例えば煮沸釜の内面に焼成
した場合に直接輻射的に内容物、例えば、玄米、豆類等
に輻射されることによりて該内容物を熱効果的に煮沸す
ること、焼成温度が前記従来例より左程高くないこと、
そして従来特殊の例として使用されているプラズマ溶射
などの様に高温(1200℃〜1500℃)と特殊の技
術を要することなく、従来例の様に「ディッピング」(
ドブヅケ)或いは「スプレィ式吹付け」した後比較的容
易に焼成が出来、従って実施化が容易である等と云う条
件、である。
〜12で良く水分を透過し、例えば煮沸釜の内面に焼成
した場合に直接輻射的に内容物、例えば、玄米、豆類等
に輻射されることによりて該内容物を熱効果的に煮沸す
ること、焼成温度が前記従来例より左程高くないこと、
そして従来特殊の例として使用されているプラズマ溶射
などの様に高温(1200℃〜1500℃)と特殊の技
術を要することなく、従来例の様に「ディッピング」(
ドブヅケ)或いは「スプレィ式吹付け」した後比較的容
易に焼成が出来、従って実施化が容易である等と云う条
件、である。
前記した様な目的に対し、本願発明の一実施例を煮沸釜
に適用した場合について説明すれば、先づ第一図により
1は釜本体で、芯体1 ri 、外部着色防錆琺瑯帯1
1〕とそして内部琺瑯帯ICとから構成されている。芯
体1 aは鉄板或いは鋳鉄物を用いるものとし、外部琺
瑯帯11〕は防錆と美観を呈するだめのものである。内
部琺瑯帯ICは本願発明により焼成されたもので、先づ
既述した一般琺瑯に見受けられる場合に於ける釉薬とは
異なり、5IO2が40%、 B2O3が12%+ ’
1.”02が18%及び1:L20が15%(Na2O
が11%、に20が4%)と特に選定されたZrO2或
いはZrO2、8102の化合物が5〜9%調合されて
いる。
に適用した場合について説明すれば、先づ第一図により
1は釜本体で、芯体1 ri 、外部着色防錆琺瑯帯1
1〕とそして内部琺瑯帯ICとから構成されている。芯
体1 aは鉄板或いは鋳鉄物を用いるものとし、外部琺
瑯帯11〕は防錆と美観を呈するだめのものである。内
部琺瑯帯ICは本願発明により焼成されたもので、先づ
既述した一般琺瑯に見受けられる場合に於ける釉薬とは
異なり、5IO2が40%、 B2O3が12%+ ’
1.”02が18%及び1:L20が15%(Na2O
が11%、に20が4%)と特に選定されたZrO2或
いはZrO2、8102の化合物が5〜9%調合されて
いる。
2は帯鉄、3は茫乎、4は缶蓋、5は水の部分。
6は内容物で、玄米或いは豆類、7は受台、8は熱源、
9はコンロ、 10は前記熱源80強弱を加減するため
の調節用コック、そして11は導管である。
9はコンロ、 10は前記熱源80強弱を加減するため
の調節用コック、そして11は導管である。
前記した本願内部琺瑯帯ICについて実施例を述べると
、既述したプラズマ溶射方法などに見受けられる様な特
殊技術を要すること無く、先づ前以って前記釉薬(パウ
ダー)を常温雰囲気に於て略20〜24時間ボールミル
で充分攪拌し、スゲレイによりて下塗りを施こしてから
焼成し、然る後更にこの上面にスプレィによるか或いは
ディッピングによりて前記釉薬を塗着せしめて略840
℃で焼成するのである。そしてとの際用いられる温度は
一般琺瑯の場合に於いては略780℃であるのに対し、
本発明では前記した様に840℃で焼成することが最も
適正であることを確認した。尚。
、既述したプラズマ溶射方法などに見受けられる様な特
殊技術を要すること無く、先づ前以って前記釉薬(パウ
ダー)を常温雰囲気に於て略20〜24時間ボールミル
で充分攪拌し、スゲレイによりて下塗りを施こしてから
焼成し、然る後更にこの上面にスプレィによるか或いは
ディッピングによりて前記釉薬を塗着せしめて略840
℃で焼成するのである。そしてとの際用いられる温度は
一般琺瑯の場合に於いては略780℃であるのに対し、
本発明では前記した様に840℃で焼成することが最も
適正であることを確認した。尚。
前記工程に於ては予め下塗シ焼成後1回の場合について
述べたが、必要に応じ、即ち遠赤外線の発生をよシ効果
的にするため、2回或いは之以上複数回を重ね、琺瑯体
ICをよシ厚目にすることによシて更に性能を向上し得
たのである。
述べたが、必要に応じ、即ち遠赤外線の発生をよシ効果
的にするため、2回或いは之以上複数回を重ね、琺瑯体
ICをよシ厚目にすることによシて更に性能を向上し得
たのである。
次いで本願発明に於て既述した様な釉薬を用いた思想に
ついて実施化の上から詳記すれば、先づ5%以下のZr
O2或いはZrO2,8102の化合物を調合したもの
では先に提出した第二図に示すような結果となり、第三
