JPS59143124A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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- JPS59143124A JPS59143124A JP58017830A JP1783083A JPS59143124A JP S59143124 A JPS59143124 A JP S59143124A JP 58017830 A JP58017830 A JP 58017830A JP 1783083 A JP1783083 A JP 1783083A JP S59143124 A JPS59143124 A JP S59143124A
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- Japan
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- electrode
- substrate
- display
- display panel
- liquid crystal
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気光学装置、特にマ） ＩＪラックス表示
パネルに関し、詳しくは駆動用半導体アレイを一体化し
たマトリックス基板ヲ用いたマトリックス型液晶表示パ
ネルに関するものである。液晶による表示パネルは、次
の利点をもっている。すなわち、 １、受光型（パッシブ）ディスプレーで、低電力消費で
あること； ２、低電圧で動作出来るとと； ３ パネル型の構成にし易いこと； ４ 大型表示も可能であるとと； が利点として挙げられる。
パネルに関し、詳しくは駆動用半導体アレイを一体化し
たマトリックス基板ヲ用いたマトリックス型液晶表示パ
ネルに関するものである。液晶による表示パネルは、次
の利点をもっている。すなわち、 １、受光型（パッシブ）ディスプレーで、低電力消費で
あること； ２、低電圧で動作出来るとと； ３ パネル型の構成にし易いこと； ４ 大型表示も可能であるとと； が利点として挙げられる。
これらの利点は、発光型（アクティブ）ディスプレーに
は見られないものである。
は見られないものである。
この様な液晶表示パネルの中でも、特開昭５０−１７５
９９号公報に開示された多数の画素をマトリックス駆動
する方式は、特に注目されている。
９９号公報に開示された多数の画素をマトリックス駆動
する方式は、特に注目されている。
この方式の液晶表示パネルは、例えば第１図（ａ） Ｋ
示す様な構成となっている。
示す様な構成となっている。
即ち、表示パネルを構成する基板（ガラス。
プラスチックフィルム等）が２〜１０本／門程度の密度
で、駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦ’Ｔ： Ｔｈ１ｎ
Ｆｉｌ！ｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をマトリックス配
置したもので構成されている。
で、駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦ’Ｔ： Ｔｈ１ｎ
Ｆｉｌ！ｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をマトリックス配
置したもので構成されている。
ＴＰＴとしてはいくつかの構造があるが、ここでは第１
図（ａ）に示す様なゲート電極が基板側に形成されたス
タガー構造を例にとり述べる。
図（ａ）に示す様なゲート電極が基板側に形成されたス
タガー構造を例にとり述べる。
ＴＰＴは基板Ｓ上に形成されたゲート線１ａ。
ｌａ′、１ａ″、・・・・・を有し、該ゲート線上に設
けたゲート電極１． ｌ、 １． ｌ、 ・・・
・・・（行電極）、該ゲート電極上に積層された絶縁層
５、前記ゲート電極上に絶縁層を介して形成された薄膜
半導体層２． ２． ２． ２．・・・・・、半導体の
一端に接して設けたソース線３．３’、 ・・・・・（
列電極）、及び半導体の他端に接して設けたドレイン電
極４、 ４． ４． ４．・・・・・・（表示電極）等
から構成され、行電極と列電極は透明又は金属の薄膜導
電層によって形成されている。
けたゲート電極１． ｌ、 １． ｌ、 ・・・
・・・（行電極）、該ゲート電極上に積層された絶縁層
５、前記ゲート電極上に絶縁層を介して形成された薄膜
半導体層２． ２． ２． ２．・・・・・、半導体の
一端に接して設けたソース線３．３’、 ・・・・・（
列電極）、及び半導体の他端に接して設けたドレイン電
極４、 ４． ４． ４．・・・・・・（表示電極）等
から構成され、行電極と列電極は透明又は金属の薄膜導
電層によって形成されている。
