JPS59158557A - Ｎｐｎバイポ−ラトランジスタの製法 - Google Patents
Ｎｐｎバイポ−ラトランジスタの製法Info
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- JPS59158557A JPS59158557A JP3238883A JP3238883A JPS59158557A JP S59158557 A JPS59158557 A JP S59158557A JP 3238883 A JP3238883 A JP 3238883A JP 3238883 A JP3238883 A JP 3238883A JP S59158557 A JPS59158557 A JP S59158557A
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- bsg film
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明はＮＰＮバイポーラトランジスタの製法に関す
る。
る。
第１図に示すようにコレクタとなるＮ型エピタキシャル
層（２）の表面部にＰ型のベース層（１）を形成し、そ
の上をｔＳ化脱（４）で被覆し、第３図に示すようにこ
の酸化膜（４）に開口部（５）をあけてＮ型不純物（２
）を拡散させベース層（１）上面にＮ型のエミッタ（３
）を形成した場合、第４図１に示すようにエミッタ（ろ
）下においてベース層（１）にエミッタ押出し拡散を生
じてエミッタ押出部（１０）を形成する。このためデバ
イス設計をおこなう際ベース層（１）の幅のコントロー
ルが難しく［７かもその値は増巾率が影響を与えるとい
う欠点があった。
層（２）の表面部にＰ型のベース層（１）を形成し、そ
の上をｔＳ化脱（４）で被覆し、第３図に示すようにこ
の酸化膜（４）に開口部（５）をあけてＮ型不純物（２
）を拡散させベース層（１）上面にＮ型のエミッタ（３
）を形成した場合、第４図１に示すようにエミッタ（ろ
）下においてベース層（１）にエミッタ押出し拡散を生
じてエミッタ押出部（１０）を形成する。このためデバ
イス設計をおこなう際ベース層（１）の幅のコントロー
ルが難しく［７かもその値は増巾率が影響を与えるとい
う欠点があった。
この発明は」二組の点に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、ＮＰＮバイポーラトランジスタを製
造する際、Ｎ型不純物とＰ型不純物の粒径の違い等によ
って生ずるエミッタ押出し拡散による影響の低減を図る
ことを目的とする。
的とするところは、ＮＰＮバイポーラトランジスタを製
造する際、Ｎ型不純物とＰ型不純物の粒径の違い等によ
って生ずるエミッタ押出し拡散による影響の低減を図る
ことを目的とする。
この発明の要旨とするところはＮ型エピタキシャル層（
２）上に形成せる酸化膜（４）に開口ａ（９１を設け、
この開口部（９）を介してこのＮ型エピタキシャル層（
２）上に窒素雰囲気中でベース層（１）を形成し、その
上で表ｍｊにＣＶＤ法により高濃度ＢＳＧ腺１６）を形
成し、°このＢＳＧ膜（６）にエミッタ拡散用の開口部
（７）を設け、この開口部（ハを介してベース層（１）
にエミッタデポジションをおこないこのベース層（１）
上にＮ型層を形成することを特徴とするＮＰＮバイポー
ラトランジスタの製法である。
２）上に形成せる酸化膜（４）に開口ａ（９１を設け、
この開口部（９）を介してこのＮ型エピタキシャル層（
２）上に窒素雰囲気中でベース層（１）を形成し、その
上で表ｍｊにＣＶＤ法により高濃度ＢＳＧ腺１６）を形
成し、°このＢＳＧ膜（６）にエミッタ拡散用の開口部
（７）を設け、この開口部（ハを介してベース層（１）
にエミッタデポジションをおこないこのベース層（１）
上にＮ型層を形成することを特徴とするＮＰＮバイポー
ラトランジスタの製法である。
以下この発明を第５図乃至第９図に示す一実施例に基つ
いて説明する。
いて説明する。
まずＮ型エピタキシャル層（２）上にＰ型の′ベース層
（１）を形成する。通常ベース層（１）の形成時には雰
囲気として酸素を流し開口部（５）を設けていた酸化膜
（４）の閉塞を同時におこなうが、この発明にあっては
窒素を流して開口部（５）は開いたままとする。
（１）を形成する。通常ベース層（１）の形成時には雰
囲気として酸素を流し開口部（５）を設けていた酸化膜
（４）の閉塞を同時におこなうが、この発明にあっては
窒素を流して開口部（５）は開いたままとする。
第５図はこの状態を示す。
次に第６図に示す如く、ＣＶＤ法により表面上に高濃度
のＢＳＧ膜（６）を形成する。このときの形成温度は約
４５０℃前後となるためにベース層（１）の拡散は進む
ことかない。
のＢＳＧ膜（６）を形成する。このときの形成温度は約
４５０℃前後となるためにベース層（１）の拡散は進む
ことかない。
次の工程として、第７図の如くＢＳＧ膜（６）にコーミ
ツタ拡散用の開口部（７）をあける。そしてこの開口部
（ハを介してベース層（１）にエミッタデポジションを
おこなう。第８図はこの状態を示す。
ツタ拡散用の開口部（７）をあける。そしてこの開口部
（ハを介してベース層（１）にエミッタデポジションを
おこなう。第８図はこの状態を示す。
これによりＮ型不純物（リン）が開口部（７）よりベー
ス層（１）に拡散されＮ型のエミッタ（ろ）がベースｉ
（ｉ＋）表面上に形成される。このときエミッタ（３）
の形成によるベース層（１）の押出しを生ずるが、同時
