JPS5913067A - 薄膜生成方法 - Google Patents
薄膜生成方法Info
- Publication number
- JPS5913067A JPS5913067A JP12231082A JP12231082A JPS5913067A JP S5913067 A JPS5913067 A JP S5913067A JP 12231082 A JP12231082 A JP 12231082A JP 12231082 A JP12231082 A JP 12231082A JP S5913067 A JPS5913067 A JP S5913067A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- ion
- electric field
- residual stress
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はイオンブレーティング法、イオンビーム法など
のイオン化した粒子を用いる物理的気相成長法（以下ｐ
ｖｎと略す）によって基板上に所望の薄膜を生成する薄
膜生成法に関するものである０ 従来例の構成とその問題点 一般に、ＰＶＤ法はドライメッキ技術として無公害性１
作業性など種々の長所を有し、多くの産２ページ 業分野で応用されている薄膜生成技術として知られてい
る。中でも、粒子をイオン化して生成させる方法は、基
板との付着強度、膜質などの点で多くの長所、４１１Ｆ
徴を備えた薄膜生成法として注目され、実用が成されて
いる。このような方法で生成された薄膜には、格子欠陥
１表面張力、相転位など種々の要因によって内部応力が
発生する。また、この内部応力は生成膜の材料、膜厚の
他、生成条件によっても応力の強さ、方向が変化するこ
とが知られている。そして、このような応力を含んだ薄
膜を用いた場合、外部から加わる力や熱によって応力の
バランスが崩れ、薄膜の変形や割れ、剥離などの現象を
生じる問題があった０そこで、このような問題の発生を
防ぐため、従来から薄膜の生成条件の検討や生成後のア
ニール処理による残留応力の減少法が考えられている。
のイオン化した粒子を用いる物理的気相成長法（以下ｐ
ｖｎと略す）によって基板上に所望の薄膜を生成する薄
膜生成法に関するものである０ 従来例の構成とその問題点 一般に、ＰＶＤ法はドライメッキ技術として無公害性１
作業性など種々の長所を有し、多くの産２ページ 業分野で応用されている薄膜生成技術として知られてい
る。中でも、粒子をイオン化して生成させる方法は、基
板との付着強度、膜質などの点で多くの長所、４１１Ｆ
徴を備えた薄膜生成法として注目され、実用が成されて
いる。このような方法で生成された薄膜には、格子欠陥
１表面張力、相転位など種々の要因によって内部応力が
発生する。また、この内部応力は生成膜の材料、膜厚の
他、生成条件によっても応力の強さ、方向が変化するこ
とが知られている。そして、このような応力を含んだ薄
膜を用いた場合、外部から加わる力や熱によって応力の
バランスが崩れ、薄膜の変形や割れ、剥離などの現象を
生じる問題があった０そこで、このような問題の発生を
防ぐため、従来から薄膜の生成条件の検討や生成後のア
ニール処理による残留応力の減少法が考えられている。
一方、残留応力を薄膜の用途に応じて積極的に利用する
ことが考えられている。例えば、生成薄膜の残留応力が
有効な用途ではスパッタ法が用いられている。これは、
スパッタ法で生成した薄膜には最終的に圧３ページ 縮応力が残留するためである。１〜かしながら、薄も生
成した薄膜に残留する応力は材料や生成法に−で決まっ
てしまうものであるため、任意の残留応力特性を有する
薄膜を得ることは非常にむずかしいものであった。
ことが考えられている。例えば、生成薄膜の残留応力が
有効な用途ではスパッタ法が用いられている。これは、
スパッタ法で生成した薄膜には最終的に圧３ページ 縮応力が残留するためである。１〜かしながら、薄も生
成した薄膜に残留する応力は材料や生成法に−で決まっ
てしまうものであるため、任意の残留応力特性を有する
薄膜を得ることは非常にむずかしいものであった。
発明の目的
本発、明はこ９ような従来の欠点を解消するものであり
、基板上に生成した薄−に生じる残留応力を制御して輿
望の残留応力を備えた薄膜を得ることができる薄膜生成
、方法を提供することを目的とするものである。、゛ 発明の構成 本発明の薄膜生成□方法は、イオン化粒子を用いたｐｖ
ｎ法によって基板上に所望の薄膜を生成させるにあたり
、上記薄膜の生成中に、上記基板に入射するイオンのイ
オン価を限定しイオンの衝撃エネルギーを均一化したも
のである。かがる方法によれば、基板上に生成した薄膜
に蓄積される残留応力のベクトル、強さを基板に印加す
る電界強度によって制御することができるためにその残
留＋力の方向、量を任意に付与することができ、もって
所望の残留応力特性を有する薄膜を得ることができる利
点を有する。ここで、イオンの価数及びイオンの運動エ
ネルギー量♀゛変化することによって２生成膜の残留応
