JPS59136479A - 複合層を生長させる方法 - Google Patents
複合層を生長させる方法Info
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- JPS59136479A JPS59136479A JP58189415A JP18941583A JPS59136479A JP S59136479 A JPS59136479 A JP S59136479A JP 58189415 A JP58189415 A JP 58189415A JP 18941583 A JP18941583 A JP 18941583A JP S59136479 A JPS59136479 A JP S59136479A
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/0036—Reactive sputtering
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- G—PHYSICS
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- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、グロー放電中で材料を生長させる方法及び装
置とこれにょ９生成する材料とに関する。
置とこれにょ９生成する材料とに関する。
グロー放電生長法はよく知られている。たとえばプラズ
マを減圧室内で炭化水素ガス中に生じさせる。炭素イオ
ンが陰極に嶺たシ固着して炭素被覆を形成する。正しい
生長条件に対しこの被覆は極めて硬く赤外線に対し透明
である。しがしこれ等の条件のもとで約６μｍよシ厚い
層の生長は内部応力によシ妨げられる。この層内の割込
み炭素原子はとくに可視領域内のスペクトルの短い方の
波長の放射線を吸収する。又被膜内の水素は選択的吸収
を生ずる。又ガス状シランを使うけい素の被覆とゲルマ
ンを使うゲルマニウムの被覆とは共にグロー放電中で生
長する。
マを減圧室内で炭化水素ガス中に生じさせる。炭素イオ
ンが陰極に嶺たシ固着して炭素被覆を形成する。正しい
生長条件に対しこの被覆は極めて硬く赤外線に対し透明
である。しがしこれ等の条件のもとで約６μｍよシ厚い
層の生長は内部応力によシ妨げられる。この層内の割込
み炭素原子はとくに可視領域内のスペクトルの短い方の
波長の放射線を吸収する。又被膜内の水素は選択的吸収
を生ずる。又ガス状シランを使うけい素の被覆とゲルマ
ンを使うゲルマニウムの被覆とは共にグロー放電中で生
長する。
スパッタリングも又よく知られている。グロー放電室内
のアルゴンイオンは被覆材料を含み陰極として配置した
ターゲットに当たる。
のアルゴンイオンは被覆材料を含み陰極として配置した
ターゲットに当たる。
原子又は原子群はこのターケゝットがら駆逐されこのタ
ーケゞットの近（に適当に配置した基板に当たる。
ーケゞットの近（に適当に配置した基板に当たる。
グロー放電法は次の文献に記載しである。
薄い被膜固体５８（１９７９年刊）第１０１〜１０５頁
、第１０６頁、第１０７〜１１６頁、第１１７〜１２０
頁 １９７７年刊行「物理学の進歩」第２６巻第６号第８１
１〜８４５頁のスピア・ダブリュ・イー（５ｐｅａｒ
Ｗ、Ｅ、 ）を著者とする論文「ドーピングを行った無
定形半導体」 英国特許第２，０４７，８７７ Ａ％同第２，０６７．
３０４Ａ、同第２，０６９，００８Ａ、 同第２，０８
２，５６２ ｋ。
、第１０６頁、第１０７〜１１６頁、第１１７〜１２０
頁 １９７７年刊行「物理学の進歩」第２６巻第６号第８１
１〜８４５頁のスピア・ダブリュ・イー（５ｐｅａｒ
Ｗ、Ｅ、 ）を著者とする論文「ドーピングを行った無
定形半導体」 英国特許第２，０４７，８７７ Ａ％同第２，０６７．
３０４Ａ、同第２，０６９，００８Ａ、 同第２，０８
２，５６２ ｋ。
同第２，０８３，８４１ Ａの各明細書英国特許第２，
０６９，００９ Ａ明細書には、基板をアルミニウム製
陰極の上方に配置した生長法について記載しである。炭
素イオンが陰極に当たり若干はこの陰極に付着し、又若
干ははね飛び基板に当たる。この基板にはバイアス電圧
を加える。
０６９，００９ Ａ明細書には、基板をアルミニウム製
陰極の上方に配置した生長法について記載しである。炭
素イオンが陰極に当たり若干はこの陰極に付着し、又若
干ははね飛び基板に当たる。この基板にはバイアス電圧
を加える。
この層は陰極上に付着した類似の層よりひずみが小さい
がなお割込み炭素を含む。
がなお割込み炭素を含む。
本発明は、ターゲットを形成する第１の材料をグロー放
電室内で陰極に配置し、被覆しようとする基板を前記タ
ーデッドから成る距離を隔てて保持体に配置し、前記基
板の温度を所要の準位に保ち、第２の材料及びスパッタ
リング材料の各元素を前記室内に送入し、この室内にグ
ロー放電を生成し、このグロー放電のプラズマに、前記
