JPS59171686A - 記録用部材 - Google Patents
記録用部材Info
- Publication number
- JPS59171686A JPS59171686A JP58044224A JP4422483A JPS59171686A JP S59171686 A JPS59171686 A JP S59171686A JP 58044224 A JP58044224 A JP 58044224A JP 4422483 A JP4422483 A JP 4422483A JP S59171686 A JPS59171686 A JP S59171686A
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- JP
- Japan
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- layer
- recording
- dyes
- organic material
- material layer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、記録用部材に関する。とくに基板上に形成し
た記録用薄膜にレーザービーム等の記録用ビームを照射
することによって直接、又は間接的に発生した熱により
該薄膜が蒸発、あるいは溶融除去されることを利用した
記録用部材に関する。
た記録用薄膜にレーザービーム等の記録用ビームを照射
することによって直接、又は間接的に発生した熱により
該薄膜が蒸発、あるいは溶融除去されることを利用した
記録用部材に関する。
レーザ光によって局所的に記録膜の融解・除去を行ない
情報の記録を行なう方式において、記録媒体の熱伝導率
が小さいことが必須である。かかる観点から、これまで
Ｔｅを主成分とする媒体の検討が進められているが、記
録感度が十分でないこと、及び材料に毒性があることが
問題となっている。それに反して有機物はその熱伝導率
が極めて小さいこと、及び毒性のない材料を選べるとい
う利点がある。そのだめ有機物を用いた記録膜が各所で
検討されている。記録ビームを吸収させるために、有機
層に接して無機層を設ける記録膜（％願昭５４−３４４
２８）あるいは有機染料を用いる記録膜等である。とこ
ろが、これらにおいては形成するビットの形状が悪いた
め、十分な８／Ｎが得られていないということが明らか
になった。
情報の記録を行なう方式において、記録媒体の熱伝導率
が小さいことが必須である。かかる観点から、これまで
Ｔｅを主成分とする媒体の検討が進められているが、記
録感度が十分でないこと、及び材料に毒性があることが
問題となっている。それに反して有機物はその熱伝導率
が極めて小さいこと、及び毒性のない材料を選べるとい
う利点がある。そのだめ有機物を用いた記録膜が各所で
検討されている。記録ビームを吸収させるために、有機
層に接して無機層を設ける記録膜（％願昭５４−３４４
２８）あるいは有機染料を用いる記録膜等である。とこ
ろが、これらにおいては形成するビットの形状が悪いた
め、十分な８／Ｎが得られていないということが明らか
になった。
本発明は、記録層である有機物層の溶融除去を捉進し、
良好な記録ビットをあけることにより再生Ｓ／Ｎ比の太
きい、なおかつ記録感度の高い記録用部材を提供するこ
とにある。
良好な記録ビットをあけることにより再生Ｓ／Ｎ比の太
きい、なおかつ記録感度の高い記録用部材を提供するこ
とにある。
本発明は、有機層の下層に表面エネルギーが小さく、シ
かも熱により変形しない層を設け、有機層と下層との親
、和性を低くすることにより上記欠点を改善したもので
ある。その手段としてスパッタ法及び／又はプラズマ重
合法により、フッ素系ポリマ一層を形成しその上に熱に
よって融解除去される有機物層を形成した。本発明の記
録用部材は、−例として第１図（ａ） Ｋ示す如き断面
構造を持つ。これに、光吸収層２で発生した熱によシ記
録層５を融解除去する構造である。本記録用部材はガラ
ス又はプラスチック材料からなる基板１の上部に形成さ
れた光を吸収して熱を発生する第１の無機材料層２、及
び該無機材料層の上に形成てれた反射率を読み出し光の
波長に合わせるための第２の無機材料層３、史にこの上
に形成されたフッ素系ポリマーからなる第１の有機材料
層４、及びこの上に形成された第２の有機材料層５とか
らなる。本記録用部材に対して基板側あるいは有機材料
層側から照射されたビームは第１の無機材料層に吸収さ
れ、この時発生した熱によって第２の有機材料層が融隔
除去される。従ってここで用いられる第２の有機材料は
記録光を吸収しないものでもよい。第１及び第２の無機
材料としては前記特願昭５４−３４４２４に記載されて
いる材料を使うことができる。