ＴＰＴの他の構造、即ち、ゲート電極が基板とけ反対側
に形成されたスタガー構造及びコプレーナ構造の３種類
についても同様の構成要素があり、層構成順序が異なる
のみである。
に形成されたスタガー構造及びコプレーナ構造の３種類
についても同様の構成要素があり、層構成順序が異なる
のみである。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）の矢印ＯＢ力方向ら眺めた
平面図で、マトリックス１駆動回路の一部を示したもの
である。
平面図で、マトリックス１駆動回路の一部を示したもの
である。
また、第２図は第１図（ｂ）を線分ＡＡ′に沿って切断
した拡大断面図である。
した拡大断面図である。
第２ 図Ｋ１１ｎて、７及びＳはガラス、プラスチック
フィルム等の基板、４″、４″′は前述のドレイン電極
、８は対向電極である。
フィルム等の基板、４″、４″′は前述のドレイン電極
、８は対向電極である。
４．４．８等には５ｎ０２．Ｉｎ２Ｏ３，Ｉ Ｔ Ｏ等
の透明導電膜、あるいはＡｕ 、 Ｎ）、、 Ｐｄ等の
金属薄膜が用いられる。
の透明導電膜、あるいはＡｕ 、 Ｎ）、、 Ｐｄ等の
金属薄膜が用いられる。
１、 ｌ及び３，３はそれぞれ、ゲート電極及びソー
ス電極で、Ａｌｌ、 Ａｕ 、 Ａｇ 、 Ｐｄ等の金
属薄膜が用いられる。
ス電極で、Ａｌｌ、 Ａｕ 、 Ａｇ 、 Ｐｄ等の金
属薄膜が用いられる。
５及び９は絶縁層で、２，２はアモルファスシリコン、
ポリシリコン＊ ＣｄＳ ＋ ＣｄＳ ｅ等の薄膜半
導体、１０はシール部材、１１は液晶層である。
ポリシリコン＊ ＣｄＳ ＋ ＣｄＳ ｅ等の薄膜半
導体、１０はシール部材、１１は液晶層である。
この様な表示パネルでは、（１）セルの動作特性は液晶
層の厚みに対する依存性が高く、表示パネル全体の表示
特性が、低下し易い。このため、良好な階調性あるいは
高速応答性を得る為には、液晶層の厚さを一定面積以上
（例えば１Ｏｃａ以上の範囲）に亘り、出来る限り薄く
（例えば数μｍ−１０μｍ）且つ均一にする必要がある
。
層の厚みに対する依存性が高く、表示パネル全体の表示
特性が、低下し易い。このため、良好な階調性あるいは
高速応答性を得る為には、液晶層の厚さを一定面積以上
（例えば１Ｏｃａ以上の範囲）に亘り、出来る限り薄く
（例えば数μｍ−１０μｍ）且つ均一にする必要がある
。
又、この表示パネルでは（２）半導体駆動素子がマトリ
ックス配置された表示電極基板と対向電極基板の間隔を
シールスペーサーで保持しているだけであるために、ｌ
） 白黒表示の際には色むらや表示部分の位置ずれを
生じる欠点があること、１：）カラー表示の際には色す
れと色むらを生じる欠点があることが挙げられている。
ックス配置された表示電極基板と対向電極基板の間隔を
シールスペーサーで保持しているだけであるために、ｌ
） 白黒表示の際には色むらや表示部分の位置ずれを
生じる欠点があること、１：）カラー表示の際には色す
れと色むらを生じる欠点があることが挙げられている。
前述の点から、液晶層の）１みを一定に保つ為に、液晶
層中に一定の粒径の不活性な部材を混入する方法等が知
られているが、広い表示面全体に亘り均一に不活性部材
を混入させる事は難かしく、才た画像表示部分で液晶分
子の配向状態を乱す事があり、実用的な方法とはなり得
ない。
層中に一定の粒径の不活性な部材を混入する方法等が知
られているが、広い表示面全体に亘り均一に不活性部材
を混入させる事は難かしく、才た画像表示部分で液晶分
子の配向状態を乱す事があり、実用的な方法とはなり得
ない。
本発明は前述の諸点に鑑みて澄されたものであり、広い
表示面に亘り、微小な基板間の間隙を一定に保持し、表
示の階ｄ周性と応答性に優れた電気光学装置、特に液晶
表示パネルを与える事を第１の目的としている。
表示面に亘り、微小な基板間の間隙を一定に保持し、表
示の階ｄ周性と応答性に優れた電気光学装置、特に液晶
表示パネルを与える事を第１の目的としている。
また、本発明の別の目的は、画像表示部分で、液晶分子
の配列を乱す事をなくシ、表示特性の優れた液晶表示パ
ネルを与える事にある。
の配列を乱す事をなくシ、表示特性の優れた液晶表示パ
ネルを与える事にある。
さらに、本発明の別の目的は、白黒表示の場合では位置
ずれを、又カラー化の場合では色ずれと色むらをそれぞ
れ防ぐ事により、表示特性の優れた液晶表示パネルを与
える事にある。
ずれを、又カラー化の場合では色ずれと色むらをそれぞ
れ防ぐ事により、表示特性の優れた液晶表示パネルを与
える事にある。
本発明の電気光学装置は、少なくとも１方に透明な導電
性被膜を設けた２枚の電極基板の開に液晶と複数のスペ
ーサーを有する電気光学装置において、前記スペーサー
がフォトレジストによって形成されている点に特徴を有
している。
性被膜を設けた２枚の電極基板の開に液晶と複数のスペ
