JPS59149640U - 半導体素子冷却構造 - Google Patents

半導体素子冷却構造

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JPS59149640U
JPS59149640U JP17887882U JP17887882U JPS59149640U JP S59149640 U JPS59149640 U JP S59149640U JP 17887882 U JP17887882 U JP 17887882U JP 17887882 U JP17887882 U JP 17887882U JP S59149640 U JPS59149640 U JP S59149640U
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JP
Japan
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semiconductor device
cooling structure
device cooling
insulating plate
cooling fins
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Pending
Application number
JP17887882U
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English (en)
Inventor
研二 木島
Original Assignee
株式会社東芝
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Publication date
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Priority to JP17887882U priority Critical patent/JPS59149640U/ja
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  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示す側面図、第２図はこの考案の一実
施例を示す一部断面した拡大側面図、第３図は第２図の
絶縁板と絶縁体との断面斜視図、第４図はこの考案の他
の実施例を示す一部断面した拡大側面図である。 １・・・半導体素子、１ａ・・・導電体、２．　２Ａ、
　　２Ｂ・・・絶縁板、３・・・冷却フィン、ｌｂ、　
　３ａ・・・接合部、３ｂ・・・周辺部、４．７・・・
絶縁体、４ａ・・・内周溝、５・・・環状枠、６・・・
ねじ、Ｑ・・・沿面距離。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子に高熱伝導性、高電気絶縁性並びに高強度の
    特性を有する絶縁板を介在して冷却フィンを電気的に絶
    縁した状態となして接合してなる半導体素子冷却構造に
    おいて、上記絶縁板の外周部にこれと異なる材質の絶縁
    体を環状に設けて上記半導体素子と冷却フィンとの間の
    沿面距離を大きく確保したことを特徴とする半導体素子
    冷却構造。
JP17887882U 1982-11-26 1982-11-26 半導体素子冷却構造 Pending JPS59149640U (ja)

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JP17887882U JPS59149640U (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導体素子冷却構造

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JP17887882U JPS59149640U (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導体素子冷却構造

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JPS59149640U true JPS59149640U (ja) 1984-10-06

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JP17887882U Pending JPS59149640U (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導体素子冷却構造

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