JPS59169132A - 電子線描画装置 - Google Patents

電子線描画装置

Info

Publication number
JPS59169132A
JPS59169132A JP4224683A JP4224683A JPS59169132A JP S59169132 A JPS59169132 A JP S59169132A JP 4224683 A JP4224683 A JP 4224683A JP 4224683 A JP4224683 A JP 4224683A JP S59169132 A JPS59169132 A JP S59169132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rectangular
rotation
electron beam
size
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4224683A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiro Kawasaki
河崎 勝浩
Hideyuki Kakiuchi
垣内 秀行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP4224683A priority Critical patent/JPS59169132A/ja
Publication of JPS59169132A publication Critical patent/JPS59169132A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • H01J37/3007Electron or ion-optical systems

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は電子線描画装置に係シ、特に矩形ビーム作成を
自動的に行なうことのできる電子線描画装置に関する。
〔従来技術〕
従来の電子線描画装置は第1図に示す如き栴成を有して
いる。
図において、1は電子銃、2は電子線、3は第1矩形絞
シ、4はレンズ、5は偏向板、6は第2矩形絞り、7は
レンズ、8はレンズ、9は偏向器、10は試料、11は
矩形寸法制(財)系、12はコンピュータ、13は偏向
制呻系である。
七子銃1から放射された電子線2は、第1矩形絞り3を
照らし、第1矩形絞シ3の像がレンズ4によ)第2矩形
絞シロ上に投影される。第2 ’)、jj形絞り6を通
過した電子線2はレンズ7で縮小され、レンズ8によっ
て試料10上に照射される。そしてコンピュータ12に
より制御されている偏向副脚系13からの信号を受けた
偏向器9によって電子線2は試料10上を走査する。試
料10上に投影されている矩形ビームの寸法を変える場
合は、第2図に示すごとくコンピュータ12によシ制御
されている矩形寸法制御系11からの信号を偏向板5に
与え、矩形絞シ3を通過した電子線2を偏向することに
よって行われる。このようにしてシ:−τ形絞シロを通
過した電子線2によって第2図に示す如く矩形ビーム1
4が作成される。ところが第1矩形絞シ3の像はレンズ
4に、よって回転を受は第3図(a)(b)に示すよう
に第2矩形絞シロ上に投影される。このため、正確な矩
形ビーム(長方形。
又は正方形)を得るには、機械的に第1矩形絞り3を少
しずつ回転させて、第2矩形絞シロに合せていた。一方
、第1矩形絞シ3は水平方向に移動させるために鏡体に
固定されていないので、水平方向移動のたびにメカニカ
ルドリフトを生じ、そのつどオペレータは第1矩形絞シ
3の回転調整を行わなければならず、オペレータに負担
がかかるという欠点を有している。また、第1矩形絞り
3の回転調整はオペレータが矩形ビーム像を実際に観察
しながら行っているため個人差を生じ、描画精度を一定
に保つことができないという欠点を有していた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、自動的に像回転補正を行うことのでき
る電子線描画装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、2枚の矩形絞シの間に像回転補正用電子レン
ズを設けると共に試料近傍のファラデーカップ上に投影
されている矩形ビームを検出する検出器を設け、該検出
器から出力される矩形ビーム信号に応じて前記電子レン
ズを制御するととし二より、自動的に像回転補正を行お
うというものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。
第4図には、本発明の一実施例が示されている、図にお
いて、本実施例は、第1図図示従来例に像回転補正制御
系16と、像回転補正レンズ19と、ファラデイカツブ
15と、A/D変換部18を付加したものである。
このような構成において、第1矩形絞シ3の像はし/ズ
4によって回転が与えられて、第2矩形絞り6上に投影
