JPS59147251A - リンクドスキヤン質量分析装置 - Google Patents
リンクドスキヤン質量分析装置Info
- Publication number
- JPS59147251A JPS59147251A JP58021243A JP2124383A JPS59147251A JP S59147251 A JPS59147251 A JP S59147251A JP 58021243 A JP58021243 A JP 58021243A JP 2124383 A JP2124383 A JP 2124383A JP S59147251 A JPS59147251 A JP S59147251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- converter
- electric field
- magnetic field
- reference voltage
- sweep
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/022—Circuit arrangements, e.g. for generating deviation currents or voltages ; Components associated with high voltage supply
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電場強度と磁場強度とを極めて精確にリンクさ
せ′Ｃｎ引可能な質量分析装置に関づるものである。
せ′Ｃｎ引可能な質量分析装置に関づるものである。
二手収束型の質量分析装置において、収束電場と磁場と
を一定の関係でリンクし’ＣＤ引覆６、所謂リンクドス
キャン法が有機化合物の構造解析等にしばしば応用され
ている。該リンクドスキャン法には、磁場強度Ｂと電場
強度［の比、Ｂ／Ｅを一定に保持して掃引１−る方法と
８２ ／Ｅを一定に保持して掃引づる方法の２通りがあ
り、前者は例えばブリカーリ−イオンに対づるドウター
イオンの検出に、又後者はドウターイオンを検出するこ
とによりそのプリカー１ナーイＡンを知るのに有用であ
る。
を一定の関係でリンクし’ＣＤ引覆６、所謂リンクドス
キャン法が有機化合物の構造解析等にしばしば応用され
ている。該リンクドスキャン法には、磁場強度Ｂと電場
強度［の比、Ｂ／Ｅを一定に保持して掃引１−る方法と
８２ ／Ｅを一定に保持して掃引づる方法の２通りがあ
り、前者は例えばブリカーリ−イオンに対づるドウター
イオンの検出に、又後者はドウターイオンを検出するこ
とによりそのプリカー１ナーイＡンを知るのに有用であ
る。
第１図はＢ／Ｅリンクドスキャンの模式図を示すもので
、縦軸Ｅは電場強度を又横軸Ｂｏは磁場強度を示し、ブ
リノノーナーイＡンｍ１及びそれによって生成するドウ
ターイオン１１１１’ Ｉｌｌ“のスペクトルと、プリ
カーサ−イオンｍ２．とそれによって生成（るドーター
イオンｌ１１２′ のスペク（−ルを得る場合の説明図
である。図中、ａ及びｂは夫々異った係数を有するＢ
／ Ｅ ｎ引直線であり、夫々電場強度Ｅが同じ値ＥＯ
まで掃引されるに対し、磁場強度は８０１ ＋ Ｂｏ
２の値まで掃引され、該掃引にＪ、り同図（ａ ）、（
ｂ）のようなスペク１〜ルが得られる。即ら、磁場と電
場の強度を一定に保った状態Ｃ掃引づることにＪ：リブ
リカーサイオン（ｌＩｌ＋又はｌ１ｌｚ）から生成りる
全ての ウターイΔンを検出できるわ（）である。
、縦軸Ｅは電場強度を又横軸Ｂｏは磁場強度を示し、ブ
リノノーナーイＡンｍ１及びそれによって生成するドウ
ターイオン１１１１’ Ｉｌｌ“のスペクトルと、プリ
カーサ−イオンｍ２．とそれによって生成（るドーター
イオンｌ１１２′ のスペク（−ルを得る場合の説明図