図による様々遠赤外線発生率ηの8曲線が充分発生し輻
射せしめることが出来ないのである。
ついて実施化の上から詳記すれば、先づ5%以下のZr
O2或いはZrO2,8102の化合物を調合したもの
では先に提出した第二図に示すような結果となり、第三
図による様々遠赤外線発生率ηの8曲線が充分発生し輻
射せしめることが出来ないのである。
捷だ、体膨張係数にかかわる釉薬を構成する物質のメイ
ヤーハーバース因数については衆知の如くである。即ち
、 メイヤーハーバース因数表 メイヤーハーバース因数 81(h 0.8Bz0
130. I Tl(h /1.1Zr
Oz 2.1次いで既述
した様に、従来例でば8+02. B2O3。
ヤーハーバース因数については衆知の如くである。即ち
、 メイヤーハーバース因数表 メイヤーハーバース因数 81(h 0.8Bz0
130. I Tl(h /1.1Zr
Oz 2.1次いで既述
した様に、従来例でば8+02. B2O3。
T ’+ 02及びRzO(Na2O、K2O)が略夫
々43%、14%、20%及び17%(12%、5%)
調合されているが、前記の様に調合された釉薬と鉄との
相互の体膨張係数は、 鉄の場合 405XIO” 前記一般琺瑯釉薬の場合 320〜360 X I 0−7 (但し、O”C−100’Cの平均値)であり、特にZ
r02(ZrO2、8102の化合物として析出される
場合が多い)は前記メイヤー・バーバース因数に見受け
られる様に’1.’i02. Na2Oやに、20に比
較して低位(21)であるから9%以」−を混合した場
合には芯体1 +iと該琺瑯体1cとの相互体膨張係数
の差が大きくなりで琺瑯帯1Gに剥離、とび及び亀裂を
生じて毀損し易くなり、また脆性をおびてくるのであり
、且つZrO2或いはZrO2’ l8102の化合物
を前記9%以上調合しようとすれば、焼成温度も比較的
に高くなりで焼成工程に困菓11性を生づるので実施化
の上から5〜9%の場合が最適の状態としての結果が得
られたのである。
々43%、14%、20%及び17%(12%、5%)
調合されているが、前記の様に調合された釉薬と鉄との
相互の体膨張係数は、 鉄の場合 405XIO” 前記一般琺瑯釉薬の場合 320〜360 X I 0−7 (但し、O”C−100’Cの平均値)であり、特にZ
r02(ZrO2、8102の化合物として析出される
場合が多い)は前記メイヤー・バーバース因数に見受け
られる様に’1.’i02. Na2Oやに、20に比
較して低位(21)であるから9%以」−を混合した場
合には芯体1 +iと該琺瑯体1cとの相互体膨張係数
の差が大きくなりで琺瑯帯1Gに剥離、とび及び亀裂を
生じて毀損し易くなり、また脆性をおびてくるのであり
、且つZrO2或いはZrO2’ l8102の化合物
を前記9%以上調合しようとすれば、焼成温度も比較的
に高くなりで焼成工程に困菓11性を生づるので実施化
の上から5〜9%の場合が最適の状態としての結果が得
られたのである。
そしてこの結果、略200℃以下に加熱することにより
で、第三図(カーブE)に見受けられる様に、水分を良
く透過するに充分且つ適切な8〜1271の遠赤外線を
効果的に発生することを得たのである。
で、第三図(カーブE)に見受けられる様に、水分を良
く透過するに充分且つ適切な8〜1271の遠赤外線を
効果的に発生することを得たのである。
尚、ZrO2或いはZrO2、SiO2の化合物が5%
以下の場合は有効且つ適切な8〜12/lの遠赤外線を
効果的に発生することを得られない。
以下の場合は有効且つ適切な8〜12/lの遠赤外線を
効果的に発生することを得られない。
従来ZrO2,810□60%以上、マンガン酸化物と
鉄。
鉄。
コバルト、二、ケル及びクロークの酸化物の少なくとも
一種とからなる鉱化剤分が15%迄、そして残部(62
5%)を粘土にて鉄製芯体1aを用いないで、単独的に
焼成した、所謂セラミックは従来衆知(特公昭、17−
25010号)であるが、既述した様な煮沸釜の内部に
据置して使用する場合には、本体1と別体的であること
から取扱い上の不便利性があるのみならず、比較的脆性
であるから毀損し易いと云う欠点を有していたが、本発
明では例えば煮沸釜の内面に焼成した場合芯体1aと1
体的となるので取り扱いが便利のみならず、既述した様
な初期の目的、即ち目的のμを充分発生すること。焼成
温度が従来一般例に於いては略780℃であるのに対し
、本発明では略840℃であり、従いて芯体] aとの
互いの加熱による歪を実施上支障なき様になされて卦り
捷た特殊技術及設備を要しないなどと云う実施面にだで
従来他に見受けられない効果がある。
一種とからなる鉱化剤分が15%迄、そして残部(62
5%)を粘土にて鉄製芯体1aを用いないで、単独的に
