JPS5913068A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPS5913068A JPS5913068A JP11955082A JP11955082A JPS5913068A JP S5913068 A JPS5913068 A JP S5913068A JP 11955082 A JP11955082 A JP 11955082A JP 11955082 A JP11955082 A JP 11955082A JP S5913068 A JPS5913068 A JP S5913068A
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- JP
- Japan
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- target
- plated
- anode
- sputtering
- container
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ターゲットとして円筒状のものを用い、かつ
ターゲットを中心として被メツキ物全配置するスパッタ
リング装置に関する。
ターゲットを中心として被メツキ物全配置するスパッタ
リング装置に関する。
被メッキ物の表面に、クロム、モリブデン、チタン等の
高融点金属ａｔ−付着させる装置としてスパッタリング
装置がある。スパッタ薄膜は、通常、低圧の不活性ガス
中でグロー放Ｗｔ−行なわせ、この放電によって生じた
陽イオンをターゲットに衝突させ、この衝突によってタ
ーゲットからたたき出された金属微粒子を被メッキ物の
表面に付着させることによって形成される。
高融点金属ａｔ−付着させる装置としてスパッタリング
装置がある。スパッタ薄膜は、通常、低圧の不活性ガス
中でグロー放Ｗｔ−行なわせ、この放電によって生じた
陽イオンをターゲットに衝突させ、この衝突によってタ
ーゲットからたたき出された金属微粒子を被メッキ物の
表面に付着させることによって形成される。
し友がって、ターゲットを高融点金属材で形成しておけ
ば、この材料の金属膜を被メッキ物の表面に付着させる
ことができる。そして、マグネトロンスパッタ方式を採
用すれば、被メッキ物の温度上昇を抑えた状態でスパッ
タ薄ｐａｔ−形成することができる。
ば、この材料の金属膜を被メッキ物の表面に付着させる
ことができる。そして、マグネトロンスパッタ方式を採
用すれば、被メッキ物の温度上昇を抑えた状態でスパッ
タ薄ｐａｔ−形成することができる。
ところで、このようなスパッタリングによって、たとえ
ば自動車のパンパ等にスパッタ薄膜を形成する場合には
、通常、真空容器内に円筒４ 状のターゲ、ットを立設
するとともに上記ターゲットを囲む関係にパイプ状に形
成された陽極を配置しｊｉ’ｊに上記陽−の外側に複数
の一′メッキ物を、円状に配列する方式が採用されてい
る。
ば自動車のパンパ等にスパッタ薄膜を形成する場合には
、通常、真空容器内に円筒４ 状のターゲ、ットを立設
するとともに上記ターゲットを囲む関係にパイプ状に形
成された陽極を配置しｊｉ’ｊに上記陽−の外側に複数
の一′メッキ物を、円状に配列する方式が採用されてい
る。
そして、実際に被メッキ物をセットするに際しては、台
車上に設けられた支持、県で支持させるようにするとと
もにターゲットを中心にして台車を回転゛させるととも
に各支持具も自転させるようにしている。
車上に設けられた支持、県で支持させるようにするとと
もにターゲットを中心にして台車を回転゛させるととも
に各支持具も自転させるようにしている。
しかしながら、上記のように構成された従来のスパッタ
リング装置くあって悴次のよ−うな問題があった。ナな
５ ’Ｅ） １．被メツ゛キ物ｆ真空容器内に、搬入、
したシ、メッキ終了、後の被メッキ物を真壁容器外へ搬
出するときには、真空容器内に大気全導入する必要があ
るが、このとき円筒状ターゲットがアルン；クムのよう
に活性の強い金属材料で形成されている場合には、その
表面にＡｌ１０ｍ’ｌＩの酸化物絶縁Ｊ−が形成される
。このように酸化物絶縁層が形成されると、次のスパッ
タリング工程において上記絶縁層から出た不、、、、、
、、、−Ｑ物が被メッキ物の表面に付着し、これが原因
してスパッタ薄膜の純度の低下および付着強度ゴ
、 ・ ″′ ５ ・の低下を招く。このため、スパッタ開始に当って
、まず十分なプレスパツタリングを行なう必要がアリ、
こめプレスパツタリングに長時間會要する問題があった
。また、真空容器内の中央部に円筒状ターゲットと陽極
とが位置しているため、真空容器内への被メッキ物のセ
ットが面倒化する問題があった。特に、ターゲットを中
心にして′ｐＪ数の被メッキｉをセットする場合には・