にエミッタ（ろ）のまわりのベース層（２）には高濃度
０）ＢＳＧ膜１６）からボロンが拡散され、エミッタ（
ロ）まわりのベース層（１）を押し下げる。このように
してベース層（１）の底部は全体か下方に均一に押下け
られることになる。第９図はこの状態を示す図１である
。（８）は最後に表面を被覆する酸化膜である。
ス層（１）に拡散されＮ型のエミッタ（ろ）がベースｉ
（ｉ＋）表面上に形成される。このときエミッタ（３）
の形成によるベース層（１）の押出しを生ずるが、同時
にエミッタ（ろ）のまわりのベース層（２）には高濃度
０）ＢＳＧ膜１６）からボロンが拡散され、エミッタ（
ロ）まわりのベース層（１）を押し下げる。このように
してベース層（１）の底部は全体か下方に均一に押下け
られることになる。第９図はこの状態を示す図１である
。（８）は最後に表面を被覆する酸化膜である。
この発明によるＮＰＮバイポーラトランジスタの製法に
よれは、エミッタ押出し拡散のおこなわれるエミッタ（
ろ）の周囲において高濃度のＢＳＧ膜（６）からのボロ
ン拡散がおこなわれるのでベース層（１）の底部は全体
が均一に下方に押下げられることになり、エミッタ押出
しのみが生ずる場合におけるが如き押出し境界部におけ
る電流集中を低減させることができ、製造されるＮＰＮ
バイポーラトランジスタの電醜幅率を安定させることが
できる等の効果がある。
よれは、エミッタ押出し拡散のおこなわれるエミッタ（
ろ）の周囲において高濃度のＢＳＧ膜（６）からのボロ
ン拡散がおこなわれるのでベース層（１）の底部は全体
が均一に下方に押下げられることになり、エミッタ押出
しのみが生ずる場合におけるが如き押出し境界部におけ
る電流集中を低減させることができ、製造されるＮＰＮ
バイポーラトランジスタの電醜幅率を安定させることが
できる等の効果がある。
第１図乃至第４図に示すのは従来例を示す断面図、第５
図乃至第９図に示すのはこの発明の一実施例を示す断面
図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名）
図乃至第９図に示すのはこの発明の一実施例を示す断面
図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名）
Claims (1)
- １） Ｎ型エピタキシャル層（２）上に形成せる酸化
膜（４１に開口部（９）を設け、この開口部（９１を介
してこのＮ型エピタキシャル層（２１上に窒素雰囲気中
でベース層（１）を形成し、その上で表面にＣＶ Ｉ）
法により高濃度ＢＳＧ膜（６）を形成し、このＢＳＧ膜
（６）にエミッタ拡散用の開口部（７）を設け、この開
口部（７）ヲ介してベース層（１）にエミッタデポジシ
ョンをおこないこのメース層（１）土にＮ型層を形成す
ることを特徴とするＮＰＮバイポーラトランジスタの製
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238883A JPS59158557A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Ｎｐｎバイポ−ラトランジスタの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238883A JPS59158557A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Ｎｐｎバイポ−ラトランジスタの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158557A true JPS59158557A (ja) | 1984-09-08 |
Family
ID=12357564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3238883A Pending JPS59158557A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Ｎｐｎバイポ−ラトランジスタの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03130047U (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | ||
| DE19808615B4 (de) * | 1997-02-25 | 2006-12-21 | Suzuki Motor Corp., Hamamatsu | Gerätetafeltragkonstruktion für ein Kraftfahrzeug |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP3238883A patent/JPS59158557A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03130047U (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | ||
| DE19808615B4 (de) * | 1997-02-25 | 2006-12-21 | Suzuki Motor Corp., Hamamatsu | Gerätetafeltragkonstruktion für ein Kraftfahrzeug |
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