JPS59146059A - メモリ−機能を有する画像形成材料およびこれを用いる画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、持続導電性ない１−はメモリー型画像形成方
法ｆ１．「っぴにこれに用いろ画像形成＋４別に関する
。

持続導電性画像形成力法は、或神の感光材料に露光する
とその露光部に持続性のある（す１ｆわちメモリー効果
を有する）導電性像が形成さオｌイ）現象を利用Ｉ、た
ものでｋ、す、得「）れた持続導雷５性像（潜像）は、
一般に静電写真σに使用される各種現像法により可視イ
ヒすることができＺ）。この方法に使用されろ感光材料
と１−ては各種のものが提案されているが、代表的なも
のとして導電性甚板上に、有機光導電性物質およびメモ
リー効果付与剤を含む感光メモリ一層を形成ｌ−でなる
ものが知られている（たとえば米国特許ｆ？、　３．８
７９．２０１号、同第３．９９７．３４２号各明細川立
用ど）。有機光導電性物質としては、ポリビニルカルバ
ゾールσ〕ような高分子光導電体、も１−　＜はオキサ
ジアゾールのよう１工低分子預光導１ｊｔ体を電気絶＃
巣Ｖドパインダーへ分散したものが用いられ、メモリー
効果付与剤とｌ。

では、各種のプロトン供与体が知られている。

上述した持続導電性を利用した画像形成材料の欠点は、
所望の持続導電性像を得るために必要な簡光供が数】Ｑ
　ｍＪ〜Ｚｏｏ　ｍＪ／ａｍ２程度とかなり大きいこと
でｋ）る。

この様な持続導電性画像形成材料の持つ欠点を除き、露
光感度を改善するために、本発明者らは既にい（つかの
技術を開発り、ていイ）。たとえば、特願昭５２−１６
７０１０号の明細書には、感光メモリ一層の露光前にコ
ロナ帯電を行う方法を二特開昭５６−１７３５８号公報
には感光メモリ一層と積層Ｌ＝　−７：比較的薄いメモ
リー効果を有さないた導′市層を形成し、た画像形成材
料を；まだ特願昭５７−５２３３月の明細叫には、感光
メモリ一層に′市川を印加しつつ輻光を行う方法を、そ
れぞれ開示Ｌ＝ていイ）３．これらの技術によっ１、そ
り、　ｔｘりにＲｋ光感度の改善効果が摺られるが未だ
充分７．Ｃものとは云い難く、あるいは操作十の制約を
受りる欠屯がある、。

本発明は、上述［７た１゛１↓情にへみ、より一層鮨光
感度の改善された持続導電性画像形成材料１工らぴにこ
れを用いろ画像形成力法を提供することを主要な目的と
−する。

本発明者らは、上述の目的で研聞トまた結果、カルバゾ
ール環を構造内に含むアリールメタン系色素は、メモリ
ー効果付与剤どし、て機能するだけでな（、光導電性物
質との組合せにおいて０．１ｍＪ／ｃｍ２程度と従来の
メモリー機能を有する感光体（画像形成材料）Ｅ比べて
約１００倍もの大幅に増大された光感度を示す感光メモ
リ一層を与えること、ならびにこのような高感度での持
続導電性画像の形成には感光メモリ一層と導電性基板と
の相互作用ｆよる導電性基板から感光メモリ一層へのホ
ール注入効果が関係し１．４’！Ｊ’　Ｋ表面抵抗率フ
＋’−１０２〜１０６Ω／　ｃｍ２の範囲にある導′市
性基物を用いろ場合に高いホール注入効果が得られるこ
とが見出された。

本発明のメモリー機能を有する画像形成材料は、上述の
知見に共づくものであり、より詳しくは、衣■１折抗率
が１０２〜１０６Ω／口でｋ）る導電性基板上に、有機
光導電性物質および下式（１）で表わされるアリールメ
タン系色素から’Ｃｃろメモリー効果付与剤を含む感光
メモリ一層を設けてなることを特徴とするものである。

