JPS59134665A - 立方窒化ホウ素コンパクトの結合方法 - Google Patents
立方窒化ホウ素コンパクトの結合方法Info
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- JPS59134665A JPS59134665A JP58171067A JP17106783A JPS59134665A JP S59134665 A JPS59134665 A JP S59134665A JP 58171067 A JP58171067 A JP 58171067A JP 17106783 A JP17106783 A JP 17106783A JP S59134665 A JPS59134665 A JP S59134665A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
知でありそして硬質コングロメレートに結合されたCB
N粒子の多結晶買置かうなる。コンパクトのCBN含量
は少なくとも70容量チであり、そして一般に80から
90容量%である。
N粒子の多結晶買置かうなる。コンパクトのCBN含量
は少なくとも70容量チであり、そして一般に80から
90容量%である。
CBNコンパクトは結合基質又は第2相の助けなしに自
立結合できる。別法として、適当な結合基質又は第2相
が存在するようなコンパクトを製造できる。第2相又は
結合基質が存在する場合には、これは一般に立方窒化ホ
ウ素成長のために触媒(また溶媒又は焼結助剤として公
知)7a′含有する。
立結合できる。別法として、適当な結合基質又は第2相
が存在するようなコンパクトを製造できる。第2相又は
結合基質が存在する場合には、これは一般に立方窒化ホ
ウ素成長のために触媒(また溶媒又は焼結助剤として公
知)7a′含有する。
好適な触媒の例はアルミニウム又はアルミニウム、ニッ
ケル、コバルト、鉄、マンガン又はクロムの合金である
。
ケル、コバルト、鉄、マンガン又はクロムの合金である
。
CBNコンパクトの製造に必要な条件下でこの粒子間に
若干の連晶が起こり勝ちであるので(L’BNのための
触媒の存在は望ましい。尚業者に公知のように、CBN
コンパクトは研摩粒子が結晶学的に安定である温度と圧
力の条件下で製造される。
若干の連晶が起こり勝ちであるので(L’BNのための
触媒の存在は望ましい。尚業者に公知のように、CBN
コンパクトは研摩粒子が結晶学的に安定である温度と圧
力の条件下で製造される。
CBNコンパクトは切断、研削、穿孔、旋削等の種々の
研摩用途に使用できる。この用途のために、これらを適
当な工具又はシャンクに結合できる。
研摩用途に使用できる。この用途のために、これらを適
当な工具又はシャンクに結合できる。
別法として、これらをセメンテッドカーバイドバッキン
グ又は支持体に結合し、次にこれを工具又はシャンクに
結合する。
グ又は支持体に結合し、次にこれを工具又はシャンクに
結合する。
複合コンパクトと称される、セ)手ツドカーバイド支持
体に結合されたCBNコンパクトは特許文献に記載され
かつ商業的に使用されている。このCBNコンパクトは
結合層の挿入なしにセメンテッドカーバイド支持体に直
接結合できる。この複合コンパクトとその製造は例えば
米国特許第3.7.43,489号及び第3,767.
671号明細書に記載されている。セメンテッドカーバ
イド支持体に結合されたCBNコンパクトの結合はまた
金属又は合金結合層を介してでもよい。これは米国特許
! 4,063.909号明細書に記載される。この明
細書に記載される結合層は高温ろう付は金属、例えばチ
タン、タンタル、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、マ
ンガン、バナジウム、モリブデン又は白金及びこれらの
金属の一つ又はそれ以上を含有する合金を含み、単−又
は低温ろう付は金属を伴ってもよい。
体に結合されたCBNコンパクトは特許文献に記載され
かつ商業的に使用されている。このCBNコンパクトは
結合層の挿入なしにセメンテッドカーバイド支持体に直
接結合できる。この複合コンパクトとその製造は例えば
米国特許第3.7.43,489号及び第3,767.