である。図中、ａ及びｂは夫々異った係数を有するＢ
／ Ｅ ｎ引直線であり、夫々電場強度Ｅが同じ値ＥＯ
まで掃引されるに対し、磁場強度は８０１ ＋ Ｂｏ
２の値まで掃引され、該掃引にＪ、り同図（ａ ）、（
ｂ）のようなスペク１〜ルが得られる。即ら、磁場と電
場の強度を一定に保った状態Ｃ掃引づることにＪ：リブ
リカーサイオン（ｌＩｌ＋又はｌ１ｌｚ）から生成りる
全ての ウターイΔンを検出できるわ（）である。
斯かるリンクトス１：ヤンを行なう従来 装置を第２図
、第３図に夫々示しである。第２図に示す装置に、１夕
いＣ１１はイオン源であり、該イオン源で生成されたイ
オンは適宜加速され物点スリブ１−２上に投射される。
、第３図に夫々示しである。第２図に示す装置に、１夕
いＣ１１はイオン源であり、該イオン源で生成されたイ
オンは適宜加速され物点スリブ１−２上に投射される。
該スリットを通過したイオンは電場３に入用し、エネル
ギー分散を受りエネルギースリット４上に収束される。
ギー分散を受りエネルギースリット４上に収束される。
該エネルギー分散ツ１〜を通過したイオンは磁場５に入
り、質量分散を受（）−Ｃ分離され、コレクタースリッ
ト６を通してイオン検出器７に検出される。該検出器の
出力は適宜増幅され−く信号処理回路、更には記録表示
装置に送られ、スペクトルを表示する。８は電場強度制
御部であり、ＤＡ変換器９を介して］ンビュータの如き
演算制御部１０より掃引信号が送られる。該１） Ａ変
換器の出力はポテンショメータ１１にも送られ、該ポテ
ンショメータを介して磁場強度制御回路１２に電場強度
にリンクした信号が供給される。１３はパラメータ等の
設定用入力部である。このような構成の装置にＪ３いて
、演算制御部１０よりＤへ変換器９に直線的に変化する
デジタル信号を供給りると該ＤＡ変換器はそのデジタル
値をアナ［１グ値に変換し、電場強度制御部８に送り、
電場３をＥＯから０まで（又はＯからＥｏ ）までスキ
ャンする。該電場のスキャンと同時にポテンショメータ
１１を介して磁場強度制御部１２にもＤΔ変換されたア
ブログ値が導入されているため、磁場５もＢｏ ＋から
Ｏまで、或いはＢＬ１２からＯまでスキャンされる。
り、質量分散を受（）−Ｃ分離され、コレクタースリッ
ト６を通してイオン検出器７に検出される。該検出器の
出力は適宜増幅され−く信号処理回路、更には記録表示
装置に送られ、スペクトルを表示する。８は電場強度制
御部であり、ＤＡ変換器９を介して］ンビュータの如き
演算制御部１０より掃引信号が送られる。該１） Ａ変
換器の出力はポテンショメータ１１にも送られ、該ポテ
ンショメータを介して磁場強度制御回路１２に電場強度
にリンクした信号が供給される。１３はパラメータ等の
設定用入力部である。このような構成の装置にＪ３いて
、演算制御部１０よりＤへ変換器９に直線的に変化する
デジタル信号を供給りると該ＤＡ変換器はそのデジタル
値をアナ［１グ値に変換し、電場強度制御部８に送り、
電場３をＥＯから０まで（又はＯからＥｏ ）までスキ
ャンする。該電場のスキャンと同時にポテンショメータ
１１を介して磁場強度制御部１２にもＤΔ変換されたア
ブログ値が導入されているため、磁場５もＢｏ ＋から
Ｏまで、或いはＢＬ１２からＯまでスキャンされる。
しかし、第２図の装置はポテンショメータ１１により磁
場強度の初期値（又は最終値）を設定り−る、所謂マニ
ュアル操作を必要とづるので設定に長い時間を費し、又
ポテンショメータの設定精度は余り高くないので、（ｑ
られたデータは信懇性に欠けるものどなる。更に、ボデ
ンショメ〜夕による設定は複数イオン（１１１＋ とｍ
２）を同時に設定することが不可能であり、取り扱い上
大変に不便である。
場強度の初期値（又は最終値）を設定り−る、所謂マニ
ュアル操作を必要とづるので設定に長い時間を費し、又
ポテンショメータの設定精度は余り高くないので、（ｑ