力が制御されるメカニズムは次のような効果によるもの
と考えられる。その一つは生成膜中に入射するイオンの
運動エネルギーによってイオンが生成膜中に埋め込、ま
れる深さ。
、基板上に生成した薄−に生じる残留応力を制御して輿
望の残留応力を備えた薄膜を得ることができる薄膜生成
、方法を提供することを目的とするものである。、゛ 発明の構成 本発明の薄膜生成□方法は、イオン化粒子を用いたｐｖ
ｎ法によって基板上に所望の薄膜を生成させるにあたり
、上記薄膜の生成中に、上記基板に入射するイオンのイ
オン価を限定しイオンの衝撃エネルギーを均一化したも
のである。かがる方法によれば、基板上に生成した薄膜
に蓄積される残留応力のベクトル、強さを基板に印加す
る電界強度によって制御することができるためにその残
留＋力の方向、量を任意に付与することができ、もって
所望の残留応力特性を有する薄膜を得ることができる利
点を有する。ここで、イオンの価数及びイオンの運動エ
ネルギー量♀゛変化することによって２生成膜の残留応
力が制御されるメカニズムは次のような効果によるもの
と考えられる。その一つは生成膜中に入射するイオンの
運動エネルギーによってイオンが生成膜中に埋め込、ま
れる深さ。
生成膜に与えるダメージが膜厚と共に変化し、その分布
が生成膜全体として方向性を示す０また。
が生成膜全体として方向性を示す０また。
イオン衝撃のエネルギーは大手が熱となって消滅するの
で、ミクロ的に生成膜の表面を考えると。
で、ミクロ的に生成膜の表面を考えると。
イオン衝撃を受けた部分は非常に高いエネルギー密度で
熱衝撃を受けることにな九、薄膜の生成中に同時にア二
一リンクを施すことと等価になる。
熱衝撃を受けることにな九、薄膜の生成中に同時にア二
一リンクを施すことと等価になる。
そして、イオン粒子のイオン価を限定することによって
イオンの衝撃エネルギーは基板に印加する電界強度によ
って定まり、常に一定のエネルギーが付加されることに
よるアニール効果により残留６ページ 応力の量、方向性が決定されるものと考える。。
イオンの衝撃エネルギーは基板に印加する電界強度によ
って定まり、常に一定のエネルギーが付加されることに
よるアニール効果により残留６ページ 応力の量、方向性が決定されるものと考える。。
なお本発明により残留応力を制御する場合にはイオンの
イオン価が問題となるが同時にイオンの質量・−板″不
射時のり“ギー・イ１７量などによ°１制御効果７゛変
化す、ｂｇ−’ｒ、Ｑで化０方式、生成条件、生成物質
、基板材料、形状などに門って制御範囲が限定される。
イオン価が問題となるが同時にイオンの質量・−板″不
射時のり“ギー・イ１７量などによ°１制御効果７゛変
化す、ｂｇ−’ｒ、Ｑで化０方式、生成条件、生成物質
、基板材料、形状などに門って制御範囲が限定される。
次に本発明の骨子となる蒸発粒子のイオン価の制御につ
いて用いたイオンブレーティング法の原理と共に説明す
る。
いて用いたイオンブレーティング法の原理と共に説明す
る。
第１図にブレーティング装置の原理図を示す。
第１図において、装置内のガス圧は１０ＴＯＷ台に保た
れているが、蒸発源４のどく表面ではほぼ蒸発材料の飽
和蒸気圧程度迄ガス圧が上昇する。また蒸発材の蒸発中
には蒸発粒子と共に、熱電子や２次電子などが蒸発源４
から放出される。このような状態で熱電子加速電極３に
正の直流電界を印加すると蒸発源４から放出される電子
は加速育れて熱電子加速電圧に入射する。このようにし
て加１−５ 速された電子は１０〜１ｏ Ｔｏｗというオーダーの６
ページ ガス圧中を移動するため高い確立で蒸発粒子と衝突して
粒子を電離しイオン化するが蒸発粒子のイオン価は加速
電子の運動エネルギーによって決定するので熱電子加速
電極３に」加する直流電界の制御によってイオン化粒子
のイオン価が変化できる。蒸発材がポロンの場合、第一
イオン化ポテンシャルハｓ、ａａＶ 、第二イオン化ポ
テンシャルは２５．１１５Ｖ である。しかし、実際で
は上記イオン化ポテンシャルの２〜３倍程度のエネルギ
ーを加えなければイオン化は十分に成されないとされて
いる。
れているが、蒸発源４のどく表面ではほぼ蒸発材料の飽
和蒸気圧程度迄ガス圧が上昇する。また蒸発材の蒸発中
には蒸発粒子と共に、熱電子や２次電子などが蒸発源４
から放出される。このような状態で熱電子加速電極３に
正の直流電界を印加すると蒸発源４から放出される電子
は加速育れて熱電子加速電圧に入射する。このようにし
て加１−５ 速された電子は１０〜１ｏ Ｔｏｗというオーダーの６
ページ ガス圧中を移動するため高い確立で蒸発粒子と衝突して
粒子を電離しイオン化するが蒸発粒子のイオン価は加速
電子の運動エネルギーによって決定するので熱電子加速
電極３に」加する直流電界の制御によってイオン化粒子
のイオン価が変化できる。蒸発材がポロンの場合、第一
イオン化ポテンシャルハｓ、ａａＶ 、第二イオン化ポ
テンシャルは２５．１１５Ｖ である。しかし、実際で
は上記イオン化ポテンシャルの２〜３倍程度のエネルギ
ーを加えなければイオン化は十分に成されないとされて
いる。
尚、第１図中、１はペルジャー、２は基板、３は熱電子
