JPS59130485A - 光起電力装置 - Google Patents
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- JPS59130485A JPS59130485A JP58004190A JP419083A JPS59130485A JP S59130485 A JPS59130485 A JP S59130485A JP 58004190 A JP58004190 A JP 58004190A JP 419083 A JP419083 A JP 419083A JP S59130485 A JPS59130485 A JP S59130485A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006063 cullet Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 2
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光起電力装置、特に発電に寄与する電子または
正孔を発生する非晶質シリコン層を形成する絶縁基板の
構造に関するものである。
正孔を発生する非晶質シリコン層を形成する絶縁基板の
構造に関するものである。
近年、太陽光線を電気エネルギーや熱エネルギーに変換
する各種の装置が研究されており、その中で太陽電池は
最も将来性のある製品として脚光をあびてきた。また、
光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体材料の
研究も盛んに行なわれ、その利用効率を高めるだめの最
大の技術革新として安価にしかも大せに形成できる非晶
質シリコンが利用され＆Ｊ−うになった。この非晶質シ
リコン膜はガラス基板の上に８ｉＨ４，Ｂｄ（ｓまたは
Ｐ）ｉｓなどの雰囲気中でプラズマＣＶＤやグロー放電
などの手段によシ形成することができる。
する各種の装置が研究されており、その中で太陽電池は
最も将来性のある製品として脚光をあびてきた。また、
光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体材料の
研究も盛んに行なわれ、その利用効率を高めるだめの最
大の技術革新として安価にしかも大せに形成できる非晶
質シリコンが利用され＆Ｊ−うになった。この非晶質シ
リコン膜はガラス基板の上に８ｉＨ４，Ｂｄ（ｓまたは
Ｐ）ｉｓなどの雰囲気中でプラズマＣＶＤやグロー放電
などの手段によシ形成することができる。
第１図は最も一般的に用いられている光起電力装置の一
例を示す要部断面構成図である。同図において、光起電
力装＠ｉは、例えば透光性ガラス板からなる絶縁基板２
と、この絶縁基板２上に被着形成された透明導電電極３
と、この透明導電電極３上にＰ形弁晶質シリコン層４ａ
、真性非晶質シリコン層４ｂ、Ｎ形非晶質シリコン層４
ｃの顆に被着形成された非晶質シリコン層４と、このＮ
形弁晶質シリコン層４ｃに形成された集電電極５とから
構成され、前記透光性ガラス基板２の外面から例えば外
来光りが入射することによって、透明導′ｆｋｔ電極３
と集電電極５との間に入射光量に対応した起電力が出力
されることになる。
例を示す要部断面構成図である。同図において、光起電
力装＠ｉは、例えば透光性ガラス板からなる絶縁基板２
と、この絶縁基板２上に被着形成された透明導電電極３
と、この透明導電電極３上にＰ形弁晶質シリコン層４ａ
、真性非晶質シリコン層４ｂ、Ｎ形非晶質シリコン層４
ｃの顆に被着形成された非晶質シリコン層４と、このＮ
形弁晶質シリコン層４ｃに形成された集電電極５とから
構成され、前記透光性ガラス基板２の外面から例えば外
来光りが入射することによって、透明導′ｆｋｔ電極３
と集電電極５との間に入射光量に対応した起電力が出力
されることになる。
従来よシ、太陽電池の用途拡大のためには、それの応用
範囲の拡大が必要とされておシ、その機能の一つとして
