JPS59161648U - 半導体素子の絶縁構造 - Google Patents
半導体素子の絶縁構造Info
- Publication number
- JPS59161648U JPS59161648U JP5652083U JP5652083U JPS59161648U JP S59161648 U JPS59161648 U JP S59161648U JP 5652083 U JP5652083 U JP 5652083U JP 5652083 U JP5652083 U JP 5652083U JP S59161648 U JPS59161648 U JP S59161648U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- semiconductor elements
- insulation structure
- ground
- insulating
- Prior art date
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- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案の実施例を示す構造図である。
１・・・・・・半導体素子、２・・・・・・放熱体、３
・・・・・・絶縁間座、４・・・・・・制御回路、５・
・・・・・ケース、ｔ・・・・・・放熱体とケースの間
隔。 ７
・・・・・・絶縁間座、４・・・・・・制御回路、５・
・・・・・ケース、ｔ・・・・・・放熱体とケースの間
隔。 ７
Claims (1)
- 高速スイッチング動作をなす半導体素子と、該半導体素
子が直接または導体もしくは絶縁体を介して装着され該
半導体素子の発熱を放射する放熱体と、大地に対する該
放熱体の静電容量が小となる構造にて該放熱体を大地か
ら絶縁する絶縁構造を備えてなる半導体素子の絶縁構造
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5652083U JPS59161648U (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体素子の絶縁構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5652083U JPS59161648U (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体素子の絶縁構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161648U true JPS59161648U (ja) | 1984-10-29 |
Family
ID=30186841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5652083U Pending JPS59161648U (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体素子の絶縁構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161648U (ja) |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP5652083U patent/JPS59161648U/ja active Pending
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