かも熱により変形しない層を設け、有機層と下層との親
、和性を低くすることにより上記欠点を改善したもので
ある。その手段としてスパッタ法及び／又はプラズマ重
合法により、フッ素系ポリマ一層を形成しその上に熱に
よって融解除去される有機物層を形成した。本発明の記
録用部材は、−例として第１図（ａ） Ｋ示す如き断面
構造を持つ。これに、光吸収層２で発生した熱によシ記
録層５を融解除去する構造である。本記録用部材はガラ
ス又はプラスチック材料からなる基板１の上部に形成さ
れた光を吸収して熱を発生する第１の無機材料層２、及
び該無機材料層の上に形成てれた反射率を読み出し光の
波長に合わせるための第２の無機材料層３、史にこの上
に形成されたフッ素系ポリマーからなる第１の有機材料
層４、及びこの上に形成された第２の有機材料層５とか
らなる。本記録用部材に対して基板側あるいは有機材料
層側から照射されたビームは第１の無機材料層に吸収さ
れ、この時発生した熱によって第２の有機材料層が融隔
除去される。従ってここで用いられる第２の有機材料は
記録光を吸収しないものでもよい。第１及び第２の無機
材料としては前記特願昭５４−３４４２４に記載されて
いる材料を使うことができる。
第１の有機材料層は、第２の有機材料層との親和性を低
くシ、記録層の融解除去を促進するものであるから、表
面エネルキーの低い材料であればいかなる材料でも用い
ることができる。一般に、表面エネルギーが低い有機化
合物としては、フッ素を含む化合物が知られている。こ
の様な材料には、第１群として、テトラフルオロエチレ
ン、ヘキサフルオ口グロペン、クロロトリフルオロエチ
レン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデンなどの重合物、
第２群としてテトラフルオロエチレンーヘキサフルオロ
フＣ１／＜ン共重合体、テトラフルオロエチレン−ペル
フルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体などの共
重合プラスチック、第３群としてフッ化ビニリデン−へ
キサフルオロプロペン共重合体、ポリ（トリフルオロプ
ロピルメチルシロキサン）、テトラフルオロエチレン−
プロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン−トリフ
１」ン ルオロニト奥メタン共甫合体、ポリ（フルオロアルコキ
シホスファゼン）などのフッ素系エラストマーなどがあ
げられる。これらは、単体又は混合物で用いることがで
きる。特にプラズマ重合により形成する材料としては、
第１群の材料がより好捷しい。この第１の有機材料層の
厚みは、薄すぎると均一な膜とならず、ま′Ｐｃ厚すぎ
ると感度が低下することから、５〜５Ｑｎｍの範囲が好
ましく、５〜１５ｎｍの範囲がより好ましい。
くシ、記録層の融解除去を促進するものであるから、表
面エネルキーの低い材料であればいかなる材料でも用い
ることができる。一般に、表面エネルギーが低い有機化
合物としては、フッ素を含む化合物が知られている。こ
の様な材料には、第１群として、テトラフルオロエチレ
ン、ヘキサフルオ口グロペン、クロロトリフルオロエチ
レン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデンなどの重合物、
第２群としてテトラフルオロエチレンーヘキサフルオロ
フＣ１／＜ン共重合体、テトラフルオロエチレン−ペル
フルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体などの共
重合プラスチック、第３群としてフッ化ビニリデン−へ
キサフルオロプロペン共重合体、ポリ（トリフルオロプ
ロピルメチルシロキサン）、テトラフルオロエチレン−
プロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン−トリフ
１」ン ルオロニト奥メタン共甫合体、ポリ（フルオロアルコキ
シホスファゼン）などのフッ素系エラストマーなどがあ
げられる。これらは、単体又は混合物で用いることがで
きる。特にプラズマ重合により形成する材料としては、
第１群の材料がより好捷しい。この第１の有機材料層の
厚みは、薄すぎると均一な膜とならず、ま′Ｐｃ厚すぎ
ると感度が低下することから、５〜５Ｑｎｍの範囲が好
ましく、５〜１５ｎｍの範囲がより好ましい。
第２の有機材料層は、炭化水素、炭化水素のハロゲン誘
導体、アルコール、カルボン酸の金属塩。
導体、アルコール、カルボン酸の金属塩。
アルデヒド、ケトン、ニトロ化合物、ニトロン化合物、
アミン化合物、スピラン系化合物、複素環式化合物等を
少なくとも１種含む。また上記材料とＢｉやＴｅなどの
無機材料との混合層として用いても艮い。また前記第１
の有機材料層に用いる筒分子化合物以外の合成又は天然