どのような曲面を有する場所においても容易に取り付け
ることができるように形成することも一つの用途拡大、
光吸収効率の拡大につながるものと考えられる。この要
求の一つとして、基板の材料に関しては、例えば特開昭
５２−１６９９０号公報では、ステンレス鋼板や透明電
極の付与されたガラス基板が提案されている。また特開
昭５４−１４９４８９号公報では、ポリイミド等の樹脂
薄膜の基板への利用が考え出され、可撓性、比較的耐熱
性に富むことをメリットにして提案されている。
範囲の拡大が必要とされておシ、その機能の一つとして
どのような曲面を有する場所においても容易に取り付け
ることができるように形成することも一つの用途拡大、
光吸収効率の拡大につながるものと考えられる。この要
求の一つとして、基板の材料に関しては、例えば特開昭
５２−１６９９０号公報では、ステンレス鋼板や透明電
極の付与されたガラス基板が提案されている。また特開
昭５４−１４９４８９号公報では、ポリイミド等の樹脂
薄膜の基板への利用が考え出され、可撓性、比較的耐熱
性に富むことをメリットにして提案されている。
しかしながら、基板にステンレス鋼板の薄板を使用した
ときは、オーミックコンタクトを得るためには極めて精
にの高い表面光沢研磨を必要とする。また、平滑な表面
をもつ絶縁膜をコーティングする方法では有機質の耐熱
性のフィルムをコーティングすることも行なわれている
。しかしながら、金属表面の光沢研磨に要する費用は莫
大なものであシ、実用性に問題がある。また、有機質の
コーテイング膜の方法では、金属との密着性が乏しく、
積層界面での欠点が発生しやすい。さらには絶縁性、平
滑性、ｖ度の点などにおいて、充分に実用性を満足する
ものは得られていない。
ときは、オーミックコンタクトを得るためには極めて精
にの高い表面光沢研磨を必要とする。また、平滑な表面
をもつ絶縁膜をコーティングする方法では有機質の耐熱
性のフィルムをコーティングすることも行なわれている
。しかしながら、金属表面の光沢研磨に要する費用は莫
大なものであシ、実用性に問題がある。また、有機質の
コーテイング膜の方法では、金属との密着性が乏しく、
積層界面での欠点が発生しやすい。さらには絶縁性、平
滑性、ｖ度の点などにおいて、充分に実用性を満足する
ものは得られていない。
一方、ガラス基板を使用する方法は、７レキシプル性が
ない。また、ポリイミド等の樹脂薄膜を基板に使用する
方法では、フレキシブル性を有するが、機械的強Ｋか弱
く、傷がつき易く、化学的にも弱いので、長期間の使用
によシ、表面の変質劣化がみられる。また、耐熱性の点
においても、無機材料に相当する程度の耐熱性は得られ
なかった。この場合、耐熱性、を必要とする理由は、非
晶質シリコン層などの形成のときに、その膜の特性向上
、接着性の強化を目的として基板加熱を行なうことに起
因している。
ない。また、ポリイミド等の樹脂薄膜を基板に使用する
方法では、フレキシブル性を有するが、機械的強Ｋか弱
く、傷がつき易く、化学的にも弱いので、長期間の使用
によシ、表面の変質劣化がみられる。また、耐熱性の点
においても、無機材料に相当する程度の耐熱性は得られ
なかった。この場合、耐熱性、を必要とする理由は、非
晶質シリコン層などの形成のときに、その膜の特性向上
、接着性の強化を目的として基板加熱を行なうことに起
因している。
したがって本発明は前述した従来の欠点に鑑みてなされ
たものでアシ、その目的とするところは、半径約４０圏
までの折り曲げが自在となシ、化学的耐久性にも優れ、
耐熱性１機械的強度を大幅に向上させ、品質、信頼性の
高い光起電刃装置を提供することにある。
たものでアシ、その目的とするところは、半径約４０圏
までの折り曲げが自在となシ、化学的耐久性にも優れ、
耐熱性１機械的強度を大幅に向上させ、品質、信頼性の
高い光起電刃装置を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、フレキシブ
ル金属基板の表面に膜厚約１００μｍ以下のＰｂＯＢ２
Ｏ３系低融点ガラスを焼き付けて平滑化し、かつ絶縁性