ーサーを有する電気光学装置において、前記スペーサー
がフォトレジストによって形成されている点に特徴を有
している。
本発明の表示パネルは、例えば（１）多数のセグメント
を選択的に駆動するだめの行電極あるいは列磯極自体を
非透光性部材として形成し、この非透光性部材に沿って
スペーサ部材を配置すること：（２）半導体駆動素子を
設けた基板の対向基板側に行電極あるいは列電極に沿っ
て非透光性部材を形成し、この非透光性部材に沿ってス
ペーサ部材を配置することができる。又、スペーサ一部
材を形成する際には、２枚の基板のうち少なくとも一方
の基板に固着させておくことが好ましい。この態様につ
いては、第３図（ａ）〜（Ｃ）で明らかにする。
を選択的に駆動するだめの行電極あるいは列磯極自体を
非透光性部材として形成し、この非透光性部材に沿って
スペーサ部材を配置すること：（２）半導体駆動素子を
設けた基板の対向基板側に行電極あるいは列電極に沿っ
て非透光性部材を形成し、この非透光性部材に沿ってス
ペーサ部材を配置することができる。又、スペーサ一部
材を形成する際には、２枚の基板のうち少なくとも一方
の基板に固着させておくことが好ましい。この態様につ
いては、第３図（ａ）〜（Ｃ）で明らかにする。
第３図（ａ）は、本発明表示パネルの一例の斜視図であ
る。
る。
即ち、行電極（又は列電極）自体を非透光性部材１２と
し、この上に絶縁層５を介して複数のスペーサ部材６．
６． ６． ６が設けられ、これらの厚みが液晶層の
層厚を決定している。
し、この上に絶縁層５を介して複数のスペーサ部材６．
６． ６． ６が設けられ、これらの厚みが液晶層の
層厚を決定している。
第３図（ｂ） ｔｔよ、本発明の表示パネルの別の態様
を示す；斜視図である。
を示す；斜視図である。
即ち、液晶表示パネルの対向′成極基板面に非透光性部
材１２を介してスペーサ部材６，６゜６．６．・・・・
・が設けられ、これらの厚みが液晶層の層厚を決定して
いる。
材１２を介してスペーサ部材６，６゜６．６．・・・・
・が設けられ、これらの厚みが液晶層の層厚を決定して
いる。
ここで、設けられた非透光性部材１２のパターン形状は
、スペーサ部材と同様の形状、ストライブ状、あるいは
、モザイク等のいずれの形状であっても良く、少なくと
も行電極あるいは列電極のラインに沿っていればよい。
、スペーサ部材と同様の形状、ストライブ状、あるいは
、モザイク等のいずれの形状であっても良く、少なくと
も行電極あるいは列電極のラインに沿っていればよい。
第３図（Ｃ）は、本発明の表示パネルの別の態様を示す
斜視図でやる。
斜視図でやる。
第３図（Ｃ）において、液晶表示パネルの対向型５４瓶
８を設けた基板７に非透光性部材１２を形成し、その上
を絶縁層９で被覆し、さらに非透光性部材１２に沿って
スペーサ一部材６，６．６゜６″′・・・・・・を前記
絶縁層９の上に配置した基板を示している。この基板を
薄膜半導体２． ２． ２゜ｉ″、・・・・・・、行電
極１ａ、ｌａ’、 ・・・・・と列電極３゜３′・・
・・・を設けた基板５と対向させる際、前述の非透光性
部材１２は行電極１ａ、ｌａ’、・・・・・・（あるい
け列電極３，３′・・・・・・）のラインに沿って配置
される。従って、この時スペーサ一部６，６゜６．６．
・・・・・ｒま表示面の非透光性区域に配置された態様
になすことができる。
８を設けた基板７に非透光性部材１２を形成し、その上
を絶縁層９で被覆し、さらに非透光性部材１２に沿って
スペーサ一部材６，６．６゜６″′・・・・・・を前記
絶縁層９の上に配置した基板を示している。この基板を
薄膜半導体２． ２． ２゜ｉ″、・・・・・・、行電
極１ａ、ｌａ’、 ・・・・・と列電極３゜３′・・
・・・を設けた基板５と対向させる際、前述の非透光性
部材１２は行電極１ａ、ｌａ’、・・・・・・（あるい
け列電極３，３′・・・・・・）のラインに沿って配置
される。従って、この時スペーサ一部６，６゜６．６．
・・・・・ｒま表示面の非透光性区域に配置された態様
になすことができる。
なお、第３図（ａ）−（Ｃ）における第１図（ａ）、
（＋））および第２図と同−付号は、同一部側を表わし
ている。
（＋））および第２図と同−付号は、同一部側を表わし
ている。
前述の非透光性部材１２はＡｌｌ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ
等の合端薄膜あるいは着色性有機物のいずれによって形
成されていても良い。この際、スペーサ部材６、 ６．
６． ６． ・−＝−・は、行電極１ａ、ｌａ・＝（
あるいは列電極３．３’、 ・・・・・・）の上に絶縁
層５を介［７て固着されている。
等の合端薄膜あるいは着色性有機物のいずれによって形
成されていても良い。この際、スペーサ部材６、 ６．
６． ６． ・−＝−・は、行電極１ａ、ｌａ・＝（
あるいは列電極３．３’、 ・・・・・・）の上に絶縁