高分子化合物を用いることもできる。
アミン化合物、スピラン系化合物、複素環式化合物等を
少なくとも１種含む。また上記材料とＢｉやＴｅなどの
無機材料との混合層として用いても艮い。また前記第１
の有機材料層に用いる筒分子化合物以外の合成又は天然
高分子化合物を用いることもできる。
これらの有機材料のうち、融点又は軟化点又は昇華温度
が６０Ｃ以上３００Ｃ以下のものが好ましく、７０Ｃ以
上２００Ｃ以下のものが特に好ましい。
が６０Ｃ以上３００Ｃ以下のものが好ましく、７０Ｃ以
上２００Ｃ以下のものが特に好ましい。
融点又は軟化点又は昇華温度が低すぎると信頼性が低下
する。高すぎると有機材料層を融解除去するために必要
なビームのパワーが太きくなる。
する。高すぎると有機材料層を融解除去するために必要
なビームのパワーが太きくなる。
すなわち記録感度が低下する。
第２の実機材料層の厚みは２０〜２００ ｎｍの範囲が
好ましく、３０〜１１００ｎの範囲が特に好ましい。膜
厚が小さすき゛ると、有機材料層を融解除去した部分と
融解除去しない部分との反射率差が小さく、十分な再生
信号を得ることができない。
好ましく、３０〜１１００ｎの範囲が特に好ましい。膜
厚が小さすき゛ると、有機材料層を融解除去した部分と
融解除去しない部分との反射率差が小さく、十分な再生
信号を得ることができない。
膜厚が大きすぎると、記録感度が低下する。
無機材料層の形成方法は、スパッタリング、電子ビーム
蒸着、真壁蒸着などの方法によって行なう。
蒸着、真壁蒸着などの方法によって行なう。
第１の有機材料層の形成は、スパッタ法又はプラズマ重
合法などの方法で、第２の有機材料層の形成は、真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリングなどの方法によっ
て行なう。
合法などの方法で、第２の有機材料層の形成は、真空蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリングなどの方法によっ
て行なう。
本発明の別の例として、第１図（ｂ）に示す如き断面構
造を持つ。これに、有機物層自身が光を吸収して熱を発
生し、その熱で有機物層が融解除去される構造を持つ情
報記録媒体である。この記録媒体は、所定基板１上に無
機材料からなる光反射層２、更にこの上に形成されたフ
ッ素ポリマーからなる第１の有機材料層４及びこの上に
形成された光を吸収して熱を発生する第２の有機材料か
らなる記録層５から構成されている。無機材料層の材料
としては、反射率が大きくかつ安定な材料であればいか
なる材料も用いることができる。第１の有機材料層とし
てに、上記の材料を用いることができる。第２の有機材
料層の材料としては、光を吸収して熱を発生するもので
あればいかなる材料も用いることが出来る。たとえば、
ニトロソ染料。
造を持つ。これに、有機物層自身が光を吸収して熱を発
生し、その熱で有機物層が融解除去される構造を持つ情
報記録媒体である。この記録媒体は、所定基板１上に無
機材料からなる光反射層２、更にこの上に形成されたフ
ッ素ポリマーからなる第１の有機材料層４及びこの上に
形成された光を吸収して熱を発生する第２の有機材料か
らなる記録層５から構成されている。無機材料層の材料
としては、反射率が大きくかつ安定な材料であればいか
なる材料も用いることができる。第１の有機材料層とし
てに、上記の材料を用いることができる。第２の有機材
料層の材料としては、光を吸収して熱を発生するもので
あればいかなる材料も用いることが出来る。たとえば、
ニトロソ染料。
ア
ニトロ染料、オシ染料、スチルベン染料、ジフェニルメ
タン染料、 トリアリールメタン染料、ザンセン染料
、アクリジン染料、キノリン染料、メチン染料、ポリメ
チン染料、チアゾール染料、インダミン染料、アジン染
料、オキサジン染料、チアジン染料、アミノケトン染料
、オキシケトン染料。
タン染料、 トリアリールメタン染料、ザンセン染料
、アクリジン染料、キノリン染料、メチン染料、ポリメ
チン染料、チアゾール染料、インダミン染料、アジン染
料、オキサジン染料、チアジン染料、アミノケトン染料
、オキシケトン染料。
アントラキノン染料、インジゴイド染料、フタロシアニ
ン染料、トリフェニルメタン染料、ピラゾロン染料、キ
サンチン染料、アリザリン染料、キノンイミン染料、メ
チン染料、４アニン色素などの有機染料、アゾ系、キノ
リン系、アントラキノン系、Ｂフェニルメタン系、フタ
ロシアニン系などの有機顔料、テトラベンゾ［ｄｅ、ｈ
ｉ。
ン染料、トリフェニルメタン染料、ピラゾロン染料、キ
サンチン染料、アリザリン染料、キノンイミン染料、メ
チン染料、４アニン色素などの有機染料、アゾ系、キノ
リン系、アントラキノン系、Ｂフェニルメタン系、フタ