真壁容器外において予や台車上ヘセットしておくとデう
工程が全く採用できず、作業能率が悪いと云う問題が条
った。、 〔発明の目的〕 本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、円筒状ターゲットの酸化防止と
真♀容器内への被メッキ物の搬入および搬出の容易化と
を同時に図れ、もって良質のスパッタ薄膜を作業能率よ
く形成できるスパッタリング装置を提供することにおる
。
リング装置くあって悴次のよ−うな問題があった。ナな
５ ’Ｅ） １．被メツ゛キ物ｆ真空容器内に、搬入、
したシ、メッキ終了、後の被メッキ物を真壁容器外へ搬
出するときには、真空容器内に大気全導入する必要があ
るが、このとき円筒状ターゲットがアルン；クムのよう
に活性の強い金属材料で形成されている場合には、その
表面にＡｌ１０ｍ’ｌＩの酸化物絶縁Ｊ−が形成される
。このように酸化物絶縁層が形成されると、次のスパッ
タリング工程において上記絶縁層から出た不、、、、、
、、、−Ｑ物が被メッキ物の表面に付着し、これが原因
してスパッタ薄膜の純度の低下および付着強度ゴ
、 ・ ″′ ５ ・の低下を招く。このため、スパッタ開始に当って
、まず十分なプレスパツタリングを行なう必要がアリ、
こめプレスパツタリングに長時間會要する問題があった
。また、真空容器内の中央部に円筒状ターゲットと陽極
とが位置しているため、真空容器内への被メッキ物のセ
ットが面倒化する問題があった。特に、ターゲットを中
心にして′ｐＪ数の被メッキｉをセットする場合には・
真壁容器外において予や台車上ヘセットしておくとデう
工程が全く採用できず、作業能率が悪いと云う問題が条
った。、 〔発明の目的〕 本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、円筒状ターゲットの酸化防止と
真♀容器内への被メッキ物の搬入および搬出の容易化と
を同時に図れ、もって良質のスパッタ薄膜を作業能率よ
く形成できるスパッタリング装置を提供することにおる
。
、 〔発明の概要〕、。
本舛明（よ井ば、真空容器内に被メアヤ、−がセットさ
れる１第、ｌの９間舅域と１、セフ、、 ）、さ、れな
い第♀の空間領域が設けられる。雪し一’＜Ｆ５Ｕ、、
、筒状ターゲイトおよ、び４の（ロ）セ、に設シられ、
、る陽極管↓４第１および第２の空間領域に選択的に位
置１ させる、位置移動機構が設けら些、さ、ら、に上記第１
♀空間寧−と第２の空間像、−との間に５雨空１間領域
間を選択的咳気密しや呻するノ乏ル、イが設けられてい
る。 、 。
れる１第、ｌの９間舅域と１、セフ、、 ）、さ、れな
い第♀の空間領域が設けられる。雪し一’＜Ｆ５Ｕ、、
、筒状ターゲイトおよ、び４の（ロ）セ、に設シられ、
、る陽極管↓４第１および第２の空間領域に選択的に位
置１ させる、位置移動機構が設けら些、さ、ら、に上記第１
♀空間寧−と第２の空間像、−との間に５雨空１間領域
間を選択的咳気密しや呻するノ乏ル、イが設けられてい
る。 、 。
〔発明の効果〕、、、。
上記構成であると、スフ１ツ声リすグエ１終了後、円筒
状ターゲットおよび陽極を、位置移動機構で第２の空間
領域に移動させ九体、にバ、クプを閉じ、４次に第、１
の９．間領補に大気を導入すると云った手順を採用でき
る。この手＋１１１ ｔ−採用すれば、円筒状ターゲッ
トはｇ２Ｏ！！間領竣に−，じ枠められて大気と接触す
ることがなく、また、率１の空間領域には被メ、？ｉ物
の搬入、搬出管じや鷹すや物、体が全く存在していない
午、とにな５− る。そして、・第１の空間領域からメッキ工程の終了し
た被メッキ物を搬出した後、上記第１の空間領域に新た
な被メッキ物をセットし、続いて第１の空間領域を排気
した後、バルブを開にし、次に第２の空間領域から第１
の空間領域へ円筒状シーゲットおよび陽極を移動してス
パッタリングを実行する手順を採用できる。これらの期
間において、円筒状ターゲットが大気に接触する機会杖
全くない。したがってターゲットの一化を防止でき１．
プレスバッタリング期間をなくすことができると同時に
良質のスパッタ薄帯をじゃまするターゲットおよび陽Ｙ
ｊ１を第１の空間領域から除去できるので、たとえば、
被メッキ物管予め台車上にセットしておき、台車に載せ
たままの状態で搬入、搬出が行なえるのて、作業能率を
大幅に向上させることができる。
状ターゲットおよび陽極を、位置移動機構で第２の空間
領域に移動させ九体、にバ、クプを閉じ、４次に第、１
の９．間領補に大気を導入すると云った手順を採用でき
る。この手＋１１１ ｔ−採用すれば、円筒状ターゲッ
トはｇ２Ｏ！！間領竣に−，じ枠められて大気と接触す
ることがなく、また、率１の空間領域には被メ、？ｉ物
の搬入、搬出管じや鷹すや物、体が全く存在していない
