JPS59158539A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS59158539A
JPS59158539A JP58034111A JP3411183A JPS59158539A JP S59158539 A JPS59158539 A JP S59158539A JP 58034111 A JP58034111 A JP 58034111A JP 3411183 A JP3411183 A JP 3411183A JP S59158539 A JPS59158539 A JP S59158539A
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JP
Japan
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resin
sealed
substrate
lsi chip
holes
Prior art date
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Pending
Application number
JP58034111A
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English (en)
Inventor
Kazuhito Ozawa
小沢 一仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS59158539A publication Critical patent/JPS59158539A/ja
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    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は樹脂封止型半導体装置に関するものである。
〈従来技術〉 従来、半導体素子を封止する方法としてガラスシール、
金属シール、樹脂シール等が提案されているが、ガラス
シール、金属シールは高価であり又工程数−1−の問題
があるのに対し、樹脂シールは簡単な工程でしかも安価
にできるという利点がある為、最近(・ゴはとんど樹脂
シールが採用されている。
第1図(イ)は:2)−ドフレーム1にL S Iテッ
プ2をダイレクトボンティングし、樹脂3にて封止した
例であり、又同図(ロ)Ifiセラミック基板4」−の
LSIチップ2とリードフレーム1をワイヤー5にて接
続し、その北に樹脂3を被せて封止した所謂フラットパ
ッケージの例である。
しかしながら、この種の樹脂封止型半導体装置において
は、リードフレーム(金属)Iと樹脂3との密着性か悪
く、この部分を通じて内部に湿気が入り半導体素子(L
!Mチップ)2の劣化が促進されるとめう問題があった
〈目的〉 本発明はかかる従来の問題点に鑑みて成されたもので、
耐湿性に優れた非常に信頼性の高い樹脂封止型半導体装
置を提供せんとするものである。
〈実施例〉 以下図にもとついて本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
この半導体装置はスルーホール及び外部リードパターン
を形成した基板の該スルーホール部にLSIチップをボ
ンディングし、この−ヒを被うように樹脂で封止して成
る。図において、6は樹脂基板、7はLSIチップのボ
ンディング部に対応するように該基板に形成されたスル
ーホールである。スルーホール7は触媒入り基板にメッ
キ法にて成長させるフルアディティブ法とか、Cu箔の
接着あるいはCuペーストによってその導体部分が形成
されている。これらの方法によって形成されたスルーホ
ールの導体部分は樹脂基板6に強固に密着し、該両者間
は非常に耐湿性に優れたものとなっている。
樹脂基板6の裏面には各スルーホール7の導体部分に接
続される外部リードパターン8を従来通りエツチング法
により形成している。そして、このように形成された樹
脂基板6の表面、すなわち外部リードパターン8の形成
面と逆の方の面に現われているスルーホール端部9にL
SIチップ10をダイレクトボンディングし、この」二
を樹脂IIにて封止するとともに、外部リードパターン
形成面側のスルーホール7を半田I2にて封止して構成
している。
かかる構成によれば、LSIチップ10を封止する樹脂
11は基板6に密着し、しかもこの基板6は樹脂製であ
るために所謂樹脂と樹脂の結合となり、この両者間は密
着性が非常に強い。1だ、基板6とスルーホール7の間
は上述したように一般に密着性に優れ、しかも該ホール
は半田12にて封止さJしているので、内部のLSIチ
ップ1゜を完全に密閉することが出来る。
〈効果〉 以上の様に本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、ス
ルーホールと外部リードパターンを形成してなる樹脂基
板にLSIチップを載せて樹脂封止するようにしたから
、装置の耐湿性を良くし、半導体素子の劣化を防止する
ことが出来る。
【図面の簡単な説明】
箸β図(イ)及び(鴫は従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図、第2図は本発明の樹脂封止型半導体装置の断面
図。 6は基板、7はスルーホール、8は外部リードパターン
、10はLSIチップ、I+は樹脂、12は半田。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名ン第1図 第2 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板片面に形成したリードパターンに接続されるよ
    うに該基板に適宜スルーホールを形成するとともに、該
    パターン形成面と逆の面のスルーホール部に半導体装設
    を接続し、該装置の七を被うように樹脂で封止してなる
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置4.
JP58034111A 1983-02-28 1983-02-28 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS59158539A (ja)

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JP58034111A JPS59158539A (ja) 1983-02-28 1983-02-28 樹脂封止型半導体装置

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JPS59158539A true JPS59158539A (ja) 1984-09-08

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ID=12405159

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JP58034111A Pending JPS59158539A (ja) 1983-02-28 1983-02-28 樹脂封止型半導体装置

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JP (1) JPS59158539A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0657932A3 (en) * 1993-12-13 1996-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Connection electrode for a chip housing, assembly and associated manufacturing method.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0657932A3 (en) * 1993-12-13 1996-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Connection electrode for a chip housing, assembly and associated manufacturing method.
US5628919A (en) * 1993-12-13 1997-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Methods for producing a chip carrier and terminal electrode for a circuit substrate
US5640051A (en) * 1993-12-13 1997-06-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chip package, a chip carrier, a terminal electrode for a circuit substrate and a chip package-mounted complex

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