JPS6092824U - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents

液相エピタキシヤル成長装置

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Publication number
JPS6092824U
JPS6092824U JP18623583U JP18623583U JPS6092824U JP S6092824 U JPS6092824 U JP S6092824U JP 18623583 U JP18623583 U JP 18623583U JP 18623583 U JP18623583 U JP 18623583U JP S6092824 U JPS6092824 U JP S6092824U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid phase
epitaxial growth
phase epitaxial
substrate
melt
Prior art date
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Pending
Application number
JP18623583U
Other languages
English (en)
Inventor
幸裕 笹谷
Original Assignee
住友電気工業株式会社
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Publication date
Application filed by 住友電気工業株式会社 filed Critical 住友電気工業株式会社
Priority to JP18623583U priority Critical patent/JPS6092824U/ja
Publication of JPS6092824U publication Critical patent/JPS6092824U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の構成と使用方法を示す断面図、第２図は
本考案の一実施例の構成を示す断面図、第３図は第２図
示の装置の使用方法を示す断面図である。 １．１０・・・・・・基板ホルダー、２・・・・・・メ
ルトホルダー、３，１１・・・・・・基板収納用凹部、
４・・・・・・半導体基板、５・・・・・・半導体メル
ト、６，１６，１７゜１８・・・・・・メルトの残留部
、１２・・・・・・ナイフェツジ状突起部、１３・・・
・・・ダミー基板収納用凹部、１４・・・・・・ダミー
基板、１５・・・・・・基板収納用凹部の直立した端面
、１２１・・・・・・ナイフェツジ状突起部に続く平坦
部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板ホルダーとメルトホルダーを備えた備えた液相エピ
    タキシャル成長装置において、　　　　−前記基板ホル
    ダーは、略々直立した端面によって囲まれた基板収納用
    凹部、該基板収納用凹部の直立した端面の一つを前縁と
    するナイフェツジ状突起部、該ナイフェツジ状突起部の
    後縁に連接して形成された平担部、該平坦部に連接して
    形成された凹部並びに該凹部内に収納され前記ナイフェ
    ツジ状突起部と略同−高さの上面及び前記メルトと濡れ
    易い性質を有するダミー基板を備えたことを特徴とする
    液相エピタキシャル成長装置。
JP18623583U 1983-11-30 1983-11-30 液相エピタキシヤル成長装置 Pending JPS6092824U (ja)

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JP18623583U JPS6092824U (ja) 1983-11-30 1983-11-30 液相エピタキシヤル成長装置

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JPS6092824U true JPS6092824U (ja) 1985-06-25

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ID=30402313

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