午、とにな５− る。そして、・第１の空間領域からメッキ工程の終了し
た被メッキ物を搬出した後、上記第１の空間領域に新た
な被メッキ物をセットし、続いて第１の空間領域を排気
した後、バルブを開にし、次に第２の空間領域から第１
の空間領域へ円筒状シーゲットおよび陽極を移動してス
パッタリングを実行する手順を採用できる。これらの期
間において、円筒状ターゲットが大気に接触する機会杖
全くない。したがってターゲットの一化を防止でき１．
プレスバッタリング期間をなくすことができると同時に
良質のスパッタ薄帯をじゃまするターゲットおよび陽Ｙ
ｊ１を第１の空間領域から除去できるので、たとえば、
被メッキ物管予め台車上にセットしておき、台車に載せ
たままの状態で搬入、搬出が行なえるのて、作業能率を
大幅に向上させることができる。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら６−
説明する。
第１図において、図中１はペースであシ、このベース１
上に真空容器２が固定しである。真空容器２は、容器本
体３と、この本体３に連通した補助容器４とで構成され
ている。
上に真空容器２が固定しである。真空容器２は、容器本
体３と、この本体３に連通した補助容器４とで構成され
ている。
容器本体４は、外形が円柱状に形成されたもので、その
側壁部の対向する位置に上記側壁部の一部を構成する如
く、蓋体５ｍ、５ｂが着脱自在あるいは開閉自在に取付
けである。そして、その下壁には容器本体ｓ内と図示し
ない排気ポンプとを接続する配管６が接続されている。
側壁部の対向する位置に上記側壁部の一部を構成する如
く、蓋体５ｍ、５ｂが着脱自在あるいは開閉自在に取付
けである。そして、その下壁には容器本体ｓ内と図示し
ない排気ポンプとを接続する配管６が接続されている。
しかして、容器本体３の土壁中央部には孔７が設けてあ
り、この孔７の開口縁部には上方に向かう筒体８の下端
部が気密に接続されている。
り、この孔７の開口縁部には上方に向かう筒体８の下端
部が気密に接続されている。
司
筒体８の上端面に対向する上方位置には、第２図に示す
油圧式の昇降機構９ａ 、９ｂにバー１０ｍ、１０ｂを
介して支持され九フランジ１１が配置されており、この
７ランジ１１の開口縁部と筒体８の上端面との間に伸縮
自在なベローズ１２が気密に接続され、このベローズ１
２によって前記補助容器４が形成されている。７ランジ
１１の上面には、絶縁リングツ３を弁して環状板１４が
気密に接続されている。そして、環状板１４Ｖｃは、こ
の環状板１４との間に絶縁リング１５を弁孔させた状態
で′ｉＪ状板１４の孔を通して下端側が容器本体３内に
達するように挿し込まれたターゲット１６の上端が気密
に固定されている。ターゲット１６は二重筒状に形成さ
れており、配管１７を介して導かれた冷媒を内側１に形
成された空間および外事１１に形成された空間を経由さ
せて１管１８に導くことによって内側から冷却できるよ
うに構成されている。
油圧式の昇降機構９ａ 、９ｂにバー１０ｍ、１０ｂを
介して支持され九フランジ１１が配置されており、この
７ランジ１１の開口縁部と筒体８の上端面との間に伸縮
自在なベローズ１２が気密に接続され、このベローズ１
２によって前記補助容器４が形成されている。７ランジ
１１の上面には、絶縁リングツ３を弁して環状板１４が
気密に接続されている。そして、環状板１４Ｖｃは、こ
の環状板１４との間に絶縁リング１５を弁孔させた状態
で′ｉＪ状板１４の孔を通して下端側が容器本体３内に
達するように挿し込まれたターゲット１６の上端が気密
に固定されている。ターゲット１６は二重筒状に形成さ
れており、配管１７を介して導かれた冷媒を内側１に形
成された空間および外事１１に形成された空間を経由さ
せて１管１８に導くことによって内側から冷却できるよ
うに構成されている。
また、前記環状板１４には、図中上下方向に屈曲し々か
らターゲット１６を囲む関係に配設されたパイプ状の陽
極１９の′ＦｉＩ端が気密に貫通して外部へ引出されて
いる。そして、上記陽極１９内にも冷媒が通流される。
らターゲット１６を囲む関係に配設されたパイプ状の陽
極１９の′ＦｉＩ端が気密に貫通して外部へ引出されて
いる。そして、上記陽極１９内にも冷媒が通流される。
一方、前記筒体８の中間位置には、この位置において容
器本体３内と補助容器４内と全気密にしゃ断し得る公知
のゲートパルプ２０が設けてあｐ、このゲートパルプ２
０Ｆｉ、公知の駆動手段で開閉制御される。なお、第１
図中２１は、不活性ガス導入用のパイプを示している。
器本体３内と補助容器４内と全気密にしゃ断し得る公知
のゲートパルプ２０が設けてあｐ、このゲートパルプ２
０Ｆｉ、公知の駆動手段で開閉制御される。なお、第１
図中２１は、不活性ガス導入用のパイプを示している。