ターゲットに付着する前記第２材料のイオンと前記の第
１材料又び第２材料を共に前記基板にはね飛ばす前記ス
パッタリング材料のイオンとを含めて、前記基板に前記
の第１及び第２の材料から成る層が所要の値の厚さに除
徐に生長するようにする、少くとも第１及び第２の材料
から成る複合層を生長させる方法にある。
電室内で陰極に配置し、被覆しようとする基板を前記タ
ーデッドから成る距離を隔てて保持体に配置し、前記基
板の温度を所要の準位に保ち、第２の材料及びスパッタ
リング材料の各元素を前記室内に送入し、この室内にグ
ロー放電を生成し、このグロー放電のプラズマに、前記
ターゲットに付着する前記第２材料のイオンと前記の第
１材料又び第２材料を共に前記基板にはね飛ばす前記ス
パッタリング材料のイオンとを含めて、前記基板に前記
の第１及び第２の材料から成る層が所要の値の厚さに除
徐に生長するようにする、少くとも第１及び第２の材料
から成る複合層を生長させる方法にある。
スパッタリングイオンはアルゴンイオンでよい。
ターケゝット材料は、単一の材料又はけい素、ゲルマニ
ウム、タングステン或ははね飛ばされ第２の材料との化
合物や混合物を生成することのできる他の任意の材料の
ような各材料の混合物でよい。
ウム、タングステン或ははね飛ばされ第２の材料との化
合物や混合物を生成することのできる他の任意の材料の
ような各材料の混合物でよい。
第２の材料は、ブタン、メタン、プロパン等のような炭
化水素ガスとして導入する炭素でよい。
化水素ガスとして導入する炭素でよい。
基板温度は、炭化水素ガスを使うときに３００℃以上の
高い温度たとえば５３０ ’Ｃにして基板に水素が付着
しないようにする。
高い温度たとえば５３０ ’Ｃにして基板に水素が付着
しないようにする。
さらにこの室内に第６の又は別の材料をガスとして導入
し少（とも６種の成分から成る層を生長させてもよい。
し少（とも６種の成分から成る層を生長させてもよい。
若干の場合に第１の材料の付加的源なガスとして導入し
てもよい。たとえばａｅ製メタ−ゲット使うときはゲル
マンガスを室内に流入させる。この場合基板へのＧｅ）
（Ｃ１ゆの付着に役立つ。Ｓｉ製ターゲットに対しては
シランを導入する。
てもよい。たとえばａｅ製メタ−ゲット使うときはゲル
マンガスを室内に流入させる。この場合基板へのＧｅ）
（Ｃ１ゆの付着に役立つ。Ｓｉ製ターゲットに対しては
シランを導入する。
所要の層の生長後に基板を取去り又は層を基板の被覆と
して残す。
して残す。
生長した材料はＳｉｚ Ｃ□−ｙ、、ＧｅＸＣ１−Ｘ
ＸＷＸＣＩ−Ｘ（０＜ｘ＜１ ）又は任意の他の適当な
炭化物又はその混合物である。Ｘの値は、次第に変化す
る層を形成するようにこの層の厚さを横切って変えても
よい。
ＸＷＸＣＩ−Ｘ（０＜ｘ＜１ ）又は任意の他の適当な
炭化物又はその混合物である。Ｘの値は、次第に変化す
る層を形成するようにこの層の厚さを横切って変えても
よい。
本発明によれば少くとも第１及び第２の材料から成る層
を生長させる装置は、真空密の室と、陽極と、前記室内
のターゲット材料を含む陰極構造と、前記室内にグロー
放電を生成する装置と、前記室を減圧にする真空ポンプ
と、前記室内にガスを供給する供給部片と、基板を前記
陰極構造から成る距離を隔てて支える基板保持体とを備
え、１種類のガスのイオンが前記陰極構造に付着し、前
記の第１及び第２の材料とターデート材料とをはね飛ば
して前記基板に付着させ所要の材料から成る層として生
成するようにしである。
を生長させる装置は、真空密の室と、陽極と、前記室内
のターゲット材料を含む陰極構造と、前記室内にグロー
放電を生成する装置と、前記室を減圧にする真空ポンプ
と、前記室内にガスを供給する供給部片と、基板を前記
陰極構造から成る距離を隔てて支える基板保持体とを備
え、１種類のガスのイオンが前記陰極構造に付着し、前
記の第１及び第２の材料とターデート材料とをはね飛ば
して前記基板に付着させ所要の材料から成る層として生
成するようにしである。
炭素を含む層を炭化水素ガスを使い生長させるときは、
基板保持体に基板を加熱する加熱器を設ける。この加熱
は電気抵抗加熱器又は感受器（サセフ０り）及び外部高
周波コイルによる。基板温度は５００６Ｃ以上たとえば
５３０℃にする。グロー放電は陰極に対する直流又は交
流（任意適描な周波数）の電力により又は外部取付けの
高周波コイルにより付勢する。 − 以下本発明生長法の実施例を添付図面について詳細に説
明する。
基板保持体に基板を加熱する加熱器を設ける。この加熱
は電気抵抗加熱器又は感受器（サセフ０り）及び外部高
周波コイルによる。基板温度は５００６Ｃ以上たとえば
５３０℃にする。グロー放電は陰極に対する直流又は交
流（任意適描な周波数）の電力により又は外部取付けの
高周波コイルにより付勢する。 − 以下本発明生長法の実施例を添付図面について詳細に説
明する。
第１図に示すように本生長法を実施する装置は、地絡し
た頂板３及び底板４により閉じた環状壁２により形成し
