JPS59154024A - X線源 - Google Patents
X線源Info
- Publication number
- JPS59154024A JPS59154024A JP58028951A JP2895183A JPS59154024A JP S59154024 A JPS59154024 A JP S59154024A JP 58028951 A JP58028951 A JP 58028951A JP 2895183 A JP2895183 A JP 2895183A JP S59154024 A JPS59154024 A JP S59154024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- target
- ray source
- film
- cooled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70375—Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はX線露光用のX線源構造に関する。
従来、X線露光用のX線源としては、1つのターゲット
部に1本の電子線を照射して、点光源となす構造を有し
、該点光源からのX線を被照射体に照射する方法を用い
られていた。
部に1本の電子線を照射して、点光源となす構造を有し
、該点光源からのX線を被照射体に照射する方法を用い
られていた。
しかし、上記従来技術では、X線を面照射する場合にX
線の輝度を上げて、露光時間を短縮するには、入力電力
が大きく必要とし、その為に、冷却処理装置の大型化、
ひいては露光装置の大型化は避けられないという欠点が
あった。
線の輝度を上げて、露光時間を短縮するには、入力電力
が大きく必要とし、その為に、冷却処理装置の大型化、
ひいては露光装置の大型化は避けられないという欠点が
あった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、小型で高効
率のX線源、を提供することを目的とする上記目的を達
成するための本発明の基本的な構成は、X線源において
2つ以上のターゲット部を一体とし゛て有し、各々のタ
ーゲット部に2禾以上の電子線を照射して、各々のター
ゲット部からX線を発生することを特徴とする。
率のX線源、を提供することを目的とする上記目的を達
成するための本発明の基本的な構成は、X線源において
2つ以上のターゲット部を一体とし゛て有し、各々のタ
ーゲット部に2禾以上の電子線を照射して、各々のター
ゲット部からX線を発生することを特徴とする。
以下、実施例により、本発明を詳述する。
第1図は、本発明によるX線源装置の一実施例を示す断
面図である。゛ ガラス管1には、タングステン、フィラメント2が封着
され、該タングステンを電源3で加熱して発生する熱電
子11を、陰極5で収束し、陽極4で加速し、偏向コイ
ル6で偏向して、pa等の □膜からなるターゲッ
ト7に8.9あるいは10の点へ照射して、X線12゜
13.14等を発生する。ターゲット膜7は、中空部を
水冷した鋼製の支持台15によって支持され、冷却され
る。発光したX線は、X1fj!マスク17を通って、
マスク上の全図形18をシリコン・ウェーハ19上に塗
布されたレジスト膜20にXi転写する。
面図である。゛ ガラス管1には、タングステン、フィラメント2が封着
され、該タングステンを電源3で加熱して発生する熱電
子11を、陰極5で収束し、陽極4で加速し、偏向コイ
ル6で偏向して、pa等の □膜からなるターゲッ
ト7に8.9あるいは10の点へ照射して、X線12゜
13.14等を発生する。ターゲット膜7は、中空部を
水冷した鋼製の支持台15によって支持され、冷却され
る。発光したX線は、X1fj!マスク17を通って、
マスク上の全図形18をシリコン・ウェーハ19上に塗
布されたレジスト膜20にXi転写する。
このようにして、いわゆる多aX線源(MaltiBe
an X’ra7.5ource )によりx、il露
光を行なうと、xM露光の解像力を下げることなく、タ
ーゲット部の冷却効果も高く、小型の装置で、高効率の
X線露光が行なえる効果がある。
an X’ra7.5ource )によりx、il露
光を行なうと、xM露光の解像力を下げることなく、タ
ーゲット部の冷却効果も高く、小型の装置で、高効率の
X線露光が行なえる効果がある。
本発明は第1図に示すごとく、薄膜ターゲットの表面へ
の電子線照射による裏面からの発生X線源を用いる構造
のみならず、第2図の如く冷却ターゲット21の表面へ
の多線電子線22の照射によるターゲット表面からの多
線発生X線23の如き構造に用いることもでき、更には
、面内多線X線源のみならず、線内多線X線源として用
いることもできる。
の電子線照射による裏面からの発生X線源を用いる構造
のみならず、第2図の如く冷却ターゲット21の表面へ
の多線電子線22の照射によるターゲット表面からの多
線発生X線23の如き構造に用いることもでき、更には
、面内多線X線源のみならず、線内多線X線源として用
いることもできる。
第1図は本発明の一実施例を示すxm源の断面図、第2
図はその他の実施例を示すX線源の断面図である。 1・・・・・・ガラス管 3・・・・・・電 源4
・・・・・・陽極板 5・・・・・・陰極板6・
・・・・・偏向フィル 7・・・・・・ターゲット8
.9.10・・・・・・電子線照射部11・・・電子線
。 12.13,14・・・・・・X 線 15・・・・・・水冷銅支持台 16・・・・・・中空水冷部 17・・・・・・Xaマ
スク18・・・・・・マスク・パターン 19・・・・・・S1ウエーハ 20・・・・・・レジスト、 21・・・・・・水冷タ
ーゲット22・・・・・・電子1m 23・・・
・・・X 線取 上
図はその他の実施例を示すX線源の断面図である。 1・・・・・・ガラス管 3・・・・・・電 源4
・・・・・・陽極板 5・・・・・・陰極板6・
・・・・・偏向フィル 7・・・・・・ターゲット8
.9.10・・・・・・電子線照射部11・・・電子線
。 12.13,14・・・・・・X 線 15・・・・・・水冷銅支持台 16・・・・・・中空水冷部 17・・・・・・Xaマ
スク18・・・・・・マスク・パターン 19・・・・・・S1ウエーハ 20・・・・・・レジスト、 21・・・・・・水冷タ
ーゲット22・・・・・・電子1m 23・・・
・・・X 線取 上
Claims (1)
- 2つ以上のターゲット部を一体として有し、各々のター
ゲット部に2本以上の電子線を照射して、各々のターゲ
ット部からX線を発生することを特徴とするX線源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58028951A JPS59154024A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | X線源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58028951A JPS59154024A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | X線源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59154024A true JPS59154024A (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12262714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58028951A Pending JPS59154024A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | X線源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59154024A (ja) |
-
1983
- 1983-02-22 JP JP58028951A patent/JPS59154024A/ja active Pending
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