加速電極、４はルツボ、６は電子ビームガン、６は熱電
子加速電源、７はイオン加速電源（基板電圧源）である
。
加速電極、４はルツボ、６は電子ビームガン、６は熱電
子加速電源、７はイオン加速電源（基板電圧源）である
。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について説明する◇実施例−１
第１図に示したＤＣイオンブレーティング装置により、
電子ビーム蒸発源を用いて、１〜３Ｘ１０−５７ペーン Ｔｏｗのガス圧中でボロンを蒸発させた。この時、熱電
子加速電極３に＋２５Ｖを印加し、基板２には−１，０
ＩＣｖを印加して約１μｍ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン
基板２」−に２０μｍのボロン膜を生成した。
電子ビーム蒸発源を用いて、１〜３Ｘ１０−５７ペーン Ｔｏｗのガス圧中でボロンを蒸発させた。この時、熱電
子加速電極３に＋２５Ｖを印加し、基板２には−１，０
ＩＣｖを印加して約１μｍ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン
基板２」−に２０μｍのボロン膜を生成した。
実施例−２
第１図に示したＤＣイオンプレーテインク装置により、
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１Ｏ−５ＴＯＷ ｏ
’ｆｊ ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加
速電極３に＋２５Ｖを印加し、基板２には−１，２ｋｖ
を印加して約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２
上に２０μｍのボロン膜を生成した。
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１Ｏ−５ＴＯＷ ｏ
’ｆｊ ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加
速電極３に＋２５Ｖを印加し、基板２には−１，２ｋｖ
を印加して約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２
上に２０μｍのボロン膜を生成した。
実施例−３
第１図に示したＤＣイオンブレーティング装置により、
電子ビーム蒸発源を用いて、１〜３×１６５Ｔｏｗのガ
ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３
に＋２５ｖを印加し、基板２には−１，５ｋＶを印加し
て約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０
μｍのボロン膜を生成した。
電子ビーム蒸発源を用いて、１〜３×１６５Ｔｏｗのガ
ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３
に＋２５ｖを印加し、基板２には−１，５ｋＶを印加し
て約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０
μｍのボロン膜を生成した。
比較例−１
第１図に示したＤＣイオンブレーティング装置により、
電子ビーム蒸発源を用いて、１〜３×１６５Ｔｏｗのガ
ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３
に＋７０Ｖを印加し、基板２には−０，１ｋＶｉ印加し
て約１７１ｎ ７ｍ Ｉｎの蒸着゛速度でチタン・基板
２上に２０μｍのボロン膜を生成した。
電子ビーム蒸発源を用いて、１〜３×１６５Ｔｏｗのガ
ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３
に＋７０Ｖを印加し、基板２には−０，１ｋＶｉ印加し
て約１７１ｎ ７ｍ Ｉｎの蒸着゛速度でチタン・基板
２上に２０μｍのボロン膜を生成した。
比較例−２
第１図に示したＤＣイオンブレーティング装置により、
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１Ｏ−５ＴＯＷノカ
ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３
に＋７０Ｖを印加し、基板２には一〇、６ｋｖヲ印加し
て約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０
μｍのボロン膜を生成した。
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１Ｏ−５ＴＯＷノカ
ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３
に＋７０Ｖを印加し、基板２には一〇、６ｋｖヲ印加し
て約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０
μｍのボロン膜を生成した。
比較例−３
第１図に示したＤＣイオンブレーティング装置により、
