JPS5913423A - ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタ - Google Patents

ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタ

Info

Publication number
JPS5913423A
JPS5913423A JP57123551A JP12355182A JPS5913423A JP S5913423 A JPS5913423 A JP S5913423A JP 57123551 A JP57123551 A JP 57123551A JP 12355182 A JP12355182 A JP 12355182A JP S5913423 A JPS5913423 A JP S5913423A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
current
transistor
trs
turn
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57123551A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kobayashi
隆 小林
Yoshiyasu Hiroi
広井 吉保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP57123551A priority Critical patent/JPS5913423A/ja
Publication of JPS5913423A publication Critical patent/JPS5913423A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region

Landscapes

  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はゲート特性を改良したゲート・ターン、オフ 
(Gat e−Turn −Of f 、 GTO)サ
イリスタに関するものである。
従来のGTOサイリスクは第1図に示すように等測的に
prLpトランジスタQ1とnpnトランジスタQ2の
複合結合として表わされる。このような組合せでは、n
pnトランジスタQ2のコレクタがpnp)ランジスタ
Q1のベースと結合しさらに前記pnp トランジスタ
Q1のコレクタとnpn、)ランジスタQ2のベースが
接続されているために正帰還が掛かり、ゲート駆動電源
Eより抵抗Rを介して正電流をゲートに注入して一定の
ゲート電流iq以上で瞬時にター、ンオンすると共に、
ゲートGに低いインピーダンスを接続することによって
アノードA電流を断とするターンオフ特性を有している
。しかしながら、ターンオフ時にゲートGに負電源を接
続すれば良好なターンオフ特性が得られるが、ターンオ
ン用とターンオフ用に互に極性の異る2電源がゲート駆
動用に必要であっ念。一方、単にゲートG′f:低いイ
ンピーダンスZ8によシスイッチSWを接にしてターン
オフにする方法は、アノード電流iaがトジンジスタQ
2のベースに向う成分12と、ゲートGから吸い出され
る成分i1に分岐し、しかも電源Eから抵抗Rを経由し
て流入する電流i。も存在するので、十分大きなアノー
ド電流iaをターンオフできない欠点があった。
本発明は前記従来の欠点を除去することを目的とするも
のであって、その一実施例と共に説明する。
第2図において、Ql、Q2は第1図における同符号の
トランジスタに対応する。Q3はトランジスタQ2の上
えフタにそのベースが接続されると共に、コレクタ同志
が共通接続され、トランジスタQ2.Q3でダーリント
ン接続全槽−成している。
そしてトランジスタQ3のエミッタを前記GTOサイリ
スタのカソードにとしたものである。
上記構成によれば、GTOサイリスタのゲートG、カン
ードに間には1つのnpn)ランリスクのゲートカソー
ド間電圧(約1.4V)の負のゲートバイアス電圧が掛
ったことになり、また周知のようにダーリントン接続ト
ランジスタの入力インピーダンスは単体トランジスタよ
り高くなるので電流の吸い出しが容易になると共に前記
ベース電流成分12が減少することになり、大電流に対
してもターンオフが良好に行えるようになる。さらにダ
ーリントン接続時の複合トランジスタの電流増幅率は単
体Q2の時に対して両者q、Q3の積となるためにター
ンオフ時に小さいゲート電流でも済みゲート電流を減少
出来る利点を有する。なお上記説明はトランジスタQ1
がpnp)ランリスクQ2.Q3がnpnの例を説明し
たが、これらはpnpとnpnt互に逆にして構成して
もよい。
以上説明したように本発明によれば、従来のGGTOサ
イリスタに比較してゲートのターンオン或いはターンオ
フが容易になるため、ゲート駆動回路が簡単に出来る特
徴を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のゲート・ターン・オフ・サイリスクの等
価回路図、第2図は本発明の一実施例にナルケート・タ
ーン・オフ・サイリスクのL何回路である。 Ql・・・・・第1のトランジスタ、Q2・・・・・第
2のトランジスタ、Q3・・・・・・第3のトランジス
タ、A・・・・・・アノード、G・・・・・・ゲート、
K・・・・・・カッ −ド。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタとは異
    る極性の2個のトランジスタをダーリントン接続した第
    2.第3のトランジスタとからなシ、前記ダーリントン
    接続した第2.第3のトランジスタの共通電極を前記第
    1のトランジスタのベースに接続すると共に、前記第1
    のトランジスタのコレクタ或はエミッタ或はエミッタを
    前記第2のトランジスタのベースに正帰環が掛る方向に
    接続し、前記第1のトランジスタのエミッタ或はコレク
    タをアノードに前記第3のトランジスタの対応するコレ
    クク或いはエミッタをカソードに、
JP57123551A 1982-07-14 1982-07-14 ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタ Pending JPS5913423A (ja)

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JP57123551A JPS5913423A (ja) 1982-07-14 1982-07-14 ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタ

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JPS5913423A true JPS5913423A (ja) 1984-01-24

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ID=14863397

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JP57123551A Pending JPS5913423A (ja) 1982-07-14 1982-07-14 ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタ

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07107205B2 (ja) * 1983-03-07 1995-11-15 イーストマン・コダック・カンパニー 切断装置及び方法
US8028736B2 (en) 2006-08-25 2011-10-04 Ocv Intellectual Capital, Llc System for forming reinforcement layers having cross-directionally oriented fibers

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55110068A (en) * 1979-02-16 1980-08-25 Fujitsu Ltd Thyristor

Patent Citations (1)

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