られたデータは信懇性に欠けるものどなる。更に、ボデ
ンショメ〜夕による設定は複数イオン（１１１＋ とｍ
２）を同時に設定することが不可能であり、取り扱い上
大変に不便である。
第３図に示す従来例は演算制御部１０に２つの独立した
ＤＡ変換器９ａ 、９ｂを接続し、該夫々のＤＡ変換器
を通して電場制御部８及び磁場制御部１２に演算制御部
からの制御信号を送るようになしたものである。この様
に独立したＤＡ変換器を備えることにより演算制御部１
０のプログラムにより複数のイオンの設定は可能になる
。
ＤＡ変換器９ａ 、９ｂを接続し、該夫々のＤＡ変換器
を通して電場制御部８及び磁場制御部１２に演算制御部
からの制御信号を送るようになしたものである。この様
に独立したＤＡ変換器を備えることにより演算制御部１
０のプログラムにより複数のイオンの設定は可能になる
。
しかし、この装置ではＤＡ変換器９ａと９ｂに供給りる
デジタル信号の値を常に一定の関係を保ちながら与えな
（プればならず、超スローの掃引ならともかく、高速掃
引が要求されるリンクドスキＶンではハード構成及びプ
ログラミングが繁雑になり実用的ひない。
デジタル信号の値を常に一定の関係を保ちながら与えな
（プればならず、超スローの掃引ならともかく、高速掃
引が要求されるリンクドスキＶンではハード構成及びプ
ログラミングが繁雑になり実用的ひない。
而して、本発明は上記従来の装置の欠点を解消し、高精
度で操作性の良りＩなリンクトス＝Ｉ＝ ｔン質量分析
装置を提供りることを目的と覆るものである。
度で操作性の良りＩなリンクトス＝Ｉ＝ ｔン質量分析
装置を提供りることを目的と覆るものである。
本発明の構成の特徴はイオン源と、該イオン源で生成さ
れ１＝イＡンを分析りる電場及び磁場からなる二重収束
質量分析系と、該分析系で分離されたイオンを検出り−
る検出器と、前記電場強度を制御づ−る制御部と、前記
磁場の強度を制御り−る制御部とを備えた装置におい（
、前配各強庶制御部は夫々ＤＡ変換器を介して演算制御
部に接続しでおり、前記ＤＡ変換器の内生くども磁場用
１〕△変換器は基準電圧可変型のものを使用し、−での
基準電圧入力端子に電場用の］〕Δ変換器の出力信翼を
供給づるように構成したリンクドスキｔ・ン質但分析装
置に存する。
れ１＝イＡンを分析りる電場及び磁場からなる二重収束
質量分析系と、該分析系で分離されたイオンを検出り−
る検出器と、前記電場強度を制御づ−る制御部と、前記
磁場の強度を制御り−る制御部とを備えた装置におい（
、前配各強庶制御部は夫々ＤＡ変換器を介して演算制御
部に接続しでおり、前記ＤＡ変換器の内生くども磁場用
１〕△変換器は基準電圧可変型のものを使用し、−での
基準電圧入力端子に電場用の］〕Δ変換器の出力信翼を
供給づるように構成したリンクドスキｔ・ン質但分析装
置に存する。
ｆｆｉ ／１図は本発明の一実施例を承り図であり、第
３図に対応して描画しである。ＤＡ変換器９ａとしては
従来と同様基準電圧固定式のものが使用されるが、磁場
用のＤＡ変換器９ｂには基準電圧可変式のものを使用覆
る。そして、該ＤＡ変換器９ｂの基準電圧入力端子には
切換スイッチ１４を介し−Ｃ前記ＤＡ変換器９ａの出力
が導入されるように構成しである。前記スイッチ１４は
固定の基準電源１５に切換接続可能であり、リンクドス
キャン時以外は該固定基準電源にＤＡ変換器９ｂは接続
される。
３図に対応して描画しである。ＤＡ変換器９ａとしては
従来と同様基準電圧固定式のものが使用されるが、磁場
用のＤＡ変換器９ｂには基準電圧可変式のものを使用覆
る。そして、該ＤＡ変換器９ｂの基準電圧入力端子には
切換スイッチ１４を介し−Ｃ前記ＤＡ変換器９ａの出力
が導入されるように構成しである。前記スイッチ１４は
固定の基準電源１５に切換接続可能であり、リンクドス
キャン時以外は該固定基準電源にＤＡ変換器９ｂは接続
される。