た圧力密の室１を備えている。頂板３及び底板４は陽極
を形成する。真空ポンプ５は管部片６及び弁７により連
結され室１を減圧にし生長中に所望の真空に保つ。
た頂板３及び底板４により閉じた環状壁２により形成し
た圧力密の室１を備えている。頂板３及び底板４は陽極
を形成する。真空ポンプ５は管部片６及び弁７により連
結され室１を減圧にし生長中に所望の真空に保つ。
ガスたとえばアルゴンとブタンのような炭化水素ガス又
はシランやｒルマンのようなガスを室１内に弁８，９．
１０及び管部片１１．１２．１３を介して供給する。陰
極構造１４は、室１内に取付けられスリーブ１５により
底板４から電気的に隔離しである。陰極構造１４には電
源１６により電力を供給する。交流電源の場合には給電
はコンデンサ１７を経て行い、直流電源ではコンデンサ
を必要としない。
はシランやｒルマンのようなガスを室１内に弁８，９．
１０及び管部片１１．１２．１３を介して供給する。陰
極構造１４は、室１内に取付けられスリーブ１５により
底板４から電気的に隔離しである。陰極構造１４には電
源１６により電力を供給する。交流電源の場合には給電
はコンデンサ１７を経て行い、直流電源ではコンデンサ
を必要としない。
けい素、ゲルマニウム等のような材料片を陰極構造１４
の上面に位置させターゲット１８を形成する。ターゲッ
ト１８の上方に、スリーブ２１によシ頂板３から電気的
に隔離した保持体２０によって基板１９を保持する。保
持体２０内には加熱器制御装置／電力源２３から給電す
る電気抵抗加熱器２２を設けである。基板１９は所要の
材料の層２４を生長させる支持体を形成する。基板１９
は規則正しい形状、扁平な又は湾曲した形状或は不規則
な形状のものでよい。基板１９に均等な被覆を施すよう
に、基板１９は保持体２０と共に又は保持体２０によシ
回転する。
の上面に位置させターゲット１８を形成する。ターゲッ
ト１８の上方に、スリーブ２１によシ頂板３から電気的
に隔離した保持体２０によって基板１９を保持する。保
持体２０内には加熱器制御装置／電力源２３から給電す
る電気抵抗加熱器２２を設けである。基板１９は所要の
材料の層２４を生長させる支持体を形成する。基板１９
は規則正しい形状、扁平な又は湾曲した形状或は不規則
な形状のものでよい。基板１９に均等な被覆を施すよう
に、基板１９は保持体２０と共に又は保持体２０によシ
回転する。
５ＩＸＣよ−８を生長させる操作は以下に述べる通シで
ある。けい素から成るクープツト１８を陰極構造１４に
取付はグロー放電中に陰極を形成する。
ある。けい素から成るクープツト１８を陰極構造１４に
取付はグロー放電中に陰極を形成する。
アルミニウムから成る薄い基板１９を保持体２０に固定
する。室１は約１０’）ル（Ｔｏｒｒ ）まで減圧にし
汚染物を除去する。アルゴン及びブタンガスを室１内に
弁８，９．１０を経て送入し、ポンプ５を作動し空気で
校正した圧力計で約０，７ないし１Ｘ１０”トルの圧力
に保つ。基板１９は約５５０°Ｃに加熱し層２４の生長
中にこの温度に保つ。
する。室１は約１０’）ル（Ｔｏｒｒ ）まで減圧にし
汚染物を除去する。アルゴン及びブタンガスを室１内に
弁８，９．１０を経て送入し、ポンプ５を作動し空気で
校正した圧力計で約０，７ないし１Ｘ１０”トルの圧力
に保つ。基板１９は約５５０°Ｃに加熱し層２４の生長
中にこの温度に保つ。
たとえば１ｋＶ、１３ＭＨｚ及び２００Ｗの高周波電力
を陰極構造１４及び陰極ターゲット１８に供給する。こ
の場合ガス混合物がイオン化する。
を陰極構造１４及び陰極ターゲット１８に供給する。こ
の場合ガス混合物がイオン化する。
正に帯電した炭素イオンが陰極として作用するターゲッ
ト１８に引付けられターデッド１８に固着する。アルゴ
ンイオンが存在しないとこの場合ターデッド１８に炭素
層が生長する。正に帯電したアルゴンイオンはこれ等の
新もだに付着した炭素分子及びけい素分子をターデッド
１８からはね飛ばす。炭素及びけい素のはね飛ばされた
分子は基板１９に付着しＳｉ２ Ｃ□−エの層２４を除
徐に生成する。Ｘの値は送入するアルゴン及びブタンの
比率を調節することによって調節することができる。
ト１８に引付けられターデッド１８に固着する。アルゴ
ンイオンが存在しないとこの場合ターデッド１８に炭素
層が生長する。正に帯電したアルゴンイオンはこれ等の
新もだに付着した炭素分子及びけい素分子をターデッド
１８からはね飛ばす。炭素及びけい素のはね飛ばされた
分子は基板１９に付着しＳｉ２ Ｃ□−エの層２４を除
徐に生成する。Ｘの値は送入するアルゴン及びブタンの
比率を調節することによって調節することができる。
所要の厚さに生長したときに、グロー放電を止め基板１
９を冷却する。
９を冷却する。
直流により発生するプラズマでは給電はたとえば２ｋｖ
で行う。
で行う。
基板１９には層２４の生長中に電気バイアスを加える。
ＳｉＣの自立層を必要とする場合にはアルミニウム製基
板にエツチング処理を行い５ＩＸＣ］−ゆ層を残す。生
