JPS59144129A - Ｘ線源装置 - Google Patents

Ｘ線源装置

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Publication number
JPS59144129A
JPS59144129A JP58019254A JP1925483A JPS59144129A JP S59144129 A JPS59144129 A JP S59144129A JP 58019254 A JP58019254 A JP 58019254A JP 1925483 A JP1925483 A JP 1925483A JP S59144129 A JPS59144129 A JP S59144129A
Authority
JP
Japan
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ray
target
electron
irradiated
electron guns
Prior art date
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Pending
Application number
JP58019254A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS59144129A publication Critical patent/JPS59144129A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＸ線源装置の構造に関する。
従来、Ｘ線源装置としては、１つのターゲットに１個の
電子銃からの電子線を照射する構造が最も一般的に用い
られていた。
しかし、上記従来技術では、Ｘ線の被照射物へのＸ線量
が充分にとれないという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、Ｘ線の被照
射物へのＸ線量が充分にとれるＸ線源装置を提供するこ
とを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、Ｘ
線源装置に於て、２個以上の電子銃からの電子線をター
ゲットに照射し、２点以上のＸ線源を一体として構成す
ることを特徴とする。
以下、実施例によシ本発明を詳述する。
第１図悴本発明によるＸ線汀装置の一実施例を示す、装
置の断面構造の模式図である。
Ｘ線管工には電子銃２．３等の２個以上の電子銃と、１
つの水冷銅製ターゲラ）（Ｐｄ薄膜を表面に形成したも
の〕４および、ＢｅＸ線窓５，６等を設け、電子銃２．
３等からの電子銃はターゲット４に照射され、２点以上
のＸＭＡ源を形成し、該２点以上のＸ線源からのＸ糺ｊ
７，８等は、Ｘ線マスクを通して、Ｓｉウェーハ用上の
レジスト１１にＸ線マスク９０図形を転写する。
第２図は本発明によるＸ線源装置の他の実施例を示す、
装置の断面構造の模式図である。
Ｘ線管２１，２２等には、ターゲット２３　、２４等と
、電子銃５，２６等及びＢ、窓２７　、２８等が設けら
れ、実質的に２個以上のＸ線発生銃を一体として取付け
、該Ｘ線銃等からのＸ線を１つのＸ＆Ｉマスク四を通し
て１つのＳｉウェーハ３０上のレジスト３１にＸＭマス
ク２９の図形を転写する。
上記の如く、２個以上の電子銃からの電子線をターゲッ
トに照射し、２点以下のＸ線源を一体として構成するこ
とによシ゛−従来法と同一人力電力でも、Ｘ線源と被照
射物との距離が短かく出来、実質的に同一解像力で、被
照射物へのＸ線量を多くとれ、そ、の分だけＸ線露光時
間が短縮でき、高いスルー・プツトのＸ線露光処理が可
能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、本発明によるＸ線源装置構成を
模式的に示したものである。 １　、２１　、２２・・Ｘ線管　２，３，２５．２６・
・電子銃　４．２３．２４φ嗜ターゲツト　５，６，２
７゜２８・・Ｘ線取出窓　９，２９・・Ｘ線マスク　１
０　。 ３０・・Ｓｉウェーハ　１１　、３１・・Ｘ線レジスト
。 以　　　上 出願人　株式会社諏訪精工舎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ２個以上の電子銃からの電子線をターゲットに照射し、
    ２点以上のＸ線源を一体として構成することを特徴とす
    るＸ線源装置。
JP58019254A 1983-02-08 1983-02-08 Ｘ線源装置 Pending JPS59144129A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1995757A1 (en) * 2006-03-03 2008-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Multi x-ray generator and multi-radiography system
EP2126931B1 (en) * 2007-01-26 2011-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Spectrum-preserving heel effect compensation filter made from the same material as anode plate

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