斯かる装置において、スイッチ１４を図の如く１〕△変
換器９ａの側に接続しくおき、該ＤＡ変換器９ａに演算
制御部１０Ｊ：リデジタル値が０から所定のピッ１〜（
又は所定のピッＩ〜からＯ）ま℃゛、１りず−）増加（
又は減少）する信号が送られる。
換器９ａの側に接続しくおき、該ＤＡ変換器９ａに演算
制御部１０Ｊ：リデジタル値が０から所定のピッ１〜（
又は所定のピッＩ〜からＯ）ま℃゛、１りず−）増加（
又は減少）する信号が送られる。
これにより電場３の強度は直線的に例えばＯから第゛１
図のｆＥｏ（ＥｏからＯ）ま′ｃ楠引されることにイヱ
る。該掃引電圧はスイッチ１４を介して１４ｊ場用１〕
Δ変換器９ ｂの基準電ＩＪＥ入力端子に加えられてい
るので、該ｌ〕△変換器９ｂへの演算制御部１０からの
デジタル値が一定でもその出力は前記電場用ＤＡ変換器
９ａの出力に対応して変化することになる。而して、磁
場用ＤＡ変換器９ｂへ演算制御部１０がら第１図のＢｏ
＋又はＢＯ２に対応りるｊ゛ジタル値レットするのみ
で磁場用］〕△変換器９ ｂの出力はＯから所定電圧ま
で変化りる信号が得られることになる。そして、磁場強
度の掃引幅は演算制御部１０から磁場用ＤＡ変換器９ｂ
に送る固定のデジタル値のみを可変づることで変えるこ
とができる。従つ−Ｃ１第１図のＢｏ＋ とＢｏ２に夫
々対応づるデジタル値を演算制御部」Ｏから時間的に交
互に磁場用ＤＡ変換器９ｂにセラ１− するようになせ
ば、複数ブリカーザーイΔンｍ１、ｍ２等に関連りるイ
オンスペクトルを同時に測定りることが可能である。
図のｆＥｏ（ＥｏからＯ）ま′ｃ楠引されることにイヱ
る。該掃引電圧はスイッチ１４を介して１４ｊ場用１〕
Δ変換器９ ｂの基準電ＩＪＥ入力端子に加えられてい
るので、該ｌ〕△変換器９ｂへの演算制御部１０からの
デジタル値が一定でもその出力は前記電場用ＤＡ変換器
９ａの出力に対応して変化することになる。而して、磁
場用ＤＡ変換器９ｂへ演算制御部１０がら第１図のＢｏ
＋又はＢＯ２に対応りるｊ゛ジタル値レットするのみ
で磁場用］〕△変換器９ ｂの出力はＯから所定電圧ま
で変化りる信号が得られることになる。そして、磁場強
度の掃引幅は演算制御部１０から磁場用ＤＡ変換器９ｂ
に送る固定のデジタル値のみを可変づることで変えるこ
とができる。従つ−Ｃ１第１図のＢｏ＋ とＢｏ２に夫
々対応づるデジタル値を演算制御部」Ｏから時間的に交
互に磁場用ＤＡ変換器９ｂにセラ１− するようになせ
ば、複数ブリカーザーイΔンｍ１、ｍ２等に関連りるイ
オンスペクトルを同時に測定りることが可能である。
以上の構成となＵば、２つのＤＡ変換器９ａと９ ｂの
タイミングを全く考慮する必要がなく、又高速・低速の
掃引時間の影響も全く受けず、更には各設定はデジタル
的に高精度０行なうことができ、ハード構成上並びにプ
ログラミングを含む取り（及い−［極めて簡便になる。
タイミングを全く考慮する必要がなく、又高速・低速の
掃引時間の影響も全く受けず、更には各設定はデジタル
的に高精度０行なうことができ、ハード構成上並びにプ
ログラミングを含む取り（及い−［極めて簡便になる。
尚、上記は本発明の一例を示したにすぎず、実際には種
々な変更が可能である。例えば、上記はＢ／Ｅ＝にのリ
ンクドスキャンについてであるが、Ｂ２／、Ｅ＝にのリ
ンクドスキャンにも同様に利用できる。この場合、電場
用ＤＡ変換器９ａの後段に自乗回路を設ければ良い。又
、電場用のＤＡ変換器９ａにも基準電圧可変式のものを
用いても細雪差支えない。
々な変更が可能である。例えば、上記はＢ／Ｅ＝にのリ
ンクドスキャンについてであるが、Ｂ２／、Ｅ＝にのリ
ンクドスキャンにも同様に利用できる。この場合、電場
用ＤＡ変換器９ａの後段に自乗回路を設ければ良い。又
、電場用のＤＡ変換器９ａにも基準電圧可変式のものを
用いても細雪差支えない。
第１図はＢ／Ｉヨが一定のリンクドスキトンの説明を行