671号明細書に記載されている。セメンテッドカーバ
イド支持体に結合されたCBNコンパクトの結合はまた
金属又は合金結合層を介してでもよい。これは米国特許
! 4,063.909号明細書に記載される。この明
細書に記載される結合層は高温ろう付は金属、例えばチ
タン、タンタル、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、マ
ンガン、バナジウム、モリブデン又は白金及びこれらの
金属の一つ又はそれ以上を含有する合金を含み、単−又
は低温ろう付は金属を伴ってもよい。
市販の銀及び銅をベースとした合金を使用するセメンテ
ッドカーバイド支持体へCBNコンパクトの結合は成功
していないが、その理由は使用時にひび割れとラミネー
ションがコンパクト/合金界面に起こることが判明して
いるからである。
ッドカーバイド支持体へCBNコンパクトの結合は成功
していないが、その理由は使用時にひび割れとラミネー
ションがコンパクト/合金界面に起こることが判明して
いるからである。
本発明の一面により、硬質コングロメレートに結合され
た、少なくとも70容t%の量で存在する、立方窒化ホ
ウ素粒子の多結晶買置を含む立方窒化ホウ素コンパクト
をセメンテラーカーバイド支持体に結合する方法におい
て立方窒化ホウ素コンパクトの表面に金、銀又は金−又
は銀−ベース合金の層を結合することによりこの表面を
金属化することそして700℃以上の液相温度を有する
ろう付は合金を介してセメンテッドカーバイド支持体の
表面にこの金属化表面を結合することの工程を含む方法
が供される。
た、少なくとも70容t%の量で存在する、立方窒化ホ
ウ素粒子の多結晶買置を含む立方窒化ホウ素コンパクト
をセメンテラーカーバイド支持体に結合する方法におい
て立方窒化ホウ素コンパクトの表面に金、銀又は金−又
は銀−ベース合金の層を結合することによりこの表面を
金属化することそして700℃以上の液相温度を有する
ろう付は合金を介してセメンテッドカーバイド支持体の
表面にこの金属化表面を結合することの工程を含む方法
が供される。
本発明の別の面により、40から70重量%の銀又は金
又はこれらの組合わせ及び1から10重量−のチタン、
ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タン
タル、クロム及びモリブデンの群から選択された活性金
属を含む合金結合層とも70容量チの量で存在する、立
方窒化ホウ素粒子の多結晶装置を含む立方窒化ホク索コ
ンパクトを含む工具構成要素が供される。
又はこれらの組合わせ及び1から10重量−のチタン、
ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タン
タル、クロム及びモリブデンの群から選択された活性金
属を含む合金結合層とも70容量チの量で存在する、立
方窒化ホウ素粒子の多結晶装置を含む立方窒化ホク索コ
ンパクトを含む工具構成要素が供される。
本発明の方法では立方窒化ホウ素コンパクトはセメンテ
ッドカーバイド支持体に結合される。この立方窒化ホウ
素コンパクトは当業者忙公知の何れでもよくかつ前記の
ものである。同様に、セメンテッドカーバイドは当業者
に公知の何れでもよく、例えばセメンテッド炭化タング
ステン、セメンテッド炭化タンタル又はセメンテッド炭
化チタンである。□セメンテッドカーバイドはまた当業
者に″硬質金属”及び1結合したカーバイド”として公
知である。
ッドカーバイド支持体に結合される。この立方窒化ホウ
素コンパクトは当業者忙公知の何れでもよくかつ前記の
ものである。同様に、セメンテッドカーバイドは当業者
に公知の何れでもよく、例えばセメンテッド炭化タング
ステン、セメンテッド炭化タンタル又はセメンテッド炭
化チタンである。□セメンテッドカーバイドはまた当業
者に″硬質金属”及び1結合したカーバイド”として公
知である。
金属化表面と支持体の表面の間にろう付げ合金のための
鎖成分を配置すること、これに荷重を加えて表面を共に
押付げること七してろう付は合金の液相温度に非酸化雰
囲気中の鎖成分の温度を上げることによって支持体の表
面に金属化表面を結合できる。この非酸化雰囲気は代表
的には真空、例えば10−5mバール又はより良好な真
空によって供される。
鎖成分を配置すること、これに荷重を加えて表面を共に
押付げること七してろう付は合金の液相温度に非酸化雰