焼成した、所謂セラミックは従来衆知(特公昭、17−
25010号)であるが、既述した様な煮沸釜の内部に
据置して使用する場合には、本体1と別体的であること
から取扱い上の不便利性があるのみならず、比較的脆性
であるから毀損し易いと云う欠点を有していたが、本発
明では例えば煮沸釜の内面に焼成した場合芯体1aと1
体的となるので取り扱いが便利のみならず、既述した様
な初期の目的、即ち目的のμを充分発生すること。焼成
温度が従来一般例に於いては略780℃であるのに対し
、本発明では略840℃であり、従いて芯体] aとの
互いの加熱による歪を実施上支障なき様になされて卦り
捷た特殊技術及設備を要しないなどと云う実施面にだで
従来他に見受けられない効果がある。
図は本発明の実施例を示すもので、第一図は正面図で−
、部断面を示し、第二図及び第三図は夫々遠赤外線の発
生状態を示したもので、第二図は従来例を、また第三図
は本発明による場合を示したものである。 1+1 芯体 IC帯 他2名 代理人 トーメイ工業株式会社内 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年5月13日に提出した特
許法3、補正をする者 昭和58年J、l几21i[!差出 手続補正書 昭和58年12月22日 特許庁長官 若杉和夫殿 ご、’、) 、iノ2)ぐ
、、、:’7)、 −))t 1 事件の表示 昭和58年5月13日に提出した特
許法第53条第4項に規定する特許出願 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒481愛知県西春日井郡西春町太字北野電話
0568(21)0001代表 他2名 71代理人 5 補正命令の日付 昭和58年11月10日 昭和58年12月13日発送日 6 補正の対象 昭和58年6月11日付提出の手続補正−47補正の内
容 「特許請求の範囲」を全文補正し才した。 8 添付書類の目録 (1)「特許請求の範囲」を全文補正した書面 1通
2、特許請求の範囲 本文と図面とによシて詳記した様に、鉄板或いは鉄鋳物
を芯体となし、該芯体の面に8102が40%。 B2O3が12%、 TlO2が18%、小20が11
%。 ]く、0が4%略夫々と若干%のO”F2及びAJ−2
02等を調合すると共に、特にZ F02或いはZ +
’02. S + 02の化合物を5%以上調合した
釉薬を常温雰囲気に於て20〜24時間ボールミルで充
分攪拌し、前S己840℃で焼成し、200℃以下に加
熱することにより遠赤外線を発生する様にしたことを特
徴とする特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた
琺瑯の製造方法。
、部断面を示し、第二図及び第三図は夫々遠赤外線の発
生状態を示したもので、第二図は従来例を、また第三図
は本発明による場合を示したものである。 1+1 芯体 IC帯 他2名 代理人 トーメイ工業株式会社内 特許庁長官 殿 1、事件の表示 昭和58年5月13日に提出した特
許法3、補正をする者 昭和58年J、l几21i[!差出 手続補正書 昭和58年12月22日 特許庁長官 若杉和夫殿 ご、’、) 、iノ2)ぐ
、、、:’7)、 −))t 1 事件の表示 昭和58年5月13日に提出した特
許法第53条第4項に規定する特許出願 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒481愛知県西春日井郡西春町太字北野電話
0568(21)0001代表 他2名 71代理人 5 補正命令の日付 昭和58年11月10日 昭和58年12月13日発送日 6 補正の対象 昭和58年6月11日付提出の手続補正−47補正の内
容 「特許請求の範囲」を全文補正し才した。 8 添付書類の目録 (1)「特許請求の範囲」を全文補正した書面 1通
2、特許請求の範囲 本文と図面とによシて詳記した様に、鉄板或いは鉄鋳物
を芯体となし、該芯体の面に8102が40%。 B2O3が12%、 TlO2が18%、小20が11
%。 ]く、0が4%略夫々と若干%のO”F2及びAJ−2
02等を調合すると共に、特にZ F02或いはZ +
’02. S + 02の化合物を5%以上調合した
釉薬を常温雰囲気に於て20〜24時間ボールミルで充
分攪拌し、前S己840℃で焼成し、200℃以下に加
熱することにより遠赤外線を発生する様にしたことを特
徴とする特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた
琺瑯の製造方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 本文と図面とによりて詳記した様に、鉄板或いは鉄鋳物