長条件が正しげれば５１Ｘｃニ一７層は乙ないし５μｍ
の波長帯域の放射線に透明である。
板にエツチング処理を行い５ＩＸＣ］−ゆ層を残す。生
長条件が正しげれば５１Ｘｃニ一７層は乙ないし５μｍ
の波長帯域の放射線に透明である。
ＳｉＣの層ばＺｎＳレンズ又はＺｎ５ｅレンズの薄い（
たとえば１μｍ）の被覆として必要である。
たとえば１μｍ）の被覆として必要である。
ＳｉＣは硬いので３ないし５μｍの波長で透明なすぐれ
た耐磨耗性保護層を形成する。表面の被覆のために基板
は一時的に陰極として接続し、室にアルゴンガスだげを
送入する。グロー放電を生じ基板を清掃する。適当な清
掃時間後にグロー放電を止め前記の処理を始める。
た耐磨耗性保護層を形成する。表面の被覆のために基板
は一時的に陰極として接続し、室にアルゴンガスだげを
送入する。グロー放電を生じ基板を清掃する。適当な清
掃時間後にグロー放電を止め前記の処理を始める。
（）ｅＸ ＺｎＳ又はＺｎ Ｓｅにたとえば１μｍの厚
さに（） ｅ Ｘ 、Ｃ１−Ｘを被覆することは、ター
ケゝット材料に（）ｅを使い前記のようにしてできる。
さに（） ｅ Ｘ 、Ｃ１−Ｘを被覆することは、ター
ケゝット材料に（）ｅを使い前記のようにしてできる。
同様に（）ｅＣの自立層をアルミニウム製基板に生長さ
せ、この基板を引続いてエツチング処理を行う。正しい
生長条件が認められれば、ＧｅＸＣエーエは６ないし５
μｍ及び１０ないし１４μｍの波長帯域で光学的に透明
である。ＧｅｘＣｌ、、、、Ｘは硬くて単独で又は保護
被覆として使う。前記の場合と同様にこの生長層のＸの
値はＡｒガス及びブタンガスの比率を制御することによ
って制御する。又Ｘの値は変化してもよい。たとえばケ
ゞルマニウムレンズを被覆するときはＸの値は初めには
１に近く次で除徐に零に向って変えろ。これは接着に役
立つ。
せ、この基板を引続いてエツチング処理を行う。正しい
生長条件が認められれば、ＧｅＸＣエーエは６ないし５
μｍ及び１０ないし１４μｍの波長帯域で光学的に透明
である。ＧｅｘＣｌ、、、、Ｘは硬くて単独で又は保護
被覆として使う。前記の場合と同様にこの生長層のＸの
値はＡｒガス及びブタンガスの比率を制御することによ
って制御する。又Ｘの値は変化してもよい。たとえばケ
ゞルマニウムレンズを被覆するときはＸの値は初めには
１に近く次で除徐に零に向って変えろ。これは接着に役
立つ。
２種類以上の材料の層を生長させるときは、１種類の材
料をイオンビーム源又は分子ビーム源がら導入する。
料をイオンビーム源又は分子ビーム源がら導入する。
以上本発明をその実施例について詳細に説明Ｉ〜だが本
発明はなおその精神を逸脱しないで種種の変化変型を行
うことができるのはもちろんである。
発明はなおその精神を逸脱しないで種種の変化変型を行
うことができるのはもちろんである。
第１図は基板に層を生長させる本発明方法を実施するグ
ロー放電装置の横断面図、第２図は第１図の装置により
被覆した基板の横断面図である。
ロー放電装置の横断面図、第２図は第１図の装置により
被覆した基板の横断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ターガツトを形成する第１の材料をグロー放
電室内で陰極に配置し、被覆しようとする基板を前記ク
ープツトから成る距離を隔てて保持体に配置し、前記基
板の温度を所要の準位に保ち、第２の材料及びスパッタ
リング材料の各元素を前記室内に送入し、この室内にグ
ロー放電を生成し１、このグロー放電のプラズマに、前
記ターケゝットに刺着する前記第２材料のイオンと前記
の第１材料及び第２材料を共に前記基板にはね飛ばず前
記スパッタリング材料のイオンとを含めて、前記基板に
前記の第１及び第２の材料から成る層が所要の値の厚さ
に除徐に生長するようにする、少くとも第１及び第２の
材料から成る複合層を生長させる方法。 （２） スパッタリング材料としてＡｒを使う特許請
求の範囲第（１）項記載の方法。 （３） クープツトを形成する第１の材料としてばら
のＧｅ、Ｓｉ又はＷを使う特許請求の範囲第（１）項記
載の方法。 （４）第２の材料として炭化水素ガスを使う特許請求の
範囲第（１）項記載の方法。 （５）基板を生長中に４００°Ｃ以上の温度に保つ特許
請求の範囲第（１）項記載の方法。 （６）基板に電気バイアスを加える特許請求の範囲第（
１，）項記載の方法。 （７）第１の材料のガスを室内に導入し、このガスを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の方法。 （８）基板及びターゲットを生長中に相対的に回転する
特許請求の範囲第（１）項記載の方法。 （９）生長層から基板を取除く特許請求の範囲第（１）
項記載の方法。 ＱＱ） Ａｒ及び炭化水素ガスの比率を変えて生長層
内のＸの値を変えるようにする特許請求の範囲第（１）
項記載の方法。 θＤ 基板材料として赤外線透過ＺｎＳ又はＺｎ５ｅを
使い、生長層として赤外線透過ｓｌＸｃｍ−８を使う特