（式中、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の少７７　くとも−っは、
下式（２）または（３）で表わされるパラ位をＮ　ｌｆ
？＋’換し、たフェニル基であり、 （式（２）、（３）中、Ｒ４〜１（８は、それぞれ、ア
ルキル基、アリール基または水素） 基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の二つまでは、アルキル基、アリー
ル基、アラルキル基または水素であり沓、Ｘ−はアニオ
ンを表わす。） また、本発明の画像形成力法は、上記画像形成材料の感
光メモリ一層にパターン露光を行い、露光部にホールの
注入された持続導′１ｆｉ性画像を形成することを特徴
とす４）もので２１１）。

本発明により光感度で持Ｒ：感電性向像デ）−ａられる
理由は必ずし、も明らかではないが、七ノ、下のように
推定されろ。す／、Ｃわち、有根毘３？ネ′九物質お、
［びメモリー効果付与剤を含む感光メモリ一層は、ホー
ルの易動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）の大なｐ型半導体であ
る。

この感光メモリ一層には、一般に導電性基板からホール
が注入されるが、注入されたホールのうち移動距離（レ
ンジ−易動Ｑｉｘ寿命×電圧（たとえば、一般的な導電
性部の検出法と１−２での負のコロナ帯電により与えら
ｈろ））が感光メモリ一層の膜厚よりも大なるもののみ
が表面に現わす］導電性の付与、すフ、【わち負のコロ
ナ帯電の相殺に使用され、受容電位の低下に寄与する。

ここでメモリー効果付与剤の吸収波長域の光を照射する
と、メモリー効果付与剤と導電性基板との相互作用の物
理的、化学的変化に伴ブエつで導電性基板からのホール
注入効率が増大し、啄光部では、コロナ帯電による感光
メモリ一層の受容電位が、このホール注入効率の増大に
伴って見かけ上減少する。この光照射によるホール注入
効率の増大を−だ状態は、暗所では比較的長時間持続し
、いわゆるメモリー効果を示すが、この状態は可逆的で
あり、熱エネルギ・−等により光照射前のホール注入効
率にもどり、メモリー消去が行ブｊわ′！′ｔ７）。本
発明の場合、°アリールメタン系色素からなるメモリー
効果付Ｊｊ剤の使用により、露光時のホール注入効率の
変化率が著１−．　＜増大Ｌ２ていることが、冒い光感
度の一因と考えられろ。また、導電性基板の表面抵抗率
が過大であると効率的なホール注入が行われ−Ａ゛、ま
た過小であると、露光部以外（Ｃおいても感）Ｌメモリ
一層の受容′電位の低下が起り、所望のコントラストが
得「）れたくなる。これが、了り−ルメタン系色素から
なるメモリー効果付与剤との糾合ゼにおいて、特宇の表
面抵抗率を有する導電性基板が優れた結果を与えろ理由
と渚え「）れろ。

以下、本発明を更に詳細に説明すイ）。以下の記載にお
いて、組成を表わす「部」１・土特に［ｌＪｊ［）ない
限り重量基準とする。

本発明の画像形成材料は、−例を第１図に示ずように漕
２′ｆ１性基板１上に、感光メモリ一層２を形成してな
る。

前述したように導電性基板１は、単７．【る電極として
作用するものではなく、画像形ＪＪψ７材料を構成する
機能要素の一つと１〜で重要ブエ役割を果Ｌ２、感光メ
モリ一層にホー／１／注入が可能でかつ適度な帯商、能
を感光メモリ一層に与えるために１０　−１０６Ω／Ｄ
の表面抵抗率を有することが必要で多）ろ。

この意味でＡｕ、Ａｇ等の高導電材料は不適当である。

また、通常、静電写ＩＣ旧料に最も一般的に用いられる
導１ｊ：性フ１（板材料であるＡ］は表面に酸化により
不働態膜が形成され、ホール注入（で対するバリア一層
と１−で作用するので不都合でｉ）ろ。導電性基板１と
１〜では、好まｌ−２（は、第２図に示すように、ガラ
ス詭）るいはポリエステル、ポリカーボネート１工どの
透明プラスチックのシー１−７ｆいしは水根１ａ十に、
溝車性材料の膜２ａを形成したものが用いらｈろ。導電
性利刺とし、ては、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｏｕ、Ｉ
ｌｌ等の金属７ｊ　イＬ半導体元素、あるいは、ＳｎＯ
□、工ｎ２０３、ＺｎＯ１Ｔｉｅ、　ＷＯ５Ｖ２Ｏ５等
の酸化物半導体等の１０２〜１０６Ω／口の表面抵抗率
を安定に与えろ材料が単独であるいは二種以上の複合材
料と［５て好１１へに使用される。なかでも酸化物半導
体カー好ましく用いられ、特にすバ抗率が１０　　Ω／
口程度のＩｎ２Ｏ３””　Ｂｎ０２　４’Ｑ合薄膜は好
ましい導電膜材料である。

