JPS59150099A - 炭化物分散パラジウムメツキ方法 - Google Patents
炭化物分散パラジウムメツキ方法Info
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- JPS59150099A JPS59150099A JP2439883A JP2439883A JPS59150099A JP S59150099 A JPS59150099 A JP S59150099A JP 2439883 A JP2439883 A JP 2439883A JP 2439883 A JP2439883 A JP 2439883A JP S59150099 A JPS59150099 A JP S59150099A
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- plating
- alloy
- carbide
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- carbides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化物とＰｄ又はＰｄ合金の分散混合体を共、
析せしめる炭化物分散パラジウムメッキ方法に関するも
のである。
析せしめる炭化物分散パラジウムメッキ方法に関するも
のである。
Ｐｄ又はＰｄ合金は耐食性の貴金属で、リレー、スイッ
チ、接点、コネクター等の電気接触部にメッキしている
。このような貴金属は高価なため、経済的に有効に活用
するためには、使用量を可及的に少量とすることが望ま
しい。このためＰｄ又はＰｄ合金メッキ層に硬質粒子、
特にＷＣｌＴｉ Ｃ，Ｃｒ５Ｃｚ 、Ｓｉ Ｃ１’８４
Ｃ等を分散させて電気的、機械的損耗を防止する方法
が検討されている。例えばＰｄ又はＰｄ合金の電気メツ
キ浴中に、上記硬質粒子を懸濁させながら電気分解する
ことにより、硬質粒子とＰｄ又はＰｄ合金の分散混合体
を析出させる方法が試みられている。
チ、接点、コネクター等の電気接触部にメッキしている
。このような貴金属は高価なため、経済的に有効に活用
するためには、使用量を可及的に少量とすることが望ま
しい。このためＰｄ又はＰｄ合金メッキ層に硬質粒子、
特にＷＣｌＴｉ Ｃ，Ｃｒ５Ｃｚ 、Ｓｉ Ｃ１’８４
Ｃ等を分散させて電気的、機械的損耗を防止する方法
が検討されている。例えばＰｄ又はＰｄ合金の電気メツ
キ浴中に、上記硬質粒子を懸濁させながら電気分解する
ことにより、硬質粒子とＰｄ又はＰｄ合金の分散混合体
を析出させる方法が試みられている。
しかしながらこの方法ではメッキ浴の経時変化や電流条
件、撹拌条件に極めて敏感で一定の共析状態を保持する
ことが困難で、これを安定して施すことは極めて困難で
あり、工業的には特殊な用途に限られている。
件、撹拌条件に極めて敏感で一定の共析状態を保持する
ことが困難で、これを安定して施すことは極めて困難で
あり、工業的には特殊な用途に限られている。
本発明はこれに鑑み種々研究の結果、電気接触部等に炭
化物とＰｄはＰｄ合金の分散混合体を容易に共析し得る
炭化物分散パラジウムメッキ方法を開発したもので、炭
化物粉末を含酸素雰囲気中で加熱処理し、これをＰｄ又
はＰｄ合金メッキ浴中に投入して撹拌状態でメッキし、
炭化物とＰｄ又はＰｄ合金の分散混合体を共析させるこ
とを特徴とするものである。
化物とＰｄはＰｄ合金の分散混合体を容易に共析し得る
炭化物分散パラジウムメッキ方法を開発したもので、炭
化物粉末を含酸素雰囲気中で加熱処理し、これをＰｄ又
はＰｄ合金メッキ浴中に投入して撹拌状態でメッキし、
炭化物とＰｄ又はＰｄ合金の分散混合体を共析させるこ
とを特徴とするものである。
即ち本発明はＰｄ又はＰｄ合金メッキ浴中に投入する炭
化物粉末を、投入に先立ち酸素含有雰囲気中で加熱処理
するものである。炭化物としてはＷＣ，Ｔｉ Ｃ，Ｃｒ
３ Ｃｚ 、Ｓｉ Ｃ，Ｂ４ Ｃ等の粉末を用い、炭
化物の種類によっても異なるが酸素含有雰囲気中１５０
〜９００℃の温度で数分以上加熱処理することにより、
Ｐｄ又はｐｄ合金メッキ浴中に投入づ−る懸濁メッキに
おいて炭化物とＰｄ又はｐｄ合金との共析を著しく促進
せしめたものである。酸化含有雰囲気としては酸素、大
