JPS59151498A

JPS59151498A - High density multilayer circuit board

Info

Publication number: JPS59151498A
Application number: JP2568183A
Authority: JP
Inventors: 光木村
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1983-02-18
Filing date: 1983-02-18
Publication date: 1984-08-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】本発明は高密度多層配線基板に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a high-density multilayer wiring board.

従来この種の多層配線基板は、クロム（Ｃｒ）／パラジ
ウム（Ｐｄ）／銅（Ｃｕ）などのメタルシステムで構成
された導体配線とこれら導体配線の層間絶縁体としての
感光性分を含まないポリイミドとで多層化されている。Conventionally, this type of multilayer wiring board consists of conductor wiring composed of a metal system such as chromium (Cr)/palladium (Pd)/copper (Cu), and polyimide containing no photosensitive component as an interlayer insulator between these conductor wirings. It is multi-layered.

このため、上下層の導体配線を電気的に接続するための
パイ７ホールは次のようにして形成される。パすなわち
、ｔず、ポリイミド表面にフォトレ−）、（）が塗布さ
れ、□露光、現像により選択的にフォトレジストが窓あ
けされる。その後でこのフォトレジストをエツチングレ
ジストとしてポリイ之Ｖがエツチングされてバイアホー
ルが形成されてい名。Therefore, the pi-7 hole for electrically connecting the conductor wiring in the upper and lower layers is formed as follows. That is, photoresist (), () is applied to the polyimide surface, and windows are selectively opened in the photoresist by exposure and development. Then, using this photoresist as an etching resist, the polyimide film is etched to form a via hole.

しかし、この方法ではフォトレジストの使用が必要不町
決となり、″解像度、ピンホールおよび工数め面で欠点
系ある。However, this method requires the use of photoresist and has drawbacks in terms of resolution, pinholes, and man-hours.

本楯明６目的′ｒ′＝’、’ｉ述の欠点を解決するよう
ｔｃした高″一度４’−配置基板番提供することにある
。The purpose of this shield is to provide a high-level 4'-placement board number to solve the drawbacks mentioned above.

本発□明め基板はクロム（Ｃｒ）／パラジウム（Ｐｄ）
／銅（Ｃｕ）膜の３層構成を有する複数の導体配線線と
感光性ポリイミドを用いたとれら導体配線の層間絶縁体
とを含む。The substrate of this invention is chromium (Cr)/palladium (Pd)
The present invention includes a plurality of conductor wiring lines having a three-layer structure of copper (Cu) films and an interlayer insulator between the conductor wiring lines using photosensitive polyimide.

次に本発明め一実゛施例を図面を参照して詳細に　　′
説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
explain.

第１図を参照すると、本発明の一実施例は、アルミナ（
Ａｌ＊Ｏｓ）などを主成分、とするセラミック基板１１
、このセラミック基板１１の表面に形成された第１の導
体層１２、この第２の導体層１４との接続部分１５を除
いた全表面にコーティングされた感光性ｇ　Ｉ）　（ミ
’ド樹脂からなる絶縁層１３、およびこの絶縁層１’３
（７）上に形成ｉれた第２の導体層１５今ら構晟狂て！
る。Referring to FIG. 1, one embodiment of the present invention uses alumina (
Ceramic substrate 11 whose main component is Al*Os) etc.
, the first conductor layer 12 formed on the surface of this ceramic substrate 11, and the photosensitive g I) coated on the entire surface except for the connection part 15 with this second conductor layer 14 (from a middle resin). the insulating layer 13, and this insulating layer 1'3
(7) The structure of the second conductor layer 15 formed on top is now out of order!
Ru.

前記感光性ポリイミド樹脂からなる絶縁層１３の膜厚は
１〜２０ミクロン程度で２〜４の比誘電率０．００５〜
０．０２の誘電圧接（ＩＭＨｚ）か９１９１３０以上の
絶縁抵抗が得られる。The thickness of the insulating layer 13 made of the photosensitive polyimide resin is about 1 to 20 microns, and the dielectric constant is 0.005 to 2 to 4.
A dielectric voltage junction (IMHz) of 0.02 or an insulation resistance of 919130 or more can be obtained.

前記導体配線１２および１４はクロムＣＣｒ’）／パラ
ジウム（Ｐｄ　）　／銅（Ｃｕ）の３層構成を有してい
る。The conductor wirings 12 and 14 have a three-layer structure of chromium (CCr')/palladium (Pd)/copper (Cu).

