JPS59168723A - 入力回路 - Google Patents
入力回路Info
- Publication number
- JPS59168723A JPS59168723A JP58041679A JP4167983A JPS59168723A JP S59168723 A JPS59168723 A JP S59168723A JP 58041679 A JP58041679 A JP 58041679A JP 4167983 A JP4167983 A JP 4167983A JP S59168723 A JPS59168723 A JP S59168723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- output
- logic
- logical
- input circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/09425—Multistate logic
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は入力回路に関し、特に同一基板上に形成された
MIS−F’ETで構成された入力回路に関するもので
ある。
MIS−F’ETで構成された入力回路に関するもので
ある。
近年、半導体集積回路の規模は増大の一途をたどシその
入力端子数も増加してきておシ、この入力端子数を減少
させたいという要求が強まってきている。従来、ディジ
タル入力回路に入力される信号は′″0”と111の2
つの論理状態に対応する入力信号しか入力されておらず
入力端子数が増加する原因になっている。このため、3
つ以上の論理状態に対応する入力信号を入力することに
より入力端子数を減少させることが考えられている。
入力端子数も増加してきておシ、この入力端子数を減少
させたいという要求が強まってきている。従来、ディジ
タル入力回路に入力される信号は′″0”と111の2
つの論理状態に対応する入力信号しか入力されておらず
入力端子数が増加する原因になっている。このため、3
つ以上の論理状態に対応する入力信号を入力することに
より入力端子数を減少させることが考えられている。
本発明の目的は3つ以上の論理状態に対応した入力信号
を入力した場合、各論理状態に対応した出力信号を安定
に出力し、かつ簡単な回路構成で実現できる入力回路を
提供することにある。
を入力した場合、各論理状態に対応した出力信号を安定
に出力し、かつ簡単な回路構成で実現できる入力回路を
提供することにある。
以下本発明に依る第一の実施例を第1図に、その入出力
特性を第2図に示して詳細に説明する。
特性を第2図に示して詳細に説明する。
本実施例は第1図に示した如く、第一の論理回路(11
)と第二の論理回路(12)のそれぞれの入力が入力端
子(IN)に接続され、第−及び第二の論理回路の出力
をそれぞれ第一の出力端子(OUT I )及び第二の
出力端子(OUT[)に接続することによシ構成されて
いる。本実施例では第−及び第二の論理回路はディプリ
ーション型MIS−FgT(Q□□及びQ工a)とエン
ハンスメント型MIS−FET (Q12及びQ14)
で構成されたインバータである。ここで第一の論理回路
を構成しているインバータと第二の論理回路を構成して
いるインバータの負荷素子として動作しているディプリ
ーション型MI S −FET と駆動用素子として
動作しているエンノ・ンスメント型MIS−FETの相
互コンダクタンスgm比〔レシオ〕を異なった値にして
第一の論理回路の論理しきい値電圧が第二の論理回路の
論理しきい値電圧よシも低くなるように設定しである。
)と第二の論理回路(12)のそれぞれの入力が入力端
子(IN)に接続され、第−及び第二の論理回路の出力
をそれぞれ第一の出力端子(OUT I )及び第二の
出力端子(OUT[)に接続することによシ構成されて
いる。本実施例では第−及び第二の論理回路はディプリ
ーション型MIS−FgT(Q□□及びQ工a)とエン
ハンスメント型MIS−FET (Q12及びQ14)
で構成されたインバータである。ここで第一の論理回路
を構成しているインバータと第二の論理回路を構成して
いるインバータの負荷素子として動作しているディプリ
ーション型MI S −FET と駆動用素子として
動作しているエンノ・ンスメント型MIS−FETの相
互コンダクタンスgm比〔レシオ〕を異なった値にして
第一の論理回路の論理しきい値電圧が第二の論理回路の
論理しきい値電圧よシも低くなるように設定しである。
第一図に示した第一の実施例の入力端子に印加される電
圧を0(V)から上昇させていった場合、入力電圧が第
一の論理回路の論理しきい値電圧に達するまでは第−及
び第二の出力端子に出力されている信号は全て1′であ
る。さらに入力電圧を上昇させて入力電圧が第一の論理
回路の論理しきい値電圧と第二の論理しきい値電圧の間
にある場合、第一の出力端子には0″が第二の出力端子
には1″がそれぞれ出力されている。さらに入力電圧が
第二の論理回路の論理しきい値電圧以上になった場合、
第−及び第二の出力端子共に′0”が出力される。そし