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１１０−５Ｔｏのガ
ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３
に＋ＴｏＶｔ印加し、基板２には−１，○ｋｖヲ印加し
て約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０
μｍのボロン膜を生成した。
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１１０−５Ｔｏのガ
ス圧中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３
に＋ＴｏＶｔ印加し、基板２には−１，○ｋｖヲ印加し
て約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０
μｍのボロン膜を生成した。
比較例−４
９ページ
第１図に示したＤＣイオンブレーティング装置により、
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１１０−５Ｔｏのク
ス圧中でボ・ンを蒸発さ竺た・この時熱電子加速電極３
に＋７０Ｖｉ印加し、基板２には１．５ｋｌ：印加して
約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０ｐ
ｍのボロン膜を生成した。
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１１０−５Ｔｏのク
ス圧中でボ・ンを蒸発さ竺た・この時熱電子加速電極３
に＋７０Ｖｉ印加し、基板２には１．５ｋｌ：印加して
約１μｎ／ｍｉｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０ｐ
ｍのボロン膜を生成した。
比較例−５
第１図に示したＤＣイオンブレーティング装置により、
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１０Ｔｏｗのガス圧
中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３基板
４には電界を印加せず、真空蒸着法にて約１μｎ／ｍｉ
ｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０μｍのボロン膜を
生成した。
電子ビーム蒸発源を用いて１〜３×１０Ｔｏｗのガス圧
中でボロンを蒸発させた。この時熱電子加速電極３基板
４には電界を印加せず、真空蒸着法にて約１μｎ／ｍｉ
ｎの蒸着速度でチタン基板２上に２０μｍのボロン膜を
生成した。
実施例、比較例によって処理した基板を濃度０．６ ｗ
ｔ％ のフッ酸溶液に浸してチタン基板をエッチオフし
、基板上に生成したボロン膜の形状（反り量）で評価し
た結果を第２図に示す。反り量は圧縮性（基板側に凹）
を十引張性（基板側に凸）を−として表示した０ 第２図に示したように本実施例では基板に印加１０ペー
ジ する電圧と生成膜に残留する応力（二反り）の量。
ｔ％ のフッ酸溶液に浸してチタン基板をエッチオフし
、基板上に生成したボロン膜の形状（反り量）で評価し
た結果を第２図に示す。反り量は圧縮性（基板側に凹）
を十引張性（基板側に凸）を−として表示した０ 第２図に示したように本実施例では基板に印加１０ペー
ジ する電圧と生成膜に残留する応力（二反り）の量。
方向とに相関が見られ、基板に印加する電圧によって、
残留応力を制御できることがわかる。しかし、比較例１
〜３における残留応力の変化は、基板に印加する電圧の
変化に対し、ランダムな挙動を示し、残留する応力の強
度も実施例に比べて、高く、単にイオンの加速エネルギ
ーを変化させても応力の制御は不可能である。
残留応力を制御できることがわかる。しかし、比較例１
〜３における残留応力の変化は、基板に印加する電圧の
変化に対し、ランダムな挙動を示し、残留する応力の強
度も実施例に比べて、高く、単にイオンの加速エネルギ
ーを変化させても応力の制御は不可能である。
発明の効果
以上、詳述したように本発明によれば、生成膜に残留す
る応力を任意にしかも容易に制御するこが可能となり、
使用目的に合致した生成膜を提供することが可能となる
。また従来より残留応力の緩和法として用いられていた
薄膜生成中の加熱工程、又は２次熱処理が不要となり、
設備、工程の簡略化とコストダウンが可能となる利点を
有する。
る応力を任意にしかも容易に制御するこが可能となり、
使用目的に合致した生成膜を提供することが可能となる
。また従来より残留応力の緩和法として用いられていた
薄膜生成中の加熱工程、又は２次熱処理が不要となり、
設備、工程の簡略化とコストダウンが可能となる利点を
有する。
第１図はＤＣイオンブレーティング装置の概略構成図、
第２図は本発明の方法により得られた生成膜の残留応力
特性を示す図である。 １１ベージ ト・・・・・ペルジャー、２・・・・・・基板、３・・
・・・・熱電子加速電極、４・・・・・・ボロンルツボ
、６・・・・・・を子ビームガン、６・・・・・・熱電