感光メモリ一層２は、有機光導電性物質およびメモリー
効果付与剤を含む。有機光導電性物質には、前述し、た
様に高分子光導重体自体、或いは低分子く導電体の絶縁
性バインダー中への分散物がある。高分子光導電体とし
ては、前述ｌまたポリビニルカルバゾール以外にも、ビ
ニル基の代りに、アリル基、アクリロキシアルキル基等
のエチレン性不飽和基が含まれたＮ　−ｆｆ５換カルバ
ゾールの１部合体であるボＩＪ　Ｎ−エチ１ノン性不砲
、和基イ蹟換カルバソ゛−ルす自、ポリＮ−アクリルフ
ェノチアジン、ポリＮ−（β−アクリロギシ）フェノチ
アジン等のポリＮ−エチレン性不飽和ノ、（置換フェノ
デアジン類、ポリビニルピレン等が用いられる。なかで
も、ポリＮ−エチｔ／ン性不飽和基ＩＮ僕カルバゾール
類、Ｉ持にポリビニルカルバゾールが好ま（７く用いら
れろ。

また低分子量光導電体としては、アルギルアミノフェニ
ル基等で置換された、Ａギザジアゾール類、ｌ−１１−
）エニルメダン誘λ・′Ｌ体類１工ど７５−用いられろ
。こｈ　「）の低分子量光導電体は、その１部に対して
、たとえば１〜１０部程度の、たとえばシリコーン樹脂
、スチ１／ンーブタジエン共重合体樹脂、飽和もｌ、り
は不飽和ポリエステル樹脂、ポリビニルアセタールｔ）
１脂プエどの電気？、縁件のバインダー樹脂と組み合わ
せろことにより支障形成性の有機光導電性物４ｑとＩ−
、て用いらねろ。

一方、メモリー効果付与剤としては、以下の構昂式（１
）を有する了り−ルメタン系色素が閘いられる。

前述したように上記式中、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の少な（
とも一つは、下式（２）または（３）で表わされるバラ
位ｆ　Ｎ　Ｎ？換したフェニル基で糸）す、＼ｇｕＲ７
Ｒ８・・・・・・・・（３）（式（２）、（３）中、Ｒ
４−Ｒ８は、それぞれ、アルキル基、アリール基または
水素） 基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の二つまで（才、アルキル共、アリ
ール基、アラルキル基または水素であり？４（ろ。

また、Ｘ−は一般にアニオンを示ｔ７、たとえば０ｌ−
１Ｂｒ−、ニー等のハｉｆｆゲンイオ７；ＢＦ４−１Ｐ
Ｆ６−５ＦｉｊｂＦ６−１ＡｅＦ６−等の共有結合は錯
Ｂｇイオ７　；　ＭｎＸｍ７　（Ｍは金属、Ｘはハロゲ
ン、ｍオ・５よびＤは整数）ブエどが挙げられる。ｔｃ
かでもＢＦ４−１ＰＦ６−１ＳｂＦ６−などの共有結合
性の錯陰イオンが光メモリーの応答性が高い感光メモリ
一層を力え７、）ので好ましい。また同様の州！由によ
り、Ｒ１およびＲ２がＮ−エチル置換カルバゾール基で
Ｒ３がフ工ニ／ｌ／幕であるアリールメタン系色累、七
、るいはＲ１、Ｒ２カｐ−ジメチルアミノフェニルア：
千Ｒ３がフェニル基である了り−ルメタン系色索が特に
、好ま１−５く用いられる０、 これらのメモリー効果付与剤は、有機光導電件物質中の
光導電体１モル（光導電体が重合体の場合は、その重合
単位１モル）あたり、　ｏ、ｏｏｏｉ〜（１−Ｏｆモル
混合し、混合物を、必要に応じて溶剤で希釈り、て導電
性基板にワイヤバー、ドクターブレード等で塗布するこ
とにより感光メモリ一層を形成し７、本発明の画像形成
材料を得る。感光メモリ一層の膜厚は、１〜２０／ｊ程
度が望まし２い。