気、その地下活性ガスと酸素又は大気の混合雰囲気が用
いられる。
化物粉末を、投入に先立ち酸素含有雰囲気中で加熱処理
するものである。炭化物としてはＷＣ，Ｔｉ Ｃ，Ｃｒ
３ Ｃｚ 、Ｓｉ Ｃ，Ｂ４ Ｃ等の粉末を用い、炭
化物の種類によっても異なるが酸素含有雰囲気中１５０
〜９００℃の温度で数分以上加熱処理することにより、
Ｐｄ又はｐｄ合金メッキ浴中に投入づ−る懸濁メッキに
おいて炭化物とＰｄ又はｐｄ合金との共析を著しく促進
せしめたものである。酸化含有雰囲気としては酸素、大
気、その地下活性ガスと酸素又は大気の混合雰囲気が用
いられる。
炭化物粉末が含酸素雰囲気中での加熱処理により活性化
される理由は不明であるが、メッキ浴中における炭化物
粒子の界面電気化学的性質が改善されることに起因する
ものと考えられ、加熱処理した炭化物粉末はメッキ浴中
で特有の界面電位を保有し、この電位が炭化物とＰｄ又
はｐｄ合金との共析に大きく寄与するものと思われる。
される理由は不明であるが、メッキ浴中における炭化物
粒子の界面電気化学的性質が改善されることに起因する
ものと考えられ、加熱処理した炭化物粉末はメッキ浴中
で特有の界面電位を保有し、この電位が炭化物とＰｄ又
はｐｄ合金との共析に大きく寄与するものと思われる。
しかして炭化物粉末としては０．１〜１０μの粒径のも
のを用い、その投入濃度は高い程炭化物とＰｄ又はｐｄ
合金が共析し易いが、過剰になると撹拌が困難となるた
め投入濃度は１０〜２００ｇ／ Ｒとすることが望まし
い。
のを用い、その投入濃度は高い程炭化物とＰｄ又はｐｄ
合金が共析し易いが、過剰になると撹拌が困難となるた
め投入濃度は１０〜２００ｇ／ Ｒとすることが望まし
い。
本発明はＰｄ又はＰｄメッキ浴に加熱処理した炭化物粉
末を投入し、浴を攪拌しながらメッキするもので、通電
によりカソード上に炭化物とＰｄ。
末を投入し、浴を攪拌しながらメッキするもので、通電
によりカソード上に炭化物とＰｄ。
又はＰｄ合金の分散混合体が共析する。この方法によれ
はメッキ浴の経時変化−）ｂ電流条件の変動にもかかわ
らず、一定の共析を得ることかできるものである。
はメッキ浴の経時変化−）ｂ電流条件の変動にもかかわ
らず、一定の共析を得ることかできるものである。
以下本発明を実施例について説明する。
実施例（１）
リードレール用Ｆｅ系接点基体を常法により電解脱脂し
てからシアン化Ｃｕ浴を用いてＣｕストライクメッキを
行なった後、下記メッキ浴を用い、これに予じめ大気中
４５０°Ｃの温度で２時間加熱処理した平均粒径０．５
μのＴｉＣを７５０／柔投入して、機械的に強攪拌しな
がら厚さ３μのＴＩＣとＰｄ−２０％Ｎ：合金の分散共
析メッキを行なった。
てからシアン化Ｃｕ浴を用いてＣｕストライクメッキを
行なった後、下記メッキ浴を用い、これに予じめ大気中
４５０°Ｃの温度で２時間加熱処理した平均粒径０．５
μのＴｉＣを７５０／柔投入して、機械的に強攪拌しな
がら厚さ３μのＴＩＣとＰｄ−２０％Ｎ：合金の分散共
析メッキを行なった。
メッキ浴 日新化成製 ＰＮＰ−８０ＰＨ９，０
浴 温 ３０℃
電流密度 １．５Ａ ／ ｄｍ２比較例（１）
実施例（１）において、ＴｉＣ粉末を加熱処理すること
なくメッキ浴に投入し、厚さ３μのＴｉＣとＰｄ−２０
％Ｎｉ合金の分散共析メッキを行なった。
なくメッキ浴に投入し、厚さ３μのＴｉＣとＰｄ−２０
％Ｎｉ合金の分散共析メッキを行なった。
実施例（２）
実施例（１〉において、ＴｉＣ粉末に代えて、予じめ酸
素中３５０℃の温度で２時間加熱処理した粒径１．０μ
のＷＣを５０！Ｉｆ／、ｅ投入し、厚さ３μのＷＣとＰ
ｄ−２０％Ｎｉ合金の分散共析メッキを行なった。
素中３５０℃の温度で２時間加熱処理した粒径１．０μ
のＷＣを５０！Ｉｆ／、ｅ投入し、厚さ３μのＷＣとＰ
ｄ−２０％Ｎｉ合金の分散共析メッキを行なった。
実施例（３）
実施例（１）において、ＴｉＣ粉末に代えて予じめ大気
中７００℃の温度で０．５時間加熱処理した粒径１．０
μのｗｃを５０ｉ１１／、ｅ投入し、厚さ３μのＷＣと
Ｐｄ、−２，０％Ｎｉ合金の分散共析メッキを行なった
。
中７００℃の温度で０．５時間加熱処理した粒径１．０
μのｗｃを５０ｉ１１／、ｅ投入し、厚さ３μのＷＣと
Ｐｄ、−２，０％Ｎｉ合金の分散共析メッキを行なった
。
