JPS59129882U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

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Publication number
JPS59129882U
JPS59129882U JP2528183U JP2528183U JPS59129882U JP S59129882 U JPS59129882 U JP S59129882U JP 2528183 U JP2528183 U JP 2528183U JP 2528183 U JP2528183 U JP 2528183U JP S59129882 U JPS59129882 U JP S59129882U
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JP
Japan
Prior art keywords
epitaxial growth
phase epitaxial
liquid phase
growth equipment
boat
Prior art date
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Pending
Application number
JP2528183U
Other languages
English (en)
Inventor
哲夫 芝
和久 高橋
健志 池田
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Priority to JP2528183U priority Critical patent/JPS59129882U/ja
Publication of JPS59129882U publication Critical patent/JPS59129882U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はそれぞれ従来の液相成長装置の一
例を示す斜視図および縦断面図、第３図はこの考案の一
実施例の液相成長装置を示す斜視図である。 図において、１はボート台、２は凹部、３ａはスライデ
ィングボート、４は溶液だめ、５は溶液だめ４の取りは
ずし可能な側壁（溶液だめの側壁の取りはずし可能な部
分）である。なお、図中同一符号はそれぞれ同一または
相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板を保持する凹部が設けられたボート台と、こ
    のボート台の表面上をスライドして上記凹部内に保持さ
    れた上記半導体基板の主面上にこの主面との接触によっ
    て結晶層を液相エピタキシャル成長させる溶液をたくわ
    えた溶液だめが設けられたスライディングボートとを備
    えたものにおいて、上記溶液だめの側壁の一部分を取り
    はずし可能にしたことを特徴とする液相エピタキシャル
    成長装置。
JP2528183U 1983-02-21 1983-02-21 液相エピタキシヤル成長装置 Pending JPS59129882U (ja)

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JPS59129882U true JPS59129882U (ja) 1984-08-31

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ID=30156270

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