これを第２図を参照しながら詳述する。This will be explained in detail with reference to FIG.

第２図を参照すると、前記第１の導体層１２は５００〜
Ｌｏｏｏｆ（オンゲスドロＦＡ）の厚さのり□”四ム（
Ｃｒ）膜２２と、このクロム（Ｃｒ）膜２２の上に形成
さ些た５００〜Ｌｏｏｏ！（オンゲスドロゲＡ）の厚さ
のパラジウム（Ｐｄ）膜２３と、このパラジウム（Ｐｄ
）膜２３の上に形成されたＩＱＯＯＯ〜５ＱＯ００Ｘ（
オングストローム）の銅（Ｃｕ）膜。Referring to FIG. 2, the first conductor layer 12 has a thickness of 500~
Looof (Ongesudro FA) thickness glue □”4m (
Cr) film 22 and a small amount of 500~Looo! A palladium (Pd) film 23 with a thickness of
) formed on the film 23 from IQOOO to 5QO00X(
angstrom) copper (Cu) film.

２４とから構成されている。It consists of 24.

なお、この実施例では２層の導体層１２および１４を説
明したが、絶縁層１３を介在させて“３層以上の多層構
成を実現できる。In this embodiment, two conductor layers 12 and 14 have been described, but by interposing an insulating layer 13, a multilayer structure of three or more layers can be realized.

ここで、感光性ボリイ柵゛絶縁だ２５の形門方法を第３
Ａ図〜第３Ｄ図を参興して詳細に説明する。Here, the third method of forming 25 types of photosensitive polyurethane insulation
This will be explained in detail with reference to Figures A to 3D.

第３Ａ図を参照すると、セラミック基板３１の上に導体
配線が形成されている。第３Ｂ図を参照すると、第３Ａ
図のセラミック基板３１および導体配線３２の表面に感
光性ポリイミド３３がスピンコータ、スプレーコータ、
ｉたはロールコータなどで所定の厚さに塗布されている
。Referring to FIG. 3A, conductor wiring is formed on a ceramic substrate 31. As shown in FIG. Referring to Figure 3B, 3A
Photosensitive polyimide 33 is coated on the surfaces of the ceramic substrate 31 and conductor wiring 32 shown in the figure using a spin coater, a spray coater, etc.
Alternatively, it is applied to a predetermined thickness using a roll coater or the like.

従来ならばここアバイアホー、ル形成のため（１、フォ
トレジストが塗布され、と９フオトレジストが露光現像
により窓あけさ些る。、、さらに、うの窓あけされて霧
出されたボリイミ、ドのみが工、ツチン。Conventionally, in order to form an abare hole, (1) a photoresist is applied, and (9) a window is opened by exposing and developing the photoresist. Chisel work, tuchin.

グされている。is being logged.

第３Ｃ図を参照すると、本発明では感光性ポリイミドを
使用しているため、１蕗光用マスク３４を通して紫外線
（３００〜４５０１１１の波長）を直接露光すれば、紫
外線の照射された感光性ポリイミド３３′が光硬化され
る。光竺化され４か、った部分が、さらに、アルコール
系の現像液により除去され、３００〜４００℃のＮ１雰
囲気で硬化される。この硬化はイミド化を意味する。こ
の結果第３Ｄ図を参照すると、ポリイミド絶縁体３３“
が形成できる。このため、フォトレジストが全く不撃生
なる。Referring to FIG. 3C, since photosensitive polyimide is used in the present invention, if ultraviolet rays (wavelengths from 300 to 450,111) are directly exposed through a photomask 34, the photosensitive polyimide 33 irradiated with ultraviolet rays ' is photocured. The light-grained portion is further removed with an alcohol-based developer and cured in an N1 atmosphere at 300 to 400°C. This hardening means imidization. As a result, referring to FIG. 3D, the polyimide insulator 33"
can be formed. For this reason, the photoresist is completely unfavorable.