比較例（２）
実施例（２）において、ＷＣ粉末を加熱処理することな
くメッキ浴に投入し、厚さ３μのＷＣとｐｄ−２０％Ｎ
ｉ合金の分散共析メッキを行なった。
くメッキ浴に投入し、厚さ３μのＷＣとｐｄ−２０％Ｎ
ｉ合金の分散共析メッキを行なった。
実施例（４）
リードリレー用Ｆｅ系接点基体を常法により電解脱脂し
てからシアン化ＣＵ浴を用いてＣＩＪのストライクメッ
キを行なった後、下記メッキ浴を用い、これにあらかじ
め大気中６００°Ｃの温度で０．５時間加熱処理した平
均粒径０．５μ・のＣｒ５Ｃｚを５０（１／ｆ投入し、
機械的に強攪拌しながら厚さ５μのＣｒ５ＣｚとＰｄの
分散共析メッキを行なった。
てからシアン化ＣＵ浴を用いてＣＩＪのストライクメッ
キを行なった後、下記メッキ浴を用い、これにあらかじ
め大気中６００°Ｃの温度で０．５時間加熱処理した平
均粒径０．５μ・のＣｒ５Ｃｚを５０（１／ｆ投入し、
機械的に強攪拌しながら厚さ５μのＣｒ５ＣｚとＰｄの
分散共析メッキを行なった。
メッキ浴 Ｐｄ（Ｐ塩として） ４ ｇ／ぶＮ ｌ−１
４’Ｎ ０３ １００ｇ／ ＡＮ、ａ Ｎ０３
１０ ｇ／Ｒ ｐ ）ｌ ９，５ 浴 温 ５０°Ｃ電流密度
１Ａ／ｄｍ２ 実施例〈５） 実施例（４）において、にｒ３Ｃｚ粉末に代えて予じめ
酸素中２００℃の温度で４時間加熱処理した粒径０．５
μのＣｒ３Ｃ２を５０ｇ／、ｆｌ’投入して、厚さ５μ
の０ｒ３Ｃ２とＰｄの分散共析メッキを行なった。
４’Ｎ ０３ １００ｇ／ ＡＮ、ａ Ｎ０３
１０ ｇ／Ｒ ｐ ）ｌ ９，５ 浴 温 ５０°Ｃ電流密度
１Ａ／ｄｍ２ 実施例〈５） 実施例（４）において、にｒ３Ｃｚ粉末に代えて予じめ
酸素中２００℃の温度で４時間加熱処理した粒径０．５
μのＣｒ３Ｃ２を５０ｇ／、ｆｌ’投入して、厚さ５μ
の０ｒ３Ｃ２とＰｄの分散共析メッキを行なった。
比較例（３）
実施例（４）において、Ｃｒ５Ｃｚ粉末を加熱処理する
ことなくメッキ浴に投入し、厚さ５μのＣｒ ３Ｃ２と
Ｐｄの分散共析メッキを行なった。
ことなくメッキ浴に投入し、厚さ５μのＣｒ ３Ｃ２と
Ｐｄの分散共析メッキを行なった。
実施例（６）
実施例（２）において、メッキ浴のＰＨをＮＨ４ＯＨと
Ｈｚ Ｓｏ十を用いて９．０に調整しながらメッキ通電
を続け、１００ＡＨ／ｆと１０００Ａ Ｈｚ（において
サンプリングを行なった。
Ｈｚ Ｓｏ十を用いて９．０に調整しながらメッキ通電
を続け、１００ＡＨ／ｆと１０００Ａ Ｈｚ（において
サンプリングを行なった。
実施例（４）
比較例（２）において、実施例（６）と同様メッキ浴の
Ｐ ＨをＮ Ｈ÷ＯＨとＨ２Ｓｏ＋により９．０に調整
しながらメッキ通電を続け、１００ＡＨ／（と１００Ｏ
Ａ Ｈ／ Ｊ２においてサンプリングを行なつた。
Ｐ ＨをＮ Ｈ÷ＯＨとＨ２Ｓｏ＋により９．０に調整
しながらメッキ通電を続け、１００ＡＨ／（と１００Ｏ
Ａ Ｈ／ Ｊ２においてサンプリングを行なつた。
以上の各実施例及び比較例によりメッキした接点を用い
て、２個の固定接点間に１個の可動接点を有するリレー
を組立て、電圧３０Ｖ１電流１Ａ、振動数１Ｈ２の条件
で接点寿命試験を行なった。
て、２個の固定接点間に１個の可動接点を有するリレー
を組立て、電圧３０Ｖ１電流１Ａ、振動数１Ｈ２の条件
で接点寿命試験を行なった。
また各接点について化学分析より共析炭化物量を求めた
。これ等の結果を第１表に示す。
。これ等の結果を第１表に示す。
第 １ 表
第１表から明らかな如く本発明方法によるものは、炭化
物の共析が促進され、接点寿命を著しく向上し得ること
が判る。これに対し炭化物を加熱処理することなく投入
する比較方法では浴の経時変化や電流条件、撹拌条件に
極めて敏感で、一定の共析状態を保持することが困難で
あった。また本発明方法によれば長時間の浴の使用にお
いても炭化物の共析状態や性能の劣化が認められないこ
とが判る。
物の共析が促進され、接点寿命を著しく向上し得ること
が判る。これに対し炭化物を加熱処理することなく投入
する比較方法では浴の経時変化や電流条件、撹拌条件に
極めて敏感で、一定の共析状態を保持することが困難で
あった。また本発明方法によれば長時間の浴の使用にお
いても炭化物の共析状態や性能の劣化が認められないこ
とが判る。
このように本発明方法によれば、炭・化物とＰｄ又はＰ