とフレキシブル性を具備した基板を用いるものである。
ル金属基板の表面に膜厚約１００μｍ以下のＰｂＯＢ２
Ｏ３系低融点ガラスを焼き付けて平滑化し、かつ絶縁性
とフレキシブル性を具備した基板を用いるものである。
次に、本発明゛の実施例を詳細に説明する。
まず、フレキシブル金）ＦＡ基板を脱脂洗浄し、表面の
錆を落すために一般的な酸洗浄や還元処理を行なう。そ
して、このフレキシブル金属基板の表面に下記に示す組
成からなる組成物をコーティングする。
錆を落すために一般的な酸洗浄や還元処理を行なう。そ
して、このフレキシブル金属基板の表面に下記に示す組
成からなる組成物をコーティングする。
ＰｂＯ７０〜８０重量係
ｋｈＯｓ 、１０〜２０重量係
Ｚｎ０ ０〜１０重ｆｉＳ
Ｓ墓Ｃ１２０〜 １ ０１匡ｆ ％
この場合、このような組成を選択した理由は、金属のア
ニール温度以下で焼き付けられ、余分な熱歪や熱変形を
生じさせないこと、金属の酸化が少ないこと、ガラスｊ
ｓ充分に良く流動し、平滑性と密漕性が容易に得られる
ことなどによる。。本発明に使用する低融点ガラスは、
表面張力が小さく、金属と良く藺れるので、密着性が得
られる。
ニール温度以下で焼き付けられ、余分な熱歪や熱変形を
生じさせないこと、金属の酸化が少ないこと、ガラスｊ
ｓ充分に良く流動し、平滑性と密漕性が容易に得られる
ことなどによる。。本発明に使用する低融点ガラスは、
表面張力が小さく、金属と良く藺れるので、密着性が得
られる。
この低融点ガラスは、約１２００°Ｃで溶融し、フレー
ク状のカレットにしたものを粉砕して約２００メツシユ
以下の大きさにする。これをフリットとして適白なバイ
ンダー／Ｌ：溶剤または水と混合して塗布する手段によ
って最適な粘度のスリップに調製する。
ク状のカレットにしたものを粉砕して約２００メツシユ
以下の大きさにする。これをフリットとして適白なバイ
ンダー／Ｌ：溶剤または水と混合して塗布する手段によ
って最適な粘度のスリップに調製する。
次に、基板への塗布手段は、浸漬、印刷、沈降。
ロールコータ、オフセット転写および電気的沈着法など
適当な方法が選択できる。
適当な方法が選択できる。
次に、途布が完了した基板は、加熱炉で５５０°Ｃ〜６
５０°Ｃで３分間〜ｌＯ分間焼き付ける。この場合、焼
き付けられたガラス被膜の厚みは、１μｍ〜１００μｍ
の間に入るものが最適であった。
５０°Ｃで３分間〜ｌＯ分間焼き付ける。この場合、焼
き付けられたガラス被膜の厚みは、１μｍ〜１００μｍ
の間に入るものが最適であった。
その理由は、ガラス被膜の厚さが１μｍ以下の場合は普
通一般の表面粗さく０．１μｍ ＝ １μｍ）を持つ金
属表面の絶縁性が得られない。一方、ガラス被膜の厚さ
が１００μｍ以上となると、金属とガラスとの間の熱収
量率の差による歪や変形が生じることおよびフレキシブ
ル性試験の半径約４０圏の変形に対して亀裂が生じる。
通一般の表面粗さく０．１μｍ ＝ １μｍ）を持つ金
属表面の絶縁性が得られない。一方、ガラス被膜の厚さ
が１００μｍ以上となると、金属とガラスとの間の熱収
量率の差による歪や変形が生じることおよびフレキシブ
ル性試験の半径約４０圏の変形に対して亀裂が生じる。
したがって、ガラス被膜の厚さは１μｍ ＝ ｌ Ｏ０
μｍの範囲に形成すれば良い。
μｍの範囲に形成すれば良い。
′第２図は本発明による光起電力装置の一例を示す項部
断面構成図であり、第１図と同記号は同−秩素となるの
でその説明は省略する。同図において、６はフレキシブ
ル金属基板、７はフレキシブル金属基板ｌの表面に形成
されたガラス被膜７である。
断面構成図であり、第１図と同記号は同−秩素となるの
でその説明は省略する。同図において、６はフレキシブ
ル金属基板、７はフレキシブル金属基板ｌの表面に形成
されたガラス被膜７である。
次に具体的な実施例を用いて説明する。
実施例１゜
フレキシブル金属基板６として板厚０−１ ｍｍを有す
るＳＵ８３０４と称するＦｅ−Ｎｉ Ｃｒ系ステン
レス基板を使用した。ここでまず、このフレキシブル金