される。第2矩形絞シロを通過した電子線2は縮小され
試料10上に照射される。
試料10上に照射された電子線2はファラデイカツブ1
5で受けられ、このファラデイカツブ15で受けたビー
ム電流をA/D変換部18においてデジタル化しコンピ
ュータ12KJ&!?込まれる。
この時、コンピュータ12から矩形寸法側脚系11を介
して偏向板5に信号を与え矩形ビームの寸法を変えてフ
ァラデイカツブ15によって検出されるビーム電流値を
コンピュータ12に取シ込む。このビーム電流値は回転
が与えられていなければ、矩形ビーム寸法に比例した値
を示す。そこで変化が比例しないときは矩形ビーム寸法
に比例してビーム電流値が変化するように、回転補正系
16を制御し、回転補正系16からの信号を隊回転補正
電子レンズ19に与えて像の回転を正常な位#まで調整
する。
次に矩形ビーム寸法を変えた時のビーム電流値変化につ
いて第5図を用いて説明する。
成子ビームの電流密度Aは、コンピュータ処理時間内で
は非常に短い時間であるため均一であると考えることが
できる。この電子ビームを、演出するだめのビーム電流
(直は面積S t、 + 82に対応する。
いま、矩形ビーム寸法Xoの時のビーム電流値■1は、
第5図(a)に示す如く、2枚の矩形絞りが一致してい
ないときは、 とな夛、第5図(b)に示す如く2枚の矩形絞りが一致
しているときは、 It  ’=S、’  =A 1雪 a  −Xo  
                 −=・・” (2
)となる。
そこで、矩形ビーム寸法をΔX変化すると、このときの
ビーム電流■2ば、2枚の矩形絞シが一致していないと
きは、 となう、2枚の矩形絞力が一致しているときけ、I2’
=82′−A =a ・(Xo−ΔX )      
−−−−・・・・−(4)となる。
したがって、第5図(a)(b)tic示される局舎の
:覚流変化量Δ■、Δ工′は、 ΔI=I2 L=A(−tanθ(Δx)2−(a+b
)ΔX−4−x(Itanθ(Δx l )   −−
−−・・−・−(5)ΔI’=I2 ’  II ’=
A−a ・Δx     −・−−−・−・(6)とな
る。この(5)式と(6)式とよシとなる。
このようにして、矩形ビーム寸法(本実施例においては
ΔX)を周期的に変化させつつ像回転補正電子レンズ1
9をビーム電流値が不変となるように制御することによ
り正確な矩形ビームがオペレータの介在なしで自動化す
ることができる。
なお、本実施例においては、A/D変換部18を用いて
いるが、とのA/D変換部18に換えて微分回路を設け
、矩形ビーム寸法を変化したときにビーム電流の微分出
力が一定となるように像回転補正電子レンズ19を制御
することもできる。
〔発明の効果〕
に像回転補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電子線描画装置の構成図、第2図は第1
矩形絞シと第2矩形絞りと電子ビームとの関係を示す図
、第3図は電子ビームに回転が生じている状態を示す図
、第4図は本発明の実施例を示す構成図、第5図は像回
転補正を説明するための図である。 1・・・電子銃、2・・・電子線、3・・・第1矩形絞
り、4・・・レンズ、5・・・偏向板、6・・・第2矩
形絞シ、7・・・レンズ、8・・・レンズ、9・・・偏
向器、10・・・試料、11−・・矩形寸法制御系、1
2・・・コンピュータ、13・・・偏向制御系、14・
・・矩形ビーム、15・・・ファラデイカツブ、16・
・・像回転補正側(財)系、18((1)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、電子ビーム通路に2枚の矩形絞シを有し、1枚目の
    矩形絞りの矩形像を2枚目の矩形絞)上に偏向して投影
    する手段を備え、2枚目の矩形絞シを通過した電子ビー
    ムを収束して試料上を走査する電子線描画装置において
    、上記2枚の矩形絞シ間に像回転補正用の電子レンズと
    、上記試料近傍に上記成子ビームのビーム電流値を検出
    する検出手段と、該検出手段からの出力呟が矩形ビーム
    寸法に比例”して変化するように上記1枚目の矩形像の
    回転補正を行う補正手段とを設けたことを特徴とする電
    子線描画装置。
JP4224683A 1983-03-16 1983-03-16 電子線描画装置 Pending JPS59169132A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4224683A JPS59169132A (ja) 1983-03-16 1983-03-16 電子線描画装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4224683A JPS59169132A (ja) 1983-03-16 1983-03-16 電子線描画装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59169132A true JPS59169132A (ja) 1984-09-25