を芯体となし、該芯体の面に8102が40%。 B2O3が12%、 Tr02が18%、 NazOが
11%。 K2Oが4%略夫々と若干%のCa、E″2及びAL2
02等を調合すると共に、特にZ r02或いはZrO
2,8i02の化合物を5%以上調合した釉薬を常温雰
囲気に於て20〜24時間ボールミルで充分攪拌し、前
記釉薬を目的物に向う面にディッピング寸たはスプレィ
によりて塗着せしめて、1回或いは複数回路840℃で
焼成し、200 ’C以下に加熱することにより遠赤外
線を発生する様にしたことを特徴とする特に遠赤外線発
生素子を調合した釉薬を用いた琺瑯の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8468883A JPS59173272A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた琺瑯の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8468883A JPS59173272A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた琺瑯の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59173272A true JPS59173272A (ja) | 1984-10-01 |
JPS6353264B2 JPS6353264B2 (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13837611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8468883A Granted JPS59173272A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた琺瑯の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59173272A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61179882A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の遠赤外線放射体とその製造方法 |
JPS61179881A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の赤外線放射体とその製造方法 |
JPS61190080A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の遠赤外線放射体とその製造方法 |
JPS63132632U (ja) * | 1987-02-21 | 1988-08-30 | ||
WO1998053118A1 (en) * | 1997-05-23 | 1998-11-26 | General Electric Company | Infrared energy reflecting composition and method of manufacture |
US5898180A (en) * | 1997-05-23 | 1999-04-27 | General Electric Company | Infrared energy reflecting composition and method of manufacture |
CN102423672A (zh) * | 2011-08-19 | 2012-04-25 | 九江学院 | 一种壳核式Al2O3/Al复合粉体制备工艺 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8468883A patent/JPS59173272A/ja active Granted
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61179882A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の遠赤外線放射体とその製造方法 |
JPS61179881A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の赤外線放射体とその製造方法 |
JPH0247555B2 (ja) * | 1985-02-04 | 1990-10-22 | Ibiden Co Ltd | |