囲気中の鎖成分の温度を上げることによって支持体の表
面に金属化表面を結合できる。この非酸化雰囲気は代表
的には真空、例えば10−5mバール又はより良好な真
空によって供される。
このコンパクトの金属化層は一般に金属又は合金の薄層
である。代表的にこの層の厚さは5ミクロン以Tである
。この薄層を商業者に公知の方法、例えば真空蒸着又は
真空スパッタリングによりコンパクト表面に付加できる
。
である。代表的にこの層の厚さは5ミクロン以Tである
。この薄層を商業者に公知の方法、例えば真空蒸着又は
真空スパッタリングによりコンパクト表面に付加できる
。
結合した製品中のコンパクトと支持体の間の結合合金層
は一般に、かつ好ましくは銀又は金の外にチタン、ジル
コニウム、ハフニウム、バナー)クム、ニオブ、タンタ
ル、クロム及びそりfPンの群から選択された活性金属
を含有する。この活性金属は代表的には合金の重量で1
から10sの量で供される。合金の銀及び/又は全含量
は好ましくは40から70重量%である。この結合合金
は複合コンパクトを生ずることが判明し、ここでこのコ
ンパクトがセメンテッドカーバイド支持体に堅く結合さ
れる。実際に、19から30ν/腸−2のオーダーの結
合強度が得られた。得られる結合強度の程度は金及び/
又は銀がコンパクト表面に近い一定量の延性な′供し、
一方この活性金属が結合に強度を与える結合合金中の要
素である事実によると思われる。良好な結合を得るため
に前記のように金又は銀を含有する金属化表面を有する
コ・ンパクト表面が最初に供されることが重要である。
は一般に、かつ好ましくは銀又は金の外にチタン、ジル
コニウム、ハフニウム、バナー)クム、ニオブ、タンタ
ル、クロム及びそりfPンの群から選択された活性金属
を含有する。この活性金属は代表的には合金の重量で1
から10sの量で供される。合金の銀及び/又は全含量
は好ましくは40から70重量%である。この結合合金
は複合コンパクトを生ずることが判明し、ここでこのコ
ンパクトがセメンテッドカーバイド支持体に堅く結合さ
れる。実際に、19から30ν/腸−2のオーダーの結
合強度が得られた。得られる結合強度の程度は金及び/
又は銀がコンパクト表面に近い一定量の延性な′供し、
一方この活性金属が結合に強度を与える結合合金中の要
素である事実によると思われる。良好な結合を得るため
に前記のように金又は銀を含有する金属化表面を有する
コ・ンパクト表面が最初に供されることが重要である。
この結合合金層はまたコバルト、鉄、ニッケル、マンガ
ン及び/又は銅を含有できる。
ン及び/又は銅を含有できる。
結合層のための金及び/又は銀は一部には金属化層によ
りそして一部にはろう付は合金又はこの金属化層とろう
付は合金の間に挿入される別の合金により供される。活
性金属はろう付は合金中に又は金属化合金とろう付は合
金の間に挿入される合金中に又はこの両方の中に供され
る。
りそして一部にはろう付は合金又はこの金属化層とろう
付は合金の間に挿入される別の合金により供される。活
性金属はろう付は合金中に又は金属化合金とろう付は合
金の間に挿入される合金中に又はこの両方の中に供され
る。
かくして、本発明の一特定形では、金属化層は金又は銀
でありそして支持体に金属化層を結合する前にこの金属
化層に銀−又は金−ベース合金の層が結合されb0銀−
又は金−ベース合金の層は代表的に150ミクロンの厚
さを有する。好適な金又は銀ベース合金の例は少なくと
も90重量%の金又は銀及び1かも10重量−の前記の
活性金属を含有するものである。このような中間層が供
される時には、特に有用なろう付は合金は銅/マンガン
ペース合金であることが判明した。
でありそして支持体に金属化層を結合する前にこの金属
化層に銀−又は金−ベース合金の層が結合されb0銀−
又は金−ベース合金の層は代表的に150ミクロンの厚
さを有する。好適な金又は銀ベース合金の例は少なくと
も90重量%の金又は銀及び1かも10重量−の前記の
活性金属を含有するものである。このような中間層が供
される時には、特に有用なろう付は合金は銅/マンガン
ペース合金であることが判明した。
本発明の別の形では、このろう付げ合金は金及び/又は
銀及び高融点金属を含有する。代表的にろう付は合金は
少なくとも40重量%の銀及び/又は金及び1から10
重量%の前記の高融点金属を含有する。この事について
は、特に好適な合金の例は銀/銅/パラジウム/チタy
合金である。