属基板６をトリクレンおよびアルカリ洗浄剤で充分に表
面の汚れを落した。次に、約６０°Ｃの８Ｘ量チの硫酸
に約５分間浸漬し、表面の錆を落すと同時に１金属表面
へのガラスの密着性を良くするために表面に凹凸をつけ
た。さらに密着性を良くする手段として、金属ニッケル
を付着させるために約７０°Ｃの硫酸ニッケル液に約５
分間浸漬させた。次に中和のために炭酸ソーダと硼砂と
を加えた約４０°Ｃの水溶液に約５分間浸漬させて、金
属基板の前処理を完了した。次に、ガラスフリットとし
て次の組成のガラスを白金ルツボで約１２００ ”Ｃで
３０分間溶融した。
るＳＵ８３０４と称するＦｅ−Ｎｉ Ｃｒ系ステン
レス基板を使用した。ここでまず、このフレキシブル金
属基板６をトリクレンおよびアルカリ洗浄剤で充分に表
面の汚れを落した。次に、約６０°Ｃの８Ｘ量チの硫酸
に約５分間浸漬し、表面の錆を落すと同時に１金属表面
へのガラスの密着性を良くするために表面に凹凸をつけ
た。さらに密着性を良くする手段として、金属ニッケル
を付着させるために約７０°Ｃの硫酸ニッケル液に約５
分間浸漬させた。次に中和のために炭酸ソーダと硼砂と
を加えた約４０°Ｃの水溶液に約５分間浸漬させて、金
属基板の前処理を完了した。次に、ガラスフリットとし
て次の組成のガラスを白金ルツボで約１２００ ”Ｃで
３０分間溶融した。
ｐｂｏ ７５重量％
Ｂ２０！ １５重量％
Ｚｎ０ ５重量％
８１０２５重量％
次に、この溶融ガラスを薄くフレーク状に急冷し、ボー
ルミルで粗粉砕し、約２００メツシユの為で篩別した。
ルミルで粗粉砕し、約２００メツシユの為で篩別した。
次にこのガラス粉末１００ｇに対して粘土を５ｇ、硼砂
を０．５ ｇ 、珪石を３．５ ｇ 、炭酸アンモンを
０．３ｇ添加し、水を同量加えてボールミルで約１５時
間ミル引きを行ない、スリップを調製した。次に前述し
た前処理を完了しているフレキシブル金属基板６を、前
記スリップの中に浸漬して引き上げて均一な未焼成のガ
ラス粉末被膜を得た。引き続き乾燥後、約６５０℃の加
熱炉の中に投入し、約５分間保持した。そして、炉中か
ら取シ出し、ガラス被膜７の厚さを測定した結果、３０
μｍ〜４０μｍの間にあシ、平均値は３５μｍであった
。
を０．５ ｇ 、珪石を３．５ ｇ 、炭酸アンモンを
０．３ｇ添加し、水を同量加えてボールミルで約１５時
間ミル引きを行ない、スリップを調製した。次に前述し
た前処理を完了しているフレキシブル金属基板６を、前
記スリップの中に浸漬して引き上げて均一な未焼成のガ
ラス粉末被膜を得た。引き続き乾燥後、約６５０℃の加
熱炉の中に投入し、約５分間保持した。そして、炉中か
ら取シ出し、ガラス被膜７の厚さを測定した結果、３０
μｍ〜４０μｍの間にあシ、平均値は３５μｍであった
。
このような方法で製作したガラス被膜７の上に抵抗加熱
蒸着によりＡｔ膜を約２０００人の厚さに形成して所定
の電極形状となるようにフォトエツチングして集電電極
５を形成し、さらにその上にＰ形の非晶質シリコン層４
ａを形成するために真空装置内で約０．５ Ｔｏｒｒと
なるように約３． Ｏ％のｂｈＢｓを含む８ｉＨ＜の雰
囲気に調整した後、金属基板６を約３００ ”ｐに保持
して約０．５ ｍＡ／ｉの電流密度をもって約２秒間グ
ロー放電を行ない約１０ＯＡの厚さにＰ形弁晶質シリコ
ン層４ａを形成した。
蒸着によりＡｔ膜を約２０００人の厚さに形成して所定
の電極形状となるようにフォトエツチングして集電電極
５を形成し、さらにその上にＰ形の非晶質シリコン層４
ａを形成するために真空装置内で約０．５ Ｔｏｒｒと
なるように約３． Ｏ％のｂｈＢｓを含む８ｉＨ＜の雰
囲気に調整した後、金属基板６を約３００ ”ｐに保持
して約０．５ ｍＡ／ｉの電流密度をもって約２秒間グ
ロー放電を行ない約１０ＯＡの厚さにＰ形弁晶質シリコ
ン層４ａを形成した。
次に不純物を全く含まない真性非晶質シリコンをＳｉＨ
４を約０．５ ’Ｊ’ｏｒｒ含む雰囲気中で約２ ｍＡ
／ｉの電流密度をもって約１５分間グロー放電を行ない
、約１００ＯＡの厚さに真性非晶質シリコンＮ４ｂを形
