JPS58168571U - 液相エピタキシヤル成長用装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長用装置Info
- Publication number
- JPS58168571U JPS58168571U JP6356782U JP6356782U JPS58168571U JP S58168571 U JPS58168571 U JP S58168571U JP 6356782 U JP6356782 U JP 6356782U JP 6356782 U JP6356782 U JP 6356782U JP S58168571 U JPS58168571 U JP S58168571U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid phase
- epitaxial growth
- phase epitaxial
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図と第２図は、従来用いられている液相エピタキシ
ャル成長装置の一例の横断面図、第３図Ａ、 Ｂ、 Ｃ
は、本考案による液相エピタキシャル成長用装置の一実
施例の横断面図である。なお、図中用いた記号は次のと
おりである。 ’１，９．１８・・・溶液だめ、２． １１． １９・
・・装置本体、３．２０・・・通路、４． １５． ２
６・・・基板保持板、５． １０． ２３・・・結晶基
板、６．２７・・・成長用溶液、？、１６．２５・・・
くぼみ、８，１７゜２８・・・矢印、１２．２１・・・
装置本体くぼみ、１３゜２２・・・保護用基板、１４・
・・間隔、２４・・・基板固定 ′板。
ャル成長装置の一例の横断面図、第３図Ａ、 Ｂ、 Ｃ
は、本考案による液相エピタキシャル成長用装置の一実
施例の横断面図である。なお、図中用いた記号は次のと
おりである。 ’１，９．１８・・・溶液だめ、２． １１． １９・
・・装置本体、３．２０・・・通路、４． １５． ２
６・・・基板保持板、５． １０． ２３・・・結晶基
板、６．２７・・・成長用溶液、？、１６．２５・・・
くぼみ、８，１７゜２８・・・矢印、１２．２１・・・
装置本体くぼみ、１３゜２２・・・保護用基板、１４・
・・間隔、２４・・・基板固定 ′板。
Claims (1)
- 複数の溶液溜を具備し、さらに、この溶液溜底部を横ぎ
って延びる通路を具備している装置本体′ と、表
面に基板保持用の窪みを具備し、前記溶液溜の開放され
た底部を横ぎって延びる通路に摺動し得るようにして設
けられた基板保持板とから成る液相エピタキシャル成長
用装置において、前記装置本体端部の前記通路に面した
部分に、基板固定用の孔を設けた基板固定板及び前記基
板固定板と保護用基板とが収納できる窪みを具備してい
ることを特徴とする液相エピタキシャル成長用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6356782U JPS58168571U (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 液相エピタキシヤル成長用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6356782U JPS58168571U (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 液相エピタキシヤル成長用装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168571U true JPS58168571U (ja) | 1983-11-10 |
| JPS621258Y2 JPS621258Y2 (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=30073667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6356782U Granted JPS58168571U (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 液相エピタキシヤル成長用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168571U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117616A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP6356782U patent/JPS58168571U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117616A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS621258Y2 (ja) | 1987-01-13 |
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