銀及び高融点金属を含有する。代表的にろう付は合金は
少なくとも40重量%の銀及び/又は金及び1から10
重量%の前記の高融点金属を含有する。この事について
は、特に好適な合金の例は銀/銅/パラジウム/チタy
合金である。
ろう付は合金の層は代表的に150ミクロン以下の厚さ
を有する。
を有する。
最終結合複合コンパクト中の合金結合層は代表的に厚さ
200ミクロン以丁である。種々の層のための合金は粉
末又はホイルの形で供される。
200ミクロン以丁である。種々の層のための合金は粉
末又はホイルの形で供される。
本発明の教示に従って製造された複合コンパクトは一般
忙添付図面に示すように円板の形である。
忙添付図面に示すように円板の形である。
この図面に言及すると、セメンテッドカーバイド支持体
10、ホイルの形のろう付げ層12及び立方窒化ホウ素
コンパクト14が示される。本発明をl[fる際に、コ
ンパクトの主表面16に銀又は金の被覆を設けることに
よりこの表面を最初に金属化する。その後ろう付げ合金
のホイル12をこの金属化表面16の上に置きそして支
持体10をホイル12の上に置いて未結合スタックを形
成する。荷重をこの未結合スタックに加えて種々の諸成
分を共に押付げる。このスタックを適当な真空炉に入れ
そして適尚な温度に加熱して金属化表面16と支持体1
00間に結合を起こさせる。レーデ−切断のような当業
者に公知の方法を使用してこのように製造した結合複合
コンパクトを種々の形状に成形し又は切断できる。例え
ば、この複合コンパクトを矩形、三角形等に切断して旋
削又は切断工具に有用な構成要素を製造できる。
10、ホイルの形のろう付げ層12及び立方窒化ホウ素
コンパクト14が示される。本発明をl[fる際に、コ
ンパクトの主表面16に銀又は金の被覆を設けることに
よりこの表面を最初に金属化する。その後ろう付げ合金
のホイル12をこの金属化表面16の上に置きそして支
持体10をホイル12の上に置いて未結合スタックを形
成する。荷重をこの未結合スタックに加えて種々の諸成
分を共に押付げる。このスタックを適当な真空炉に入れ
そして適尚な温度に加熱して金属化表面16と支持体1
00間に結合を起こさせる。レーデ−切断のような当業
者に公知の方法を使用してこのように製造した結合複合
コンパクトを種々の形状に成形し又は切断できる。例え
ば、この複合コンパクトを矩形、三角形等に切断して旋
削又は切断工具に有用な構成要素を製造できる。
不発明を更に下記の例により説明する。これらの例では
4記しない限り百分率は重量による。
4記しない限り百分率は重量による。
例1
当業者に公知の方法を使用して円板S形のCBNコンパ
クトを製造した。このコンパクトは連晶したCBN粒子
の塊と本質上窒化アルミニウム及び/又はノボライドか
らなる第2相からなる。
クトを製造した。このコンパクトは連晶したCBN粒子
の塊と本質上窒化アルミニウム及び/又はノボライドか
らなる第2相からなる。
CBN円板の主平面をアルコールで脱脂しそしてアルゴ
ンイオンエツチングを行なった。この清浄な表面にニド
ワードスパッタ被覆装置で標準のスパッタ被覆技術を使
用して金の薄い(約0.1ミクロン)被覆を付加した。
ンイオンエツチングを行なった。この清浄な表面にニド
ワードスパッタ被覆装置で標準のスパッタ被覆技術を使
用して金の薄い(約0.1ミクロン)被覆を付加した。
この金層はこの方法を使用してコンパクト表面に堅く結
合した。
合した。
95重量%の金と5重量−のタンタル粉末合金の混合物
を、149ミクロンふるいを通して金金属化表面の上に
ふるい分けした。付加した合金の量は金属化表面に均一
に被覆するのに十分であった。この被覆厚さは約100
ミクロンであった。
を、149ミクロンふるいを通して金金属化表面の上に
ふるい分けした。付加した合金の量は金属化表面に均一
に被覆するのに十分であった。この被覆厚さは約100
ミクロンであった。
このように被覆したCBNコンパクトを20°C/分の
割合で1200°CK加熱しそして20分間この温度に
保った。10’mバールより良好な圧力で真空炉で加熱
を行なった。その後、このCBNコンパクトを周辺温度
に冷却した。CBNコンパクトの金属化表面は金とタン
タルを含有した。
割合で1200°CK加熱しそして20分間この温度に
保った。10’mバールより良好な圧力で真空炉で加熱
を行なった。その後、このCBNコンパクトを周辺温度
に冷却した。CBNコンパクトの金属化表面は金とタン