次に上記のように形成された装置を用いて複数の被メッ
キ物Ｐの表面にスパッタ薄喚を形成する場合について説
明する。
キ物Ｐの表面にスパッタ薄喚を形成する場合について説
明する。
まず、真空容器２内を所定圧力まで排気した彼、不活性
ガスを導入し、また、陽極１９とターゲット１６との間
に直流電圧を印加してプレスパツタリングを行なう。な
お、このプレスバッタリングは、後述するように最初の
１回だけでよい。このようにプレスバッタリングを行な
った後、昇降機構９８＠９ｂを動作させて７ランジ１１
を上昇させる。この上昇に伴なってターゲット１６およ
び陽極１９も上昇し、またベローズ１２も伸びる。そし
て、ターゲット１６および陽極１９の全部がベローズ１
２で囲まれた空間内に位置するまで上昇した時点で昇降
機構９ ａ ＊ ９ ｂの上昇動作を停止させ、続いて
グトバルプ２０を閉に制御する。この制御によつ９− てターゲット１６および陽極１９ｆよ、補助客器４内に
完全に閉じ込められた状態となる。
ガスを導入し、また、陽極１９とターゲット１６との間
に直流電圧を印加してプレスパツタリングを行なう。な
お、このプレスバッタリングは、後述するように最初の
１回だけでよい。このようにプレスバッタリングを行な
った後、昇降機構９８＠９ｂを動作させて７ランジ１１
を上昇させる。この上昇に伴なってターゲット１６およ
び陽極１９も上昇し、またベローズ１２も伸びる。そし
て、ターゲット１６および陽極１９の全部がベローズ１
２で囲まれた空間内に位置するまで上昇した時点で昇降
機構９ ａ ＊ ９ ｂの上昇動作を停止させ、続いて
グトバルプ２０を閉に制御する。この制御によつ９− てターゲット１６および陽極１９ｆよ、補助客器４内に
完全に閉じ込められた状態となる。
次に容器本体３内全大気圧にする。このように大気圧に
してもゲートパルプ２０によって完全にしゃ断されてい
るのでターゲットＪ６および陽極１９が大気に触れるこ
とはない。次に、蓋体５ｍ、５ｂの何れかを開放し、予
め台車Ｑ上にセットされた複数の被メッキ物Ｐを台車Ｑ
のま＼ 第１図に示すように容器本体３内にセットする
。々お、台車Ｑ上に被メッキ物Ｐ′＠：セットするに当
っては、中央部にターゲット１６および陽極１９が位置
し得る空間を設けておく。
してもゲートパルプ２０によって完全にしゃ断されてい
るのでターゲットＪ６および陽極１９が大気に触れるこ
とはない。次に、蓋体５ｍ、５ｂの何れかを開放し、予
め台車Ｑ上にセットされた複数の被メッキ物Ｐを台車Ｑ
のま＼ 第１図に示すように容器本体３内にセットする
。々お、台車Ｑ上に被メッキ物Ｐ′＠：セットするに当
っては、中央部にターゲット１６および陽極１９が位置
し得る空間を設けておく。
しかして、蓋体を取り付け、この状態で容器本体３内を
所定圧力まで排気する。次にゲートパルプ２０を開に制
御し、続いて昇降機構９ ａ。
所定圧力まで排気する。次にゲートパルプ２０を開に制
御し、続いて昇降機構９ ａ。
９ｂを降下させて、ターゲット１６および陽極１９ｔｌ
−第１図に示すように容器本体３内に位置させる。次に
、不活性ガスの供給を制御して真空容器２内の圧力全所
定に制御し、再びｍ流電源を投入する。これによって、
被メッキ物Ｐの１０− 表面にターゲット構成材の金属膜が形成される。
−第１図に示すように容器本体３内に位置させる。次に
、不活性ガスの供給を制御して真空容器２内の圧力全所
定に制御し、再びｍ流電源を投入する。これによって、
被メッキ物Ｐの１０− 表面にターゲット構成材の金属膜が形成される。
なお、このとき台車Ｑ’を回転させるとともに被メッキ
物Ｐを回転させれけ被メッキ物Ｐの表面全体に一様な膜
厚のスパッタ膜を付着させることができる。
物Ｐを回転させれけ被メッキ物Ｐの表面全体に一様な膜
厚のスパッタ膜を付着させることができる。
そして、スバツタ工程が終了した時点で、直流電源をし
ゃ断するとともに不活性ガスの供給を停止し、続いて昇
降機構＜ｌａ、９ｂｔ−上昇動作させ、ターゲット１６
および陽極１９を補助容器４内に移動させた後、ゲート
バルブ２０を閉じ、次に、容器本体ｓ内を大気圧にして
台車Ｑのｔ＼被メッキ物Ｐｔ−容器本体ｓ外へ排出する
。以後、上述した操作を繰ｐ返えして連続的にスパッタ
リングｍａｔ−実施する。
ゃ断するとともに不活性ガスの供給を停止し、続いて昇
降機構＜ｌａ、９ｂｔ−上昇動作させ、ターゲット１６
および陽極１９を補助容器４内に移動させた後、ゲート
バルブ２０を閉じ、次に、容器本体ｓ内を大気圧にして
台車Ｑのｔ＼被メッキ物Ｐｔ−容器本体ｓ外へ排出する
。以後、上述した操作を繰ｐ返えして連続的にスパッタ
リングｍａｔ−実施する。
そして、この揚台には、最初だけ扛プレスパツタリング
を必要とするが以後は、ターゲット１６が大気に触れな
いのでプレスパツタリングを行なう必要が表い。また、