ロシアニン系などの有機顔料、テトラベンゾ［ｄｅ、ｈ
ｉ。
Ｏｐ、Ｓｔ〕ペンタセン、ベンゾ〔ａ〕ペリレンなどの
多環系芳香族化合物などを用いることができる。これら
の材料は、単体で、または炭化水素。
多環系芳香族化合物などを用いることができる。これら
の材料は、単体で、または炭化水素。
炭化水素のハロゲン化物２種々の高分子化合物中に分散
して用いても良い。
して用いても良い。
実施例１
直径３０ ｃｍ 、厚さ１．１咽の円板状化学強化ガラ
スを回転数１２０ｒｌＸｌで回転させながら、この円板
上にＢｉを５０ｎｍの膜厚に蒸着し、次に５ｂ２ｓ３を
３０ｎｍの厚さに蒸着した。この上に厚ざ１゜ｎｍのテ
トラフルオロエチレンのプラズマ重合膜を形成し、更に
この上にｎ Ｃ３６Ｈ７４（融点７６Ｕ）を５Ｑｎｍの
膜厚に蒸着して記録用部材を完成した。この記録用部材
を回転数２４Ｏｒｐｍで回転させながら、半導体レーザ
ーで記録再生を行った。
スを回転数１２０ｒｌＸｌで回転させながら、この円板
上にＢｉを５０ｎｍの膜厚に蒸着し、次に５ｂ２ｓ３を
３０ｎｍの厚さに蒸着した。この上に厚ざ１゜ｎｍのテ
トラフルオロエチレンのプラズマ重合膜を形成し、更に
この上にｎ Ｃ３６Ｈ７４（融点７６Ｕ）を５Ｑｎｍの
膜厚に蒸着して記録用部材を完成した。この記録用部材
を回転数２４Ｏｒｐｍで回転させながら、半導体レーザ
ーで記録再生を行った。
半導体レーザーの発振波長は８３０ ｎｍ、最大出力１
５ｍＷであシ、記録媒体上のスポット径が１．５μｍに
なるように集光した。パルス幅３０〜５００ｎｓで記録
を行い、パルス幅５ｏｎｓの時の記録開始パワーは２０
ｍ Ｊ ／ｃｍ”であり、４０ｍＪ／ｃｍ２で記録し
た時の再生Ｓ／Ｎ比はフッ素ポリ了−を含せない記録用
部材に比べて６ｄＢ向上した。記録ビットをＳＥＭで観
察したところ、フッ素系重合膜を有する記録膜ではこれ
がないものに比べて、周囲のはっきりしたきれいな穴が
おいていた。またこの記録に要する工坏ルキーは膜厚３
゜ｎｍのＴｅ膜の約１／３である。
５ｍＷであシ、記録媒体上のスポット径が１．５μｍに
なるように集光した。パルス幅３０〜５００ｎｓで記録
を行い、パルス幅５ｏｎｓの時の記録開始パワーは２０
ｍ Ｊ ／ｃｍ”であり、４０ｍＪ／ｃｍ２で記録し
た時の再生Ｓ／Ｎ比はフッ素ポリ了−を含せない記録用
部材に比べて６ｄＢ向上した。記録ビットをＳＥＭで観
察したところ、フッ素系重合膜を有する記録膜ではこれ
がないものに比べて、周囲のはっきりしたきれいな穴が
おいていた。またこの記録に要する工坏ルキーは膜厚３
゜ｎｍのＴｅ膜の約１／３である。
実施例２
実施例１と同様の方法でガラス円板上にＢｉを５Ｑｎｍ
の膜厚に蒸着した。この上に厚さ１０ｎｍのテトラフル
オエチレンのプラズマ重合膜を形成し、更にこの上にｎ
−Ｃ３６Ｈ７４とテトラベンゾペンタセンを７０：３０
重量比となるように同時に蒸着し、７０ｎｍの膜を作製
した。この記録用部材を回転数２４０ｒｒｍで回転させ
ながら、１．５μｍに集光したＨ ｅ −Ｎ ｅレーザ
ーで記録再生を行った。記録パルス幅３０〜５００ｎｓ
′７’記録を行い、パルス幅５０ｎｓの時の記録開始パ
ワーは２５ｍＪ／Ｃｒｎ２であった。再生Ｓ／Ｎ比につ
いても、実施例１と同様の結果を得た。
の膜厚に蒸着した。この上に厚さ１０ｎｍのテトラフル
オエチレンのプラズマ重合膜を形成し、更にこの上にｎ
−Ｃ３６Ｈ７４とテトラベンゾペンタセンを７０：３０
重量比となるように同時に蒸着し、７０ｎｍの膜を作製
した。この記録用部材を回転数２４０ｒｒｍで回転させ
ながら、１．５μｍに集光したＨ ｅ −Ｎ ｅレーザ
ーで記録再生を行った。記録パルス幅３０〜５００ｎｓ
′７’記録を行い、パルス幅５０ｎｓの時の記録開始パ
ワーは２５ｍＪ／Ｃｒｎ２であった。再生Ｓ／Ｎ比につ
いても、実施例１と同様の結果を得た。
実施例３
テフロンをターゲットとして１３ｉ上にスパッタ法によ
りテフロン層を形成し、この上にｎ−０３６Ｈ７，とテ
トラベンゾペンタセンを７０：３Ｑ重甘比となるように
同時に蒸着し７０ｎｍの膜を作製した。この記録用部材
の記録感度と再生Ｓ／Ｎについて実施例２とＮ−の結果
を得た。
りテフロン層を形成し、この上にｎ−０３６Ｈ７，とテ
トラベンゾペンタセンを７０：３Ｑ重甘比となるように
同時に蒸着し７０ｎｍの膜を作製した。この記録用部材
の記録感度と再生Ｓ／Ｎについて実施例２とＮ−の結果
を得た。
本発明によれば、記録ビット形状が改善できるので、信
号のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
号のＳ／Ｎ比を向上させることができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、本発明の記録用部材の実施
例の断面図である。 １・・・基板、２，３・・・無機材料層、４・・・第一
