JPS59157912A - 被覆電線の製造法 - Google Patents

被覆電線の製造法

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JPS59157912A
JPS59157912A JP3160483A JP3160483A JPS59157912A JP S59157912 A JPS59157912 A JP S59157912A JP 3160483 A JP3160483 A JP 3160483A JP 3160483 A JP3160483 A JP 3160483A JP S59157912 A JPS59157912 A JP S59157912A
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JP
Japan
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layer
composite film
core wire
fep
film
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JP3160483A
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English (en)
Inventor
正雄 中村
森山 康弘
石塚 隆志
一好 上森
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポリイミドC以下、PIと称す)被依層を有す
る相、線の新規な製造法に関するものである。
PI被覆層を有する電線は耐熱用途において重視されて
いる。従来から、この電線はPIフィルム街直接芯線に
接合することが困難であるため、PIフィルム片面に熱
融着層としてのテトラフルオロエチレン−へキサフルオ
ロプロピレン共重合体C以下、FEPと称す)層を形成
した後芯線にラセン状巻付け、次いで加熱することによ
りFEP 層’!k 介してPIフィルムを芯線に接合
する方法によ抄製遺されている。
ところで、従来法によれば、芯線へのフイJレムのラセ
ン巻付けにより、フィルム同志が所定幅で重ね合わされ
ることになるのであるが、加熱接合ffjlLではフィ
ルム重合部における接合強度、即ち、PI層1に対する
FEP層の接合強度を実用レベ7L/にするため、FE
Pの融点をはるかに越える温度例えば約350〜410
℃に加熱する必要があり、多量の熱エネルギーを消費す
るばかりでなく、加熱所要時間によっては被覆層の熱劣
化が懸念される。
不発明者達は従来技術の有する上記問題を解決するため
種々検討の結果、PI層とFEP層から成る複合フィル
ムのFEP層表面を所定範囲の減[fl’F下において
スパッタエツチング処理することにより、1;亥FEP
層の存する接合能力の発現温度領域が低温度領域に−ま
で拡大L、約300℃においても実用しベルの接合強度
が得られることを見出し・本発明を完成するに至ったも
のである。
即ち、本発明に係る被覆電線の製造法は、PI層とその
片面に積層されたFEP層から成る複合フィルムの前記
共重合体層表面分、雰囲気圧o、ooo5N11..5
 Torrの条件下でスパッタエツチング処理12、次
いで芯線上vc複合フィルムをその共重合4X層が芯線
側になるように巻付け、その後加熱により複合フィルム
を芯線Kl熱融着させて被覆層を形成させることを特徴
とするものである。
本発明において用いられる複合フィルムはPI層の片面
にFEP層が積層されたもので、PI層の厚さは通常約
10〜125μ、FEP層の厚さは通常約3〜100μ
である。
この複合フィルムは例えば、PIフィルムの片面にFE
Pの水性ディスパージョンを塗布[7た後約350〜4
10℃の温度で加熱乾燥することにより、PIフィルム
の片面に厚さ約3〜100μ+7)FEP薄層を形成す
る方法、或いはPIフィルA17)片面上[厚さ約I 
O−100μのFEPフィルムを重ねて加熱加圧し、両
者を熱融着する方法等により得ることができる。
上記PIフィルムとしては、特に限定されることなく種
々のものが使用でき、例えば3.4゜ボン酸2無水物、
ビ占メリット酸2無水物、ジフェニルプロパンテトラカ
ルボン酸2無水物等)芳香族テトラカルボンe2無水物
トm −−yエニレンジアミン、4.4−ジアミノジフ
ェニルエ−ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジア
ミンをN、N−ジメチルホルムアミド、N、Nジメチル
ホルムアミド、N−メチフレー2−ピロリドン等の有機
極性、#媒中で反応させて得らhるポリアミド毅溶液を
剥離性基樹上に流延し、次−で加熱乾燥し、て揮発分を
除去すると共にポリアミド酸をイミド転化L、前記基材
から剥離I2て得られるフィルム音用いることができる
不発i:!I4に、おいてはPI層とその片面に積層さ
れたFEP層から成る複合フィルムのFEP層表面がス
パッタエツチング処理される。この処理時における雰囲
気圧は0.(1005〜0.5 Torr VCR定さ
れる。雰囲気圧が(+410(15Torr以下ではス