なお、感光メモリ一層２は、それ自体、複数の層に分割
することができる。この際、第３図に示すように、上記
の感光メモリ一層と同様な組成を有する層２ａ上に比較
的薄い厚さを有しメモリー効果を有さない光導電層２ｂ
を設げる層構成が好ましく用いｐ）れる。

次にこのようにして得られた画像形成材料を用いて行う
、本発明の画像形成方法について説明する。

本発明の方法ｐｃ　したがい、持続導電性画像を得るた
めには、第１図に対応して第３図に示すように、画像形
成材料の感光メモＩＪ−１輌２に、光源３から透退原塙
４を介して光照射することによりパターン露光を行えば
よい。導電性基板１が透明である場合、感光メモＩＪ　
−１１２−、の露光は導電性基鈑１を介して行う゛こと
もできる（図示せず）。光源３としては、白色ランプ、
キセノンランプ、ハロゲンランプ等の連純スペクトル九
？／ｌ　’＆用いろことができるほか、メモリー効果付
与剤であるカルバゾール環を構造内に含む了り−ルメタ
ン系色素が可視域に光吸収（感度）を有するため、可視
域の単色光も使用可能である。このような単色光の代表
とし〔は、たとえばＡｒレーザー（５１４ｎｍ　）、ル
ビーレーザー（４８８ｎｍ　）、タイＬ／−＋Ｐ−１Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザー（６３３０ｍ　）などのレーザー光が
挙げられ、この場合、単位面積ル）たりのエネルギー密
度が大であるレーザーの特徴を利用してビーム走査によ
り直接パターン雄光を行うことができる。

上述したように本発明の画像形成材料は増感剤の添加な
しでも０．０５〜０．１　ｍＪ’　／　ｃｍ２稈度の露
光Ｍ°で良好なメモリー効果が得ら第１、得られる４電
性画像は１〜３時間安定に持！＋、′ｔイ）。ま７こ、
さらに感度を上げるため４パターン算尤の前にｋ・らか
じめ逆帯電（正帯電）をイ■ズーＶ、只より′島。しノ
ＬＶ！−よって感度がさらに２０チ程度向上する。この
場合、逆帯電を行った後、−日、電位をゼロまで戻して
もよい１−７、または逆帯電したままで霧光を行ＩＬっ
てもよい。更に特願昭５７−５２３３号明細書に記載し
たように、感光メモリ一層に負極を接触させて電圧の印
加下に露光を行ってもよい。

上述のように［、て得られた持続導電性画像は一般に潜
像であるが、これを静電写真ないし静電印刷マスターと
して利用することにより可視像が得られイ）。すなわち
、持続導電性画像の形成された感光メモリ一層に負のコ
ロナ放電を行い、非露光部に反転静電潜像を形成し、以
後、トナー粉末のイ」着による現像、紙等への転写を代
表とするゼログラフィーの各種現像法をそのまま適用す
ることができる。また、本発明法により、一旦、持続導
電性画像が得られると、以後、帯電現像−転写を繰り返
すことにより多数枚の複写物が得られる。

またメモリー機能を生か１−だ方法とし、て導電性画像
と現像とを切り離すことができるため、部分焼１７］の
用１ｔ５７．ｃ印刷版としての応用も１υｊ悄°〔きる
。１．’（ｉの他の現像方法として、嬉光部と非瞑光部
との導電性の差を利用して、電加現像、電解現像、電気
泳動現像等の方法を利用することもできる。

さらに、本発明の画像形成材料の特徴として、メモリー
消去が容易であることが挙げられる。メモリ・−消去の
方法と第２ては、持続導電性画像形成後の感光メモリ一
層に通帯′ｌ！ｆｉ　（正帯電）を行う方法、あるいは
１００〜１５０℃の熱板、熱ローラー等によって感光メ
モリ一層を加熱する方法等がある。