発明の効果、本発明には、多層用絶縁体（感光性ポリイ
ミドを使用することでフチイアホールが微細で、絶縁性
の良好なポリイミド勢縁体を有する高密度多層配線基板
を形成できる。という効果瀘あるＯ　　　　　　　　　
　　　　・・　　　　□５−Effects of the Invention The present invention has the advantage that by using a multilayer insulator (photosensitive polyimide), it is possible to form a high-density multilayer wiring board having a polyimide substrate with fine edge holes and good insulation properties. There is an O
・・ □５−

[Brief explanation of drawings]

り基板、１２・・・・・・第１の導体配線、１３・・・
・・・感光性ポリイミド、１４・・・・・・第２の導体
配線、・１５・・・・・・バイアホール、２２・・・用
クロム（Ｃｒ）膜、　　２３・・・・・・パラジウム（
Ｐｄ）膜、２４・・・・・・銅（Ｃｕ　）膜、２６・・
・・・・クロム（Ｃｒ　）膜、２７・・・・・・パラジ
ウム（Ｐｄ）膜、２８　・・−−−−銅（Ｃｕ　）膜、
ｌ　３’−ｍ、−＊光硬化−した感光性ポリイミド、１
３“囮・・キ具ア後の感光性ポリイミド、および３４・
・・川霧光用マスク。６一手続補正書（自発）５９．５．１５昭和　　年　　月　　日１、事件の表示　　　昭和５８年特　　許願第２５６８
１　号２、発明の名称　　高密度多層配線基板３、補正
をする者事件との関係　　　　　　　出　願　人東京都港区芝五
丁目３３番１号（４２３）　　　日本電気株式会社代表者　関本忠弘４、代理人〒１０８　　東京都港区芝五丁目３７番８号　住人三田
ビル）（連絡先　日本電気株式会社特許部）６５、補正の対象明細嘗の「発明の詳細な説明」の欄６、補正の内容（１）　　第３頁第８行目の記載「第２の導体層１４Ｊ
を「第１の導体層１２」と訂正します。蒐２）　　第３頁第１２行目の記載「体層１５・・・・
・・されてｉる◇」を［体層１４から構成されている。また、第２の導体層１４も同様に１クロム膜２６と、パ
ラジウム膜２７と、銅膜２８とから構成されている。」
と訂正します。（３）第４頁第１２行目の記載「絶縁体２５」を「絶縁
＃１３」と訂正します。（４）第４頁第１５行目および同頁筒１７行目の記載「
３１」を「１１」と訂正します。（５）第４頁第１８行目の記載「３２」および「３３」
をそれぞれ「１２」および「１３」と訂正します。（６）第５頁第９行目の記載ｒ３３’Ｊを「１３′」と
訂正します。２− （７）Ｍ５頁ｆＲ１４行目の記載「３３”」をｒｌ　３
”　Ｊと訂正します。３−board, 12...first conductor wiring, 13...
... Photosensitive polyimide, 14 ... Second conductor wiring, 15 ... Via hole, 22 ... chromium (Cr) film, 23 ... Palladium (
Pd) film, 24... Copper (Cu) film, 26...
...Chromium (Cr) film, 27... Palladium (Pd) film, 28 ...... Copper (Cu) film,
l 3'-m, -*photocured photosensitive polyimide, 1
3" decoy... photosensitive polyimide after the key a, and 34.
・・Mask for Kawagiri Hikari. 61 Procedural Amendment (Spontaneous) 59.5.15 Showa Year, Month, Day 1, Indication of Case 1982 Patent Application No. 2568
1. No. 2. Title of the invention: High-density multilayer wiring board 3. Relationship to the amended person's case. Applicant: 5-33-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo (423) NEC Corporation Representative: Tadahiro Sekimoto 4, Agent (Resident: Mita Building, 37-8 Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108, Japan) (Contact information: Patent Department, NEC Corporation) 6 Contents (1) Description on page 3, line 8: “Second conductor layer 14J
Correct it to "first conductor layer 12".蒐2) Page 3, line 12, “Body layer 15...
...is made up of 14 body layers. Further, the second conductor layer 14 is similarly composed of a 1-chromium film 26, a palladium film 27, and a copper film 28. ”
I will correct it. (3) The entry "Insulator 25" on page 4, line 12 will be corrected to "Insulator #13." (4) Statement on page 4, line 15 and line 17 of the same page:
Correct "31" to "11". (5) Description “32” and “33” on page 4, line 18
are corrected to "12" and "13" respectively. (6) Correct the entry r33'J on page 5, line 9 to "13'". 2- (7) rl the entry “33” on page M5 fR line 14 3
” Correct it as J. 3-

Claims

[Claims] A base layer having an insulating surface, a first conductor layer made of chromium to be in close contact with the base layer, and a second conductor layer made of radium overlying the first conductor layer. , , ・A third conductor layer made of copper on the second conductor layer; and an insulating layer made of photosensitive polyimide resin having Pi7 holes in predetermined portions on the third conductor layer. A multilayer wiring board characterized by and.