ＸｔＩ！容缶２内への被メッキ物Ｐの搬入および搬出
時に＠、番本体３内から、これらの作業のじゃまとなる
ターゲット１６および＠極１９を除去する仁とができる
ので、搬入、搬出の自動化も可能となシ、結局、前述し
た効果が得られることになる。
を必要とするが以後は、ターゲット１６が大気に触れな
いのでプレスパツタリングを行なう必要が表い。また、
ＸｔＩ！容缶２内への被メッキ物Ｐの搬入および搬出
時に＠、番本体３内から、これらの作業のじゃまとなる
ターゲット１６および＠極１９を除去する仁とができる
ので、搬入、搬出の自動化も可能となシ、結局、前述し
た効果が得られることになる。
なお、上述した実施例で社ぺｐ−ズ管使って補助容器４
を構成しており、このようにすると排気に要する時間の
短縮化ならびに装置の高さが増すのを抑えることができ
る利点があるが、これに限定されるものではなく、補助
容器としてターゲットおよび陽極を収容し得る筒状のも
ので構成し、ターゲットと陽極とだけを昇降させるよう
にしてもよい。また容器本体の上方だけに限らず、横方
向にターゲットと陽ｌとを移動させるようＫしてもよい
。要は、真空容器内に被メッキ物がセットされゐ第１の
９間領域と、セットされない第２の９閥領域とを設ける
とともに上記内領域間をターゲットと陽極とが移動でき
るようにし、さらに両全間領域間を選択的に気密し中断
できるようにすればよい。
を構成しており、このようにすると排気に要する時間の
短縮化ならびに装置の高さが増すのを抑えることができ
る利点があるが、これに限定されるものではなく、補助
容器としてターゲットおよび陽極を収容し得る筒状のも
ので構成し、ターゲットと陽極とだけを昇降させるよう
にしてもよい。また容器本体の上方だけに限らず、横方
向にターゲットと陽ｌとを移動させるようＫしてもよい
。要は、真空容器内に被メッキ物がセットされゐ第１の
９間領域と、セットされない第２の９閥領域とを設ける
とともに上記内領域間をターゲットと陽極とが移動でき
るようにし、さらに両全間領域間を選択的に気密し中断
できるようにすればよい。
またターゲビト内に磁石を装着してマグネトロン形とし
、さらに上記磁石を移動させることかできるようにして
ターゲットの消耗の均一化を図るようにしてもよい。
、さらに上記磁石を移動させることかできるようにして
ターゲットの消耗の均一化を図るようにしてもよい。
第１図は本発明の一実施例に係るスパツタリ、ング装置
の概略縦断面図、第２図は同装置を第１図におけるムー
Ａ線に沿って矢印方向に見た側面図である。 ２・・・真空容器、３・・・容器本体、４・・・補助容
器、１６・・・ターゲット、１９・・・陽極、２０・・
・ゲートパルプ、Ｐ・・・被メッキ物、Ｑ・・・台車。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１３ｉ 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 ７ 特許庁長官 若杉和夫 殿 １．事件の表示 特願昭５７−１１９５５０ ％ ２、 発明の名称 スパッタリング装Ｗ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社 碑 ８１ 製 作 所 ４、代理人 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−１１９５５０号 ２、発明の名称 スパッタリング装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社徳田製作所 ４、代理人 ６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 図面の第１図ン別紙の通り訂正す仝ｄ
の概略縦断面図、第２図は同装置を第１図におけるムー
Ａ線に沿って矢印方向に見た側面図である。 ２・・・真空容器、３・・・容器本体、４・・・補助容
器、１６・・・ターゲット、１９・・・陽極、２０・・
・ゲートパルプ、Ｐ・・・被メッキ物、Ｑ・・・台車。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１３ｉ 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 ７ 特許庁長官 若杉和夫 殿 １．事件の表示 特願昭５７−１１９５５０ ％ ２、 発明の名称 スパッタリング装Ｗ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社 碑 ８１ 製 作 所 ４、代理人 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−１１９５５０号 ２、発明の名称 スパッタリング装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社徳田製作所 ４、代理人 ６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 図面の第１図ン別紙の通り訂正す仝ｄ