パッタエツチングを行なう放電が持続的になされず、ま
アt0.5 Torr以上ではエツチング速度が著しく
低下すると共に放電自体が不安定となるので、いずれも
好贅L <ない。
更に他のスパッタエツチング処理条件としては、通常周
波数は数百KHz〜故十MH2%実用上工業用割当周波
教の13.56 MIIz 、放電電力は+1.i 〜
5.(IWa t t/f?Jである。処理時間は放電
電力が小となるほど従くする必堺があるため、実用的に
は放電室。
力を大として処理時間を少なくするのがよlA(表面の
処理度合はほぼ放電電力と処理時間の積として表わされ
る)。
本発明においては、短時間で複合フィルムのFEP層表
面に充分なスパッタエツチング処理を行なうため、放電
電力(watt/ci )と処理時間(sec )との
積が、0.5 Watt −sec / cd以上好ま
しく3〜50 Watt−sec / ca VChる
ように放電電力および処理時間を設ごするのがよい。
雰囲気ガスとしては、各種の気体が使用可能であるが、
アルゴンのような不活性ガス、空気、水蒸気、炭酸ガス
等が実用的である。
次に、スパッタエツチング娠理装W +7’) −例’
e 図面により説明する。第1図において、■は減圧容
器2内の気体を排気するための真空ポンプ(図示せず)
に接続する排気管、3は雰囲気ガスを減圧容器2内に導
入するためのバルブ、4は複合フィルム5のrEprm
120表面をスパッタエツチングするための電極であっ
て、甫気的に減圧容器2と絶縁され、気密シールされた
リード線で外部のマツチングボックス6(インピーダン
ス整合器)ic 4”t Me サh、さらrc昌周波
電隙7に導びがれている。
8 ハ1I−r jii 4 ノー7− ルド用’+:
h: ・濾T、高周波電源7のアース側と辱曲1−でい
る。9は対向電極で同じく高層波′【)i源7σ)アー
ス側に接続さノ1ている。
なお、減圧容器2は雰囲気圧を一定に保つ役目ゲ12、
これに金J’lS製減圧容器を用いたあ1合には制周波
電源7のアース側に接続される。
マツチングボックス6はキャパシタンスとインダクタン
スからなる回路器で、インピーダンス整合を行なうもの
である。また、10.11は複合フィルム5σ)供給ロ
ールおよび巻取りロールである。
コtr>86フイルム50対回電極9に対応するFEP
1※120表面分スパッタエツチング処理するには、真
空ポンプにより減圧容器2′lI:減圧すると共K ハ
フ1/ フ3から雰囲気ガスを導入しながら、容器2内
を所定雰υ11気圧に調整12、その後、引き続き雰囲
矢、ガス(i−稈人1.なから所定雰囲気圧のもとで、
高周波電源7から所定時間継続I5て電圧を印加すると
、FEP層12の表面が徐々にスパッタエツチング処理
される。
なお、電極4および対向電極9は放電により発熱1.、
その温度が上昇する+7)で、そぴ)内部に?ff却通
路を設け、冷却用の液体や気体を流通させるのが好捷(
7い。
このようVCl、−てスパッタエツチング63yすhた
複合フィルム/7) F E P層表面には無数の微細
針状突起の形成が観察される。
本発明においてはFEP層表面にスパッタエツチング処
理の施された複合フィルムが芯線上にう(! ン巻% 
Ijいはすし巻きされる。複合フィルムの芯線への巻付
けは、該74. rレムのFEP層が芯線側になるよう
に行なう。
このようにして芯線に複合フィルムを巻付けた後、これ
をガロ熱し複合フィルム分芯線に熱融着させると共にフ
ィルム同志をその重なり部においてヤシ融着させて、芯
線上rPI被蒙層全形成せI、める。本発明によれば、
FEP層表面をスパッタエツチング処理して用いている
ので、加熱温度が約30 (l lr程度の比較的低温
度条件下においても、実用レベルの接合強度を得ること
ができる。勿論従来と同様な高温度条件下におりで接合
することもでき、この場合には加熱時間を短縮1〜でも
、従来と同程度の接合強度が得・られるので、複合フィ
ルムの熱劣化全回綻できる。
本発明におりで、FEP層表面へのスパッタエツチング
処理により、1該FEP層の有する接合能力の発現温度
領域が低温度領域にまで拡大する理由は明らかではな論
が、1拍記スパッタエツチング処理によすF E ’P
層表面に形成される政如針状突起が寄与I7てAると推
論される。
本発明は上記σ)ように構成され、複合フィルム17)
FEP層表面をスパッタエツチング処理するように1−
だので、これを芯線に巻付けて加熱する場合、低温度条
件下におりても芯線とフィルム或いはフィルム同志を実
用に耐え得る強度に接合できる特徴を有している。
以下、実施例により本発明を更ll(詳細に説明する。
実施例1 厚さ25μの長尺PIフィルム(デ峯ボン社製、カプト
ン100H)の片面に濃度50重量%ノpEP水性ディ
スバージ冒ンを塗it、、その後40()℃の温度で1
0分間加熱乾燥することにより、厚さ10μg”IFE
P層の形成された長尺複合フィルムを得る。
こノ複合フィルムを第1図に示すズパッタエッチング処
理装置の供給ロール10にロール状に巻くと共にその先
端を巻取りロール11に固定する。
次に、減圧容器2内にアルゴンガスを導入1−で、雰囲