ｄ合金の均質な分散混合体の共析が容易に得られ、かつ
炭化物の共析量を増大して電気的、機械的損耗を防止し
、高価なＰｄの使用量の低減を可能にする等工業上顕著
な効果を奏するものである。
ｄ合金の均質な分散混合体の共析が容易に得られ、かつ
炭化物の共析量を増大して電気的、機械的損耗を防止し
、高価なＰｄの使用量の低減を可能にする等工業上顕著
な効果を奏するものである。
Claims (1)
- 炭化物粉末を含酸素雰囲気中で加熱処理し、これをｐｄ
又はＰｄ合金メッキ浴中に投入して撹拌状態でメッキし
、炭化物とｐｄ又はＰｄ合金の分散混合体を共析せしめ
ることを特徴とする炭化物分散パラジウ゛ムメツキ方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2439883A JPS59150099A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 炭化物分散パラジウムメツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2439883A JPS59150099A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 炭化物分散パラジウムメツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59150099A true JPS59150099A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12137054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2439883A Pending JPS59150099A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 炭化物分散パラジウムメツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59150099A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0260301A1 (en) * | 1986-02-24 | 1988-03-23 | Augustus Worx, Inc. | Particulate diamond-coated metal article with high resistance to stress cracking and process therefor |
| US6274254B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-08-14 | Lucent Technologies Inc. | Electrodeposited precious metal finishes having wear resistant particles therein |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP2439883A patent/JPS59150099A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0260301A1 (en) * | 1986-02-24 | 1988-03-23 | Augustus Worx, Inc. | Particulate diamond-coated metal article with high resistance to stress cracking and process therefor |
| US6274254B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-08-14 | Lucent Technologies Inc. | Electrodeposited precious metal finishes having wear resistant particles therein |
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