層５を介［７て固着されている。
第４図（ａ）は、第３図（ａ）又は（ｂ）に示す表示ノ
くネルの平面図であり、第４図（ｂ）は第４図（ａ）の
線分Ｂ −Ｈ’に沿う１所面図である。
くネルの平面図であり、第４図（ｂ）は第４図（ａ）の
線分Ｂ −Ｈ’に沿う１所面図である。
本発明の表示パネルで用いる前述の如きスペーサーは、
フォトレジストによって形成されている。フォトレジス
トとしては、コ゛ム系フォトレジスト好ましく一二環化
ボリイソプレン系フォトレジストや環化ポリブタジェン
系フォトレジストなどのゴム系フォトレジストを用いる
ことが適している。環化ポリイソプレン系フォトレジス
トの具体例としては、米国イーストマン・マダツク社製
のｆ−Ｍｉｃｒｏ Ｒｅ５ｉｓｔ ７４７ Ｊ、［Ｍｉ
ｃｒ。
フォトレジストによって形成されている。フォトレジス
トとしては、コ゛ム系フォトレジスト好ましく一二環化
ボリイソプレン系フォトレジストや環化ポリブタジェン
系フォトレジストなどのゴム系フォトレジストを用いる
ことが適している。環化ポリイソプレン系フォトレジス
トの具体例としては、米国イーストマン・マダツク社製
のｆ−Ｍｉｃｒｏ Ｒｅ５ｉｓｔ ７４７ Ｊ、［Ｍｉ
ｃｒ。
）ｔ、ｅｓｉｓｔ ７３２ ｊ、東京応化工業＠製の「
ＯＭＨ，−８３」、「０Ｍ丁も−８５」や日本合成コ′
ム■製の［ＪＳｌ（Ｃ１ｆ七 ７０１ ｊ などを挙
げることができ、又、環化ポリブタジェン系レシストト
シては、日本合成ゴム■製の「Ｊ８Ｈ，Ｃｒ２几−ＩＶ
９０１ ｊなどを挙げることができる。この他に、ポ
リグリシジルメタクリレート、ポリクロロメチルスチレ
ン、フェノール樹脂、塩素化ポリスチレン、ポリメタク
リル酸メチル、ポリメチルインプロペニルケトン、α、
β−不飽和カルボン酸誘導体ポリマー、ポリへキサフル
オロブチルメタクリレートなどを主成分としたフォトレ
ジストヲ用いることもできる。又、本発明で用いるフォ
トレジストは、ネガ型あるいはポジ型の何れであっても
よい。特に、ゴム系フォトレジストを用いて形成したス
ペーサーを有する表示パネルは、他のフォトレジストに
より形成したスペーサーを有する表示パネルに較べ、高
信頼性にすることができる。
ＯＭＨ，−８３」、「０Ｍ丁も−８５」や日本合成コ′
ム■製の［ＪＳｌ（Ｃ１ｆ七 ７０１ ｊ などを挙
げることができ、又、環化ポリブタジェン系レシストト
シては、日本合成ゴム■製の「Ｊ８Ｈ，Ｃｒ２几−ＩＶ
９０１ ｊなどを挙げることができる。この他に、ポ
リグリシジルメタクリレート、ポリクロロメチルスチレ
ン、フェノール樹脂、塩素化ポリスチレン、ポリメタク
リル酸メチル、ポリメチルインプロペニルケトン、α、
β−不飽和カルボン酸誘導体ポリマー、ポリへキサフル
オロブチルメタクリレートなどを主成分としたフォトレ
ジストヲ用いることもできる。又、本発明で用いるフォ
トレジストは、ネガ型あるいはポジ型の何れであっても
よい。特に、ゴム系フォトレジストを用いて形成したス
ペーサーを有する表示パネルは、他のフォトレジストに
より形成したスペーサーを有する表示パネルに較べ、高
信頼性にすることができる。
これらのフォトレジストは、紫外線、遠紫外線あるいは
電子線を照射し、その後所定の現償液（例えば、キシレ
ンなど）で現像することによって照射部あるいは非照射
部を除去した後、所定の硬化条件（加熱）で硬化させて
所望のスペーサーを形成することができる。又、フォト
レジストは、１方の電極基板あるいけ両方の電極基板の
上に浸漬塗布法、スピンナー塗布法、ａ−ジー塗布法な
どでの公知塗布法によって被膜形成され、その後所定の
乾燥条件下で乾燥される。
電子線を照射し、その後所定の現償液（例えば、キシレ
ンなど）で現像することによって照射部あるいは非照射
部を除去した後、所定の硬化条件（加熱）で硬化させて
所望のスペーサーを形成することができる。又、フォト
レジストは、１方の電極基板あるいけ両方の電極基板の
上に浸漬塗布法、スピンナー塗布法、ａ−ジー塗布法な
どでの公知塗布法によって被膜形成され、その後所定の
乾燥条件下で乾燥される。
本発明の表示パネルで用いるスペーサーは、一般に数μ
〜士数μの膜厚で形成することができ、好１しくは６μ
〜１５μ程度の膜厚で形成することが望ましい。
〜士数μの膜厚で形成することができ、好１しくは６μ
〜１５μ程度の膜厚で形成することが望ましい。
又、本発明の表示パネルで用いる液晶としては、ネマチ
ック液晶、コレステリック液晶又はスメツクチック液晶
を用いることができ、この際ネマチック液晶の誘電異方
性は正又は負あるーは二周波駆動に適したものであって
もよい。
ック液晶、コレステリック液晶又はスメツクチック液晶
を用いることができ、この際ネマチック液晶の誘電異方
性は正又は負あるーは二周波駆動に適したものであって
もよい。
又、スメツクチック液晶は、人相、Ｂ相又はＣ相とする
ことができる。
ことができる。