なうＩＣめの模式図、第２図及び第３図は夫々従来のリ
ンクドスキトンの装置例を示すブロック図、第４図は本
発明の一実施例のブロック図である。 １：イオン源 ３：電場 ５：磁場 ７：イオン検出器 ８：電場強度制御部 ９ａ 、９ｂ ：ＤＡ変換器 １０：演算制御部 １２：磁場強度制御部 １３：パラメータ等設定用入力部 １４：切換スイッチ １５：固定基準電圧源 第：図 １３ｏ２ δ０ＩＢｏ→
なうＩＣめの模式図、第２図及び第３図は夫々従来のリ
ンクドスキトンの装置例を示すブロック図、第４図は本
発明の一実施例のブロック図である。 １：イオン源 ３：電場 ５：磁場 ７：イオン検出器 ８：電場強度制御部 ９ａ 、９ｂ ：ＤＡ変換器 １０：演算制御部 １２：磁場強度制御部 １３：パラメータ等設定用入力部 １４：切換スイッチ １５：固定基準電圧源 第：図 １３ｏ２ δ０ＩＢｏ→
Claims (1)
- イオン源と、該イオン源で生成されたイＡンを分析りる
電場及び磁場からなる二重収束質量分析系と、該分析系
で分離されたイＡンを検出づる検出器ど、前記電場強度
を制御する制御部と、前記磁場の強度を制御りる制御部
とを備えた装置において、前記各強度制御部は夫々ＤＡ
変換器を介して演の制御部に接続しており、前記ＤＡ変
換器の内生くとも磁場用ＤＡ変換器は基準電圧可変型の
ムのを使用し、ぞの基準電圧入力端子に電場用のＤＡ変
換器の出力信号を供給づるように構成したことを特徴ど
→るリンクドスキレノ質吊分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58021243A JPS59147251A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | リンクドスキヤン質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58021243A JPS59147251A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | リンクドスキヤン質量分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59147251A true JPS59147251A (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=12049608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58021243A Pending JPS59147251A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | リンクドスキヤン質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59147251A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147354A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-16 | Hitachi Ltd | Mass spectrograph |
-
1983
- 1983-02-10 JP JP58021243A patent/JPS59147251A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147354A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-16 | Hitachi Ltd | Mass spectrograph |
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