て各出力端子に出力される信号の組み合わせによって、
入力電圧に対応した各論理状態を識別することができる
。
圧を0(V)から上昇させていった場合、入力電圧が第
一の論理回路の論理しきい値電圧に達するまでは第−及
び第二の出力端子に出力されている信号は全て1′であ
る。さらに入力電圧を上昇させて入力電圧が第一の論理
回路の論理しきい値電圧と第二の論理しきい値電圧の間
にある場合、第一の出力端子には0″が第二の出力端子
には1″がそれぞれ出力されている。さらに入力電圧が
第二の論理回路の論理しきい値電圧以上になった場合、
第−及び第二の出力端子共に′0”が出力される。そし
て各出力端子に出力される信号の組み合わせによって、
入力電圧に対応した各論理状態を識別することができる
。
次に本発明に依る第二の実施例を第3図に、その特性を
第4図及び第5図に示して詳細に説明する。
第4図及び第5図に示して詳細に説明する。
第3図において第一、第二及び第三の論理回路(21,
22及び23)はC−MOSのインバータで構成され、
各インバータを構成しているPチャネルMIS−FET
(Q21 、Q23及びQ25)とNチャネルMI S
−FET (Q2□、Q24及びQ26)のgmのレ
シオをそれぞれ異なった値に設定することで、第一、第
二、第三の論理回路の順に論理しきい値電圧が高くなる
ようにしである。ここで第一、第二及び第三の論理回路
の各入力は入力端子(IN)に、各出力はインバータと
NORで構成されたデコーダ(24)の入力にそれぞれ
接続され、デコーダの4出力がそれぞれ第一、第二。
22及び23)はC−MOSのインバータで構成され、
各インバータを構成しているPチャネルMIS−FET
(Q21 、Q23及びQ25)とNチャネルMI S
−FET (Q2□、Q24及びQ26)のgmのレ
シオをそれぞれ異なった値に設定することで、第一、第
二、第三の論理回路の順に論理しきい値電圧が高くなる
ようにしである。ここで第一、第二及び第三の論理回路
の各入力は入力端子(IN)に、各出力はインバータと
NORで構成されたデコーダ(24)の入力にそれぞれ
接続され、デコーダの4出力がそれぞれ第一、第二。
第三及び第四の出力端子(OUT i 、 OUT I
I、 0UTIII及びOUT ■)に接続されて構成
されている。第3図に示した入力回路は異なる論理しき
い値電圧を有する3つの論理回路で構成されている為、
第を境に論理状態I〜論理状態■の4つの領域に分かれ
ておシ、入力電圧を上昇させていくと共に第一の論理回
路から第4の論理回路まで順次その出力が反転してゆき
、その特性を第4図に示しである。さらに第二の実施例
では各論理回路出力がデコーダに入力されておシ、論理
状態l〜論理状態■の各論理状態に対応した出力端子だ
け1”が出力され他の出力端子には全て′0”が出力さ
れるような構成をとっておシ、入力電圧に対応した各論
理状態に各出力端子が一対一に対応するように設定され
ている。第二の実施例における入力電圧に対応した論理
状態と各出力端子の状態の関係を第5図に示しである。
I、 0UTIII及びOUT ■)に接続されて構成
されている。第3図に示した入力回路は異なる論理しき
い値電圧を有する3つの論理回路で構成されている為、
第を境に論理状態I〜論理状態■の4つの領域に分かれ
ておシ、入力電圧を上昇させていくと共に第一の論理回
路から第4の論理回路まで順次その出力が反転してゆき
、その特性を第4図に示しである。さらに第二の実施例
では各論理回路出力がデコーダに入力されておシ、論理
状態l〜論理状態■の各論理状態に対応した出力端子だ
け1”が出力され他の出力端子には全て′0”が出力さ
れるような構成をとっておシ、入力電圧に対応した各論
理状態に各出力端子が一対一に対応するように設定され
ている。第二の実施例における入力電圧に対応した論理
状態と各出力端子の状態の関係を第5図に示しである。
このようにして入力電圧によって決定される3つ以上の
各論理状態に対応した出力信号を安定に出力し、かつ簡
単な回路構成である入力回路を実現することができる。
各論理状態に対応した出力信号を安定に出力し、かつ簡
単な回路構成である入力回路を実現することができる。
尚、本発明に依る入力回路を構成する場合、論理回路は
インバータに限らず任意の論理回路で構接続されたもの
以外の入力に他の任意の信号を人力して動作させること
も可能である。
インバータに限らず任意の論理回路で構接続されたもの
以外の入力に他の任意の信号を人力して動作させること
も可能である。
第1図及び第3図は本発明に依る第−及び第二の実施例
の回路を、第2図及び第4図、第5図はそれぞれ本発明
に依る第−及び第二の実施例の特性を示す図である。 なお図においてQ 11 、 Q 1B・・・・・・N
チャネルディプリーション型MI8−FET% Q 1
21 Q 14 + Q221Q24 + Q26 ・
・・・・・Nチャネルエンハンスメント型MIS−FE
T1Q21 、Q23 、Q25・′・・・・・Pチャ
ネルエンハンスメン)fiMIs−FET11N・・・
・・・入力端子、OUT I 、0UTII 、0UT
I[[,0UTIV・・・・・・出力端子、11.12
,21.22.23・・・・・・論理回路、24・・・