特に、加熱によるメモリー消去に際しては、温度１２０
〜１５０℃の条件を用いれば、わずか１〜５秒で完全な
メモリー消去が可能である。

以下の実施例によって、本発明を史に具体的に説明する
。

〈実施例１〉 上記組成を有する混合溶液を暗９［で作成（−１Ｉｎ２
０３−８ｎ０２　　を蒸着したポリエステルフィルム（
表面抵抗率１０　　Ω／口、量大（株〕製、透明導電性
フィルム）にワイヤバーを用いて塗布し、５０℃で約１
時間通風乾・藉し、膜厚約１０μｍの感光メモリ一層を
有する画像形成材料（感光材料）全形成した。

この画像形成材料について、完全に乾燥を行なうために
、さらに１日自然放置を行ない、その後。

本発明の画像形成法に準じて以下の様な測定を行なった
。

すなわち、露光は干渉フィルターとハロゲンランプを用
いて６３３皿、０．１　ｍＷ／ｃｍ２の光を照射して、
感光メモリ一層全面の導電化処理ケ行ブエっだ。

無光前後の表面地位をコロナ帯電器（回転式ペーパーア
ナライザー、河口砥気（銅製）で測定した。

その結果、露光前では、７００Ｖ（−）電荷受容性の感
光体が０，１　ｍＪ／ｃｍ２の露光前を与えた後では、
１４０Ｖ（→の電荷受容性となり、画像として考えた場
合、未露光部と露光部との間に、５６０　Ｖのコントラ
スト′改位が得られた。このように１−２てイ！Ｉられ
た電荷受容性の低下状態は、暗状態で安定で、３時間後
でも、２００Ｖ←）まで１〜かロタせず、この段１留で
も５００Ｖのコントラスト電位が得られた。

別途、上記画像形成材料の感光メモリ一層にパターンフ
ィルムを介して密着露光を行い、その後、コロナ帯電し
、（−６ｋｖ）正極性の電子写真湿式トナーにより現像
して感光材料表面の非露光部に２トナー像を得た。その
場合の解像度は１５本／　ｍｍであった。

〈実施例２〉 実施例１で用いたものと同様の感光材＃４において、露
光前にｋ）らがしめ、正帯電を行ｌｊい、その後に露光
、も１〜くは一度、負帯電で表面電荷をギャンセルＬま
た後に露光１−７た場合、鰭光部の電荷受容性は７０Ｖ
（−）（未霧光部−７（ＩＯＶ（−））とムリ、増感効
果が得らｆｌだ。

〈実施例３〉 実施例１で用いたものと同様の感光材料において、露光
により、電荷受容性が７０Ｖ（−）寸で低−トシまたも
のを、正帯電（＋６’ｋｖ）で５分継続１−、た場合、
また１４０°Ｃの熱ローラーに３秒通した場合、電荷受
容性は、露光前の７００Ｖまで回転し７、メモリーの消
去が行ｉｆわれだ５゜ く比較例〉 実施例１で用いた感光材料において、導電性基板を、Ｉ
ｎ２Ｏ２−８ｎ０２を蒸着したポリエステルフィルムに
代工て、Ａユ蒸着マイラーフィルムにした結果、露光を
行なった後の電荷受容性の低下は認められず、メモリー
効果が起こらなかった。

〈実施例４〉 実施例１で用いた感光材料において、光源をノ・ロゲン
ランブの代りに、Ｈｅ−Ｎθレーザー６３３　ｎｍを用
いて、ビーム操作により直接光記録を行なった。その結
果、窮光倚５００　ｅｒｇ／ｃｍ２で画像形成が可能で
あった。

〈実施例５〉 上記組成を有する混合溶液を実施例１で用いたものと同
様の導電性基版上に、ギャップｒｌ〕４　ｍｊ、１のド
クターブレードを用いて塗布し５、完全乾燥し２て、膜
厚１５μｍの感光メモリ一層を形成しまた。得られた感
光材料の感光メモＩＪ　　、ｑ　Ｅ　５００　ｎｍ１０
　、１〒乙ｍ２の強度の光を０．１ｍＪ／／ｃＩＩ１２
照射１．た後、負極性の電子写真湿式トナーに浸（２、
アルミ板を対陰極（で用いて、感光基鈑（導電性基板）
との間に１００ｖの直流電圧を印加Ｌ７た結、１４１！
、、露光部にトナーが付着し、電着が行なわれることが
確認された。