本発明の表示パネルを作成する際、（１）前述のフォト
レジストを表示電極基板の上に設け、しかる後所定の露
光と現像を施した後、第３図（ａ）に示す如く行電極（
および／又は列電極）の上にスペーサーを形成する方法
、（２）前述のフォトレジストを対向電極基板の上に設
け、しかる後所定の露光と現で象を施した後、第３図（
ｂ）に示す如く表示電極基板に形成した行電極（および
／又は列電極）に沿ってスペーサーを形成する方法、あ
るいは（３）表示電極基板と対向電極基板の上に前述の
フォトレジストを設け、しかる後所定の露光と現像を施
した後、第３図（Ｃ）に示す如く行電極（および／又は
列電極）の上にあるいはそれに沿ってスペーサーを形成
する方法を用いることができる。
レジストを表示電極基板の上に設け、しかる後所定の露
光と現像を施した後、第３図（ａ）に示す如く行電極（
および／又は列電極）の上にスペーサーを形成する方法
、（２）前述のフォトレジストを対向電極基板の上に設
け、しかる後所定の露光と現で象を施した後、第３図（
ｂ）に示す如く表示電極基板に形成した行電極（および
／又は列電極）に沿ってスペーサーを形成する方法、あ
るいは（３）表示電極基板と対向電極基板の上に前述の
フォトレジストを設け、しかる後所定の露光と現像を施
した後、第３図（Ｃ）に示す如く行電極（および／又は
列電極）の上にあるいはそれに沿ってスペーサーを形成
する方法を用いることができる。
絶縁層５としては、絶縁性無機材料あるいは有機材料を
所定のパターンのマスクを用いて蒸着またはスバッタリ
／グ等により形成しても良いし、おるいは塗布後パター
ン化しても良い。
所定のパターンのマスクを用いて蒸着またはスバッタリ
／グ等により形成しても良いし、おるいは塗布後パター
ン化しても良い。
絶縁性の無機化合物としては、酸化ケイ素、酸化チタン
、酸化セリウム等の金属酸化物；窒化シリコン等の窒化
物等が挙げられる。
、酸化セリウム等の金属酸化物；窒化シリコン等の窒化
物等が挙げられる。
絶縁性の有機樹脂としては、シリコン樹脂、ゴム系樹脂
等を挙ける事が出来る。
等を挙ける事が出来る。
第５図は、行電極１ａ、ｌａ’、・・印・と列電極３．
３，３． ・・・・・・の上にスペーサ部材６−１゜６
−１．６−１・・・・・・と６−２．６’−２，６’−
３・・・・・・を設ける例の平面図である。
３，３． ・・・・・・の上にスペーサ部材６−１゜６
−１．６−１・・・・・・と６−２．６’−２，６’−
３・・・・・・を設ける例の平面図である。
６−１． ６’−］、 ］６′’−１ ６−１は行電
極上を示す。
極上を示す。
例えば、典型的な例として、０．５ ａｍのガラス基板
を用い、ｌ ｃｎｌ当り１個のスペーサ部材を設ける事
により、４μｍの均一な間隙を有する表示面積１００ｃ
４の表示パネルが得られる。
を用い、ｌ ｃｎｌ当り１個のスペーサ部材を設ける事
により、４μｍの均一な間隙を有する表示面積１００ｃ
４の表示パネルが得られる。
尚、第４図（１））から、明らかな様に列電極（３゜３
．３．３等）上にスペーサ部材を形成すると極めて微小
な間隙でも対向する電極８との接触によるショートを防
止する事が出来る。
．３．３等）上にスペーサ部材を形成すると極めて微小
な間隙でも対向する電極８との接触によるショートを防
止する事が出来る。
液晶層の厚みを一定に保持出来るならばセグメントを構
成する各ドレイン電ｆｆ１（４，４’、４“。
成する各ドレイン電ｆｆ１（４，４’、４“。
４等）毎に上記のスペーサ部材を必ずしも設ける必要は
ない。
ない。
本発明の表示パネルで用いる半導体属動回路の等価回路
は、第６図で示され、その駆動法としては、例えば行は
極１ａ、ｌａ’、 ・・・・・・に走査信号を順次印
加する。走査信号が印加されたＴＰＴは導通状態となる
。この時これと直交する列電極３，３′、３″、・・・
・・・に画像信号を与えると、この電圧又は電荷がドレ
イン電極４，４，４゜・・・・・・へ供給される。順次
この走査信号を隣接の行電極に移動させ、各行のＴＰＴ
がオンになった状態でその行のドレイン電極群へ電圧が
供給されて、行電極を一周させた時、全絵素に対し画像
信号が供給される。この列電極へ供給する電圧は、ドレ
イン電極群の実効電圧を稼ぐためには各絵素へ順次信号
を送る点順次走査でなく、ｍ順次走査によって行うこと
が好ましめ。即ち、行オン状態の行のドレイン電極全部
へ一時に信号を与える方式である。
は、第６図で示され、その駆動法としては、例えば行は
極１ａ、ｌａ’、 ・・・・・・に走査信号を順次印
加する。走査信号が印加されたＴＰＴは導通状態となる
。この時これと直交する列電極３，３′、３″、・・・
・・・に画像信号を与えると、この電圧又は電荷がドレ
イン電極４，４，４゜・・・・・・へ供給される。順次
この走査信号を隣接の行電極に移動させ、各行のＴＰＴ
がオンになった状態でその行のドレイン電極群へ電圧が
