JPS5913905A - 反射受光装置 - Google Patents
反射受光装置Info
- Publication number
- JPS5913905A JPS5913905A JP12390182A JP12390182A JPS5913905A JP S5913905 A JPS5913905 A JP S5913905A JP 12390182 A JP12390182 A JP 12390182A JP 12390182 A JP12390182 A JP 12390182A JP S5913905 A JPS5913905 A JP S5913905A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- annular
- light
- optical fiber
- scattered light
- photodetection
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/89—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
- G01N21/8901—Optical details; Scanning details
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えば半導体ウェハ表面あるいはプリント
基板の表面配線パターンの傷、異物等の表面欠陥を光学
的に検出するための欠陥検査用反射受光装置に関するも
のである。以下、半導体ウェハ表面の傷の検査を例にと
って、従来装置を説明する。
基板の表面配線パターンの傷、異物等の表面欠陥を光学
的に検出するための欠陥検査用反射受光装置に関するも
のである。以下、半導体ウェハ表面の傷の検査を例にと
って、従来装置を説明する。
第１図、第２図はこの種の従来装置を示すものである。
これらの図で、１は検査のために使用されるレーザ光、
２はその集中照射のための集光レンズ、３は後述する被
検査体表面の欠陥個所から反射される散乱光、４はこれ
らの散乱光３を受ける複数の光ファイバ束におけるレー
ザ光の受光部、５は半導体ウェハ等の被検査体である。
２はその集中照射のための集光レンズ、３は後述する被
検査体表面の欠陥個所から反射される散乱光、４はこれ
らの散乱光３を受ける複数の光ファイバ束におけるレー
ザ光の受光部、５は半導体ウェハ等の被検査体である。
第２図は第１図中の光ファイバ束におけるレーザ光の受
光部４のｎ−ｕ線による拡大断面図であり、６は全体と
して六角形を形成するように配設された各党ファイバ束
で先端部分が受光部４となる。７はこれら各光フアイバ
束６相互間に形成された散乱光３の不感帯領域を示すも
のである。
光部４のｎ−ｕ線による拡大断面図であり、６は全体と
して六角形を形成するように配設された各党ファイバ束
で先端部分が受光部４となる。７はこれら各光フアイバ
束６相互間に形成された散乱光３の不感帯領域を示すも
のである。
上記構成において、欠陥検査に際してはレーザ光１は、
集光レンズ２を通して半導体ウニ八等の被検査体５の表
面上にスポット光として照射する。
集光レンズ２を通して半導体ウニ八等の被検査体５の表
面上にスポット光として照射する。
この隙、周知のように、被検査体５の表面は鏡面に仕上
げられているため、表面に傷、異物等の欠陥が存在する
場合は、この欠陥部分から図示のよプに散乱光３が生じ
るので、従来はこの散乱光３を、複数個の光ファイバ束
６を第２図のように六角形をなすように対称的に配置さ
せて、その各受光部４で受けて、その先端に接続された
光電素子に導き、その信号出力から被検査個所における
欠陥の有無を判断していた。
げられているため、表面に傷、異物等の欠陥が存在する
場合は、この欠陥部分から図示のよプに散乱光３が生じ
るので、従来はこの散乱光３を、複数個の光ファイバ束
６を第２図のように六角形をなすように対称的に配置さ
せて、その各受光部４で受けて、その先端に接続された
光電素子に導き、その信号出力から被検査個所における
欠陥の有無を判断していた。
以上のように従来装置では、複数の光ファイバ束６が分
割された環状状態に配置されているので、その相互間に
散乱光３の不感帯領域７が形成されることになるため、
これにより当該反射散乱光の受光効率がその分低下する
ばかりでなく、装置全体としての検査分解能が低下する
という欠点があった。
割された環状状態に配置されているので、その相互間に
散乱光３の不感帯領域７が形成されることになるため、
これにより当該反射散乱光の受光効率がその分低下する
ばかりでなく、装置全体としての検査分解能が低下する
という欠点があった。
この発明は、上記した従来のものの欠点を除去するため
になされたもので、要約すれば、反射散乱光に対する不
感帯領域のない受光装置を得ようとするものである。以
下、この発明について説明する。
になされたもので、要約すれば、反射散乱光に対する不
感帯領域のない受光装置を得ようとするものである。以
下、この発明について説明する。
第３図〜第５図はこの発明の欠陥検査用レーザ光反射受
光装置の一実施例を示すものである。これらの図におい
て、１，２，３．および５は第１図に示したものと同じ
ものであり、８は光ファイバ束の環状受光部、９はこの
元ファイバ束の集束部を示す。また、１０は前記環状受
光部８の受光面側に設けられた逆截頭円錐台形に形成さ
れたその内壁反射面１０ａが鏡面に仕上げられている環
状ミラーである。また、第４図は第３図のＩＶ −ＩＶ
線による拡大断面図である。
光装置の一実施例を示すものである。これらの図におい
て、１，２，３．および５は第１図に示したものと同じ
ものであり、８は光ファイバ束の環状受光部、９はこの
元ファイバ束の集束部を示す。また、１０は前記環状受