成した。次に０．５チのＰＩ（３を含む８ｉ）ｉ４の０
．５Ｔｏｒｒ雰囲気中で１．０ ｍＡ／ｅｖｉｌの電流
密度をもってグロー放電を行ない約１０ＯＡの厚さにＮ
形弁晶質シリコン層４Ｃを形成した。次にその上面に酸
化雷 ｃ−Ｕ）よ２な侮底艮工ｎぼ、非晶質シリコン層４はｌ
□−７秒以上のキャリア寿命を有し、平均局在状態密度
は１０ンｄ以下で、また１ ０−３ｃ４／Ｖ・秒の易動
度を有していることが確認され、太陽電池として優れた
特性を有していることがわかった。また、このように構
成された光起電力装置を半径４０閣の曲率に折り曲げた
結果、全く破損がなく、折シ曲けた後の特性にも同等変
化は全く生じなかった。
４を約０．５ ’Ｊ’ｏｒｒ含む雰囲気中で約２ ｍＡ
／ｉの電流密度をもって約１５分間グロー放電を行ない
、約１００ＯＡの厚さに真性非晶質シリコンＮ４ｂを形
成した。次に０．５チのＰＩ（３を含む８ｉ）ｉ４の０
．５Ｔｏｒｒ雰囲気中で１．０ ｍＡ／ｅｖｉｌの電流
密度をもってグロー放電を行ない約１０ＯＡの厚さにＮ
形弁晶質シリコン層４Ｃを形成した。次にその上面に酸
化雷 ｃ−Ｕ）よ２な侮底艮工ｎぼ、非晶質シリコン層４はｌ
□−７秒以上のキャリア寿命を有し、平均局在状態密度
は１０ンｄ以下で、また１ ０−３ｃ４／Ｖ・秒の易動
度を有していることが確認され、太陽電池として優れた
特性を有していることがわかった。また、このように構
成された光起電力装置を半径４０閣の曲率に折り曲げた
結果、全く破損がなく、折シ曲けた後の特性にも同等変
化は全く生じなかった。
また、ガラス被膜７のピンホールによる絶に不良。
平滑性の低下による特性劣化がなく、高歩留シで光起電
力装置を製造することができた。
力装置を製造することができた。
実施例２゜
金属基板６の材質７寸法および前処理は、実施例１と全
く同じとした。また、ガラス被Ｍ７の組成も実施例１と
全く同じとし、ガラス粉本はフレーク状カレットを充分
に良く粉砕し、約４００メツシユの篩を通過させた。こ
のガラス粉末１００ｇに対してバインダーとしてニトロ
セルロース０、５ ｇ 、溶剤としてカルピトールアセ
テート１５ｇを加えて充分に混練してペーストを調製し
た。
く同じとした。また、ガラス被Ｍ７の組成も実施例１と
全く同じとし、ガラス粉本はフレーク状カレットを充分
に良く粉砕し、約４００メツシユの篩を通過させた。こ
のガラス粉末１００ｇに対してバインダーとしてニトロ
セルロース０、５ ｇ 、溶剤としてカルピトールアセ
テート１５ｇを加えて充分に混練してペーストを調製し
た。
このものを所定のパターンに前記金属基板６の表面に印
刷およびロールコータによチ塗布した。以下の工程は実
施例１と全く同じ方法で光起電力装置を製作した。
刷およびロールコータによチ塗布した。以下の工程は実
施例１と全く同じ方法で光起電力装置を製作した。
このような構成においても、特性およびフレキシブル性
９歩留り等は実施例１の結果と全く同じ良好な結果を示
した。この方式はガラス被膜７が必要な部分のみにコー
ティングされているので、大きな基板で多数個の光起電
力素子を形成し、すべての工程を完成した後にガラス被
膜７がコーティングされていない部分で分割切断するこ
とも可能となり、製造コストを安くすることができる。
９歩留り等は実施例１の結果と全く同じ良好な結果を示
した。この方式はガラス被膜７が必要な部分のみにコー
ティングされているので、大きな基板で多数個の光起電
力素子を形成し、すべての工程を完成した後にガラス被
膜７がコーティングされていない部分で分割切断するこ
とも可能となり、製造コストを安くすることができる。
以上説明したように本発明による光起電力装置によれば
、フレキシブル金属基板の表面を低融点ガラス被膜でコ
ーティングした基板を使用することによって、折多曲げ
自在となシ、化学的耐久性にも優れ、耐熱性が極めて高
く、品質の安定した太陽電池が得られ、また強度も極め
て大きいので、簡単に破壊されることなく、安全であシ
、応用範囲が大幅に拡大できるなどの極めて優れた効果