供給されて、行電極を一周させた時、全絵素に対し画像
信号が供給される。この列電極へ供給する電圧は、ドレ
イン電極群の実効電圧を稼ぐためには各絵素へ順次信号
を送る点順次走査でなく、ｍ順次走査によって行うこと
が好ましめ。即ち、行オン状態の行のドレイン電極全部
へ一時に信号を与える方式である。
この様に行電極に信号が入力されている間に限きって、
これらの電極マトリックスの交点のうち選択された列′
電極とドレイン電極の間が導通し、ドレイン市、極と対
向電極８との間に電圧が印加される。この印加電圧によ
り液晶分子の配列状態が変化して、表示がなされる。
これらの電極マトリックスの交点のうち選択された列′
電極とドレイン電極の間が導通し、ドレイン市、極と対
向電極８との間に電圧が印加される。この印加電圧によ
り液晶分子の配列状態が変化して、表示がなされる。
本発明の効果は大別して、次のとおりである。
１、 本発明で用いるフォトレジスト、特にゴム系フォ
トレジストにより形成したスペーサ部材が、従来の表示
パネルに較べ大面積に亘り基板間の間隙を保持する事が
出来る。
トレジストにより形成したスペーサ部材が、従来の表示
パネルに較べ大面積に亘り基板間の間隙を保持する事が
出来る。
２ 本発明で用いるフォトレジスト、特にゴム系フォト
レジストにより形成したスペーサ部材が、表示パネルの
非透光性部材に沿って設けているので、画像表示面で液
晶分子の配列を乱きない様にする事が出来、しかも電極
基板として可撓性電極基板（プラスチック電極基板）を
用いることが可能となる。
レジストにより形成したスペーサ部材が、表示パネルの
非透光性部材に沿って設けているので、画像表示面で液
晶分子の配列を乱きない様にする事が出来、しかも電極
基板として可撓性電極基板（プラスチック電極基板）を
用いることが可能となる。
３ 本発明で用いるフォトレジスト、特にゴム系フォト
レジストにより形成したスペーサ部材が表示パネルの非
透光性部材に沿って点在して設けられているので、半導
体駆動素子がマトリックス配置された表示基板と対向直
棒基板を組合せた際にも位置ずれが防止出来る。
レジストにより形成したスペーサ部材が表示パネルの非
透光性部材に沿って点在して設けられているので、半導
体駆動素子がマトリックス配置された表示基板と対向直
棒基板を組合せた際にも位置ずれが防止出来る。
即ち、画像表示部分に関し、白黒表示では位置ずれを、
カラー化では色すれと色むらを防ぐ事が出来る。
カラー化では色すれと色むらを防ぐ事が出来る。
が基板間の間隙を一定に保持するスペーサ部材と１〜て
機能すると同時に、液晶を充填する為のシール部材の機
能を持つ必要があるのでシール部材の材料選択に制約を
受は易いとと；２、基板を薄くすると基板の変形が起こ
り易く、例えば４〜１０μｍの微小な基板間の間隙を保
持する事がほとんど不可能であるとと：３、 シール部
材の変形が起こり易いので、基板間の間隙が１つのセル
の基板面内で部分的に不均一になって表示特性のムラを
生じ易く、各表示セルに於いて基板間の間隙がばらつき
易いこと等の欠点が生じていたが、本発明によれば、上
記いずれの欠点も同時に解決出来る。
機能すると同時に、液晶を充填する為のシール部材の機
能を持つ必要があるのでシール部材の材料選択に制約を
受は易いとと；２、基板を薄くすると基板の変形が起こ
り易く、例えば４〜１０μｍの微小な基板間の間隙を保
持する事がほとんど不可能であるとと：３、 シール部
材の変形が起こり易いので、基板間の間隙が１つのセル
の基板面内で部分的に不均一になって表示特性のムラを
生じ易く、各表示セルに於いて基板間の間隙がばらつき
易いこと等の欠点が生じていたが、本発明によれば、上
記いずれの欠点も同時に解決出来る。
従来の方法では、上記第２の効果に対し、表示面に設け
たスペーサ部材により、該スペーサを設けた部分の液晶
分子の配列に多少の乱れが生じ、表示部の画１象が多少
見苦しくなる事があった。
たスペーサ部材により、該スペーサを設けた部分の液晶
分子の配列に多少の乱れが生じ、表示部の画１象が多少
見苦しくなる事があった。
本発明では上記の欠点を解決する事が出来る。
又、第゛３の効果に対して、従来の方法ではプラスチッ
ク電極板を使用することが困難であったが、本発明では
これを解決することができる。
ク電極板を使用することが困難であったが、本発明では
これを解決することができる。
さらに、本発明では階調性と応答性に優れた表示を得る
ことができる利点を有している。
ことができる利点を有している。
本発明表示パネルでは、投影型、透過型及び反射型のい
ずれの型式にしても良い。
ずれの型式にしても良い。
その表示モードについても、動的散乱モード（１）ＳＭ
）、ライスティド・ネマティック（′ｒＮ）、相１肱移
型、垂直−水平配向効果）１Ｕ（ＤＡＰ）、ハイブリッ
ド・ネマティック（ＨＡＮ）等のいずれの型式が選択さ