光部８の受光面側に設けられた逆截頭円錐台形に形成さ
れたその内壁反射面１０ａが鏡面に仕上げられている環
状ミラーである。また、第４図は第３図のＩＶ −ＩＶ
線による拡大断面図である。
上記構成において、検査時点で被検査体５の表面に欠陥
が存在する場合には、この部分に投光されたレーザ光１
のスポット光は、当該欠陥により散乱されて散乱光３と
なり、その一部は第５図の実線矢印のように、直接光フ
ァイバ束の環状受光部８に入射する直接散乱光３ａとな
り、その他は、点線矢印のように環状ミラー１０の内壁
反射面１０ａで一度反射してから光ファイバ束の環状受
光部８に入射する反射散乱光３ｂとなり、環状受光部８
に受光される。なお、光ファイバ束の環状受光部８およ
び環状ミラー１０の反射面の形状寸法は、レーザ光１の
進行の障害とならないように、かつ散乱光３の光ファイ
バ束の環状受光部８への受光角が当該光ファイバ束によ
り規定されている受光角範囲に納めるように設定されて
いることはもちろんである。
が存在する場合には、この部分に投光されたレーザ光１
のスポット光は、当該欠陥により散乱されて散乱光３と
なり、その一部は第５図の実線矢印のように、直接光フ
ァイバ束の環状受光部８に入射する直接散乱光３ａとな
り、その他は、点線矢印のように環状ミラー１０の内壁
反射面１０ａで一度反射してから光ファイバ束の環状受
光部８に入射する反射散乱光３ｂとなり、環状受光部８
に受光される。なお、光ファイバ束の環状受光部８およ
び環状ミラー１０の反射面の形状寸法は、レーザ光１の
進行の障害とならないように、かつ散乱光３の光ファイ
バ束の環状受光部８への受光角が当該光ファイバ束によ
り規定されている受光角範囲に納めるように設定されて
いることはもちろんである。
以上説明したよ５に、この発明の受光装置は、欠陥個所
から環状ミラーを介しその反射散乱光をも光ファイバ束
の環状受光部に受光できるようにしているため、従来例
のように欠陥個所からの散乱光に対する不感帯領域が生
じることがなく、したがって、受光装置そのものに検出
感度の偏りが生じることなく、かつ欠陥個所の検出分解
能の向上が期待できるものである。
から環状ミラーを介しその反射散乱光をも光ファイバ束
の環状受光部に受光できるようにしているため、従来例
のように欠陥個所からの散乱光に対する不感帯領域が生
じることがなく、したがって、受光装置そのものに検出
感度の偏りが生じることなく、かつ欠陥個所の検出分解
能の向上が期待できるものである。
第１図は従来の受光装置を示す構成図、第２図は第１図
中の■−ＩＩ線による拡大断面図、第３図はこの発明の
一実施例を示す構成図、第４図は第３図中のＩＶ−ＩＶ
線による拡大断面図、第５図は第３図の作用を説明する
ための拡大断面図である。 図中、１はレーザ光、３ａは直接散乱光、３ｂは反射散
乱光、８は光ファイバ束の環状受光部、１０は環状ミラ
ー、１０ａはその内壁反射面である。 第１図
中の■−ＩＩ線による拡大断面図、第３図はこの発明の
一実施例を示す構成図、第４図は第３図中のＩＶ−ＩＶ
線による拡大断面図、第５図は第３図の作用を説明する
ための拡大断面図である。 図中、１はレーザ光、３ａは直接散乱光、３ｂは反射散
乱光、８は光ファイバ束の環状受光部、１０は環状ミラ
ー、１０ａはその内壁反射面である。 第１図
Claims (1)
- 光の照射による被検査体の表面欠陥個所からの散乱光を
受光する光ファイバ束の受光部を、前記被検査体個所を
囲むように途中に切れ目のない環状に形成するとともに
、この環状受光部の受光面側には前記散乱光の一部をこ
の受光面に入射するよう反射させるための反射面を内面
に形成させた環状ミラーを一体に設けたことを特徴とす
る反射受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12390182A JPS5913905A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 反射受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12390182A JPS5913905A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 反射受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913905A true JPS5913905A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14872138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12390182A Pending JPS5913905A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 反射受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516653B1 (ko) * | 2002-07-29 | 2005-09-22 | 삼성전자주식회사 | 광섬유 인출 시스템을 위한 산란 감지 장치 |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP12390182A patent/JPS5913905A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516653B1 (ko) * | 2002-07-29 | 2005-09-22 | 삼성전자주식회사 | 광섬유 인출 시스템을 위한 산란 감지 장치 |
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