Claims (1)
- 真空容器内に円筒状ターゲットと、これをとシ囲む関係
に陽極とを配置し、上記陽極の外側に被メッキ物を配置
して上記被メッキ物の表面にスパッタ薄膜を形成させる
ようにしたスパッタリング装置において、前記真空容器
内に前記被メッキ物がセットされる第１の空間領域と、
セットされない第２の空間領域とを設けるとともに前記
円筒状ターゲットおよび陽事を上記第１および第２の空
間領域に選択的に位置させる位置移動機構を設け、上記
第１の空間領域と上記第２の空間領域との間に雨空間領
域間を選択的に気密しゃ断するパルプを設けてなること
を特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11955082A JPS5913068A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11955082A JPS5913068A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913068A true JPS5913068A (ja) | 1984-01-23 |
| JPS6133076B2 JPS6133076B2 (ja) | 1986-07-31 |
Family
ID=14764080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11955082A Granted JPS5913068A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913068A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1496136A1 (en) * | 2003-07-07 | 2005-01-12 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Vacuum Evaporator |
| US20100155226A1 (en) * | 2007-06-08 | 2010-06-24 | John Madocks | Rotatable magnetron sputtering with axially movable target electrode tube |
| CN113718222A (zh) * | 2021-08-12 | 2021-11-30 | 浙江安胜科技股份有限公司 | 真空器皿表面pvd真空磁控溅射复合着色工艺 |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP11955082A patent/JPS5913068A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1496136A1 (en) * | 2003-07-07 | 2005-01-12 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Vacuum Evaporator |
| CN1322162C (zh) * | 2003-07-07 | 2007-06-20 | 株式会社神户制钢所 | 真空蒸镀装置 |
| US20100155226A1 (en) * | 2007-06-08 | 2010-06-24 | John Madocks | Rotatable magnetron sputtering with axially movable target electrode tube |
| US8535490B2 (en) * | 2007-06-08 | 2013-09-17 | General Plasma, Inc. | Rotatable magnetron sputtering with axially movable target electrode tube |
| CN113718222A (zh) * | 2021-08-12 | 2021-11-30 | 浙江安胜科技股份有限公司 | 真空器皿表面pvd真空磁控溅射复合着色工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6133076B2 (ja) | 1986-07-31 |
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