が得られる。
、フレキシブル金属基板の表面を低融点ガラス被膜でコ
ーティングした基板を使用することによって、折多曲げ
自在となシ、化学的耐久性にも優れ、耐熱性が極めて高
く、品質の安定した太陽電池が得られ、また強度も極め
て大きいので、簡単に破壊されることなく、安全であシ
、応用範囲が大幅に拡大できるなどの極めて優れた効果
が得られる。
第１図は光起電力装置の一例を示す要部断面構成図、第
２図は本発明による光起電力装置の一例を示す要部断面
構成図である。 １・・・・光起電力装置、３・・・・透明導電電極、今
・・・・非晶質シリコン層、４ａ・・・・Ｐ形弁晶質シ
リコン層、４ｂ・・・・真性非晶質シリコン層、４Ｃ・
・・・へ形弁晶質シリコン層、５・・・・集電電極、６
・・・・フレキシブル金践基板、７・・・・低融点ガラ
ス被膜。 早１図 猶２図
２図は本発明による光起電力装置の一例を示す要部断面
構成図である。 １・・・・光起電力装置、３・・・・透明導電電極、今
・・・・非晶質シリコン層、４ａ・・・・Ｐ形弁晶質シ
リコン層、４ｂ・・・・真性非晶質シリコン層、４Ｃ・
・・・へ形弁晶質シリコン層、５・・・・集電電極、６
・・・・フレキシブル金践基板、７・・・・低融点ガラ
ス被膜。 早１図 猶２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に光照射によシ起電に寄与する電子または正
孔を発生する非晶質シリコン層と、前記非晶質シリコン
層の外面に接触させて前記起電力を集電する一対の電極
とを少なくとも具備してなる光起電力装置において、前
記基板はフレキシブル金属基板とするとともに、該フレ
キシブル金属基板の上で前記電極形成面下に少なくとも
ＰｂＯ、ＢｚＯｓを含む組成物からなるｐｂｏ Ｂｚ
Ｏｓ系低融点ガラス層を膜厚１〜１００１００１ｉ＠囲
で設けたことを特徴とする光起電力装置。 ２、前記低融点ガラス層の組成物にＺｎＯを含有させた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光起電力
装置。 ３、 前記低融点ガラス層の組成物にＺｎＯ、８１０ｘ
を含有させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004190A JPS59130485A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004190A JPS59130485A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59130485A true JPS59130485A (ja) | 1984-07-27 |
Family
ID=11577777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58004190A Pending JPS59130485A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59130485A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014110349A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Showa Shell Sekiyu Kk | 薄膜太陽電池の製造方法 |
-
1983
- 1983-01-17 JP JP58004190A patent/JPS59130485A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014110349A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Showa Shell Sekiyu Kk | 薄膜太陽電池の製造方法 |
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