れても良い。
）、ライスティド・ネマティック（′ｒＮ）、相１肱移
型、垂直−水平配向効果）１Ｕ（ＤＡＰ）、ハイブリッ
ド・ネマティック（ＨＡＮ）等のいずれの型式が選択さ
れても良い。
これらのうちいずれの型式で表示を行なうかにより、適
当な液晶分子の初期配列状態及び光学的検知手段（偏光
板、λ／４板、反射板等）が適宜設けられる。
当な液晶分子の初期配列状態及び光学的検知手段（偏光
板、λ／４板、反射板等）が適宜設けられる。
本発明の表示パネルは、薄型比・コンパクト化された表
示パネルとして各種パネル・ディスプレー；例えば、時
計・計算機等の表示板、小型テレビ、ビデオカメラ用モ
ニタ及びファインダ等に好適に応用出来る。
示パネルとして各種パネル・ディスプレー；例えば、時
計・計算機等の表示板、小型テレビ、ビデオカメラ用モ
ニタ及びファインダ等に好適に応用出来る。
第１図（ａ）ｌ″ｉ、従来の表示パネルで用いていた基
板の斜視図で、第１図（ｂ）はその平面図である。 第２図は、従来の表示パネルの断面図である。 第３図（ａ）、第３図（ｂ）および第３図（Ｃ）は、本
発明の表示パネルの斜視図でろる。第４図（ａ）は、本
発明の表示パネルの平面図で、渠４図（ｂ）はそのＢ
−Ｂ’断面図である。第５図は、本発明の表２１〈パネ
ルの別の態様を示す平１ｈｉ図である。第６図は、本発
明の表示パネルに用いる半導体駆動回路の等価回路を示
す説明図である。 ｌ ａ、 ｌ ａ’、 ＝・＝ ：ゲート線、
、 、１． ｌＩＴ。 １、・・・・・：ゲート電極（行電極）、２，２．２゜
２、・・・・・・：薄膜半導体、３，３，３，３．
・・・・・・：ソース線（列ｍ律）、４． ４． ４．
４． ・・・・・・ニドレイン電極、５，９：絶縁層
、６，６，６゜６、 ・・・・・・ 、 ６−−１．
、 ６−１． ６−１． ６−１゜・・・・・１．、
６−２． ６−２． ６−２． ６−２． ・・・・
・・ニスペーサ部材、７．Ｓ：基板、８：対向電極、ｌ
Ｏ：シール部材、ｌｌ：液晶層、１２：非透光性部材。 特許出願人 キャノン株式会社 躬 ４ 図（α） Ｂ 躬 ４ 図（ｂ）
板の斜視図で、第１図（ｂ）はその平面図である。 第２図は、従来の表示パネルの断面図である。 第３図（ａ）、第３図（ｂ）および第３図（Ｃ）は、本
発明の表示パネルの斜視図でろる。第４図（ａ）は、本
発明の表示パネルの平面図で、渠４図（ｂ）はそのＢ
−Ｂ’断面図である。第５図は、本発明の表２１〈パネ
ルの別の態様を示す平１ｈｉ図である。第６図は、本発
明の表示パネルに用いる半導体駆動回路の等価回路を示
す説明図である。 ｌ ａ、 ｌ ａ’、 ＝・＝ ：ゲート線、
、 、１． ｌＩＴ。 １、・・・・・：ゲート電極（行電極）、２，２．２゜
２、・・・・・・：薄膜半導体、３，３，３，３．
・・・・・・：ソース線（列ｍ律）、４． ４． ４．
４． ・・・・・・ニドレイン電極、５，９：絶縁層
、６，６，６゜６、 ・・・・・・ 、 ６−−１．
、 ６−１． ６−１． ６−１゜・・・・・１．、
６−２． ６−２． ６−２． ６−２． ・・・・
・・ニスペーサ部材、７．Ｓ：基板、８：対向電極、ｌ
Ｏ：シール部材、ｌｌ：液晶層、１２：非透光性部材。 特許出願人 キャノン株式会社 躬 ４ 図（α） Ｂ 躬 ４ 図（ｂ）
Claims (4)
- （１） 少なくとも１方に透明な導電性被膜を設けた
２枚の電極基板の間に液晶と複数のスペーサーを有する
電気光学装置において、前記スペーサーが７オトレジス
トによって形成されていることを特徴とする電気光学装
置。 - （２） 前記フォトレジストがゴム系フォトレジスト
である特許請求の範囲第１項記載の電気光学装置。 - （３）前記ゴム系フォトレジストが環化ポリイソプレン
系フォトレジスト又は環化ポリブタジェン系フォトレジ
ストである特許請求の範囲第２項記載の電気光学装置。 - （４） 前記２枚の電極基板のうち１方の電極板がマ
トリックス配置した半導体駆動素子、行電極および列電
極を有し、他の１方の電極板が対向電極を有する特許請
求の範囲第１項記載の電気光学装置。 くとも１方の電極に沿って非透光性部材を有し、前記２
枚の電極基板の間に非透光性部材に沿って複数のスペー
