JPS59155892A - アクテイブパネル用集積回路基板 - Google Patents

アクテイブパネル用集積回路基板

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Publication number
JPS59155892A
JPS59155892A JP2982183A JP2982183A JPS59155892A JP S59155892 A JPS59155892 A JP S59155892A JP 2982183 A JP2982183 A JP 2982183A JP 2982183 A JP2982183 A JP 2982183A JP S59155892 A JPS59155892 A JP S59155892A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
active panel
sub
integrated circuit
panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2982183A
Other languages
English (en)
Inventor
弘幸 多田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Suwa Seikosha KK filed Critical Suwa Seikosha KK
Priority to JP2982183A priority Critical patent/JPS59155892A/ja
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  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶デクティブパネルに関するものである。
従来、Xライン とXラインの各交dにスタティック記
憶回路を内蔵したアクティブパネルの回路は第1図のよ
うに構成さねでいた。1けXライン、2けXライン、3
は画素W i+である。Xラインにデータ信号が供給さ
れ、XラインがHレベルになると、5〜8のクロックド
インバータ及びインバータで構成されるスタティック記
憶回路にデータが書六込まれる。4は低周波の方形波で
あるコモン信号で、スタティック記憶回路の情報により
、9〜11のクロックドインバータ及びインバータの作
用によりコモン信号または反転コモン信号のどちらかが
画素電榛へ供給され、画素の点燈、非点燈の切換えを行
なう。
したがって、1本のXラインをHレベルとすれば、その
Yライン上の1行の画素のスタテイ−・り記憶回路はす
べて書き込み状態となり、1行分同時に表示変更が行な
われることになる。このような方式のアクティブパネル
においては、1行分のデータレジスタをパネルの周辺に
配置することが不可欠であり、また、画面の一部分のデ
ータのみを変更する場合でも、豐更必要な画素が含まれ
るYライン上のすべての画素に対して表示更新を行なわ
なければならないなど不合理な面がある。
本発明はこれらの欠点を除去するため、任意の画素領域
での表示変更を可能にしたもので、その第1の目的は外
部装置からアクティブパネルへのデータ転送処理の簡略
化であり、その第2の目的はアクティソバネル内の画素
周辺回路の簡略化である。
本発明によるアクティブパネルは正副2本のXラインと
1本のXラインにより、ドツトマトリックスを構成する
ことを%徴としている。また、画素内の記憶回路の書き
込みクロックが、正副Xラインのうちどちらか1木のX
ラインとXラインの信号をスカとする論理ゲートの出力
により供給される”ことを特徴としている。
第2図は本発明の実施例であって、1は正Xライン、1
4は副Xライン、2はXラインである、5〜7のクロッ
クドインバータとインバータで構成されるスタティック
記憶回路の書き込みクロックは12のNANDゲート及
び13のインノ(−夕を通じて供給される構造になって
いる。正Xラインにはデータ信号が供給され、Xライン
がHレベルになると、副Xラインにより供給される列選
択信号に応じて記憶回路の書き込みクロ・ツクの0N−
OFFが決定される。したがって副XラインがHレベル
の列に対してのみ表示変更を行なうことが可能となる。
従来のアクティブパネツトにおいては、1行分のデータ
レジスタをパネルの周辺に配置していたが本発明におい
ては、このデータレジスタは不要であり、パネルの周辺
構造を簡略化することが可能となる。また外部の駆動装
置側から見ると、アクティブパネルの各表示領域をXア
ドレスとXアドレスから構成される一種のメモリーとし
て取り扱うことができるので、外部装置から7クテイプ
ノくネルへのデータ転送処理は著しく簡略化される。
さらに、従来の方式のように、不必要な表示領域にまで
表示変更が及ぶことがないのでデータ転送時間の短縮に
つながる利点を持つ。
上記の効果により、各画素に記憶回路を持つアクティブ
パネルは著しくその汎用性を高め、実用的な小型ディス
プレイ装置への応用の道が開かれる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のアクティブパネルの画素単位の回路図。 第2図は本発明によるアクティブパネルの画素単位の回
路図。 1・・・・・・Xライン(正Xライン)2・・・・・・
Xライン 6・・・・・・画素電極 4・・・・・・コモン信号 5、7.9.11・・・・・・クロックドインバータ6
、8.10.13・・・・・・インバータ12・・・・
・N A N Dゲート 14 ・川・・副Xライン 以  上 出願人 株式会社 諏訪精工舎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に形成された半導体素子により構成される
    電気回路によって該基板上に形成された雷極に印加され
    る雪圧を制御(7、肖該電極と基板上ic Itかわた
    ガラス基板上に形成された透明1!極の間に封入された
    液晶に印加される電界を制御することによって表示を行
    なわせるアクティブパネルVCおいて、正副2本のXラ
    インとこれと交差する1本のXラインによってドIトマ
    トリノクスを形成17、各交点にスタテイ・りにデータ
    を保持し得る記憶回路を有し、該記憶回路の書き込みク
    ロックが、前r正副Xラインのうちどちらか1本のXラ
    インとXラインの信号を入力とする論理ゲートの出力に
    より供給されることを特徴とするアクティブパネル用集
    積回路基板。
JP2982183A 1983-02-24 1983-02-24 アクテイブパネル用集積回路基板 Pending JPS59155892A (ja)

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