タルを含有した。
金属化面を下にして10チコバルト/タングステン力−
バイド円板の上部に金属化CBNコンパクトを配置した
。金属化面とセメンテッドカーバイド円板の間に771
から825℃の溶融範囲を有するニラ2フフ36合金(
56Cu−36Mn−2Ni −3In −3Sn )
の厚さ100ミクロンの円板を配置した。約500から
100gの荷重をコンパクト/カーバイド未結合スタッ
クに加えた。
バイド円板の上部に金属化CBNコンパクトを配置した
。金属化面とセメンテッドカーバイド円板の間に771
から825℃の溶融範囲を有するニラ2フフ36合金(
56Cu−36Mn−2Ni −3In −3Sn )
の厚さ100ミクロンの円板を配置した。約500から
100gの荷重をコンパクト/カーバイド未結合スタッ
クに加えた。
このスタックを分当り20℃の割合で1000℃に加熱
しそして10分間この温度に保った。
しそして10分間この温度に保った。
10−’ mパールより良好な圧力で真空炉で加熱を行
なった。次にこのス、タックを周辺温度に冷却するにま
かせた。
なった。次にこのス、タックを周辺温度に冷却するにま
かせた。
約150ミクロンの厚さを有する結合層を介してセンテ
ツドタングステンカーバイドバツヤングに堅く結合され
たCBNコンパクトが炉から回収された。この結合合金
層は金、メンタル、ニックマン合金の成分及びカーバイ
ドからの若干のコバルトを含有した。
ツドタングステンカーバイドバツヤングに堅く結合され
たCBNコンパクトが炉から回収された。この結合合金
層は金、メンタル、ニックマン合金の成分及びカーバイ
ドからの若干のコバルトを含有した。
この結合の機械的強度な静せん断試験で試験した。結合
のせん断強度は30.251&1lB−2であることが
判明した。
のせん断強度は30.251&1lB−2であることが
判明した。
例2
下記のもの以外例1の方法と材料を使用した:1、金金
属化CBN表面に結合した合金は96%の金、5%のタ
ンタル及び2チのアルミニウムを含有した。
属化CBN表面に結合した合金は96%の金、5%のタ
ンタル及び2チのアルミニウムを含有した。
2、ろ5付げ合金は65%の銀、20%の銅、及び15
饅のパラジウムを含有するデグッサsap 3であり、
そして850から900℃の溶融範囲を有した。
饅のパラジウムを含有するデグッサsap 3であり、
そして850から900℃の溶融範囲を有した。
3、結合スタックを結合する際に使用した温度は110
0℃であった。
0℃であった。
コンパクトとカーバイド間の結合層のせん断強度は26
.47い「2であることが判明した。
.47い「2であることが判明した。
例3
例1に記載した方法に従って円板形のCBNコンパクト
の表面を全表面で金属化した。
の表面を全表面で金属化した。
この金属化表面を下にして1otsコバルト/タングス
テン力−バイド円板の上部にこの金金属化。
テン力−バイド円板の上部にこの金金属化。
表面を配置した。金属化表面とセメンテッドカーバイド
円板の間に下記の組成を有する合金の厚さ50ミクロン
のホイルヲ配置した: Ag 63 Cu 19 Pd i 4 Ti 5 この未結合スタック[50から1009の重シで加重し
、次に分当り20’Oの割合で1ioo℃に加熱しそし
て15分保った。10−5mバールより良好な圧力で真
空炉で加熱を行なった。
円板の間に下記の組成を有する合金の厚さ50ミクロン
のホイルヲ配置した: Ag 63 Cu 19 Pd i 4 Ti 5 この未結合スタック[50から1009の重シで加重し
、次に分当り20’Oの割合で1ioo℃に加熱しそし
て15分保った。10−5mバールより良好な圧力で真
空炉で加熱を行なった。
その後に、結合した複合コンパクトを自然に周辺温度に
冷却するにまかせた。
冷却するにまかせた。
コンパクトとカーバイド間の結合層のせん断強度は19
.621&X鵡−2であることが判明した。
.621&X鵡−2であることが判明した。
前記の例の各々により製造した結合複合コンパクトを等
辺三角形に切断し、これによって工具構成要素を製造し
た。市販の低温ろう付げを使用して溝付工具シャンクに
この三角形構成要素をろう付けした。
辺三角形に切断し、これによって工具構成要素を製造し
た。市販の低温ろう付げを使用して溝付工具シャンクに
この三角形構成要素をろう付けした。
580ツクウ工ル硬度D2鋼で標準切断試験でこの工具