Family

ID=12630666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4224683A Pending JPS59169132A (ja) 1983-03-16 1983-03-16 電子線描画装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59169132A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232415A (ja) * 1983-06-16 1984-12-27 Toshiba Corp 荷電ビ−ム制御方法
JPS63237526A (ja) * 1987-03-26 1988-10-04 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52119184A (en) * 1976-03-31 1977-10-06 Fujitsu Ltd Electron beam exposing method
JPS5353978A (en) * 1976-10-27 1978-05-16 Fujitsu Ltd Rotating position relation adjusting method
JPS5354140A (en) * 1976-10-27 1978-05-17 Fujitsu Ltd Method of forming bore
JPS5357760A (en) * 1976-11-04 1978-05-25 Fujitsu Ltd Electron beam exposure apparatus
JPS54109382A (en) * 1978-02-15 1979-08-27 Jeol Ltd Electron ray exposure
JPS5648134A (en) * 1979-09-28 1981-05-01 Hitachi Ltd Control for electron beam

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52119184A (en) * 1976-03-31 1977-10-06 Fujitsu Ltd Electron beam exposing method
JPS5353978A (en) * 1976-10-27 1978-05-16 Fujitsu Ltd Rotating position relation adjusting method
JPS5354140A (en) * 1976-10-27 1978-05-17 Fujitsu Ltd Method of forming bore
JPS5357760A (en) * 1976-11-04 1978-05-25 Fujitsu Ltd Electron beam exposure apparatus
JPS54109382A (en) * 1978-02-15 1979-08-27 Jeol Ltd Electron ray exposure
JPS5648134A (en) * 1979-09-28 1981-05-01 Hitachi Ltd Control for electron beam

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232415A (ja) * 1983-06-16 1984-12-27 Toshiba Corp 荷電ビ−ム制御方法
JPS63237526A (ja) * 1987-03-26 1988-10-04 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4140913A (en) Charged-particle beam optical apparatus for the reduction imaging of a mask on a specimen
JP2835097B2 (ja) 荷電ビームの非点収差補正方法
US4097740A (en) Method and apparatus for focusing the objective lens of a scanning transmission-type corpuscular-beam microscope
US5481586A (en) Automatic position control system for x-ray machines
US4164658A (en) Charged-particle beam optical apparatus for imaging a mask on a specimen
JPS59169132A (ja) 電子線描画装置
JPS6341401B2 (ja)
JPH0628232B2 (ja) 荷電ビーム露光装置
JPS59114818A (ja) 電子ビ−ムパタ−ン描画方法
JP3697494B2 (ja) ビームエッジぼけ量測定方法及びリフォーカス量決定方法、これらの方法に用いられるステンシルマスク並びに荷電粒子ビーム露光方法及び装置
JPH09199072A (ja) イオンビーム投射方法および装置
JPS6136342B2 (ja)
TW202341215A (zh) 帶電粒子束系統
JPH10172895A (ja) 荷電粒子露光方法及びその装置
JPS60194301A (ja) 距離検出装置
JP2003124093A (ja) ギャップ調節装置及び調節方法
JPH03188616A (ja) 電子ビーム露光装置
JPS6327020A (ja) 荷電粒子線装置
JPS57138138A (en) Adjusting method electron ray exposing device
JPH0212379B2 (ja)
JPH04127416A (ja) マーク位置検出方法
JPS60178625A (ja) 荷電粒子線描画装置におけるマ−ク検出時の荷電粒子線ビ−ム
JPH02215120A (ja) 荷電粒子ビーム描画方法における歪補正方法
JPH027173B2 (ja)
JPS5821328A (ja) 電子線描画装置