JPH0362798B2 (ja) * | 1985-02-04 | 1991-09-27 | Ibiden Co Ltd | |
JPS61190080A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の遠赤外線放射体とその製造方法 |
JPS63132632U (ja) * | 1987-02-21 | 1988-08-30 | ||
JPH036255Y2 (ja) * | 1987-02-21 | 1991-02-18 | ||
WO1998053118A1 (en) * | 1997-05-23 | 1998-11-26 | General Electric Company | Infrared energy reflecting composition and method of manufacture |
US5898180A (en) * | 1997-05-23 | 1999-04-27 | General Electric Company | Infrared energy reflecting composition and method of manufacture |
CN102423672A (zh) * | 2011-08-19 | 2012-04-25 | 九江学院 | 一种壳核式Al2O3/Al复合粉体制备工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6353264B2 (ja) | 1988-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102548920B (zh) | 发热珐琅釉料及涂布它的发热容器 | |
WO2000009458A1 (en) | Decorated glass-ceramic plate and corresponding method of decoration | |
JPS59173272A (ja) | 特に遠赤外線発生素子を調合した釉薬を用いた琺瑯の製造方法 | |
CN104556970B (zh) | 一种青瓷与紫砂相结合的陶瓷制品及其制备方法 | |
JPS6230157B2 (ja) | ||
GB650173A (en) | Method of forming metallic oxide coatings upon support surfaces | |
JPH05198356A (ja) | 平面発熱体及びその製造方法 | |
JPS6242867B2 (ja) | ||
WO2018071408A1 (en) | Shade-coordinated, veneering porcelain system for dental prostheses | |
GB1077735A (en) | Coatings for metallic materials | |
EP3935026A1 (en) | Porcelain cooking pot and manufacture method thereof | |
JPS61179881A (ja) | 金属基材の赤外線放射体とその製造方法 | |
JPS6354031B2 (ja) | ||
KR100414467B1 (ko) | 원적외선이 방출되는 유약 | |
KR20090131277A (ko) | 조리 기구에서 복합 재료의 용도 및 복합 재료의 제조 방법 | |
KR102236402B1 (ko) | 금속재 조리용기의 황토 도자기식 코팅방법 | |
ES2310026T3 (es) | Esmaltado de superficies de aleaciones de aluminio. | |
GB906022A (en) | Improvements in or relating to methods of metallising ceramic surfaces | |
JP2593095B2 (ja) | 遠赤外線放射体 | |
SU1183472A1 (ru) | Эмаль дл стали | |
SU1615160A1 (ru) | Фритта дл бежевого эмалевого покрыти | |
SU1000432A1 (ru) | Шликер дл получени глушеного глазурного покрыти | |
JPS6123773A (ja) | アルミニウムほうろう製品およびその製造法 | |
SU1470685A1 (ru) | Грунтова эмаль дл стали | |
SU1248977A1 (ru) | Эмаль |