許請求の範囲第（１）項記載の方法。 （１２）基板材料として赤外線透過Ｇｅを使い、生長層
として赤外線透過ＧｅＸＣ！ 、−、を使う特許請求の
範囲第（１）項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8229125 | 1982-10-12 | ||
| GB8229125 | 1982-10-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59136479A true JPS59136479A (ja) | 1984-08-06 |
| JPH0512432B2 JPH0512432B2 (ja) | 1993-02-18 |
Family
ID=10533550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58189415A Granted JPS59136479A (ja) | 1982-10-12 | 1983-10-12 | 複合層を生長させる方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0106638A1 (ja) |
| JP (1) | JPS59136479A (ja) |
| GB (1) | GB2132636B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2165266B (en) * | 1982-10-12 | 1987-09-23 | Nat Res Dev | Infra red transparent optical components |
| EP0209972A1 (en) * | 1985-06-05 | 1987-01-28 | Plessey Overseas Limited | Methods of depositing germanium hydrogen carbide |
| DE3664791D1 (en) * | 1985-06-05 | 1989-09-07 | Plessey Overseas | Methods of depositing germanium carbide |
| CH671407A5 (ja) * | 1986-06-13 | 1989-08-31 | Balzers Hochvakuum | |
| EP0285745B1 (de) * | 1987-03-06 | 1993-05-26 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtungen zum Vakuumbeschichten mittels einer elektrischen Bogenentladung |
| GB8713922D0 (en) * | 1987-06-15 | 1994-06-22 | Secr Defence | Infra red transparent windows |
| US5702829A (en) * | 1991-10-14 | 1997-12-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material |
| FR2682400A1 (fr) * | 1991-10-14 | 1993-04-16 | Commissariat Energie Atomique | Materiau multicouche, procedes de fabrication de ce materiau multicouche et de l'une des couches de ce materiau et revetement anti-erosion et anti-abrasion comprenant ce materiau multicouche. |
| DE69216218T2 (de) * | 1991-10-14 | 1997-06-19 | Commissariat Energie Atomique | Erosionsbeständiges und abrasionsbeständiges Mehrschichtenmaterial |
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| JPS5726164A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-12 | Uni Shidonii Za | Method and apparatus for reactively spattering surface coating with gradient on substrate |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6507670A (ja) * | 1964-06-30 | 1965-12-31 | ||