を試験した。鋼作業片を325 rpmで回転した;深
さ0.5 Nkの切断を使用した; 0.15M/ r
8Vの供給速度を使用した。すべての場合で、構成要素
は十分によく作動し、コンパクトと支持体間の結合層に
ラミネーションが起こらないことが観察された。
を試験した。鋼作業片を325 rpmで回転した;深
さ0.5 Nkの切断を使用した; 0.15M/ r
8Vの供給速度を使用した。すべての場合で、構成要素
は十分によく作動し、コンパクトと支持体間の結合層に
ラミネーションが起こらないことが観察された。
図面は本発明の方法の一具体例で使用する構成要素の透
視図である。 代理人 浅 村 皓 手続補正書(自発) 昭和58年10月21日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和58年特許願第 171067 号2、発明の名
称 立方窒化ホウ素コンパクトの結合方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 明細書の浄書 (内容に変更なし) 手続補正書(方式) 昭和3Z年ノ月/2日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和52年持r「願第 /7/りz2号3゜補正をする
者 二If!Iとの関(ギ r寺1:′:出′qn人4、代
理人 5、補正命令の日付 昭和ま7年 7月S7日 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 図面の浄] (内容;こ変更なし) 8、補正の内容 別紙のとおり
視図である。 代理人 浅 村 皓 手続補正書(自発) 昭和58年10月21日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和58年特許願第 171067 号2、発明の名
称 立方窒化ホウ素コンパクトの結合方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 明細書の浄書 (内容に変更なし) 手続補正書(方式) 昭和3Z年ノ月/2日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和52年持r「願第 /7/りz2号3゜補正をする
者 二If!Iとの関(ギ r寺1:′:出′qn人4、代
理人 5、補正命令の日付 昭和ま7年 7月S7日 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 図面の浄] (内容;こ変更なし) 8、補正の内容 別紙のとおり
Claims (9)
- (1)立方窒化ホウ素コンパクトの表面に金、銀又は金
−又は銀−ベース合金の層を結合することによって立方
窒化ホウ素コンパクトの表面を金属化することセして7
00℃以上の液相温度を有するろう付は合金を介してセ
メンテッドカーバイド支持体の表面にこの金属化表面を
結合することの諸工程を含む、硬 コングロメレートに
結合された、少なくとも70容量チめ量で存在する、立
方窒化ホウ素粒子の多結晶質塊を含む立方雪化ホウ素コ
ンパクトをセメンテッドカーバイド支持体へ結合する方
法。 - (2)金属化表面と支持体の表面の間にろう付は合金の
ための鎖成分を配置すること、これに荷重を加えて表面
を共に押付けることそしてろう付は合金の液相温度に非
酸化雰囲気中で鎖成分の温度を上げることにより金属化
表面を支持体の表面に結合する特許請求の範囲第1項に
記載の方法。 - (3) 金属化層が5ミクロン以下の厚さを有する特
許請求の範囲第1項又は第2項に記載の方法。 - (4) ろう付は合金ぶ少なくとも40重量%の銀、
金又はこれらの組合わせ及び1から10重量%のチタン
、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タ
ンタル、クロム及びモリブデンの群から選択された活性
金属を含有する特許請求の範囲第1項から第3項の何れ
か1項に記載の方法。 - (5) ろう付は合金が銀/銅/パラジウム/チタン
合金である特許請求の範囲第4項に記載の方法。 - (6) ろう付げ合金の層の厚さが150ミクロy以下
である特許請求の範囲第1項から第5項の何れか1項に
記載の方法。 - (7)金属化層が金又は銀でありそしで支持体に金属化
層を結合する前にこの層に銀−又は金−ぺ−ス合金の層