サーを有する特許請求の範囲第４項記載の電気光学装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017830A JPS59143124A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017830A JPS59143124A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143124A true JPS59143124A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11954620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017830A Pending JPS59143124A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143124A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0209112A2 (en) * | 1985-07-19 | 1987-01-21 | General Electric Company | Light blocking and cell spacing structure for liquid crystal matrix displays |
| JPS6296925A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶封入用セルの製造方法 |
| JPS62154426U (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | ||
| JPS6324530U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | ||
| JPS6378924U (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | ||
| US4904056A (en) * | 1985-07-19 | 1990-02-27 | General Electric Company | Light blocking and cell spacing for liquid crystal matrix displays |
| US6864945B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2014106322A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP58017830A patent/JPS59143124A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0209112A2 (en) * | 1985-07-19 | 1987-01-21 | General Electric Company | Light blocking and cell spacing structure for liquid crystal matrix displays |
| FR2585162A1 (fr) * | 1985-07-19 | 1987-01-23 | Gen Electric | Structure de maintien d'ecartement d'une cellule et de blocage de lumiere pour affichages matriciels a cristaux liquides |
| US4904056A (en) * | 1985-07-19 | 1990-02-27 | General Electric Company | Light blocking and cell spacing for liquid crystal matrix displays |
| JPS6296925A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶封入用セルの製造方法 |
| JPS62154426U (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | ||
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| JPS6378924U (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | ||
| US6864945B2 (en) | 2000-08-30 | 2005-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US7298450B2 (en) | 2000-08-30 | 2007-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US7538840B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2014106322A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
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