| US3979271A (en) * | 1973-07-23 | 1976-09-07 | Westinghouse Electric Corporation | Deposition of solid semiconductor compositions and novel semiconductor materials |
| US4013532A (en) * | 1975-03-03 | 1977-03-22 | Airco, Inc. | Method for coating a substrate |
| US4068037A (en) * | 1976-01-02 | 1978-01-10 | Avco Corporation | Silicon carbide filaments and method |
| AU507748B2 (en) * | 1976-06-10 | 1980-02-28 | University Of Sydney, The | Reactive sputtering |
| FR2393854A1 (fr) * | 1977-06-07 | 1979-01-05 | Michel Gantois | Procede de recouvrement de la surface d'une piece conductrice de l'electricite |
| GB2050433A (en) * | 1979-06-04 | 1981-01-07 | Ultra Electronic Controls Ltd | Sputter coating objects with a compound of a transition metal |
| EP0030792B1 (en) * | 1979-11-20 | 1983-09-21 | National Research Development Corporation | Infra red reflectors |
| DE3167761D1 (en) * | 1980-01-16 | 1985-01-31 | Nat Res Dev | Method and apparatus for depositing coatings in a glow discharge |
| US4702960A (en) * | 1980-07-30 | 1987-10-27 | Avco Corporation | Surface treatment for carbon and product |
| GB2083841B (en) * | 1980-08-21 | 1985-03-13 | Secr Defence | Glow discharge coating |
| GB2082562B (en) * | 1980-08-21 | 1983-12-14 | Secr Defence | Coating germanium of silicon with carbon |
-
1983
- 1983-10-06 EP EP83306058A patent/EP0106638A1/en not_active Withdrawn
- 1983-10-10 GB GB08327063A patent/GB2132636B/en not_active Expired
- 1983-10-12 JP JP58189415A patent/JPS59136479A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5321902A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Fujitsu Ltd | Formation of carbonized protective film for magnetic recording medium |
| JPS5726164A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-12 | Uni Shidonii Za | Method and apparatus for reactively spattering surface coating with gradient on substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0106638A1 (en) | 1984-04-25 |
| JPH0512432B2 (ja) | 1993-02-18 |
| GB8327063D0 (en) | 1983-11-09 |
| GB2132636B (en) | 1986-03-26 |
| GB2132636A (en) | 1984-07-11 |
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