・・・デコーダ回路である。
の回路を、第2図及び第4図、第5図はそれぞれ本発明
に依る第−及び第二の実施例の特性を示す図である。 なお図においてQ 11 、 Q 1B・・・・・・N
チャネルディプリーション型MI8−FET% Q 1
21 Q 14 + Q221Q24 + Q26 ・
・・・・・Nチャネルエンハンスメント型MIS−FE
T1Q21 、Q23 、Q25・′・・・・・Pチャ
ネルエンハンスメン)fiMIs−FET11N・・・
・・・入力端子、OUT I 、0UTII 、0UT
I[[,0UTIV・・・・・・出力端子、11.12
,21.22.23・・・・・・論理回路、24・・・
・・・デコーダ回路である。
Claims (3)
- (1) 異なる論理しきい値電圧を有する複数の論理
回路の各々の入力を一入力端子に、前記複数の論理回路
の各出力を各出力端子に接続して構成され、前記各出力
端子に出力される信号の組み合わせによυ決定される前
記入力端子に印加された入力電圧に対応した論理状態が
、前記論理回路の数に1を加えた数だけ存在することを
特徴とする入力回路。 - (2)前記異なる論理しきい値電圧を有する複数の論理
回路の各出力信号をデコーダに入力し、前記デコーダの
出力を各出力端子に接続して構成さ゛れ、前記各論理状
態に対応した任意の論理出力信号が前記各出力端子に出
力されることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記
載の入力回路。 - (3)前記異なる論理しきい値電圧を有する論理回路を
単一導電型のMIS−FETで構成する場合は、負荷素
子と駆動用MIS−FBTのレシオを、相補型MIS−
FETで構成する場合は、対をなすPチャネルMIS−
FETとNチャネルMIS−Bi’ETのレシオをそれ
ぞれ異なる値に設定して構成することを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項及び第(2)項記載の入力回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58041679A JPS59168723A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 入力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58041679A JPS59168723A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 入力回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59168723A true JPS59168723A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12615105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58041679A Pending JPS59168723A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 入力回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59168723A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4631428A (en) * | 1984-10-26 | 1986-12-23 | International Business Machines Corporation | Communication interface connecting binary logic unit through a trinary logic transmission channel |
JP2013506349A (ja) * | 2009-09-28 | 2013-02-21 | アルテラ コーポレイション | 準安定性強化格納回路のための装置および関連する方法 |
-
1983
- 1983-03-14 JP JP58041679A patent/JPS59168723A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4631428A (en) * | 1984-10-26 | 1986-12-23 | International Business Machines Corporation | Communication interface connecting binary logic unit through a trinary logic transmission channel |
JP2013506349A (ja) * | 2009-09-28 | 2013-02-21 | アルテラ コーポレイション | 準安定性強化格納回路のための装置および関連する方法 |
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