〈実施例６） ポリビニルカルバシーＡ／　　　　　　　　　　　　１
　シＯＨＯユ、　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　２５　ｇ上記組成を有すイ）混合
溶液を、表面抵抗率１０４Ω／口程度のＮｉＯ基板上に
ギヤツブ巾４　ｍｌ、１のドクターブレードを用いて塗
布し、完全乾燥して、膜厚１０μ■の感光メモリ一層を
形成支フ、二。州し〕れた感光利料の感光メモリ・一層
に６４０　ｎｍ、０．１ｍＷ／Ｃｍ２の光を（）、５°
Ｊ／／ｃｍ２　　パターン霧光を行なった。

３時間保存後（→帯電を行７エって、トナ・−現像を行
なった結果、１５本／ｍｍの画像形成がイＭらねた。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は、それぞれ本発明の実施例にかかる画
像形成材料の厚み方向部断面図、第４図は本発明の画像
形成方法におげ２）パターン霧光工程を説明す２）ため
の画像形成材料の厚み方向断面図である。 １・・・導電性基板（ｌａ・・・透明水根、ｉｂ・・・
導電性膜）、２・・・感光メモリ一層、３・・・光源、
４・・・透堝原稿。 出願人代理人　　　猪　　股　　　　清潔　１　図 も　２　囚 ％３Ｉｋ υ３ 一一−−−−４ ４１７−−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ホール注入が可能な表面抵抗率が１０２〜１０６Ω
   ／口である導電性基板上に、有機光導電性物質および下
   式（１）で表わされろアリールメタン系色素から７′ｃ
   るメモリー効果付与剤を含む感光メモリ一層を設けてな
   ることを特徴とするメモリー機能を有する画像形成材料
   。 （式中、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の少なくとも一つは、下式
   （２）または（３）で表わされるパラ位をＮ置換したフ
   ェニル基であり、 （式（２）、（３）中、Ｒ４−Ｒ８は、そねぞね１、ア
   ルキル基、アリール基または水素） ａＲ＋　、　Ｒ２、Ｒ３の二つまでは、アルキル基、ア
   リール基、アラルキル基または水素であり得、Ｘはアニ
   オンを表わす。） ２、導電性基板が導電性金属酸化物皮膜を有する上記第
   １項の画像形成材料。 ３、感光メモリ一層が複数の層からなり、その一層にメ
   モリー効果付与剤を含む上記第１項または第２項の画像
   形成材料。 ４、表面抵抗率か１０　〜１０　　Ω／口でｋ）る導電
   性基板上に、有機光導電性物質および上式（１）で表わ
   されるアリールメタン系色素か「）１工ろメモリー効果
   付力剤を含む感光メモリ一層を設けて／工ろ画像形成材
   料の感光メモリ一層にパターン露光を行い露光部にホー
   ルの注入さ第１た持続導電性画像を形成することを特徴
   とする、メモリー型画像形成方法。 （式中、基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の少なくとも−っは、下式
   （２）または（３）で表わされろパラ位をＮ置換したフ
   ェニル基であり、 べ３ΣΣ−ＮＲ７Ｒ８曲・・川（３） （式（２）、（３）中、Ｒ４−Ｒ８は、それぞれ、アル
   キル基、アリール基または水素） 基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の二つまでは、アルキル基、アリー
   ル基、アラルキル基または水素−（・ル・り得、Ｘ　は
   アニオンを表わす。） ５、パターン露光後の感光メモリ一層に負帯電を行い、
   非露光部に負帯電画像を形Ｆｉｉする上記第４項の方法
   。 ６、負帯電後にトナー現像を行う上記第５項の方法。 ７゜パターン露光後、感光メモリ一層の正帯電糸）るい
   は加熱により持続導電性画像の消去を行う上記第４項な
   いし第６項のいす第１かの方法。 ８、ハターン露光前に感光メモリ一層の［Ｆ帯電を行う
   上記第４項ないし７第７項のいず第１かの方法。