を結合する特許請求の範囲第1項から第6項の何れかに
定義した方法。 - (8)銀−又は金−ペース合金の層が150ミクロン以
下の厚さを有する特許請求の範囲g7項に記載の方法。 - (9) 金又は銀ペース合金が少なくとも90重量%
の金又は銀及び1から10重量−のチタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロ
ム及びモリブデンの群から選択された活性金属を含有す
る特許請求の範囲第1項から第8項の何れかに記載の方
法。 ul 活性金属がタンタルである特許請求の範囲第9
項に記載の方法。 αυ ろ5付は合金が銅/マンガンベース合金である特
許請求の範囲第7項から第10項の何れかのステンカー
バイドである特許請求の範囲第1項から第11項の何れ
か1項に記載の方法。 α340から70重量%の銀又は金又はこれらの組合わ
せ及び1から10重量%のチタン、ジルコニウム、へ7
ニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム及びモ
リブデンの群から選択された活性金属を含有する合金結
合層を介して、セメ蓼ツドカーバイr支持体く結合され
た、硬質コングロメレートに結合され、少なくとも70
容童チの量で存在する立方窒化ホウ素粒子の多結晶買置
を含む立方窒化ホウ素コンパクトを含む工具構成要素。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ZA82/6798 | 1982-09-16 | ||
ZA826798 | 1982-09-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59134665A true JPS59134665A (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=25576270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58171067A Pending JPS59134665A (ja) | 1982-09-16 | 1983-09-16 | 立方窒化ホウ素コンパクトの結合方法 |
Country Status (5)
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---|---|
US (1) | US4601423A (ja) |
EP (1) | EP0104063B1 (ja) |
JP (1) | JPS59134665A (ja) |
AT (1) | ATE21683T1 (ja) |
DE (1) | DE3365680D1 (ja) |
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JP2011527979A (ja) * | 2007-07-17 | 2011-11-10 | エレメント シックス リミテッド | SiC−ダイヤモンドを接合する方法 |
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- 1983-09-15 DE DE8383305436T patent/DE3365680D1/de not_active Expired
- 1983-09-15 EP EP83305436A patent/EP0104063B1/en not_active Expired
- 1983-09-15 AT AT83305436T patent/ATE21683T1/de active
- 1983-09-16 US US06/533,262 patent/US4601423A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-09-16 JP JP58171067A patent/JPS59134665A/ja active Pending
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EP0104063A2 (en) | 1984-03-28 |
ATE21683T1 (de) | 1986-09-15 |
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