気圧20.0(15Torr Vc段設定、13.56
MHzの高周波電圧を印塀し、放電電力が5WattA
K’/xるように調整し、複合フィルム5を走行させな
がら)cFJFEP層12表面全12表面パッタエツチ
ング処理する。スパッタエツチング処理終了後、バルブ
3から減圧容器2因に空気5L:導入して!圧に戻し、
FEP層表面がスパッタエツチング処理された複合フィ
ルムを取り出し、幅5順にスリットする。
次いで、IIN 5 mWの複合フィルムを直径2顛の
銅線上にハーフラップで巻き付け、温度30 (1℃で
1()分間加熱することにより、複合フィルムを芯線に
熱融着させると共にフィルム同志をそ/7)Mなり部に
おいて熱融着させて、芯線上にP■被覆層の形成された
被覆電線ケ得た。
複合フィルム同志の市なり部の接合強度全知るため、1
枚の複合フィルムのPI層上にもう1枚の複合フィルム
のF、EP層か接触するように重ね合せ、温度300 
’C、圧力1 (1’ kg / cAの条件でI 0
分間加熱加圧し、両フィルム分熱融着せしめり後、18
()0ピーリング法(温度25℃、引張り速f 300
 Mrn/min )により接着力を測定した。
更に、加熱加圧時の温度を種々変化させる以外は上記と
同様にして2枚の複合フィルム分熱融着せしめ、この接
着力を測定した。得られた結果を、第2図中vCAとし
て示す。
比較のため、スパッタエツチング処理を施す前ノ複合フ
ィルム2枚’e用い、フィルム間の接着力を同様に測定
して得た結果を、第2図中にBとして示す。
凍2図から、本発明においては30 (1℃という低温
度条件で作業した場合でも、芯線に巻付けたフィルム同
志の接合が強固に行なわれていることが判る。
実施例2 実施例1で用いたと同じ複合プイルムに対し、下記第1
麦に示す条件でFEP層にス/ぐツタエツチング処理を
施す以外は全て実施例1と同様に作業1.、PI被被覆
力形成されたC 、 DQ種g)被覆電線を得た。
亮   1   表 これら2種の被覆電線における複合フィルム同志の重な
り部の接合強度を実施例1の場合と同様にして測定l−
たところ、いずれも30 (1℃という低温度条件で作
業した場合においても()。8〜1.1 ktj / 
2 (l I1m巾の接着力ヲ示」7、強固IC3AI
ていることが確認された。
なお、比較のため、雰囲気圧分o、00005 ’fo
rrおよびI Torrとする以外は前記と同様にスパ
ッタエツチング処理した複合フィルム2枚を用い、フィ
ルム間の接着力を同様VC+、、て測定17た。その結
果は、いずれも@2図7/)Bとほぼ同程度σ)接合状
態を示し、低温度条件下においては実用的な接合強度を
得ることができなかった。
【図面の簡単な説明】
第1図(ま本発明に係る被覆電線び)製造法に用いるス
パッタエツチング処理装置1uσ)例を示す概略図、第
12図は本発明ひてよって得られる被覆電線における複
合フィルム同志の接合強J!iを示すグラフである。 2・・・・・・減圧容器  4・・・・・・′電極5・
・・・・・複合フィルム  6・・・・・・マツチング
ボックス7・・・・・・高周波電源  9・・・・・・
対向電極12・・・・・・FEP層 特許出願人 日東電気工業株式会社 代表者土方三部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ポリイミド層とその片面vc1層されたテトラフルオロ
    エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体層から成
    る複合フィルムの前記共重合体層表面を、雰囲気圧0.
    0005〜0.5 Torrの条件下でスパッタエツチ
    ング処理し、次いで芯線上に複合フィルムをその共重合
    体層が芯線側になるように巻付け・その後加熱により複
    合フィルムを芯線に熱融着させて被覆層を形成させるこ
    とを特徴とする被覆電線の?造法。
JP3160483A 1983-02-25 1983-02-25 被覆電線の製造法 Pending JPS59157912A (ja)

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JP3160483A JPS59157912A (ja) 1983-02-25 1983-02-25 被覆電線の製造法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61199325A (ja) * 1985-02-28 1986-09-03 Omron Tateisi Electronics Co 近接スイツチ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57204186A (en) * 1981-06-10 1982-12-14 Hitachi Ltd Electrode processing method for magnetic reluctance element

Patent Citations (1)

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