の有機第 １ 図 （α） （ｂ）
例の断面図である。 １・・・基板、２，３・・・無機材料層、４・・・第一
の有機第 １ 図 （α） （ｂ）
Claims (1)
- １、集光したレーザー光照射によυ、有機材料からなる
記録層に対してビットを形成し、情報の記録を行なう記
録用部材において、ビットを形成する層の基板側に接し
て低表面エネルギーを有するフッ素系化合物の層を設け
たことを特徴とする記録用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044224A JPS59171686A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 記録用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044224A JPS59171686A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 記録用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171686A true JPS59171686A (ja) | 1984-09-28 |
| JPH0452235B2 JPH0452235B2 (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=12685568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044224A Granted JPS59171686A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 記録用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171686A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60151847A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Nec Corp | 光記録媒体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138066A (en) * | 1982-01-20 | 1982-08-26 | Hitachi Ltd | Information recorder |
| JPS5862095A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-13 | Fujitsu Ltd | 記録媒体 |
| JPS5898289A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-11 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS58118045A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式記録円盤の塗装方法 |
| JPS5990246A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ記録媒体 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58044224A patent/JPS59171686A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862095A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-13 | Fujitsu Ltd | 記録媒体 |
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| JPS58118045A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式記録円盤の塗装方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS60151847A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Nec Corp | 光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452235B2 (ja) | 1992-08-21 |
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