子加速電源、７・・・・・・イオン加速電源（基板電圧
電源）０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１１ｊｌ 、１１ＰｆＬ辰
第２図は本発明の方法により得られた生成膜の残留応力
特性を示す図である。 １１ベージ ト・・・・・ペルジャー、２・・・・・・基板、３・・
・・・・熱電子加速電極、４・・・・・・ボロンルツボ
、６・・・・・・を子ビームガン、６・・・・・・熱電
子加速電源、７・・・・・・イオン加速電源（基板電圧
電源）０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１１ｊｌ 、１１ＰｆＬ辰
Claims (1)
- （１）低イオン化粒子を用いて物理的気相成長法によっ
て基板上に薄膜を生成させることを特徴とする薄膜生成
方法０ （２イオン化粒子のイオン価が２以下であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12231082A JPS5913067A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 薄膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12231082A JPS5913067A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 薄膜生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913067A true JPS5913067A (ja) | 1984-01-23 |
| JPH0138871B2 JPH0138871B2 (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=14832788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12231082A Granted JPS5913067A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 薄膜生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913067A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167767A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-07 | Canon Inc | 膜形成方法 |
| JPS6191354A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Canon Inc | 耐摩耗性多層膜付き母材 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50118978A (ja) * | 1974-03-04 | 1975-09-18 | ||
| JPS5322168A (en) * | 1976-08-12 | 1978-03-01 | Tsuneo Nishida | Apparatus and process for ionic plating of hottcathode discharge type |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP12231082A patent/JPS5913067A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50118978A (ja) * | 1974-03-04 | 1975-09-18 | ||
| JPS5322168A (en) * | 1976-08-12 | 1978-03-01 | Tsuneo Nishida | Apparatus and process for ionic plating of hottcathode discharge type |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167767A (ja) * | 1984-09-11 | 1986-04-07 | Canon Inc | 膜形成方法 |
| JPS6191354A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Canon Inc | 耐摩耗性多層膜付き母材 |
| JPH0576537B2 (ja) * | 1984-10-11 | 1993-10-22 | Canon Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0138871B2 (ja) | 1989-08-16 |
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